固體物理與半導(dǎo)體物理知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋浙江大學(xué)

固體物理與半導(dǎo)體物理知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋浙江大學(xué)第一章單元測(cè)試

半導(dǎo)體電阻率的范圍通常為（）Ω·cm

A:＞10

B:＞＞10

C:

D:

答案:

半導(dǎo)體的特性包括（）

A:光敏感性

B:溫度敏感性

C:雜質(zhì)敏感性

D:導(dǎo)通特性

答案:光敏感性

；溫度敏感性

；雜質(zhì)敏感性

隨著溫度升高，半導(dǎo)體的電阻率一定升高（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體材料的電阻率，跨越了非常大的范圍，使得我們能夠通過各種效應(yīng)來對(duì)它們進(jìn)行調(diào)制，比如，我們可以通過摻雜改變半導(dǎo)體的電阻率（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)摩爾定律，是指單位面積的集成電路上晶體管數(shù)目，或者說集成電路的集成度，每18個(gè)月要增加一倍。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

半導(dǎo)體材料最常見的晶體結(jié)構(gòu)不包括（）

A:閃鋅礦型結(jié)構(gòu)

B:纖鋅礦型結(jié)構(gòu)

C:密堆積結(jié)構(gòu)

D:金剛石型結(jié)構(gòu)

答案:密堆積結(jié)構(gòu)

描述晶體結(jié)構(gòu)的最小體積重復(fù)單元的是（）

A:晶胞

B:原胞

C:基矢

D:單胞

答案:原胞

正四面體的對(duì)稱操作有（）個(gè)

A:32

B:24

C:16

D:8

答案:24

晶體結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn)不包括（）

A:單一性

B:重復(fù)性

C:周期性

D:各向異性

答案:單一性

；各向異性

各向異性不是晶體的基本特性之一。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第三章單元測(cè)試

每個(gè)布里淵區(qū)的體積均相等，都等于倒格子（）的體積。

A:原胞

B:單胞

C:晶體

D:晶胞

答案:原胞

周期性邊界條件決定了電子的波矢K在第（）布里淵區(qū)內(nèi)可取值數(shù)量與晶體的初基元胞數(shù)N相等。

A:一

B:三

C:二

D:四

答案:一

布里淵區(qū)的特點(diǎn)不包括()

A:晶體結(jié)構(gòu)的布喇菲格子雖然相同，但其布里淵區(qū)形狀卻不會(huì)相同

B:各布里淵區(qū)經(jīng)過適當(dāng)?shù)钠揭?，都可移到第一布里淵區(qū)且與之重合

C:每個(gè)布里淵區(qū)的體積都不相等

D:各個(gè)布里淵區(qū)的形狀都不相同

答案:晶體結(jié)構(gòu)的布喇菲格子雖然相同，但其布里淵區(qū)形狀卻不會(huì)相同

；每個(gè)布里淵區(qū)的體積都不相等

對(duì)于一定的布喇菲晶格，基矢的選擇是不唯一的，但是對(duì)應(yīng)的倒格子空間是唯一的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)存在布里淵區(qū)經(jīng)過任何的平移都無法移到第一布里淵區(qū)且與之重合。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第四章單元測(cè)試

如果電子從價(jià)帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)波矢k不發(fā)生變化,則具有這種能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為（）

A:簡(jiǎn)介禁帶半導(dǎo)體

B:直接禁帶半導(dǎo)體

C:窄禁帶半導(dǎo)體

D:寬禁帶半導(dǎo)體

答案:直接禁帶半導(dǎo)體

固體能帶論的三個(gè)基本近似不包括（）

A:玻爾茲曼近似

B:單電子近似

C:絕熱近似

D:周期場(chǎng)近似

答案:玻爾茲曼近似

依照量子自由電子論，下列不是K空間中電子的等能面的是（）

A:拋物面

B:橢球面

C:不規(guī)則曲面

D:球面

答案:拋物面

；橢球面

；不規(guī)則曲面

硅材料的能帶結(jié)構(gòu)和鍺材料的能帶結(jié)構(gòu)相同。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)根據(jù)能帶理論，電子的能態(tài)密度隨能量變化的趨勢(shì)是隨能量增高而單調(diào)增大。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第五章單元測(cè)試

將特定的雜質(zhì)原子滲入硅材料中間的過程叫做（）

A:刻蝕

B:滲透

C:互聯(lián)

D:擴(kuò)散

答案:擴(kuò)散

下列工藝屬于外延生長(zhǎng)技術(shù)的是（）

A:分子束外延

B:液相外延

C:CVD

D:離子束外延

答案:分子束外延

；液相外延

；CVD

；離子束外延

影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是拉伸速率和晶體旋轉(zhuǎn)速率（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)CVD是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)與擴(kuò)散相比，離子注入有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，離子注入的工藝，是低溫工藝，可以獲得良好的摻雜層。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由（）決定。

A:摻雜濃度和禁帶寬度

B:溫度、摻雜濃度和禁帶寬度

C:溫度和摻雜濃度

D:溫度和禁帶寬度

答案:溫度和禁帶寬度

關(guān)于空穴，下列說法正確的是（）

A:空穴同電子一樣都是物質(zhì)世界中的實(shí)物粒子

B:空穴具有正的有效質(zhì)量

C:半導(dǎo)體中電子空穴共同參與導(dǎo)電

D:空穴帶正電荷

答案:空穴具有正的有效質(zhì)量

；半導(dǎo)體中電子空穴共同參與導(dǎo)電

；空穴帶正電荷

關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說法中正確的是（）

A:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)E=E基本位于禁帶中線處

B:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與溫度無關(guān)，只決定于材料本身

C:本征半導(dǎo)體不含有任何雜質(zhì)和缺陷

D:本征半導(dǎo)體的電中性條件是qn=qp

答案:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)E=E基本位于禁帶中線處

；本征半導(dǎo)體不含有任何雜質(zhì)和缺陷

；本征半導(dǎo)體的電中性條件是qn=qp

費(fèi)米分布函數(shù)不適用于簡(jiǎn)并的電子系統(tǒng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起受主雜質(zhì)作用，若Si取As則起施主雜質(zhì)作用。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第七章單元測(cè)試

以長(zhǎng)聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)時(shí)，電子遷移率μ與溫度的-3/2次方的關(guān)系為（）

A:成反比

B:互為倒數(shù)

C:成正比

D:乘積為1/e

答案:成正比

反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量（）

A:速度飽和值

B:擴(kuò)散電流密度

C:擴(kuò)散系數(shù)

D:遷移率

答案:擴(kuò)散系數(shù)

由于載流子在一定（）的作用下而產(chǎn)生電流是漂移電流。

A:引力

B:電場(chǎng)力

C:弱相互作用力

D:磁場(chǎng)力

答案:電場(chǎng)力

總電流密度是以下哪幾項(xiàng)之和（）

A:空穴漂移電流

B:空穴擴(kuò)散電流

C:電子漂移電流

D:電子擴(kuò)散電流

答案:空穴漂移電流

；空穴擴(kuò)散電流

；電子漂移電流

；電子擴(kuò)散電流

愛因斯坦關(guān)系式是描述遷移率和擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系式。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第八章單元測(cè)試

非平衡載流子的復(fù)合率定義為單位時(shí)間單位體積凈復(fù)合消失的電子-空穴對(duì)數(shù)。下面表達(dá)式中不等于復(fù)合率的（）

A:

B:

C:

D:

答案:

直接復(fù)合時(shí)，小注入的小注入的N型半導(dǎo)體的非平衡載流子壽命決定于（）

A:

B:其他

C:

D:

答案:

半導(dǎo)體中的載流子復(fù)合的途徑，不包括（）

A:帶間電子-空穴直接復(fù)合

B:帶間電子-空穴間接復(fù)合

C:通過禁帶內(nèi)的復(fù)合中心進(jìn)行復(fù)合

D:通過價(jià)帶內(nèi)的復(fù)合中心進(jìn)行復(fù)合

答案:帶間電子-空穴間接復(fù)合

；通過價(jià)帶內(nèi)的復(fù)合中心進(jìn)行復(fù)合

導(dǎo)帶中的電子越過禁帶躍遷到價(jià)帶,與價(jià)帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過程稱為間接復(fù)合。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)非平衡載流子通過復(fù)合作用產(chǎn)生。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第九章單元測(cè)試

關(guān)于pn結(jié)，下列說法中不正確的是（）

A:所謂平衡pn結(jié)指的是熱平衡狀態(tài)下的pn結(jié)

B:平衡時(shí)，pn結(jié)空間電荷區(qū)中正電荷區(qū)和負(fù)電荷區(qū)的寬度一定相等

C:pn結(jié)是結(jié)型半導(dǎo)體器件的心臟。

D:pn結(jié)空間電荷區(qū)中的內(nèi)建電場(chǎng)起著阻礙電子和空穴繼續(xù)擴(kuò)散的作用

答案:平衡時(shí)，pn結(jié)空間電荷區(qū)中正電荷區(qū)和負(fù)電荷區(qū)的寬度一定相等

金屬與P型半導(dǎo)體形成阻擋層，其功函數(shù)需滿足（）

A:其他

B:Wm=Ws

C:Wm＞W(wǎng)s

D:Wm＜Ws

答案:Wm＜Ws

金屬和半導(dǎo)體接觸分包括：（）