電力電子技術(shù)知識考核題庫與答案

電力電子技術(shù)知識考核題庫

一、單選題

1、（）出現(xiàn)前的時期可稱為電力電子技術(shù)的史前期或黎明期。［單選題］*

A、電力二極管

B、水銀整流器

C、晶閘管V

D、IGBT

2、（）屬于全控型器件，它是MOSFET和BJT的復(fù)合。其性能十分優(yōu)越，使之成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)

的主導(dǎo)器件。［單選題］*

A、電力二極管

B、晶閘管

C、GTO

D、IGBTV

3、（）是MOSFET和GTO的復(fù)合。其目前也取得了相當(dāng)?shù)某晒?已經(jīng)獲得大量應(yīng)用。［單選題］*

A、SIT

B、晶閘管

C.IGBT

DxIGCTV

4、晶閘管屬于半控型器件，它的觸發(fā)信號加在（）之間。［單選題］*

A、陽極與陰極

B、門極與陰極V

C、柵極與集電極

D、柵極與發(fā)射極

5、IGBT屬于電壓驅(qū)動型器件，它的驅(qū)動控制信號加在（）之間。［單選題］*

A、陽極與陰極

B、門極與陰極

C、柵極與集電極

D、柵極與發(fā)射極V

6、隨著全控型電力電子器件的不斷進(jìn)步，電力電子電路的工作頻率也不斷提高，電力電子器件的（）

也隨之增大。［單選題］*

A、通態(tài)損耗

B、斷態(tài)損耗

C、開關(guān)損耗V

D、開通損耗

7、電化學(xué)工業(yè)大量使用直流電源，電解鋁、電解食鹽水等都需要大容量（X［單選題］*

A、整流電源V

B、逆變電源

C、直流斬波電源

D、變頻器

8、以前的電梯大都采用直流調(diào)速系統(tǒng)，而近年來（）調(diào)速已成為主流。［單選題］*

A、斬波

B、交流變相

C、交流調(diào)壓

D、交流變頻V

9、輕型直流輸電主要采用（）器件。［單選題］*

A、晶閘管

B、電力MOSFET

C、GTO

DvIGBTV

10、通信設(shè)備中的程控交換機(jī)所用的直流電源以前用晶閘管整流電源，現(xiàn)在已改為采用全控型器件的

I［單選題］*

A、逆變電源

B、直流斬波電源

C、線性穩(wěn)壓電源

D、高頻開關(guān)電源V

11、逆導(dǎo)IGBT相當(dāng)于將一個IGBT兩端反并聯(lián)一個（）。［單選題］*

A、快速二極管V

B、晶閘管

C、電力MOSFET

D、GTO

12、下列器件中，（）與SIT速度相當(dāng)。［單選題］*

A、晶閘管

B、GTO

C、電力MOSFETV

D、IGBT

13、以下器件中,開關(guān)速度達(dá)幾百kHZ,甚至高達(dá)1MHZ的是（X［單選題］*

A、GTO

B、GTR

C、電力MOSFETV

D、IGBT

14、下列器件中，兆瓦級以上場合可采用的全控器件是（X［單選題］*

A、SCR

B、GTOV

C、電力MOSFET

D、IGBT

15、PN結(jié)具有的（），使得電力二極管導(dǎo)通時，雖然通過很大電流，但正向?qū)▔航岛艿?，只有IV左

右。［單選題］*

A、電容效應(yīng)

B、電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)V

C、電感效應(yīng)

D、滯后施

16、某電力二極管在電路中需要流過實際電流的有效值為314A,那么考慮1.5倍裕量，選擇額定電

流為（）的二極管。［單選題］*

A、314A

B、300M

C、471A

D、740A

17、某電力二極管額定電流為300A,那么考慮1.5倍裕量，在電路中允許長期流過的實際電流的有效

值I為（［［單選題］*

A、200A

B、300A

C、314AV

D、450A

18、某電路中需要承受的最高反向峰值電壓為220V,考慮2倍裕量，選擇額定電壓U為（）V的二

極管。［單選題］*

A、220

B、440

C、500V

D、1000

19、以下器件中，（）可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應(yīng)用于高壓電力設(shè)備中。［單選題］

*

A、快速晶閘管

B、雙向晶閘管

C、逆導(dǎo)晶閘管

D、光控晶閘管V

20、要使原來導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，須將流過晶閘管的電流降到（）以下。［單選題］*

A、額定電流；

B、維持電流；V

C、擎住電流；

D、觸發(fā)電流。

二、多選題（共20題，每題2分，共40分）

1、PWM控制在電力電子變流技術(shù)中占有十分重要的位置，它在（）等電力電子電路中均可應(yīng)用。

A、整流，

B、逆變V

C、直流斬波V

D、交流-交流控制V

2、目前電力電子集成電路的功率都比較小、電壓也較低，它面臨著（）等幾大難題。*

A、電壓隔離V

B、熱隔離V

C、光隔離

D、電磁干擾V

3、為了減小開關(guān)損耗，軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運而生，（）就是軟開關(guān)的最基本形式。*

A、ZVSV

B、ZCSV

C、TSC

D、TCR

4、工業(yè)中大量應(yīng)用各種交直流電動機(jī)。其中直流電動機(jī)有良好的調(diào)速性能，為其供電可以是下面的（\

A、整流電源V

B、逆變電源

C、直流斬波電源V

D、變頻器

5、高頻開關(guān)電源具有（）的優(yōu)點，現(xiàn)在已逐漸取代了線性電源。*

A、體積小V

B、重量輕V

C、效率高V

D、不產(chǎn)生諧波

6、（）和（）受環(huán)境的制約，發(fā)出的電力質(zhì)量較差，常需要儲能裝置緩沖，需要改善電能質(zhì)量，這就需要

電力電子技術(shù)。*

A、火力發(fā)電

B、核能發(fā)電

C、太陽能發(fā)電V

D、風(fēng)力發(fā)電V

7、同處理信息的電子器件相比，電力電子器件一般具有如下特征：（）*

A、處理電功率的能力比較大；V

B、工作在放大狀態(tài)；

C、由信息電子電路來控制；V

D、需要安裝散熱器V

8、以下器件中，（）屬于全控型器件。*

A、電力二極管

B、晶閘管

C、電力MOSFETV

DsIGBTV

9、以下器件中，（）屬于單極型器件。*

A、晶閘管

B、SITV

C、電力MOSFETV

D、IGBT

10、以下器件中，（）屬于復(fù)合型器件。*

AsIGCTV

B、MCTV

C、電力MOSFET

D、IGBTV

11、電力電子器件可以按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分為。（）*

A、單極型器件V

B、雙極型器件V

C、復(fù)合型器件V

D、反極型器件

12、按照控制端和公共端之間信號的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為。（）*

A、電流驅(qū)動型V

B、電壓驅(qū)動型V

C、電平驅(qū)動型

D、脈沖驅(qū)動型

13、電力電子器件的開關(guān)損耗包括。（）*

A、通態(tài)損耗

B、斷態(tài)損耗

C、開通損耗V

D、關(guān)斷損耗V

14、IGBT是哪兩種器件的復(fù)合。（）*

A、GTO

B、SCR

C、MOSFETV

D、GTRV

15、以下器件屬于全控型器件的是（）*

A、晶閘管

B、門極可關(guān)斷晶體管V

C、電力雙極型晶體管V

D、電力場效應(yīng)晶體管。

16、電力電子學(xué)是由（）學(xué)科交叉而形成的。*

A、電力學(xué)V

B、電子學(xué)V

C、控制理論V

D、電機(jī)學(xué)

17、目前用于電力電子器件制造的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要有（）。

A、硅

B、碳化硅V

C、氮化錢V

D、楮

18、電力MOSFET具有（）特點。*

A、驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小V

B、開關(guān)速度快。

C、電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過10kW的電力電子裝置V

D、電流容量大，耐壓高，多用于功率大于10kW的電力電子裝置

19、與相控整流電源相比，開關(guān)電源具有（）特點。*

A、需要的濾波器更大

B、采用了高頻變壓器V

C、體積小V

D、重量輕V

20、下列換流方式中，（）是針對晶閘管而言的*

A、器件換流

B、電網(wǎng)換流V

C、負(fù)載換流V

D、強迫換流V

三、判斷題（共20題，每題1分，共20分）

1、電力電子器件總是工作在開關(guān)狀態(tài)。（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

2、為了減小通態(tài)損耗，軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運而生。（）［單選題］

A、正確

B、錯誤V

3、在系統(tǒng)開關(guān)頻率較低的情況下，開關(guān)損耗是電力電子器件功率損耗的主要成因。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

4、雙向晶閘管的額定電流是以能流過的最大正弦半波電流的平均值來定義的（1［單選題］*

A、正確

B、錯誤。

5、電力二極管內(nèi)部PN結(jié)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)影響PN結(jié)的工作頻率。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤，

6、從外形上來看，晶閘管主要有螺栓形和平板形兩種封裝結(jié)構(gòu)。其中電流大的做成螺栓形，電流小的

做成平板形。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

7、當(dāng)晶閘管承受正向電壓時，晶閘管開通；晶閘管承受反向電壓時，晶閘管關(guān)斷。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

8、若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，需要將晶閘管兩端的電壓降到零。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

9、晶閘管的電壓定額中有反向重復(fù)峰值電壓URRM和斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM,通常取晶閘管的

UDRM和URRM中較大的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

10、GTO導(dǎo)通時飽和程度比晶閘管導(dǎo)通時飽和程度深。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

11、如果將電力電子器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片

上,則稱為功率模塊。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

12、通過控制觸發(fā)脈沖的相位來控制輸出電壓大小的方式稱為斬波控制方式。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

13、阻感負(fù)載的特點是負(fù)載電流的變化超前于負(fù)載電壓。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

14、三相全控橋式整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶純電阻負(fù)載。晶閘管承受的最大正向和

最大反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

15、三相全控橋整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶阻感負(fù)載。晶閘管承受的最大正向和最大

反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］

A、正確V

B、錯誤

16、逆變角太小會造成逆變失敗。（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

17、電流驅(qū)動型器件的特點是輸入阻抗高，所需驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤。

18、無源逆變電路，是把直流電能逆變成交流電能送給電網(wǎng)（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤，

19、三相橋式全控整流電路,輸出電壓波形的脈動頻率是150Hz。（）［單選題］*

A、正確

B、錯誤V

20、三相橋式全控整流電路，共陰極組VT1、VT3、VT5的脈沖依次差120°,同一相的上下兩個橋臂,

脈沖相差180°（）［單選題］*

A、正確V

B、錯誤

B

1.在共發(fā)射極放大電路中，增大基極電流時，三極管的集電極電流和電位將（）。［單選題］*

A集電極電流增大，集電極電位升高

B集電極電流增大，集電極電位降低V

C集電極電流減小，集電極電位升高

D集電極電流減小，集電極電位降低

2.在共發(fā)射極放大電路中，減小基極電流時，三極管的集電極電流和電位將（）。［單選題］*

A集電極電流減小，集電極電位升高V

B集電極電流減小，集電極電位降低

C集電極電流增大，集電極電位升高

D集電極電流增大，集電極電位降低

3.交流放大電路中，改變RC的電阻值，將會使放大電路的（X［單選題］*

A電壓放大倍數(shù)改變

B靜態(tài)工作點改變，IC減小

C靜態(tài)工作點改變，IC增大

D電壓放大倍數(shù)改變，同時也改變了靜態(tài)值UCEV

4.在共發(fā)射極放大電路中，若發(fā)射極經(jīng)一電阻RE和一電容并聯(lián)再接地。那么電阻RE的作用是（X

［單選題］*

A穩(wěn)定靜態(tài)工作點的作用V

B起負(fù)反饋作用

C減小發(fā)射極電流IE的作用

D不確定

5.在共發(fā)射極電路中，減小負(fù)載電阻RL將使放大器放大倍數(shù)（X［單選題］*

A降低

B升高V

C不變

D不一定

6.電路如圖6所示,敘述正確的是（X［單選題］*

A.電流源吸收功率，電壓源發(fā)出功率

B.電流源和電壓源都吸收功率

C.電流源發(fā)出功率，電壓源吸收功率V

D.電流源和電壓源都發(fā)出功率

7.若將同一白熾燈分別接入到直流電源和有效值為的交流電源上，則（I［單選題］*

A.接至直流電源時較亮

B.接至交流電源時較亮

C.兩者亮度相同V

8.下列說法中不符合R、L、C串聯(lián)諧振特征的是（I［單選題］*

A.電路對電源呈現(xiàn)電阻性

B.電路的阻抗模最大V

C.1

D.電流最大

9.三相異步電動機(jī)轉(zhuǎn)動的原理是（X［單選題］*

A.定子磁場與定子電流的相互作用

B.轉(zhuǎn)子磁場與轉(zhuǎn)子電流的相互作用

C.旋轉(zhuǎn)磁場與轉(zhuǎn)子電流的相互作用V

D.旋轉(zhuǎn)磁場與定子電流的相互作用

10.時序邏輯電路的輸出狀態(tài)的改變（X［單選題］*

A.僅與該時刻輸入信號的狀態(tài)有關(guān)；

B.僅與時序電路的原狀態(tài)有關(guān)；

C.與A.、B.皆有關(guān)V

D.輸出信號的次態(tài)

11.射極輸出器的輸出電壓與輸入電壓的相位（X［單選題］*

A反相

B同相V

C相位差為900

D不確定

12.在共發(fā)射極電路中，增大負(fù)載電阻RL將使放大器放大倍數(shù)（）。［單選題］

A降低

B升高V

C不變

D無法確定

13.組合邏輯電路通常由（）組合而成。［單選題］*

A.門電路；V

B.觸發(fā)器；

C.計數(shù)器；

D.寄存器

14.用8421碼表示的十進(jìn)制數(shù)65,可以寫成（X［單選題］*

A.65

B.［1000001］BCD

C.[01100101]BCDV

D.［1000001］2

15.電流的真實方向是（X［單選題］*

A從電源正極流出來的方向

B正電荷移動的方向V

C從電源負(fù)極流出來的方向

D負(fù)電荷移動的方向

16.電壓的真實方向是（I［單選題］*

A從高電壓到低電壓方向

B高電位指向低電位方向V

C從正極指向負(fù)極的方向

D不確定

17.電源電動勢的實際方向是（\［單選題］*

A從低電位指向高電位V

B從高電位指向低電位方向

C從電源正極指向負(fù)極的方向

D不確定

18.在直流電路的計算中，若選擇了某一方向為電流的參考方向。求解出來的電流或電壓是正值。則表

示參考方向與實際方向（\［單選題］*

A相同V

B相反

C不一定

19.在直流電路的計算中，若選擇了某一方向為電流的參考方向。求解出來的電流或電壓是負(fù)值。則表

示參考方向與實際方向（\［單選題］*

A相反V

B相同

C不一定

20.在列寫回路電壓方程時，若選擇了電路圖中電流的參考方向。問：電壓、電動勢的方向應(yīng)（I［單

選題］*

A與電流的參考方向一致V

B電壓與電流一致，電動勢與電流相反

C與電流的參考方向相反

D以上均不是

21.任何一個有源二端線性網(wǎng)絡(luò)的戴維南等效電路是（）［單選題］*

A一個理想電流源和一個電阻的并聯(lián)電路

B一個理想電流源和一個理想電壓源的并聯(lián)電路

C一個理想電壓源和一個理想電流源的串聯(lián)電路

D一個理想電壓源和一個電阻的串聯(lián)電路V

22.下面關(guān)于理想電壓源說法錯誤的是（X［單選題］*

A端電壓不隨輸出電流的大小而改變

B輸出電流的大小由外部負(fù)載決定

C可以用一個內(nèi)阻為0的電動勢來表示

D輸出電流不隨端電壓的大小而改變V

23.將一個實際的電壓源等效為一個實際的電流源以后，電流源的電流方向是（）*

A從原來電壓源的正極指向負(fù)極

B從原來電壓源的負(fù)極指向正極V

C不變

D以上都不是

24.將一個實際電流源等效為一個實際電壓源。等效后的電壓源其端電壓是（X*

A等于電流源原來的端電壓

B等于原來的電流源電流乘以并聯(lián)的內(nèi)阻V

C等于原來的電流源電流乘以串聯(lián)的內(nèi)阻

D以上均不是

25.下面關(guān)于射極輸出器說法錯誤的是（X［單選題］*

A射極輸出器的輸入電阻高

B射極輸出器的輸出電阻低

C射極輸出器的輸出電壓不穩(wěn)定，帶負(fù)載能力弱V

D射極輸出器的電壓放大倍數(shù)約等于1

26.在R、C串聯(lián)電路中，電阻兩端的電壓有效值為3V,電容兩端的電壓有效值為4V。串聯(lián)電路的

總電壓有效值是（1［單選題］*

AIV

B5VV

C7V

D12V

27.在R、L串聯(lián)的交流電路中，分別測得電阻、電感兩端的電壓有效值為8V和6V。那么，總電壓

有效值應(yīng)是（X［單選題］*

A2V

B14VV

C10V

DOV

28.已知在R、L串聯(lián)的正弦交流電路中，總電壓U=3OV,L上的電壓UL=18V，則R上的電壓UR應(yīng)

為（）［單選題］*

A12V

B24V

C48VV

D48V

29.在R、C串聯(lián)的交流電路中，增大原來的電阻后，總電壓與電流的相位差將（X［單選題］*

A增大

B減小V

C不變

D不確定

30.在R、L串聯(lián)的交流電路中，增大原來的電阻后，總電壓與電流的相位差將（\［單選題］*

A增大

B減小V

C不變

D不確定

31.一個電感串聯(lián)一個電阻，其串聯(lián)電路的阻抗角應(yīng)是：（）［單選題］*

A等于00

B等于900

C大于00而小于900V

D小于00

32.一個電容串聯(lián)一個電阻，其串聯(lián)電路的阻抗角應(yīng)是(X［單選題］*

A等于900

B小于00而大于-900V

C大于00而小于900

D不確定

33.在純電容元件電路中，在相位上電流比電壓(\［單選題］*

A滯后900

B超前900V

C沒有相位差

D無法確定

34.在純電感元件電路中，在相位上電流比電壓(\［單選題］*

A滯后900V

B超前900

C沒有相位差

D無法確定

35.設(shè)某負(fù)載端電壓口=311sin(wt+900)V,流過的電流i=10sin(wt+300)A。則該負(fù)載的阻抗是

\［單選題］*

A31.1Z600QV

B31.1Q

C22Q

D22z600

36.在含有LC的電路中，當(dāng)電源的頻率和電路的參數(shù)符合一定的條件時，電路總電壓與總電流的相位

相同，整個電路呈（）性，此現(xiàn)象稱為（）。［單選題］*

A.電感性,諧振

B.電容性，諧振

C.電阻性，諧振V

D.電感性，串聯(lián)諧振

37.實驗室中的交流電壓表和電流表，其讀值是交流電的（）［單選題］*

A最大值

B有效值V

C瞬時值

D最小值

38.電路的時間常數(shù)大，則瞬態(tài)過程進(jìn)行（X［單選題］*

A較快

B較慢V

C不變

D不確定

39.電路的時間常數(shù)大，則瞬態(tài)過程進(jìn)行（\［單選題］*

A較快V

B較慢

C不變

D不確定

40.穩(wěn)壓二極管正常工作時，應(yīng)工作在（）［單選題］*

A正向?qū)▍^(qū)

B截止區(qū)

C反向擊穿區(qū)V

D死區(qū)

41.半導(dǎo)體三極管是一種（）［單選題］*

A電壓控制電壓的器件

B電壓控制電流的器件

C電流控制電流的器件V

D電流控制電壓的器件

42.已知放大電路中某晶體管三個極的電位分別為UE=6V,UB=5.3V,UC=0V,則該管為（\［單

選題］*

APNP型鑄管

B.NPN型褚管

CPNP型硅管V

DNPN型硅管

43.當(dāng)NPN三極管發(fā)射結(jié)電壓大于0.6V,集電結(jié)電壓小于0.6V時，三極管處于（\［單選題］*

A導(dǎo)通狀態(tài)

B放大狀態(tài)V

C截止?fàn)顟B(tài)

D不確定

44.當(dāng)NPN三極管發(fā)射結(jié)電壓大于0.6V;集電結(jié)電壓也大于0.6V時，三極管的工作狀態(tài)是（\［單

選題］*

A導(dǎo)通狀態(tài)V

B放大狀態(tài)

C截止?fàn)顟B(tài)

D不確定

45.晶體三極管工作于飽和狀態(tài)時，貝！J（I［單選題］*

A發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

B發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏V

C發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

46.當(dāng)NPN三極管發(fā)射結(jié)電壓小于0V;集電結(jié)電壓小于0V時，三極管的工作狀態(tài)是（1［單選題］

*

A導(dǎo)通狀態(tài)

B放大狀態(tài)

C截止?fàn)顟B(tài)V

D不確定

47.為使NPN型三極管可靠截止，應(yīng)使（X［單選題］*

AUBE<O,UBC<OV

BUBE>0,UBC>0

CUBE<0,UBC>0

DUBE>0,UBC<0

48.在單管固定偏置共射極放大電路中若測得三極管的靜態(tài)管壓降UCEr近似等于電源電壓UCC時,

則該管工作狀態(tài)為（）［單選題］*

A飽和

B截止V

C放大

D不確定

49.在共發(fā)射極電路中，三極管的［3=100,集電極電阻RC=1KQ,電源電壓為10Vo那么使三極管

進(jìn)入飽和時的基極電阻RB應(yīng)是（X［單選題］*

A50KQ

B100KQV

C150KQ

D200KQ

50.在共發(fā)射極電路中，三極管的p=50,集電極電阻RC=1KQ,電源電壓為10Vo則使三極管進(jìn)入

飽和時的基極電阻RB應(yīng)是（X［單選題］*

A50KQV

B100KQ

C150KQ

D200KQ

c

1.電力晶體管的外部電極是：集電極、基極和發(fā)射極。［判斷題］*

對v

錯

2.在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。［判斷題］*

對V

錯

3.硅管正向?qū)〞r的壓降為0.6~0.8V。［判斷題］*

對

錯V

4.電流放大系數(shù)一般用參數(shù)a表示。［判斷題］*

對

錯V

5.硅管正偏導(dǎo)通時，其管壓降(即陰陽極兩端的電壓)約為()。［單選題］

A0.1V

B0.2V

C0.5VV

D0.7V

6.()型晶體管的材料為()，()型晶體管的材料為()。［單選題］*

A、NPN,硅;PNP,硅

B、PNP,硅；NPN,德

C、NPN，錯；PNP,硅V

D、PNP,褚；NPN,硅

7.把直流電變?yōu)榻涣麟姷碾娐贩Q為整流。［判斷題］*

對

錯V

8.周期不變，通過改變導(dǎo)通時間而改變變壓比，達(dá)到控制輸出電壓目的的是()。［單選題］

A、脈沖寬度調(diào)制V

B、PWH控制技術(shù)

C、脈沖頻率調(diào)制

D、混合型調(diào)制

9.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在()。［單選題］*

A、導(dǎo)通狀態(tài)

B、關(guān)斷狀態(tài)V

C、飽和狀態(tài)

D、不一定

10.三相逆變電路是將()變?yōu)?)。［單選題］*

A、直流電，單相交流電

B、單相交流電，直流電

C、直流電，三相交流電V

D、三相交流電，直流電

11.在門電路中，以下哪個邏輯函數(shù)是正確的()。［單選題］*

A、A+l=0

B、A0=l

C、A1=AV

D、A+0=0

12.給晶閘管加上正向陽極電壓它就會導(dǎo)通。［判斷題］*

對

錯V

對同一晶閘管，維持電流與擎住電流在數(shù)值大小上有小于［判斷題］

13.IHILILIH0

對

錯V

14.根據(jù)邏輯代數(shù)運算規(guī)律A*(B+C)=(A+B)*(C+D)。［判斷題］*

對

錯V

15.晶閘管從承受正向電壓開始到觸發(fā)脈沖出現(xiàn)之間的電角度稱為控制角。［判斷題］*

對V

錯

16.門極可關(guān)斷晶閘管是一種全控型器件。［判斷題］*

對V

錯

與門的邏輯函數(shù)是［判斷題］*

17.Y=A+Bo

對

錯V

18.三相逆變電路是將直流電變?yōu)槿嘟涣麟?。［判斷題］*

對V

錯

19.NPN型晶體管死區(qū)電壓為()V,所以通常發(fā)射結(jié)電壓為()V。［單選題］*

A、0.1,0.6—0.7

B、0.5,0.6—0.7V

C、0.1,0.2—0.3

D、0.5,0.2—0.3

20.降壓斬波電路中，輸出功率()輸入功率。［單選題］*

A、大于

B、等于V

C、小于

D、不一定

21.在降壓斬波電路中，a代表的含義是()。［單選題］*

A、導(dǎo)通角

B、控制角

C、占空比V

D、觸發(fā)角

22.周期不變，通過改變導(dǎo)通時間而改變變壓比，達(dá)到控制輸出電壓目的的是()。［單選題］*

A、脈沖寬度調(diào)制V

B、PWH控制技術(shù)

C、脈沖頻率調(diào)制

D、混合型調(diào)制

23.晶閘管是()器件。［單選題］*

A、全控型

B、不可控

C、半控型V

D、逆導(dǎo)

24.三相逆變電路是將直流電變?yōu)閱蜗嘟涣麟?。［判斷題］

對

錯V

25.普通晶閘管、快速晶閘管、高頻晶閘管中開關(guān)速度最快的是高頻晶閘管。［判斷題］*

對V

錯

26.只要在晶閘管兩端施加正向電壓，晶閘管就能導(dǎo)通。［判斷題］*

對

錯V

27.電感有濾波的作用。［判斷題］*

對V

錯

28.三段不等分半控整流橋由兩個二極管，六個晶閘管組成。［判斷題］*

對

錯V

29.以相數(shù)分類，整流電路可以分為單相整流電路和三相整流電路。［判斷題］*

對V

錯

30.與門的邏輯函數(shù)是Y=A+B。［判斷題］*

對

錯V

31.單相不可控整流電路可以調(diào)節(jié)輸出電流的大小。［判斷題］*

對

錯V

32.在邏輯電路中,Y=A+B?C可以轉(zhuǎn)化為Y=(A+B)?(A+C)。［判斷題］*

對V

錯

33.在本征半導(dǎo)體中摻入少量三價元素，構(gòu)成的是()型摻雜半導(dǎo)體。［單選題］*

A、PV

B、N

C、M

D、S

34.晶閘管門極觸發(fā)電流越大，導(dǎo)通所需的轉(zhuǎn)折電壓()。［單選題］*

A、大

B、小V

C、不變

D、沒有規(guī)律

35.絕緣柵雙極型晶體管的G極是()。［單選題］*

A、門極

B、集電極

J柵極V

D、發(fā)射極

36.下面對整流電路描述正確的是()。［單選題］*

A、改變直流電的大小

B、直流電變?yōu)榻涣麟?/p>

C、交流電變?yōu)橹绷麟奦

D、改變交流電的頻率、相位

37.電流放大系數(shù)一般用參數(shù)（）表示。［單選題］*

A、卸

B、ICBO

C、ICM

D、ICEO

38.下列不屬于晶體三極管的結(jié)構(gòu)區(qū)域是（）。［單選題］*

A、發(fā)射區(qū)

B、集電區(qū)

C、死區(qū)V

D、基區(qū)

39.三極管具有放大作用的內(nèi)部條件為（）。［單選題］*

A、Ube<UceV

B、Ube>Uce

C、Ube=Uce

D、Ube=O

40.晶閘管的等效電路可以由（）個二極管串聯(lián)，或者（）個三極管構(gòu)成。［單選題］*

A、3,4

B、3,2V

C、2,3

D、1,3

41.AC-DC變換是將交流電變換為直流電，一般稱為整流。［判斷題］*

對V

錯

42.晶閘管的導(dǎo)通條件是陽極電壓大于零、門極電壓大于零。［判斷題］*

對V

錯

43.對于晶體三極管輸出特性曲線中IB=O的曲線以下的部分是截止區(qū)。［判斷題］*

對V

錯

44.在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時會出現(xiàn)失控現(xiàn)。［判斷題］*

對V

錯

45.脈沖寬度調(diào)頻不但改變斬波器的工作頻率，而且改變斬波器的導(dǎo)通時間。［判斷題］

對

錯V

46.楮管正向?qū)〞r的壓降為0.2~0.6V。［判斷題］*

對

錯V

47.絕緣柵雙極型晶體管的G極是柵極。［判斷題］*

對V

錯

48.電力場效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。［判斷題］

對

錯V

49.可關(guān)斷晶閘管GTO屬于半控型器件。［判斷題］*

對

錯V

50.同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流比關(guān)斷電流大。［判斷題］*

對

錯V

51.脈沖寬度寬調(diào)頻不但改變斬波器的工作頻率，而且改變斬波器的導(dǎo)通時間。［判斷題］*

對

錯V

52.在本征半導(dǎo)體中摻入5價元素得N型半導(dǎo)體，摻入3價元素則得P型半導(dǎo)體。［判斷題］*

對V

錯

53.實際使用電力晶體管時，必須要有