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一、光電效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)規(guī)律1.發(fā)生光電效應(yīng)的條件是入射光的頻率大于金屬的截止頻率.2.入射光的頻率大于金屬的截止頻率時(shí),光電流強(qiáng)度(單位時(shí)間內(nèi)發(fā)射出的光電子數(shù))與入射光強(qiáng)度成正比.3.光電子的最大初動(dòng)能隨入射光頻率的增大而增大.4.光電效應(yīng)的發(fā)生是瞬時(shí)的.[復(fù)習(xí)過(guò)關(guān)]1.(多選)如圖1所示為研究光電效應(yīng)規(guī)律的實(shí)驗(yàn)電路,電源的兩個(gè)電極分別與接線柱c、d連接.用一定頻率的單色光a照射光電管時(shí),靈敏電流計(jì)G的指針會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),而用另一頻率的單色光b照射該光電管時(shí),靈敏電流計(jì)G的指針不偏轉(zhuǎn).下列說(shuō)法正確的是()圖1A.a(chǎn)光的頻率一定大于b光的頻率B.用b光照射光電管時(shí),一定沒(méi)有發(fā)生光電效應(yīng)C.電源正極可能與c接線柱連接D.若靈敏電流計(jì)的指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),則電流方向一定是由d→G→f答案ACD解析由于電源的接法不知道,所以有兩種情況:(1)c接負(fù)極,d接正極:?jiǎn)紊鈇頻率大于金屬的極限頻率,b光的頻率小于金屬的極限頻率,所以a光的頻率一定大于b光的頻率.(2)c接正極,d接負(fù)極:a、b兩光都能發(fā)生光電效應(yīng),a光產(chǎn)生的光電子能到達(dá)負(fù)極而b光產(chǎn)生的光電子不能到達(dá)負(fù)極,a光產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能大,所以a光的頻率一定大于b光的頻率.故A、C正確,B錯(cuò)誤;電流的方向與負(fù)電荷定向移動(dòng)的方向相反,若靈敏電流計(jì)的指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),則電流方向一定是由d→G→f.故D正確.2.關(guān)于光電效應(yīng),下列說(shuō)法正確的是()A.當(dāng)入射光的頻率低于截止頻率時(shí),不能發(fā)生光電效應(yīng)B.只要光照射的時(shí)間足夠長(zhǎng),任何金屬都能產(chǎn)生光電效應(yīng)C.光電效應(yīng)現(xiàn)象中存在極限頻率,導(dǎo)致含有光電管的電路存在飽和電流D.入射光的光強(qiáng)一定時(shí),頻率越高,單位時(shí)間內(nèi)逸出的光電子數(shù)就越多答案A解析光電效應(yīng)的條件是入射光的頻率大于金屬的截止頻率,與入射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),飽和電流的大小與極限頻率無(wú)關(guān),與入射光的強(qiáng)度有關(guān);入射光的光強(qiáng)一定時(shí),頻率越高,光子的能量值越大,入射光中的光子的數(shù)目越少,單位時(shí)間內(nèi)逸出的光電子數(shù)就越少.二、對(duì)光電效應(yīng)方程的應(yīng)用和Ek-ν圖像的考查1.愛(ài)因斯坦光電效應(yīng)方程:hν=eq\f(1,2)mv2+Ahν:光電子的能量A:逸出功,即從金屬表面直接飛出的光電子克服正電荷引力所做的功.Ek:光電子的最大初動(dòng)能.2.由Ek-ν圖像(如圖2)可以得到的信息圖2(1)極限頻率:圖線與ν軸交點(diǎn)的橫坐標(biāo)ν0.(2)逸出功:圖線與Ek軸交點(diǎn)的縱坐標(biāo)的絕對(duì)值E=A.(3)普朗克常量:圖線的斜率k=h.3.三個(gè)關(guān)系式:(1)hν=eq\f(1,2)mv2+A(2)A=hν0(3)Ek=eU0.[復(fù)習(xí)過(guò)關(guān)]3.(多選)對(duì)愛(ài)因斯坦光電效應(yīng)方程hν=eq\f(1,2)mv2+A,下面的理解正確的有()A.只要是用同種頻率的光照射同一種金屬,那么從金屬中逸出的所有光電子都會(huì)具有同樣的初動(dòng)能EkB.式中的A表示每個(gè)光電子從金屬中飛出過(guò)程中克服金屬中正電荷引力所做的功C.逸出功A和極限頻率ν0之間應(yīng)滿足關(guān)系式A=hν0D.光電子的最大初動(dòng)能和入射光的頻率不成正比答案CD解析根據(jù)光電效應(yīng)方程hν=eq\f(1,2)mv2+A知,同種頻率的光照射同一種金屬,從金屬中逸出的所有光電子最大初動(dòng)能都相同,但初動(dòng)能可能不同.故A錯(cuò)誤.A表示逸出功,是每個(gè)電子從這種金屬中飛出過(guò)程中,克服金屬中正電荷引力所做的功的最小值.故B錯(cuò)誤;當(dāng)最大初動(dòng)能為零時(shí),入射頻率即為極限頻率,即A=hν0,故C正確.最大初動(dòng)能與入射光的頻率成一次函數(shù)關(guān)系,不是正比關(guān)系.故D正確.4.對(duì)光電效應(yīng)的解釋正確的是()A.普朗克利用量子理論成功解釋了光電效應(yīng)現(xiàn)象B.一定強(qiáng)度的入射光照射某金屬發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),入射光的頻率越高,單位時(shí)間內(nèi)逸出的光電子數(shù)就越多C.發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),入射光越強(qiáng),光子的能量就越大,光電子的最大初動(dòng)能就越大D.由于不同金屬的逸出功不相同,因此不同金屬材料的極限波長(zhǎng)也不相同答案D解析愛(ài)因斯坦光電效應(yīng)方程成功解釋了光電效應(yīng)現(xiàn)象,A錯(cuò)誤;光電效應(yīng)產(chǎn)生的光電子數(shù)與光強(qiáng)有關(guān),B錯(cuò);光電子的最大初動(dòng)能隨入射光頻率的增大而增大,與光強(qiáng)無(wú)關(guān),C錯(cuò);由A=hν0=heq\f(c,λ0)知不同金屬材料極限波長(zhǎng)不同,D正確.5.(多選)在如圖3所示的光電效應(yīng)現(xiàn)象中,光電管陰極K的極限頻率為ν0,現(xiàn)用頻率為ν(ν>ν0)的光照射在陰極上,若在A、K之間加一數(shù)值為U的反向電壓時(shí),光電流恰好為零,則下列判斷正確的是()圖3A.陰極材料的逸出功等于hν0B.有光電子逸出,且光電子的最大初動(dòng)能可表示為eUC.有光電子逸出,且光電子的最大初動(dòng)能可表示為hν-h(huán)ν0D.無(wú)光電子逸出,因?yàn)楣怆娏鳛榱愦鸢窤BC解析金屬逸出功與極限頻率的關(guān)系是:A=hν0,A正確;光電流為零不是沒(méi)有光電子逸出,而是光電子在反向電壓的作用下,速度減小為零,不能到達(dá)A極,Ek=eU=hν-A=hν-h(huán)ν0,B、C項(xiàng)正確,D錯(cuò)誤.6.用頻率為ν的光照射某金屬表面,逸出光電子的最大初動(dòng)能為E;若改用頻率為ν′的另一種光照射該金屬表面,逸出光電子的最大初動(dòng)能為3E.已知普朗克常量為h,則ν′為()A.3νB.eq\f(ν,3)C.eq\f(2E,h)+νD.eq\f(2E,h)-ν答案C解析設(shè)金屬逸出功為A,則有E=hν-A,若改用頻率為ν′的另一種光照射該金屬表面,有3E=hν′-A,由此求出ν′為eq\f(2E,h)+ν.圖47.(多選)如圖4是某金屬在光的照射下,光電子最大初動(dòng)能Ek與入射光頻率ν的關(guān)系圖像,由此可知()A.該金屬的逸出功等于EB.該金屬的發(fā)生光電效應(yīng)的截止頻率為ν0=eq\f(E,h)C.入射光的頻率為2ν0時(shí),產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能為2ED.普朗克常量為h=eq\f(E,ν0)答案ABD解析根據(jù)hν=eq\f(1,2)mv2+A得,縱軸截距的絕對(duì)值等于金屬的逸出功,等于E.當(dāng)最大初動(dòng)能為零時(shí),入射光的頻率等于截止頻率,所以金屬的截止頻率為ν0=eq\f(E,h),A、B正確;根據(jù)光電效應(yīng)方程可知,入射光的頻率變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,由于逸出功不變,最大初動(dòng)能不是原來(lái)的2倍,C錯(cuò)誤;逸出功等于E,則E=hν0,所以h=eq\f(E,ν0),或通過(guò)圖線的斜率k=h=eq\f(E,ν0),故D正確.三、氫原子能級(jí)及能級(jí)躍遷1.對(duì)原子躍遷條件的理解(1)原子從低能級(jí)向高能級(jí)躍遷,吸收一定能量的光子.只有當(dāng)一個(gè)光子的能量滿足hν=E末-E初時(shí),才能被某一個(gè)原子吸收,使原子從低能級(jí)E初向高能級(jí)E末躍遷.(2)原子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷,以光子的形式向外輻射能量,所輻射的光子能量恰等于發(fā)生躍遷時(shí)的兩能級(jí)間的能量差.2.關(guān)于能級(jí)躍遷的說(shuō)明(1)當(dāng)光子能量大于或等于13.6eV時(shí),也可以被處于基態(tài)的氫原子吸收,使氫原子電離;當(dāng)處于基態(tài)的氫原子吸收的光子能量大于13.6eV,氫原子電離后,電子具有一定的初動(dòng)能.(2)當(dāng)軌道半徑減小時(shí),庫(kù)侖引力做正功,原子的電勢(shì)能減小,電子動(dòng)能增大,原子能量減小.反之,軌道半徑增大時(shí),原子電勢(shì)能增大,電子動(dòng)能減小,原子能量增大.[復(fù)習(xí)過(guò)關(guān)]8.如圖5所示為氫原子的四個(gè)能級(jí),其中E1為基態(tài),若氫原子A處于激發(fā)態(tài)E2,氫原子B處于激發(fā)態(tài)E3,則下列說(shuō)法正確的是()圖5A.原子A可能輻射出3種頻率的光子B.原子B可能輻射出3種頻率的光子C.原子A能夠吸收原子B發(fā)出的光子并躍遷到能級(jí)E4D.原子B能夠吸收原子A發(fā)出的光子并躍遷到能級(jí)E4答案B解析原子A處于激發(fā)態(tài)E2,它只能輻射出1種頻率的光子;原子B處于激發(fā)態(tài)E3,它可能由E3到E2,由E2到E1,或由E3到E1,輻射出3種頻率的光子;原子由低能級(jí)躍遷到高能級(jí)時(shí),只能吸收具有能級(jí)差的能量的光子,由以上分析可知,只有B項(xiàng)正確.9.(多選)氫原子的能級(jí)如圖6所示,已知可見(jiàn)光的光子能量范圍約為1.62~3.11eV.下列說(shuō)法正確的是()圖6A.一個(gè)處于n=2能級(jí)的氫原子,可以吸收一個(gè)能量為4eV的光子B.大量氫原子從高能級(jí)向n=3能級(jí)躍遷時(shí),發(fā)出的光是不可見(jiàn)光C.大量處于n=4能級(jí)的氫原子,躍遷到基態(tài)的過(guò)程中可以釋放出6種頻率的光子D.氫原子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷的過(guò)程中釋放的光子的能量可能大于13.6eVE.用能量為10eV和3.6eV的兩種光子同時(shí)照射大量處于基態(tài)的氫原子,有可能使個(gè)別氫原子電離答案ABC解析|E2|=3.4eV<4eV,所以處于n=2能級(jí)的氫原子,可以吸收一個(gè)能量為4eV的光子而被電離,A正確;氫原子從高能級(jí)向n=3能級(jí)躍遷時(shí)放出的能量小于1.51eV,屬于不可見(jiàn)光,B正確;大量處于n=4能級(jí)的氫原子,躍遷到基態(tài)的過(guò)程中可以釋放出Ceq\o\al(2,4)=6種頻率的光子,C正確;氫原子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷的過(guò)程中釋放的光子的能量不可能大于13.6eV,D錯(cuò);當(dāng)一個(gè)光子的能量滿足hν=E末-E初時(shí),才能被某一個(gè)原子吸收,E錯(cuò).10.圖7中所示為氫原子能級(jí)示意圖的一部分,則關(guān)于氫原子發(fā)生能級(jí)躍遷的過(guò)程中,下列說(shuō)法中正確的是()圖7A.從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷,氫原子放出光子B.從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷,氫原子核外電子軌道半徑變
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