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文檔簡(jiǎn)介

1:分析測(cè)試技術(shù)

答:現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)--用現(xiàn)代分析測(cè)試儀器對(duì)物質(zhì)的構(gòu)成、含量、

構(gòu)造、形態(tài)、形貌以及變化過程的技術(shù)和措施

2:晶體的性質(zhì)

答:自限性(自范性):晶體在一定條件下能自發(fā)形成幾何多

面體的形狀。

?結(jié)晶均一性:同一晶體的不一樣部分具有相似H勺性質(zhì)。

?各向異性:晶體性質(zhì)隨方位不一樣而有差異的特性。

?對(duì)稱性:晶體中日勺晶面、晶棱、角頂、結(jié)點(diǎn)及物理化學(xué)性

質(zhì)等在不一樣方向作有規(guī)律地反復(fù)。

?最小內(nèi)能性:在相似熱力學(xué)條件下,與同種成分日勺非晶體、

液體、氣體相比,其內(nèi)能最小。

?穩(wěn)定性。

3,等軸晶系的晶面間距的計(jì)算。

f、/

a_q

ahkl_/---

^Jh2+k2+l2

答;i

4:核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)描述。

答:①主量子數(shù)〃:確定原子軌道能級(jí)的重要原因

②角量子數(shù)/:決定電子運(yùn)動(dòng)的角動(dòng)量

③磁量子數(shù)〃?:決定電子云在空間H勺伸展方向,即表達(dá)同一

亞層中原子軌道的數(shù)目

④自旋量子數(shù)〃位決定電子自旋方向

7.晶面、晶棱、面網(wǎng)符號(hào)的計(jì)算及表達(dá)措施。

答:晶面符號(hào):

它是根據(jù)晶面與各結(jié)晶軸時(shí)交截關(guān)系,用簡(jiǎn)樸日勺數(shù)字符

號(hào)形式來(lái)體現(xiàn)它們?cè)诰w上方位的一種晶體學(xué)符號(hào)。

-晶面符號(hào)H勺詳細(xì)數(shù)值等于該晶面在結(jié)晶軸上所截截距系

數(shù)的倒數(shù)比,體現(xiàn)為(hkDo

晶棱符號(hào):

-晶棱符號(hào)只波及方向,不波及詳細(xì)位置。

-為晶棱上某點(diǎn)在結(jié)晶軸上所截截距系數(shù)的比,體現(xiàn)為小

vw]

?面網(wǎng)符號(hào)是面網(wǎng)在三晶軸

上的分?jǐn)?shù)截距系數(shù)H勺倒數(shù)。

?若僅考慮面網(wǎng)的空間方

位,均以面網(wǎng)指數(shù)(010)標(biāo)識(shí),但若深入考慮兩者面網(wǎng)間

距的不一樣,則可分別用(010)和(020)標(biāo)識(shí),此即為面網(wǎng)指數(shù),

干涉指數(shù)或衍射指數(shù)

6.電子波有何特性?與可見光有何異同?

答:

答:

答:

?電子波特征:電子波屬于物質(zhì)波。電子波的波長(zhǎng)取決于電子運(yùn)動(dòng)的速度和質(zhì)量,

電子速度較低,則它的質(zhì)量和靜止質(zhì)量相似;若電子速度具有極高,則必須經(jīng)過

相對(duì)論校正。

?電子波和光波異同:

不同:不能通過玻璃詼鏡會(huì)聚成像。但是軸對(duì)稱的非均勻電場(chǎng)和磁場(chǎng)則可以訃電

子束折射,從而產(chǎn)生電子束的會(huì)聚與發(fā)散,達(dá)到成像的目的。電子波的波長(zhǎng)較短,

其波長(zhǎng)取決于電子運(yùn)動(dòng)的速度和質(zhì)量,電子波的波長(zhǎng)要比可見光小5個(gè)數(shù)量級(jí)。

另外,可見光為電磁波。

相同:電子波與可見光都具有波粒二象性。

補(bǔ)充:光學(xué)顯微鏡的分辨本領(lǐng)取決于照明光源的波長(zhǎng)。

1.X射線的本質(zhì)是什么?

答:X射線的本質(zhì)是一種電磁波,它具有波粒二象性。即它

既具波動(dòng)性,又具有粒子性。X射線的波動(dòng)性表目前它以一定的波長(zhǎng)

和頻率在空間傳播。X射線的波長(zhǎng)范圍為0.01?100A,介于Y射線和

紫外線之間。X射線的粒子性表目前它是由大量的不持續(xù)的粒子流構(gòu)

成的I。它具有一定U勺能量和動(dòng)量

2.何謂持續(xù)X射線和特性X射線?試解釋產(chǎn)生的原因。

答:持續(xù)X射線:從X射線管中發(fā)出的IX射線也不是單一波長(zhǎng)(單色)

的,而是包具有許多不一樣波長(zhǎng)的X射線。這些波長(zhǎng)構(gòu)成持續(xù)H勺光譜,

且是從某一最小值開始的一系列持續(xù)波長(zhǎng)的幅射。它與可見光中的白

光相似,故稱白色X射線或稱持續(xù)X射線

持續(xù)X射線產(chǎn)生機(jī)理:持續(xù)X射線光譜(或稱白色X射線)是由于迅速移

動(dòng)的I電子在靶面忽然停止而產(chǎn)生的I。每一種電子,由于忽然停下來(lái)的I

成果,它把它的動(dòng)能用J一部分變?yōu)闊崮?,一部分變?yōu)橐环N或幾種X射

線量子。由于電子口勺動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)閄射線能量的有多有少,所放出口勺X

射線的頻率有所不一樣。因此,由此產(chǎn)生的X射線譜是持續(xù)H勺,不過

有一種最短波長(zhǎng)口勺極限,這相稱于某些電子把其所有的能量轉(zhuǎn)變?yōu)閄

射線能量時(shí),頻率最大的狀況。

特性x射線:不?樣H勺原子具有不?樣的構(gòu)造,電子躍遷所釋放的能量不一樣,

不一樣元素有具有的特定波長(zhǎng)啊的x光,稱為特性x射線或標(biāo)識(shí)x射線。

特性x射線產(chǎn)生原因:由陰極奔馳來(lái)的電子,在其與陽(yáng)極U勺原子相作用

時(shí),把其能量傳給這些原子中H勺電子,把這些電子激發(fā)到更高一級(jí)的

能級(jí)上,此時(shí)原子過渡到不穩(wěn)定的受刺激日勺狀態(tài)。外層的電子立即

落到內(nèi)層彌補(bǔ)空位。當(dāng)發(fā)生這種過渡時(shí),原子的能量重新減少,多出

的能量就作為X射線量子發(fā)射出來(lái)。

3.持續(xù)X射線的短波限取決于什么?

答:管電壓

4.試述莫塞來(lái)定律。

答:

。莫塞來(lái)1914年總結(jié)了特征X射線與靶材原子結(jié)構(gòu)之間的

關(guān)系:

;=K(Z—0)或5=K(Z-

式中K為與靶中主元素有關(guān)的常數(shù),。為屏蔽常數(shù),與

電子所在的殼層有關(guān)。

。反過來(lái),如果能測(cè)到材料中元素發(fā)射的特征X射線的波

長(zhǎng),就能知道產(chǎn)生這些特征X射線元素是什么。這就是

X射線熒光光譜和電子探針分析的理論基礎(chǔ)。

5.特性X射線的波長(zhǎng)取決于什么?

答:特性X射線日勺波長(zhǎng)是由陽(yáng)極靶物質(zhì)的原子序數(shù)決定

6.X射線與物質(zhì)互相作用有哪三種情形?

答:X射線與物質(zhì)互相作用時(shí),產(chǎn)生多種不一樣的和復(fù)雜的過程。就

其能量轉(zhuǎn)換而言,一束X射線通過物質(zhì)時(shí),可分為三部分:一部分被

散射,一部分被吸取,一部分透過物質(zhì)繼續(xù)沿本來(lái)日勺方向傳播。

7.何謂相干散射、不相干散射和特性散射?

答:相干散射:當(dāng)入射X射線光子與原子中束縛較緊H勺電子發(fā)生彈

性碰撞時(shí),X射線光子的能量局限性以使電子掙脫束縛,電子的散射

線波長(zhǎng)與入射線波長(zhǎng)相似,有確定的相位關(guān)系。這種散射稱相干散射。

非相干散射:當(dāng)入射X射線光子與原子中束縛較弱的電子(如外層電

子)發(fā)生非彈性碰撞時(shí),光子消耗一部分能量作為電子口勺動(dòng)能,于是

電子被撞出原子之外,同步發(fā)出波長(zhǎng)變長(zhǎng)、能量減少的非相干散射

8.何謂光電效應(yīng)和俄歇效應(yīng)??jī)烧呤窃鯓赢a(chǎn)生的?有何區(qū)

別?

答:光電效應(yīng):當(dāng)用x射線轟擊物質(zhì)時(shí);若x射線的能量不小于物質(zhì)

原子對(duì)其內(nèi)層電子日勺束縛力時(shí),入射X射線光子的能量就會(huì)被吸取,

從而導(dǎo)致其內(nèi)層電子(如K層電子)被激發(fā),并使高能級(jí)上日勺電子產(chǎn)

生躍遷,發(fā)射新口勺特性X射線。

俄歇效應(yīng):當(dāng)高能級(jí)的電子向低能級(jí)躍遷時(shí),能量不是產(chǎn)生二次X射

線,而是被周圍某個(gè)殼層上的電子所吸取,并促使該電子受激發(fā)逸出

原子成為二次電子。

1.X射線衍射的概念?

答:一束波長(zhǎng)為入口勺X射線透過晶體時(shí),某一特定方向上日勺散射X射

線發(fā)生疊加,這種現(xiàn)象稱為X射線衍射

?2.布拉格方程的推導(dǎo)。

答:

2.2布拉格方程

DB=BF=dsin0

nA=DB+BF

=2(/sinG

光程差為4的整數(shù)

倍n時(shí)相互加強(qiáng)。

口一稱為“反射”級(jí)

次。

布拉格方程:2Jsin9=〃久

2dsin0=A

d--4-----1--

2sin。

sine的最大值為1,可知最小測(cè)定d尺寸為九/2,理

論上最大可測(cè)尺寸為無(wú)窮大,實(shí)際上為幾個(gè)日

1_2sin。

7一—

。3.布拉格方程的應(yīng)用。

答:(1)已知晶體的jd值,通過測(cè)量。,求特性x射線的入,并通過

入判斷產(chǎn)生特性X射線日勺元素。這重要應(yīng)用于X射線熒光光譜儀和電

子探針中。

(2)已知入射X射線向波長(zhǎng),通過測(cè)量0,求面網(wǎng)間距。并通過面

網(wǎng)間距,測(cè)定晶體構(gòu)造或進(jìn)行物相分析。

?4.獲得衍射把戲的幾種措施。

答:(1)勞厄法:用持續(xù)x射線譜作為入射光源,單晶固定不動(dòng),

入射線與各衍射面U勺夾角也固定不動(dòng),靠衍射面選擇不一樣波長(zhǎng)的X

射線來(lái)滿足布拉格方程

(2)旋轉(zhuǎn)晶體法:旋轉(zhuǎn)單晶法是用單色X射線照射單晶體,并

且使晶體不停地旋轉(zhuǎn)。即固定X射線的波長(zhǎng),不停變化。角,使某些

面網(wǎng)在一定日勺角度時(shí),能滿足布拉格方程,而產(chǎn)生衍射。

(3)粉末法:粉末法是通過單色X射線照射多晶體樣品,入

射X射線波長(zhǎng)固定。通過無(wú)數(shù)取向不一樣日勺晶粒來(lái)獲得滿足布拉格方

程的。角。

1.X射線分析有哪些應(yīng)用?

答:物象分析,定量分析,晶胞參數(shù)的精確測(cè)定,衍射線的指標(biāo)化,

晶粒尺寸和比表面積,介孔材料、長(zhǎng)周期材料的低角度區(qū)衍射,薄膜

W、J物相鑒定及取向測(cè)定,薄膜H勺反射率、厚度、密度及界面粗糙度測(cè)

2.X射線物相分析的概念。

答:X射線照射到晶體所產(chǎn)生的衍射具有一定的特性,可用衍射線的

方向及強(qiáng)度表征,根據(jù)衍射特性來(lái)鑒定晶體物相日勺措施稱為物相分析

法。

3.JCPDS重要有哪種索引?

答:①字順?biāo)饕礊槊Q索引,是按物質(zhì)的英文名稱或礦物學(xué)名稱

的字母次序排列日勺,每種物質(zhì)日勺名稱背面列出其化學(xué)分子式,三根最

強(qiáng)的d值和相對(duì)強(qiáng)度數(shù)據(jù),以及該物質(zhì)對(duì)應(yīng)的JCPDS卡片的次序號(hào)

②數(shù)字索引(哈那瓦特索引)是鑒定未知相時(shí)重要使用的索引,它

按衍射把戲的三條最強(qiáng)線d值排列,1972年后來(lái)出版的書還列出了另

外五條較強(qiáng)的線,即為八強(qiáng)線排列,每種物質(zhì)FI勺三強(qiáng)線或八強(qiáng)線在索

引中反復(fù)三次或八次,即每一強(qiáng)線都作為第一根線排列一次。

③芬克索引它是重要為強(qiáng)度失真和具有擇優(yōu)取向的衍射把戲設(shè)計(jì)口勺,它也是按

八強(qiáng)線排列。

4.簡(jiǎn)述粉晶X射線物相定性分析原理。

答:任何結(jié)晶物質(zhì)均有其特定日勺化學(xué)構(gòu)成和構(gòu)造參數(shù)(包括點(diǎn)陣類型、

晶胞大小、晶胞中質(zhì)點(diǎn)的數(shù)目及坐標(biāo)等)。當(dāng)X射線通過晶體時(shí)。,產(chǎn)

生特定的衍射圖形,對(duì)應(yīng)一系列特定的面間距”和相對(duì)強(qiáng)度//〃值。其

中6/與晶胞形狀及大小有關(guān),//〃與質(zhì)點(diǎn)的種類及位置有關(guān)。因此,任

何一種結(jié)晶物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)d和〃〃是其晶體構(gòu)造的必然反應(yīng)。

晶體的X射線衍射圖像實(shí)質(zhì)上是晶體微觀構(gòu)造的一種精細(xì)復(fù)雜的變

換,每種晶體H勺構(gòu)造與其X射線衍射圖之間均有著一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系,

其特性X射線衍射圖譜不會(huì)由于它種物質(zhì)混聚在一起而產(chǎn)生變化,這

就是X射線衍射物相分析措施的根據(jù)。

?1.X射線熒光產(chǎn)生的原理。

答:原子中的內(nèi)層(如K層)電子被X射線輻射電離后在K層產(chǎn)生一

種空位。外層(L層)電子填充K層孔穴時(shí),會(huì)釋放出一定的能量,

當(dāng)該能量以X射線輻射釋放出來(lái)時(shí)就可以發(fā)射特性X射線熒光。

?2.XRF定性分析及定量分析的基本原理。

答:定性分析:每一種元素均有其特定波長(zhǎng)(或能量)H勺特性

X射線。通過測(cè)定試樣中特性X射線的波長(zhǎng)(或能量),便可確定試

樣中存在何種元素,即為X射線熒光光譜定性分析。

定量分析:元素特性X射線的強(qiáng)度與該元素在試樣中的原子數(shù)量(即

含量)成比例。因此,通過測(cè)量試樣中某元素特性X射線的強(qiáng)度,采

用合適的措施進(jìn)行校準(zhǔn)與校正,便可求出該元素在試樣中的百分含

量,即為X射線熒光光譜定量分析。

-3.X射線熒光光譜儀的構(gòu)造與重要類型。

答:?波長(zhǎng)色散型(WDXRF):指使用晶體分光的J波長(zhǎng)色散型光譜儀,

效率較低,一般采用大功率光管激發(fā)。用于高精度高敏捷度定量分析。

能量色散型(EDXRF):以帶有半導(dǎo)體探測(cè)器和多道脈沖高度分析

器為特性的X射線熒光光譜儀,探測(cè)效率高,一般采用放射源或小功

率光管激發(fā)(幾瓦到幾十瓦)。用于執(zhí)行迅速定性分析和低水平定量

分析。

?4.Moseley定律。

答:

(3)Moseley定律

元素的熒光X射線的波長(zhǎng)(X)隨元素的原子序數(shù)(Z)

增加,有規(guī)律地向短波方向移動(dòng)。

(「2

-=K(Z—S)

K,S常數(shù),隨譜系(A,K,M,N)而定

XRF定性分析的基礎(chǔ):只要獲得了X射線熒光光譜

線的波長(zhǎng)就可以獲得元素的種類信息。

?5.XRF的重要用途有哪些。

答:定性分析,定量分析,元素分布,全反射XRF分析

(1)電鏡的球差、像散、色差分別是由什么原因引起的?

答:球差是由于電磁透鏡的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域?qū)﹄娮涌谏讜?huì)聚能力不

一樣而導(dǎo)致日勺。像散是由透鏡磁場(chǎng)日勺非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱而引起口勺。色差是由

于電子波的波長(zhǎng)或能量發(fā)生一定幅度的變化而導(dǎo)致的。

?(2)電子束與固體樣品作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)哪些?分別解

釋。

答:(1)背散射電子:背散射電子是被固體樣品中的原子反彈回來(lái)

W、J一部分入射電子。

(2)二次電子:二次電子是指在入射電子束作用下被轟擊出來(lái)并離

開樣品表面日勺樣品日勺核外層電子。

(3)吸取電子:入射電子進(jìn)人樣品后,經(jīng)多次非彈性散射能量損

失殆盡,最終被樣品吸取。

(4)透射電子:假如被分析的樣品很薄,那么就會(huì)有一部分入射

電子穿過薄樣品而成為透射電子。

(5)特性X射線:當(dāng)樣品原子的內(nèi)層電子被入射電子激發(fā),原子就

會(huì)處在能量較高日勺激發(fā)狀態(tài),此時(shí)外層電子將向內(nèi)層躍遷以彌補(bǔ)內(nèi)層

電子叢J空缺,從而使具有特性能量依JX射線釋放出來(lái)。

?(6)俄歇電子:在特性X射線過程中,假如在原子內(nèi)層電子能級(jí)

躍遷過程中釋放出來(lái)的能量并不以X射線的形式發(fā)射出去,而是用這

部分能量把空位層內(nèi)的另一個(gè)電子發(fā)射出去,這個(gè)被電離出來(lái)的電子

?(3)掃描電子顯微鏡的重要構(gòu)造。

答:

電子槍電源

透鏡電源

同步掃描

發(fā)生器

二次電子

率視頻放大器

吸收電子

真空系統(tǒng)

透射電子

透射電子探測(cè)器

背散射電子

電子光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成:電子槍、聚光鏡、物鏡、掃描系統(tǒng)、物鏡光闌、

合軸線圈和消象散器。

掃描系統(tǒng):它由掃描發(fā)生器和掃描線圈構(gòu)成

樣品室,信號(hào)檢測(cè)與放大系統(tǒng),圖像顯示和記錄系統(tǒng)

?(4)在掃描電鏡中二次電子成像與背散射電子成像有什

么區(qū)別?

答:二次電子像是表面形貌襯度,它是運(yùn)用對(duì)樣品表面形貌變化敏感

的物理信號(hào)作為調(diào)整信號(hào)得到的一種像襯度;

背散射電子信號(hào)日勺強(qiáng)度與樣品的化學(xué)構(gòu)成有關(guān),即與構(gòu)成樣品

的各元素平均原子序數(shù)有關(guān)。背散射電子像的形成,就是由于樣品表

面上平均原子序數(shù)Z大的部位而形成較亮的區(qū)域,產(chǎn)生較強(qiáng)的背散射

電子信號(hào);而平均原子序數(shù)較低口勺部位則產(chǎn)生較少的背散射電子,在

熒光屏上或照片上就是較暗的區(qū)域,這樣就形成原子序數(shù)襯度。

(5)掃描電鏡的重要特點(diǎn)。

答:辨別率高,放大倍率高,景深D大,保真度好,樣品制備簡(jiǎn)樸。

(6)解釋:景深,焦長(zhǎng),襯度

答:景深(或場(chǎng)深)是指在保持像清晰的前提下,試樣在物平面上下

沿鏡軸可移動(dòng)日勺距離,或者說試樣超越物平面所容許的厚度。

焦深(或焦長(zhǎng))是指在保持像清晰的前提下,像平面沿鏡軸可移動(dòng)的

距離,或者說觀測(cè)屏或攝影底版沿鏡軸所容許的移動(dòng)距離。

襯度:即是像面上相鄰部分間的黑白對(duì)比度或顏色差

?(7)電子探針有幾種基本的工作方式?分別是什么?

答:電子探針有三種基本的工作方式:

1)對(duì)樣品表面選定微區(qū)作定點(diǎn)日勺全譜掃描定性或半定量分析,以及

對(duì)其中所含元素濃度的定量分析。

2)電子束沿樣品表面選定的直線軌跡作所含元素濃度的線掃描分析。

3)電子束在樣品表面作面掃描,以特定元素依JX射線信號(hào)調(diào)制陰極

射線管熒光屏亮度,給出該元素濃度分布的掃描圖像。

?1.透射電鏡重要由幾大系統(tǒng)構(gòu)成?

答:基本構(gòu)造構(gòu)成:電子照明系統(tǒng),電子光學(xué)系統(tǒng),觀測(cè)記錄系統(tǒng),

真空系統(tǒng),電源系統(tǒng)

?2.解釋:點(diǎn)辨別率,晶格辨別率,襯度,明場(chǎng)像,暗場(chǎng)

答:點(diǎn)辨別率:透射電鏡剛能分清的兩個(gè)獨(dú)立顆粒U勺間隙或中心距離

晶格辨別率:當(dāng)電子束射入樣品后,通過樣品H勺透射束和衍射束間存

在位向差。由于透射和衍射束間日勺位相不一樣,通過動(dòng)力學(xué)干涉在相

面上形成能反應(yīng)晶面間距大小和晶面方向日勺條紋像,即晶格條紋像

襯度:是指圖像各部位明暗的區(qū)別程度。。透射電鏡圖像的襯度重要

包括散射襯度、衍射襯度。

明場(chǎng)像(BF):讓透射束通過物鏡光闌,將衍射電子束擋去而得到

圖像。直射電子成像,像清晰。

暗場(chǎng)像(DF):將物鏡光闌移動(dòng)到擋住透射束的位置,讓hkl衍

射束通過所形成日勺圖像。散射電子成像,像有畸變、辨別率低。

?3.透射電鏡的制樣措施.

(1)支持膜法

將塑料、酸或塑料/碳復(fù)合型

支持膜覆蓋于金屬銅網(wǎng)表

面,然后將顆粒狀樣品沉積

于支持膜表面用于透射電鏡

觀察。

所采用的塑料支持膜常用火

棉膠制備;碳支持膜則通過

在真空鍍膜機(jī)內(nèi)蒸發(fā)碳而獲

得;通過塑料與碳復(fù)合可以

提高支持膜的柔韌性能。

支持膜法特別適合于粉體類樣

品,通常首先將粉體通過超聲

均勻分散于特定溶劑中,然后

懸滴于銅網(wǎng)支持膜表面,經(jīng)溶

劑揮發(fā)后直接用于電鏡分析。

此外,該方法也適合于懸浮液

型樣品,典型如聚合物乳液、

漿料等,可直接通過懸滴、溶

劑揮發(fā)后用于透射電鏡分析。

(2)超薄切片法

對(duì)于軟質(zhì)塊狀樣品如通用塑料、

該方法適合于硬質(zhì)的塊狀樣品如金屬、

橡膠等,由于切片過程薄片很容

無(wú)機(jī)物、工程塑料等;首先通過超薄易發(fā)生卷曲同時(shí)易受剪切損傷,

切片儀切得超薄樣片,然后利用銅網(wǎng)通常首先對(duì)于樣品進(jìn)行冷凍然后

支持用于透射電鏡觀察。低溫下進(jìn)行脆性切片。

(2)超溥切片法

固化成型對(duì)于軟質(zhì)塊狀樣品或顆粒

較大的粉末樣品,也可通

過聚合物包埋法制樣。首

先將樣品混合于聚合物預(yù)

聚樹脂如環(huán)氧預(yù)聚物中然

后經(jīng)固化變硬后進(jìn)行超葡

切片,所得樣品最終支持

于銅網(wǎng)表面用于分析。

銅網(wǎng)表面樣品超薄切片

(3)重金屬“染色”法

超薄切片由于是等厚度樣

品,其在電鏡中形成的襯

度一般很小,因此需將某

種重金屬原子選擇性引入

樣品不同部位,利用重金

屬散射能力大的特點(diǎn),提

高樣品圖像的襯度。

?4.試比較光學(xué)顯微鏡成像和透射電子顯微鏡成像的異同

點(diǎn)?

?1.解釋:分子振動(dòng)光譜,紅外光譜,簡(jiǎn)正振動(dòng),伸縮振

動(dòng),彎曲振動(dòng),偶極矩,紅外活性,非紅

外活性,基頻峰,泛頻峰,簡(jiǎn)并

答:分子振動(dòng)光譜是指物質(zhì)因受光H勺作用,引起分子或原子基團(tuán)的振

動(dòng)能級(jí)的躍遷,從而產(chǎn)生對(duì)光的吸取或散射。

紅外光譜:樣品受到頻率持續(xù)變化的紅外光照射時(shí),分子吸取其中某

些頻率的輻射,引起分子偶極矩日勺凈變化,并使分子振動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)

從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài),對(duì)應(yīng)于這些頻率的透射光強(qiáng)減弱,記錄透過率

T%對(duì)波數(shù)或波長(zhǎng)的曲線,即為紅外光譜。

簡(jiǎn)正振動(dòng)是分子日勺基本振動(dòng),它是指分子質(zhì)心保持不變,整體不轉(zhuǎn)動(dòng),

每個(gè)原子都在其平衡位置附近做簡(jiǎn)諧振動(dòng),其振動(dòng)頻率和位相都相

似,即每個(gè)原子都在同一瞬間通過其平衡位置或到達(dá)最大位移值。

伸縮振動(dòng):原子沿鍵軸方向伸縮,使鍵長(zhǎng)發(fā)生變化而鍵角不變的振動(dòng)

稱為伸縮振動(dòng)。按其對(duì)稱性H勺不一樣,它又可分為對(duì)稱和不對(duì)稱伸縮

振動(dòng)。前者是指振動(dòng)時(shí)各個(gè)鍵同步伸長(zhǎng)或縮短;后者是指有的鍵伸長(zhǎng)、

有的鍵縮短。對(duì)同一基團(tuán)而言,不對(duì)稱伸縮振動(dòng)日勺頻率及吸取強(qiáng)度總

是高于對(duì)稱伸縮振動(dòng)。

彎曲振動(dòng):彎曲振動(dòng)乂叫變形振動(dòng),是一種基團(tuán)鍵角發(fā)生周期性地變

化而鍵長(zhǎng)不變?nèi)丈渍駝?dòng)形式,它又可分為面內(nèi)彎曲振動(dòng)和面外彎曲振動(dòng)

兩種類型。面內(nèi)彎曲振動(dòng)的振動(dòng)方向位于分子平面內(nèi),而面外彎曲振

動(dòng)是垂直于分子所在平面的一種彎曲振動(dòng)。

偶極矩:正、負(fù)電荷中心間的距離r和電荷中心所帶甩量q的J乘積,叫

做偶極矩以=「><4。分子的極性越大,偶極矩越大。

紅外活性:分子在振動(dòng)過程中必須有偶極矩的冷變化。即偶極矩的)變

化△R#()o分子振動(dòng)時(shí)引起偶極矩變化,產(chǎn)生紅外吸取H勺性質(zhì),稱

為紅外活性。有關(guān)的振動(dòng)稱為紅外活性振動(dòng)。

非紅外活性:分子振動(dòng)時(shí)不引起偶極矩變化,不能吸取紅外輻射,即

為非紅外活性。

基頻峰:分子吸取紅外輻射后,由基態(tài)振動(dòng)能級(jí)(u=0)躍遷至第

一激發(fā)態(tài)(U=1)時(shí)所產(chǎn)生的吸取峰。即Au=1所產(chǎn)生的吸取峰。

基頻峰的峰位(vL)等于分子的振動(dòng)頻率入

泛頻峰:在紅外吸取光譜上除基頻峰外,尚有振動(dòng)能級(jí)由基態(tài)(u=0)

躍遷至第二振動(dòng)激發(fā)態(tài)(u=2),第三振動(dòng)激發(fā)態(tài)(u=3)等等,

所產(chǎn)生的吸取峰稱為倍頻峰。

簡(jiǎn)并:不一樣振動(dòng)形式有相似W、J振動(dòng)頻率。

?2.紅外光分為哪三個(gè)區(qū)?并闡明這些區(qū)的吸取帶時(shí)用

途。

答:近紅外光區(qū)H勺吸取帶(13158-4000cm-l):可用來(lái)研究稀土和其

他過渡金屬離子日勺化合物,并合用于水、醇、某些高分子化合物以及

含氫原子團(tuán)化合物日勺定量分析。

中紅外光區(qū)吸取帶(4000-200cm-l):是絕大多數(shù)有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)

離子的基頻吸取帶。由于基頻振動(dòng)是紅外光譜中吸取最強(qiáng)的振動(dòng),因

此該區(qū)最適于進(jìn)行紅外光譜的定性和定量分析。一般,中紅外光譜法

又簡(jiǎn)稱為紅外光譜法。

遠(yuǎn)紅外光區(qū)吸取帶(200-1OOcm-1):是由氣體分子中的純轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷、

振動(dòng)-轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷、液體和固體中重原子的伸縮振動(dòng)、某些變角振動(dòng)、

骨架振動(dòng)以及晶體中的晶格振動(dòng)所引起的。由于低頻骨架振動(dòng)能敏捷

地反應(yīng)出構(gòu)造變化,因此對(duì)異構(gòu)體的研究尤其以便。

?3.分子產(chǎn)生紅外光譜的條件?

答:(1)振動(dòng)的頻率與紅外光波段的某頻率相等即分子吸取了這

一波段的光,可以把自身的能級(jí)從基態(tài)提高到某一激發(fā)態(tài)。這是產(chǎn)生

紅外吸取口勺必要條件。

(2)偶極矩的變化

?分子在振動(dòng)過程中,由于鍵長(zhǎng)和鍵角口勺變化,而引起分子的

偶極矩的變化,成果產(chǎn)生交變的電場(chǎng),這個(gè)交變電場(chǎng)會(huì)與紅

外光的電磁輻射互相作用,從而產(chǎn)生紅外吸取。而多非極性的雙原子

分子(H2,N2,O2),雖然也會(huì)振動(dòng),但振動(dòng)中沒有偶極矩的變化,因

此不產(chǎn)生交變電場(chǎng),不會(huì)與紅外光發(fā)生作用,不吸取紅外輻射。稱之

為非紅外活性。

?4.影響紅外光譜峰的內(nèi)部原因有哪些?

答:內(nèi)部原因重要有:1)電子效應(yīng)、2)氫鍵效應(yīng)、3)空間場(chǎng)效應(yīng)、

4)樣品物理狀態(tài)口勺影響、5)振動(dòng)耦合

原子吸取復(fù)習(xí)題

1.原子吸取光譜儀一般由必源、原子化系統(tǒng)、分光系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)四

部分構(gòu)成。

2.按照原子化方式分類,原子吸取光譜儀可分為火焰和非火焰兩大類。

3.原子吸取線變寬的影響原因有哪些?

答:(1)自然變寬;(2)多普勒變寬;(3)壓力變寬;(4)場(chǎng)致變寬;(5)

自吸變寬。

4.原子吸取光譜分析中火焰可分為化學(xué)計(jì)量火焰、貧燃火焰(氧化性火

焰)、富燃火焰(還原性火焰)三大類。

5.原子吸取光譜儀中原子化系統(tǒng)的作用是什么?

答:將試樣中的被測(cè)元素轉(zhuǎn)化為基態(tài)的原子蒸氣。

6.原子吸取光譜儀中用來(lái)衡量?jī)x器性能的技術(shù)指標(biāo)是一特性濃度和檢出限。

7.什么是電離干擾?消除電離干擾的措施?

答:是指某些元素在火焰中被離解成基態(tài)原子后,繼續(xù)電離為正離子和自

由離子,導(dǎo)致基態(tài)原子數(shù)減少,導(dǎo)致吸光度減少的一種干擾效應(yīng)。

消除電離干擾的措施:(1)加入電離克制劑。(2)使用溫度較低的火焰。

8.試論述火焰原子吸取光譜分析法的優(yōu)缺陷。

答:

長(zhǎng)處:

1?原子吸取分析條件穩(wěn)定,重現(xiàn)性好,相對(duì)原則偏差??;1%或更好

2.分析速度快;

3.應(yīng)用元素范圍廣,空氣.乙煥火焰可以測(cè)定35種元素,氧化亞氮一乙煥火焰

測(cè)定70多種元素;

4.操作措施簡(jiǎn)便,易掌握。

缺陷:

1.樣品運(yùn)用效率低,10%?15%,大部分樣品變?yōu)閺U液;

2.氣相原子濃度受到大量火焰氣體的強(qiáng)烈稀釋,大概為IO'個(gè)原子中只有1個(gè)

原子參與吸??;

3.火焰中自由原子在測(cè)量光路中的平均停留時(shí)間很短,約為10個(gè);

4.難熔元素如硼、硅、鈦、錯(cuò)、鋸、粗、稀土元素等易生成難離解氧化物,原

子化效率低。

等離子發(fā)射光譜分析復(fù)習(xí)題

1.等離子發(fā)射光譜分析過程重要分三步,即激發(fā)、分光和檢測(cè)。

2.等離子體焰炬形成過程?

答:首先向炬管中通入惰性氣體(一般是氧氣),建立氧氣氣氛。感應(yīng)線圈

接入高頻電源(27-40MHZ),此時(shí)線圈內(nèi)有高頻電流及由它產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)。由

于在室溫下干燥的敘氣并不導(dǎo)電,不會(huì)在氧氣中產(chǎn)生感應(yīng)電流。提供尖端放電,

使氨氣局部電離為導(dǎo)體,進(jìn)而產(chǎn)生感應(yīng)電流(渦電流)。感應(yīng)電流加熱氣體形

成火炬狀I(lǐng)CP炬焰。

3.等離子體的定義。

答:一般指電離度在0.1%以上的氣體,這種氣體不僅具有中性原子和分子,

并且具有大量的電子和離子,且電子和正離子的濃度處在平衡狀態(tài),從整體來(lái)

看是處在中性的。

4.等離子發(fā)射光譜定量分析是根據(jù)元素光譜線的強(qiáng)度和元素濃度間的定量關(guān)

系來(lái)進(jìn)行測(cè)定的。

5.等離子發(fā)射光譜分析法可以進(jìn)行定性分析、定量分圻、半定量分析。

O

1.解釋:熱分析、熱重分析、差熱分析、微商熱重法、差示掃描量

熱法

熱分析是在程序控制溫度下,測(cè)量物質(zhì)的物理性質(zhì)與溫度關(guān)系的一類技術(shù)。

熱重法(TG)是在程序控制溫度下,測(cè)量物質(zhì)質(zhì)量與溫度關(guān)系的一種技術(shù)。

差熱分析是在程序控制溫度下,測(cè)量物質(zhì)與參比物之間的I溫度差與溫度關(guān)系的一種技術(shù)。

微商熱重法是在程序控溫條件下,借助熱天平,可以獲得試樣的質(zhì)量隨溫度變化關(guān)系的信息

差示掃描量熱法(DSC)是在程序控制溫度下,測(cè)量輸給物質(zhì)和參比物的功率差與溫度關(guān)系

的一種技術(shù)

2.影響熱重分(TG)曲線的原因有哪些?

(1)升溫速度升溫速度越快,溫度滯后越嚴(yán)重(2)氣氛影響(3)

樣品依J粒度和用量樣品的粒度不適宜太大、裝填日勺緊密程度適中,

200-300目篩10mg左右。(4)試樣皿(出鍋)應(yīng)注意試樣皿對(duì)試樣

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