TSZAA 001-2024 車身域控制器場效應(yīng)管負(fù)載能力試驗(yàn)方法

CCS31.080.01ICSL40

SZAA深 圳 自 動(dòng) 化 學(xué) 會(huì) 團(tuán) 體 標(biāo) 準(zhǔn)T/SZAA001—2024車身域控制器場效應(yīng)管負(fù)載能力試驗(yàn)方法TestMethodforLoadCapacityofFieldEffectTransistorinVehicleDomainController2024-11-14發(fā)布 2024-11-30實(shí)施深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì) 發(fā)布T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGE\*ROMANPAGE\*ROMANII目 次前??言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語和定義 1分類、參數(shù)要求及封裝 7技術(shù)要求 7檢測方法 12包裝、貯存、標(biāo)識要求 23標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的過渡期要求 23前??言本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)提出并歸口。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本文件起草單位：比亞迪汽車工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGEPAGE10車身域控制器場效應(yīng)管負(fù)載能力試驗(yàn)方法范圍規(guī)范性引用文件GB/T191—2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T5465.2—2008 電氣設(shè)備用圖形符號 第2部分：圖形符號GB/T30512—2014 汽車禁用物質(zhì)要求GB/T2900.32—1994 電工術(shù)語 電力半導(dǎo)體器GJB3164—1998 半導(dǎo)體分立器件包裝規(guī)范IEC60191-6-20096部分表面安裝的半導(dǎo)體器件封裝外形圖紙制備的一般規(guī)則（MechanicalStandardizationofSemiconductorDevicesPart6GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages）IEC60747-82021半導(dǎo)體器件分立器件第8（SemiconductordevicesDiscretedevices-Part8:Field-effecttransistors）JESD51-1集成電路的熱測試方法（IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod）JESD51-14一維傳熱路徑下半導(dǎo)體器件結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試法（TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSingePath）AEC-Q101-Rev-E基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理（FailureMechanismBasedStressTestQualificationforDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications）ANSI/ESDS20.20-2021版靜電控制標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。MOSFETMOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorMOSNMOSN型金屬-氧化物-半導(dǎo)體（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET導(dǎo)電溝道為NVGS（GS電位高），Source（低邊驅(qū)動(dòng)）。PMOSP（P-typemetaloxidesemiconductor），PMOSFETPVGS（SG電位高），SourceVDD（高邊驅(qū)動(dòng)）。柵極Gate，簡稱G極。MOS管的控制端。在G極施加驅(qū)動(dòng)電壓可控制MOS管開啟、關(guān)閉。源極S漏極DrainDNMOSPMOS溫度循環(huán)TemperatureCycling，高溫與低溫循環(huán)交替作用下測試器件機(jī)械應(yīng)力。絕對最大限值-VDS耐壓V=0VMOS絕對最大限值-VGS耐壓MOS絕對最大限值-持續(xù)帶載IDMOS25MOSMOS絕對最大限值-脈沖帶載IDM（規(guī)格書標(biāo)識MOS絕對最大限值-雪崩電流IASMOSMOS絕對最大限值-雪崩能量EASEASMOSMOS絕對最大限值-結(jié)溫TJTJ(結(jié)溫)(JunctionTemperatureMOSPNMOS絕對最大限值-結(jié)溫TSTGTSTGMOSMOSMOS管的功能、性能不受影響。絕對最大限值-耗散功率PDPD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常時(shí)所能承受的最大漏源耗散功率。其計(jì)算公式為：PD

=TJmax?TC，其中RRθjc

?JC

代表結(jié)-殼熱阻。電氣特性-擊穿電壓V(BR)DSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到規(guī)定值時(shí)的漏源電壓值。電氣特性-漏源漏電流IDSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓所產(chǎn)生的漏源電流。電氣特性-柵極漏電流IGSS指在規(guī)定的溫度和漏源短接情況下，在柵源兩極施加電壓所產(chǎn)生的柵源電流。電氣特性-閾值電壓VGS(th)指在規(guī)定的溫度和柵漏短接情況下，在柵源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到一定值時(shí)的柵源電壓值。VGs(th)是負(fù)溫度系數(shù)，當(dāng)溫度上升時(shí)，MOS管的柵源閾值電壓會(huì)降低。電氣特性-導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)指在規(guī)定的溫度和柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，當(dāng)漏源電流達(dá)到特定值時(shí)所測得的漏源電阻。GSGFS表示正向跨導(dǎo)，漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力。電氣特性-體二極管導(dǎo)通壓降VSD電氣特性-體二極管帶載電流IS結(jié)電容輸入電容Ciss漏極對源極交流短路時(shí)，柵極與源極之間的電容。輸出電容Coss柵極對源極交流短路時(shí)，漏極和源極之間的電容。反向傳輸電容Crss漏極和柵極之間的電容。柵極電阻Rg柵極和源極之間的內(nèi)部電阻值。柵極電荷Qg使柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。Qgs使柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓(米勒平臺(tái))所需要的電荷量。Qgd米勒平臺(tái)開始到結(jié)束所需的電荷量。開關(guān)時(shí)間)柵極電壓上升到設(shè)定電壓的10%后，到漏極電壓下降到設(shè)定電壓的90%之間的時(shí)間。t)柵極電壓下降到設(shè)定電壓的90%后，到漏極電壓上升到設(shè)定電壓的10%之間的時(shí)間。tr漏極電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%所需要的時(shí)間。tf漏極電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%所需要的時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間trr指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間Qrr指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的電荷量。FR4材質(zhì)FR44PCBFR4RetardantGrade（IEC）標(biāo)準(zhǔn)，F(xiàn)R-4430/分鐘?？煽啃皂?xiàng)目術(shù)語及定義（AEC-Q101）應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1 可靠性項(xiàng)目術(shù)語及定義序號縮略語全稱中文說明1ACAutoclave高溫蒸煮試驗(yàn)2WBPWireBondPullStrength引線鍵合拉力3WBSWireBondshearstrength引線鍵合剪切力4DPADestructivePhysicalAnalysis破壞性物理分析5DSDieShear芯片剪切力6DIDielectricIntegrity電介質(zhì)完整性7ESDHESD-HBMCharacterization靜電放電人體模式8ESDCESD-CDMCharacterization靜電放電帶電器件模式9HASTHighlyAcceleratedStressTest有偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)10H3TRBHighHumidityHighTemp.ReverseBias高溫高濕反偏試驗(yàn)11HTGBHighTemperatureGateBias高溫柵極偏置試驗(yàn)12HTRBHighTemperatureReverseBias高溫反偏試驗(yàn)13IOLIntermittentOperationalLife間歇工作壽命14MSMechanicalShock機(jī)械沖擊15PCPreconditioning預(yù)處理16PDPhysicalDimension物理尺寸17PVParametricVerification參數(shù)認(rèn)定18RSHResistancetoSolderHeat耐焊接熱19RTSResistancetoSolvents耐溶解性20SDSolderability可焊性21TCTemperatureCycling溫度循環(huán)22TCDTTcDelaminationTest溫度循環(huán)分層測試23TCHTTemperatureCyclingHottest溫度循環(huán)熱測試24TSTerminalStrength端子強(qiáng)度25TRThermalResistance熱阻26UISUnclampedinductiveSwitching非鉗位電感開關(guān)27UHASTUnbiasedHAST無偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)28PTCPowerTemperatureCycling功率負(fù)載溫度循環(huán)29EVExternalVisual外觀檢測30TESTPre-andPost-StressElectricalTest應(yīng)力測試前后功能參數(shù)測試分類參數(shù)要求及封裝產(chǎn)品分類按導(dǎo)電溝道形成機(jī)理分類車身域使用的控制器場效應(yīng)管按照導(dǎo)電溝道形成機(jī)理分類，一般分為以下兩類：a）增強(qiáng)型場效應(yīng)管；b）耗盡型場效應(yīng)管。按導(dǎo)電載流子的帶電極性分類車身域控制器使用場效應(yīng)管按照導(dǎo)電載流子的帶電極性分類，一般分為以下兩類：N溝道場效應(yīng)管；P溝道場效應(yīng)管。參數(shù)要求不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)部分應(yīng)包含：絕對最大限制，電氣特性，熱阻特性及封裝信息；產(chǎn)品規(guī)格書提供的參數(shù)部分格式允許不同。產(chǎn)品封裝封裝信息，MOS管的各項(xiàng)物理參數(shù)都可以找到對應(yīng)值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差；技術(shù)要求參數(shù)描述符號描述要求應(yīng)符合表2，關(guān)鍵參數(shù)選用要求應(yīng)符合表3。表2 符號描述要求圖例引腳符號描述(2)D(1)G(3)S1G柵極（Gate）2D漏極（Drain）3S（Source）4G柵極（Gate）5、6、7、8D漏極（Drain）1、2、3S（Source）表3 關(guān)鍵參數(shù)選用要求項(xiàng)目標(biāo)號范圍單位漏極-源極耐壓Drain-SourceVoltageVDS≥40V柵極-源極耐壓Gate-SourceVoltageVGS≥±20V柵極閾值電壓（4）GateThresholdVoltageVGS(th)≥2V最大連續(xù)電流DrainCurrent-ContinuousID≥45A最大連續(xù)工作電流DrainCurrent-Continuous(TC=100℃)ID(100℃)≥31.8A漏極脈沖電流PulsedDrainCurrentIDM≥125A導(dǎo)通內(nèi)阻（注3）Drain-SourceOn-StateResistanceRDS(ON)≤8m?最大耗散功率MaximumPowerDissipationPD≥28W單脈沖雪崩能量（注1）SinglepulseavalancheenergyEAS≥115mJ工作結(jié)溫和儲(chǔ)存溫度范圍OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55~175℃結(jié)-殼熱阻ThermalResistance,Junction-to-caseRθJC≤4.5℃/W結(jié)-環(huán)境熱阻（注2）ThermalResistance,Junction-to-ambientRθJA≤45℃/W注：EAScondition測試條件：起始溫度TJ=25℃,VDD=20V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25?；SurfaceMountedonFR4BoardFR4板上t10秒；3.VGS=10V,ID=20A；4.VDS=VGS,ID=250μA。電氣特性-動(dòng)態(tài)特性一般規(guī)格書中涉及的動(dòng)態(tài)特性參數(shù)包括結(jié)電容、柵極電荷、開關(guān)時(shí)間等，具體如下。結(jié)電容(Ciss、Coss、Crss)CissCgsCgd,CgsCgd阻抗，提高驅(qū)動(dòng)電流，提高Ciss的充放電速度，才能加快MOS管的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間。??Coss:Coss=Cds+Cgd。在實(shí)際電路應(yīng)用中，Coss可能會(huì)引起電路的諧振。??Crss=CgdMOSRg：MOS管柵極內(nèi)部寄生電阻。SiO2 DGG

SourceRwp+ Cgd p+RCdsRdn- n-n+ n+ SDrain圖1 MOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖 圖2 符號示意圖柵極電荷(Qg、Qgs、Qgd)QgCiss0VVGS所需的總電荷量；柵-QgsCiss0V達(dá)到米勒平臺(tái)所需的電荷量；柵-QgdCrss充電，米勒平臺(tái)開始到結(jié)束所需的電荷量；Qg的大小與柵極電壓有關(guān)，Qgs的大小與漏極電流有關(guān)，Qgd的大小與漏源電壓有關(guān)。通常MOS管規(guī)格書中此值的測試條件為：Vgs=10V,Vds=耐壓的50%，Id與RDS(ON)電流一致。開關(guān)特性一般規(guī)格書中涉及的開關(guān)特性參數(shù)(注：不同廠商判斷條件不同)有如下：td(on)VGS10%VDSVGS10%ID10%時(shí)間。td(off)VGS90%VDS10%VGS90%ID90%c）trVDS90%10%ID電流從設(shè)10%90%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間。d）tfVDS10%90%ID90%10%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間。f）trrQrrQgQQgQgsQgd

90%trtrtrttttCharge圖3 電荷量與Vgs的示意圖 圖4 Vds與Vgs的示意圖熱阻特性一般規(guī)格書中涉及的熱阻特性有兩種，如下：RθJAMOSTJ-TA與功率之比；RθJCMOSTJ-Tc與功率之比。TjTc1TjTc1θθjaθjtθjcθ圖5 MOS熱阻測試原理圖散熱性能要求應(yīng)符合表4規(guī)定。表4 散熱性能要求參數(shù)符號限值單位注釋結(jié)-殼熱阻R?JC≤4.8℃/W5.1.3.1結(jié)-環(huán)境熱阻R?JA≤48℃/W5.1.3.2注釋：表中熱阻限值適用于封裝尺寸不大于5mm×6mm。R?JC)R?JC結(jié)-殼熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫固面層的熱阻所決定。結(jié)-環(huán)境熱阻(R?JA)R?JA結(jié)-R?JA一般基于1平方英寸、2盎司敷銅的FR4板上測得，不同的板材和測試環(huán)境對R?JA測試結(jié)果有較大的影響。外觀要求VIEW"A"1REFAFE3E2bL1VIEW"A"1REFAFE3E2bL1外觀質(zhì)量要求車身域控制器用場效應(yīng)管外觀質(zhì)量要求應(yīng)符合表5規(guī)定。表5 外觀質(zhì)量要求缺陷種類指標(biāo)塑封體：缺損、封裝體裂紋不允許引腳：毛刺、壓傷、變形、沾污、斷裂、連筋不明顯引腳斷裂及連筋是不允許鍍層：覆蓋不全、變色、鍍層剝落不允許不全、雙重打印不明顯打印錯(cuò)誤，印字不全、雙重打印不允許尺寸規(guī)格及偏差PDFN56-8L6規(guī)定，相關(guān)內(nèi)容不少于以下信息。dceD2xD21REFTopViewD1dceD2xD21REFTopViewD1BottomViewA1SideView代號（Symbol）參數(shù)描述（CommonDimensions）公制（Millimeters） 英制（Inches）E1EE4KL最小（Min）正常（Nom）最大（Max）最?。∕in）正常（Nom）最大（Max）A0.9001.0001.1500.0350.0390.045A10.0000.0500.0000.002b0.2460.2540.3500.0100.0100.014C0.3100.4100.5100.0120.0160.020d1.27BSC0.050BSCD4.9505.0505.1500.1950.1990.203D14.0004.1004.2000.1570.1610.165D20.125REF0.005REF續(xù)表6 尺寸容許偏差表代號（Symbol）參數(shù)描述（CommonDimensions）公制（Millimeters）英制（Inches）e0.62BSC0.024BSCE5.5005.6005.7000.2170.2200.224E16.0506.1506.2500.2380.2420.246E23.4253.5253.6250.1350.1390.143E30.250REF0.010REFE40.275REF0.011REFF--0.100--0.004L0.5000.6000.7000.020.020.03L10.6000.7000.8000.020.030.03K1.225REF0.05REF注：TopView：俯視圖(電路正面)；BottomView：底視圖(電路反面)；SideView：側(cè)視圖(電路側(cè)面)。檢測方法檢測環(huán)境7表7 數(shù)條件溫度℃相對濕度%大氣壓力kPa工作-40～850～10050～106存儲(chǔ)-40～1500～10050～106/試樣處理試樣處理應(yīng)滿足以下要求：AEC-Q101-Rev–E377顆；不同項(xiàng)目具體參考表8；按照ANSI/ESDS20.20-2021無特殊要求樣品應(yīng)貼裝于FR42oZ實(shí)驗(yàn)框圖實(shí)驗(yàn)應(yīng)滿足圖6至圖9要求。DNMOSGDNMOSGSSPMOSGD圖6 晶體管特性測試儀示波器DGSa）NMOS直流可調(diào)電源直流可調(diào)電源直流可調(diào)電源電流探頭示波器SPMOS電壓探頭GD電子負(fù)載

b）PMOS圖7 導(dǎo)通內(nèi)阻測試布局圖載 表

載 表DDGSSPMOS點(diǎn)溫計(jì)GDa）NMOS b）PMOS圖8 VSD測試

V(BR)effVDSLHSWVDSLHSWIDVGSDUTRGVGSIDVDSIDa）測試電路圖 b）波形圖圖9 UIS測試電路和波形圖驗(yàn)證流程應(yīng)符合圖10的規(guī)定。圖10 驗(yàn)證流程通用測試8表8 通用測試參數(shù)序號項(xiàng)目測試方法要求備注1擊穿電壓V(BR)DSSG、S，在DGS250uA極間電壓即為VBRDSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試2漏極漏電流IDSSG、S，在DGSVDS時(shí)兩極間電流即為IDSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試3VGS(th)開啟電壓G、D，在DGS250uAVGS(th)參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試4柵極漏電流IGSS短接D、S，在G和DS之間加?xùn)艠O最大額定電壓（正壓和負(fù)壓），此時(shí)兩極漏電流即為IGSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試5柵極耐壓BVGSSD、S，在GDS100nABVGSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試6ID最大電流TC=25℃，VGS=10V參考規(guī)格書范圍RDS(ON)實(shí)測值。?=?????? R????= ?? ? ? K??(??)MOSFET流小于理論計(jì)算值。7RDS(on)VGS=10V,ID=25A，測試DS壓降算出內(nèi)阻參考規(guī)格書范圍圖7內(nèi)阻測試，按測試條件。8VSD（VGS=0V）測試SD通過額定IS電流的電壓參考規(guī)格書范圍8RDS(ON)保持一致，直接讀數(shù)SD之間壓降。9EAS雪崩測試，按規(guī)格書測試要求參考規(guī)格書范圍9MOSLIoMOSHSWLMOSD、SEA=.IoL2續(xù)表8 通用測試參數(shù)序號項(xiàng)目測試方法要求備注10Qg測試Qg,參考規(guī)格書參考規(guī)格書范圍給柵極輸入恒定電流，直到柵源電壓達(dá)到一個(gè)指定值，可通過示波器讀取。11輸入電容Ciss參考規(guī)格書注：因每款MOS的參數(shù)都不一致，所以驗(yàn)證時(shí)需要按照規(guī)格參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)給定漏源電壓和測試頻率，通過結(jié)電容電橋讀取。12輸出電容Coss參考規(guī)格書13反向傳輸電容Crss參考規(guī)格書14柵極電阻Rg參考規(guī)格書15IDM脈沖電流測試參考規(guī)格書參考規(guī)格書范圍VGS=10V，在DS間加一定時(shí)間的IDM正常?？煽啃栽囼?yàn)參考AEC-Q101-Rev–E標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)按照表9的實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行試驗(yàn)。T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGEPAGE17表9 可靠性項(xiàng)目、試驗(yàn)方法及要求試驗(yàn)組A–加速環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明預(yù)處理PCA11G,S適用于A2、A3、A4、A5和C8測試前的SMD部件零缺陷JEDEC/IPCJSTD-020JESD22-A-113僅在測試A2A3A4A5和C8之前對表面貼裝器件進(jìn)行測試。PC前后均需要測試，任何零件的更換都需要有報(bào)告。有偏高加速應(yīng)力HASTA21D,G,U,V,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-110TA=130°C/85%RH下96小時(shí)，或TA=110°C/85%RH下264小時(shí)，反向偏壓在80%額定電壓下，（達(dá)到腔內(nèi)發(fā)生電弧的電壓，典型為42V)。HAST前后需測試。高溫高濕反偏H3TRBA2alt1D,G,U,V,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-101T=5°C8%下108額定電壓下（最大值為100V或腔室限定）。H3TRB前后需測試。無偏高加速應(yīng)力UHASTA31D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-118,orA101TA=130°C/85%RH下96小時(shí)，或TA=110°C/85%RH下264小時(shí)。UHAST前后需測試。高溫蒸煮ACA3alt1D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-10296小時(shí)，TA=121°C，RH=100%，15psig。AC前后需測試。溫度循環(huán)TCA41D,G,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-104AEC-Q101附錄61000次循環(huán)(TA=最低結(jié)溫-55°C至最高額定結(jié)溫，不超過150°C)。使用TA(max)=25°C，超過部分最大結(jié)溫或在最大結(jié)溫高于150°C時(shí)使用TA(max)=175°C，可以將試驗(yàn)縮短至400個(gè)周期。TC前后需測試。如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。試驗(yàn)后允許≤0.5mΩ的變化量；△TJ≥100℃△TJ≥125℃△TJ≥100℃△TJ≥125℃15000cycles7500cycles試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明間歇工作壽命IOLA51D,G,P,T,U,W,3773附注B零缺陷MIL-STD-750Method1037參照表A不超過最大額定結(jié)溫IOL表A：如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。IOL試驗(yàn)后允許≤0.5mΩ的變化。功率負(fù)載溫度循環(huán)PTCA5alt1D,G,T,U,W773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-105如果IOL加電后△TJ無法達(dá)到100℃，則采用PTC試驗(yàn)參照表A中的時(shí)間要求，按指定時(shí)間周期進(jìn)行試驗(yàn)，部件供電和腔內(nèi)溫度循環(huán)確保△TJ≥100℃（不超過最大額定結(jié)溫）。PTC前后需測試。如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。PTC試驗(yàn)后允許≤0.5mΩ的變化。注：“alt”表示選擇執(zhí)行同一個(gè)測試的一個(gè)或多個(gè)。試驗(yàn)組B–加速壽命壓力試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明高溫反偏HTRBB11D,G,K,P,U,3773附注B零缺陷MIL-STD-750-1在額定最大直流反向DC電壓下工作1000H，同時(shí)調(diào)節(jié)結(jié)溫以避免熱失控（Ta要根據(jù)漏電損耗做調(diào)整）。HTRB前后需測試。試驗(yàn)組B–加速壽命壓力試驗(yàn)（續(xù)）試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明高溫柵極偏置HTGBB21D,G,M,P,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-108在指定TJ下1000小時(shí)，柵極偏置在元件開關(guān)時(shí)最大額定電壓的100%，將TJ提高25℃可以縮短時(shí)間至500H，HTGB前后需測試。試驗(yàn)組C–包裝組件完整性試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明破壞性物理分析DPAC11D,G21附注B零缺陷AEC-Q101-004第4節(jié)在已完成的H3TRB或者HAST，和TC后樣品中隨機(jī)抽樣部件。物理尺寸PDC22G,N301零缺陷JEDECJESD22-B-100驗(yàn)證實(shí)際物理尺寸是否符合用戶的零件包裝公差尺寸和公差規(guī)范。引線鍵合拉力WBPC33D,G,E最少5個(gè)部件10根線零缺陷MIL-STD-750-2Method2037AEC-Q006適用于銅線條件C或D，對于Au線直徑>1mil的，滿足最小拉力TC=3克，對于Au線直徑<1mil的，參照：MIL-STD-750-2中方法2037，且應(yīng)拉力點(diǎn)在球鍵上方而不是在線中間。引線鍵合剪切力WBSC43D,G,E零缺陷AEC-Q101-003JESD22B116有關(guān)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)和如何進(jìn)行測試的詳細(xì)信息，對于銅線，參照J(rèn)ESD22-B116。芯片剪切力DSC53D,G51零缺陷MIL-STD-750-2Method2017根據(jù)AEC-Q101-表3中試項(xiàng)目評估工藝變更穩(wěn)定性。試驗(yàn)組C–包裝組件完整性試驗(yàn)（續(xù)）試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測試方法要求說明端子強(qiáng)度TSC62D,G,L301零缺陷MIL-STD-750-2Method2036僅評估通孔引線部件的引線完整性。耐溶解性RTSC72D,G301零缺陷JEDECJESD22-B-107驗(yàn)證標(biāo)記的持久性（激光達(dá)標(biāo)或無標(biāo)的部件不適用）。耐焊接熱RSHC82D,G301零缺陷JEDECJESD22-A-111(SMD)orB-106在測試期間，SMD部件應(yīng)完全浸沒在焊錫中，按MSL等級進(jìn)行預(yù)處理。RSH前后需測試。熱阻TRC93D,G101零缺陷JEDECJESD24-3,24-4,24-6視情況而定需要進(jìn)行工藝變更前后的比較，以評估工藝變更的穩(wěn)健性。測量TR以確保符合規(guī)范，并提供工藝變更比較數(shù)據(jù)?？珊感許DC102D,G101附注B零缺陷JEDECJ-STD-002放大倍率50X，參考焊料條件見AEC-Q101-表2B，對于通孔部件應(yīng)用測試方法A，對SMD部件應(yīng)用測試方法B或者D。試驗(yàn)組E–電氣驗(yàn)證試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)測