北方華創(chuàng)刻蝕和薄膜沉積設備領域優(yōu)勢突出打造平臺型設備龍頭

目錄TOC\o"1-2"\h\z\u國背景臺型設頭，業(yè)增長續(xù)強勁 5股權結構集中，股權激彰顯信心 5深度受益半導體設備國替代趨勢，業(yè)績穩(wěn)定增長 8半導體設備多領域布局募投支持項目建設 9導體備行：多驅動加，國替代廣闊 半導體設備是半導體產(chǎn)業(yè)的上游核心 半導體需求量提升驅動半體設備市場增長 13晶圓產(chǎn)能向大陸轉移，國設備需求增長快 15半導體設備國產(chǎn)替代勢在行 16造平核心勢，元布局速成長 17刻蝕設備實現(xiàn)硅、金屬介質刻蝕機全覆蓋 17薄膜沉積設備穩(wěn)步增長 22開拓設備板塊，打造平化能力 28精密電子元器件業(yè)務積累厚 29盈利預與投建議 33盈利預測 33投資建議 34風險提示 34圖表目錄圖1：北方華創(chuàng)主要股東和公司（截止到2024Q3） 6圖2：員工結構占比圖（2023年） 6圖3：員工學歷占比圖（2023年） 6圖4：2018-2023年銷售、理費用率 7圖5：2018-2023年研發(fā)費（億元） 7圖6：2017-2024前三季度業(yè)收入 8圖7：2017-2024前三季度利率、毛利率 8圖8：2019-2023年前五大應商采購總額占比 8圖9：2019-2023年前五大戶營業(yè)收入占比 8圖10：2016-2023年各業(yè)務業(yè)收入（億元） 10圖半導體設備產(chǎn)業(yè)鏈示意圖 圖12：芯片生產(chǎn)過程詳解 圖13：半導體中長期需求樂觀 12圖14：全球半導體設備市場模 12圖15：全球半導體前道設備分市場規(guī)模（十億美元） 12圖16：世界各地區(qū)半導體設市場規(guī)模 13圖17：全球半導體設備市場布情況 13圖18：各地區(qū)半導體設備競力（按公司總部所在地劃分）-2022 13圖19：半導體設備（光刻機-ASML）內(nèi)部結構復雜 13圖20：全球新建晶圓廠預測 14圖21：全球晶圓產(chǎn)能增長預測 14圖22：半導體行業(yè)摩爾定律 14圖23：不同制程刻蝕次數(shù)（位：次） 14圖24：每5萬片晶圓產(chǎn)能的備投資（百萬美元） 15圖25：制造工藝升級提高產(chǎn)設備投資額（十億美元） 15圖26：國產(chǎn)半導體設備有望持高增長 15圖27：全球半導體產(chǎn)業(yè)轉移程 16圖28：中國半導體設備市場產(chǎn)化市場規(guī)模測算（億元） 17圖29：刻蝕技術分類 17圖30：CMOS芯片的結構示意圖 18圖31：全球半導體刻蝕機市規(guī)模 18圖32：全球各地區(qū)刻蝕設備長速度（2022-2027） 19圖33：國內(nèi)半導體設備銷售變化趨勢（億美元） 19圖34：北方華創(chuàng)刻蝕設備領關鍵時間節(jié)點 20圖35：北方華創(chuàng)ICP刻蝕機：NMC612D硅刻蝕機 21圖36：北方華創(chuàng)CCP刻蝕：AccuraLX介質刻蝕機 21圖37：TSV技術與傳統(tǒng)線鍵合（WireBonding）技術對比 21圖38：北方華創(chuàng)ACEi300膠機 21圖39：薄膜沉積技術分類 23圖40：全球各地區(qū)PVD增速度（2020-2025） 24圖41：PVD設備市場領導者 24圖42：亞太地區(qū)PVD市場模（十億美元） 24圖43：全球各地區(qū)PVD增速度（2022-2027） 25圖44：全球CVD和ALD前體市場規(guī)模 25圖45：電子元器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)結構圖 30圖46：全球物聯(lián)網(wǎng)終端連接量發(fā)展趨勢圖 30圖47：北方華創(chuàng)電子元器件品種類與用途 31圖48：電子元器件營業(yè)收入占比 32圖49：電子元器件凈利潤 32圖50：可比公司估值表 34表1：北方華創(chuàng)公司發(fā)展歷程 5表2：北方華創(chuàng)股權激勵情況 7表3：2021年北方華創(chuàng)募投目情況 10表4：各類型刻蝕工藝對比 20表5：北方華創(chuàng)部分刻蝕設備 22表6：北方華創(chuàng)主要PVD產(chǎn)品 26表7：北方華創(chuàng)CVD產(chǎn)品及點 27表8：北方華創(chuàng)清洗設備 28表9：北方華創(chuàng)立式爐設備 29表10：兩次擴產(chǎn)項目概況 31表11：精密電子元器件品類研發(fā)產(chǎn)品 31國資背景平臺型設備龍頭，業(yè)績增長持續(xù)強勁20019品領域，深耕半導體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件等業(yè)務領域，產(chǎn)品廣泛應用于集成電路、先進封裝、半導體照明、第三代半導體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領域，現(xiàn)有六大研發(fā)生產(chǎn)基地，營銷服務體系覆蓋歐、美、亞等全球主要國家和地區(qū)，致力于成為半導體基礎產(chǎn)品領域值得信賴的引領者。深耕電子領域，逐漸擴大規(guī)模優(yōu)勢。公司由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司（以下簡稱“七星電子”）和北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司（以下簡稱“北方微電子”）戰(zhàn)略重組而成。2010年，七星電子在深交所上市；2016年，在國家大基金主導下，七星電子與北方微電子通過戰(zhàn)略重組，形成中國規(guī)模較大、產(chǎn)品豐富與應用領域廣泛的泛半導體工藝裝備提供商；2018AkrionSystemsLLC公司資產(chǎn)及相關業(yè)務的收購，極大豐富了高端集成電路設備產(chǎn)品線；同年公司被納入國務院國資委國企改革“雙百企業(yè)”試點名單；2021年10月，公司首次進入全球電子百強企業(yè)榜單，202212IC、LED行業(yè)龍頭地位顯著。表1：北方華創(chuàng)公司發(fā)展歷程時間產(chǎn)品2001年9月七星華創(chuàng)電子成立2001年10月北方微電子成立2010年3月七星電子在深交所上市2016年8月七星電子預備方位電子完成戰(zhàn)略重組，新增股份在深交所上市2017年2月七星電子更名為北方華創(chuàng)2018年1月北方華創(chuàng)收購美國Akrion，豐富了高端集成電路設別產(chǎn)品線2018年8月北方華創(chuàng)被國務院納入國企改革“雙百企業(yè)”試點名單2019年12月北方華創(chuàng)非公開發(fā)行股票上市，募集資金總額20億元2021年10月北方華創(chuàng)首次進入全球電子百強企業(yè)榜單，排名第95位2022年12月北方華創(chuàng)銷售收入首次突破百億元數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、得到政策支持，股權結構集中。截至公司2024三季報，公司實控人北京電控通過七星華電持有33.43%9.37%42.80%6.32%，北京國瑞持股0.93%，股權結構較為集中，控股權較為穩(wěn)定。公司通過北方華創(chuàng)微電子、北方華創(chuàng)真空技術和北方華創(chuàng)精密電子分別開展半導體設備、真空設備和電子元器件業(yè)務。圖1：北方華創(chuàng)主要股東和子公司（截止到2024Q3）數(shù)據(jù)來源：公司公告、iFind、高管經(jīng)驗豐富，技術團隊實力強勁。北方華創(chuàng)高管團隊長期深耕專業(yè)領域，擁有深厚的學術背景2023539744.9%圖2：員工結構占比圖（2023年） 圖3：員工學歷占比圖（2023年）行政人員銷售人員技術人員財務人員生產(chǎn)人員

27.40%37.74%34.86%專科生本科生27.40%37.74%34.86%碩士及以上數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、研發(fā)費用保持較高水平，技術推動企業(yè)發(fā)展。2018-2023年公司研發(fā)費用持續(xù)上升趨勢，從20183202324億元，CAGR51%。而銷售費用率和管理費用率均呈現(xiàn)穩(wěn)中有降的趨勢，可見公司持續(xù)推進降本增效工作，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，提高了資源的使用效率。圖4：2018-2023年銷售、理費用率 圖5：2018-2023年研發(fā)費（億元）

銷售費用率 管理費用率2018 2019 2020 2021 2022

30研發(fā)費用YoY研發(fā)費用YoY201510502018 2019 2020 2021 2022

100%80%60%40%20%0%數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、注重股權激勵促進長遠發(fā)展。公司上市以來實施多輪股權激勵，激發(fā)核心技術人員積極性。自上市以來，公司分別于2018年、2019年、2022年和2024實施四輪股權激勵。相比2018年、2019年，2022年與2024年推出的股權激勵計劃的規(guī)模更大，人員覆蓋范圍更廣，且營收增長、研發(fā)投入目標對準全球半導體設備大廠。通過將股權激勵覆蓋面不斷下沉，公司充分調動核心技術人員和管理骨干的工作積極性，創(chuàng)造更高業(yè)績成就，同時構筑堅實人才基礎，鞏固公司在國內(nèi)半導體設備廠商中的龍頭地位；而部分考核目標對標海外大廠，也充分彰顯出公司不斷夯實技術、著力企業(yè)中長期發(fā)展的決心和信心。表2：北方華創(chuàng)股權激勵情況時間激勵規(guī)模激勵人員第一個行權期業(yè)績考核目標費用均攤2018450權，行權價格為35.36元/份275名核心技術人員，66名管理骨干20192017年年均復合增長率≥25%（32.81億元、EOE≥12%，研發(fā)支出占營業(yè)總收入8%75分位；2019年200件2018-2022：0.18/0.36/0.28/0.15/0.05億元2019450萬份限制性34.6元/股董事、高管、子公司高管及業(yè)務負責人共88名20202018年授予條件年均復合增長率≥25%（41.02、EOE≥12%，且上述指標都≥對標企業(yè)75分位；研發(fā)支出占營業(yè)總收入比例不低于8%，2020年專利申請不低于200件2020-2024：1.7/2.0/1.1/0.5/0.06億元2019450萬份股票期權，授予價格69.2元/份284名核心技術人員及72名管理骨干20202018年授予條件年均復合增長率≥25%（41.02、EOE≥12%，且上述指標都≥對標企業(yè)75分位；研發(fā)支出占營業(yè)總收入比例不低于8%，2020年專利申請不低于200件2020-2024：1.3/1.5/0.8/0.4/0.04億元20221310萬份股票1050萬份，首次授160.22元/份777名核心技術人員及63名管理骨干，不包括公司董事和高級管理人員2023年營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率；2023年專利申請量≥5002021-2023EOE算16%2021-2023低于8%2022-2027：3.1/5.7/4.4/2.6/1.4/0.4億元2024915權，行權價格為190.59元/份1767名核心技術人240名管理骨干2025年營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率，2025年研發(fā)投入占營業(yè)收入比例不低于對標企業(yè)算術平均比例，2025年專利申請量≥500件，2023-2025EOE算數(shù)平16%，2023-20258%2024-2029:1.4/6.6/6.0/3.7/2.0/0.8億元數(shù)據(jù)來源：公司公告、深度受益半導體設備自主開發(fā)趨勢，業(yè)績穩(wěn)定增長營業(yè)收入總額高速增長，毛利率/凈利率整體呈上升趨勢。公司上市以來，營業(yè)收入實現(xiàn)持續(xù)較快增長，從2017年的22.2億元增長至2023年的220.8億元。2023年收入同比增長50%，歸母凈利潤39.0億元，同比增長66%。受益泛半導體設備自主開發(fā)加速，公司半導體設備不斷放量，驅動收入、凈利潤規(guī)模持續(xù)擴張。在23年行業(yè)景氣度下行周期中，公司刻蝕、薄膜沉積、清洗和爐管等數(shù)十種核心工藝裝備進一步得到市場認可，凈利率和毛利率整體呈上升趨勢，工藝覆蓋度及市場占有率顯著增長，凸顯公司優(yōu)秀質地。圖6：2017-2024前三季度業(yè)收入 圖7：2017-2024前三季度利率、毛利率0

營業(yè)收入（億元） 同比（%）0

銷售凈利率 銷售毛利率 數(shù)據(jù)來源：公司公告、、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、、對上下游頭部廠家依賴性弱，風險分散化。北方華創(chuàng)具有多個供應商來源，供應鏈風險小。公司的客戶集中度相對稍高，對下游龍頭企業(yè)依賴度稍大，反映出公司擁有較強的市場定位和客戶關系管理能力，有利于形成穩(wěn)定的業(yè)務合作關系。對比供應和銷售，公司在供應鏈管理上做得比較好，但在銷售和市場拓展方面可能還有提升空間。可能需要考慮擴大市場覆蓋范圍，發(fā)展新的客戶群體，以進一步降低對現(xiàn)有大客戶的依賴。圖8：2019-2023年前五大應商采購總額占比 圖9：2019-2023年前五大戶營業(yè)收入占比第一名

第二名

第三名

第四名

第五名 其

第一名

第二名

第三名

第四名

第五名 其他

2019 2020 2021 2022

2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、1.3半導體設備多領域布局，募投支持項目建設北方華創(chuàng)堅持以高水平創(chuàng)新構筑競爭優(yōu)勢，持續(xù)在產(chǎn)品端發(fā)力。以研發(fā)技術推動，打造多元產(chǎn)品矩陣。公司立足半導體基礎以及相關產(chǎn)品領域，深耕半導體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大領域，三大產(chǎn)品線共同貢獻營收。在刻蝕設備方面，北方華創(chuàng)作為國內(nèi)領先的高端電子工藝裝備供應商，2023年刻蝕設備收入近6012介質刻蝕設備領域關鍵突破，發(fā)布了滿足客戶不同工藝需求的全系列等離子去膠產(chǎn)品：多晶硅及ICP20233200腔；CCP介質刻蝕設備實現(xiàn)了邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，為國內(nèi)主流客戶提供了穩(wěn)定、2023100腔；TSVFabTSV克服了O2、H2、NH3等去膠的各種技術難點，使客戶擁有更長的使用周期和更低的擁有成本、消耗成本，受到客戶廣泛認可，形成了批量銷售。在薄膜沉積設備方面，北方華創(chuàng)作為國內(nèi)相關技術的先行者，經(jīng)過十余年的技術沉淀和創(chuàng)新突破，北方華創(chuàng)采用差異化路線攻克多項金屬薄膜與介質薄膜關鍵技術難題，精準定位市場需求，獲得20235500腔，2023年該板塊收入超60億元。PVD設備中的域銅（Cu）互連、鋁墊層（AlPad）、金屬硬掩膜（MetalHardMask）、金屬柵（MetalGate）、硅化物（Silicide）3500腔；CVD30屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數(shù)原子層沉積等工藝設備的全方位覆蓋，關鍵技術指標均達到業(yè)界領先水平，累計出貨超1000化合物半導體等領域工藝全覆蓋，“硅薄膜外延設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目于2023年獲評“北京市科學技術進步獎一等獎”。在清洗設備方面，北方華創(chuàng)經(jīng)過多年技術累積，先后突破了多項關鍵模塊設計、清洗工藝、氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、硅片表面熱場設計等技術，2023年公司立式爐和清洗設備收3020231200熱退火設備、立式爐原子層沉積設備等新產(chǎn)品層出不窮，截止到2023年累計出貨超700臺，為客戶提供全面解決方案的能力持續(xù)提升。在新能源光伏領域，北方華創(chuàng)在PERC、TOPCon、HJT等領域實現(xiàn)了擴散、氧化、退火類設備的全覆蓋，為光伏行業(yè)提供了更為專業(yè)、高效、先進、低成本的解決方案。截止到2023年年報披400020坡、馬來西亞等地，成為光伏行業(yè)領先的解決方案提供商。在真空及鋰電裝備領域，北方華創(chuàng)深耕高壓、高溫、高真空技術，為行業(yè)提供高效、節(jié)能、環(huán)保的真空及鋰電裝備工藝解決方案。公司緊跟新能源技術發(fā)展方向，結合客戶生產(chǎn)運行情況，針對PVDCVDCVD現(xiàn)批量應用；主導制定了單晶爐能源消耗的行業(yè)標準，為客戶提供最優(yōu)的能耗解決方案。在精密電子元器件領域，北方華創(chuàng)將現(xiàn)有工藝與半導體工藝相結合，研制新產(chǎn)品，拓展新應用。新開發(fā)的模擬鏈路產(chǎn)品具有產(chǎn)品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等優(yōu)勢，主要應用于通信、交通及電力等領域，在信號處理中有著無可替代的作用；新開發(fā)的硅電容器，采用半導體MOS工藝和微機電系統(tǒng)（MEMS）工藝相結合的技術，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應用于通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢。圖10：2016-2023年各業(yè)務營業(yè)收入（億元）250

電子工藝裝備 電子元器件2001501005002016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：公司公告、近年來，公司主營業(yè)務發(fā)展態(tài)勢良好，市場認可度不斷提高，應用于高端集成電路領域的刻蝕、薄膜、清洗和爐管等數(shù)十種工藝裝備實現(xiàn)技術突破和量產(chǎn)應用，工藝覆蓋度及市場占有率大幅提202330070%積極募集資金，助力研發(fā)擴產(chǎn)。2021年北方華創(chuàng)進行了大規(guī)模募投，共募集資金850,000.00萬元。除了補充流動資金以外，北方華創(chuàng)將資金投入了三個項目的建設，包括：半導體裝備產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（四期）、高端半導體裝備研發(fā)項目以及高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（三期）。表3：2021年北方華創(chuàng)募投項目情況項目預計總投資額（萬元）募集資金擬投入額（萬元）建設期/投資周期半導體裝備產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目3816313483392年高端半導體裝備研發(fā)項目3135812414205年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（三期）8000073403.232年補充流動資金186837.77186837.77數(shù)據(jù)來源：iFinD、項目順利實施后，公司在半導體裝備和高精密電子元器件領域的技術實力將進一步提高，主營業(yè)務優(yōu)勢將進一步凸顯，有利于進一步提升公司的市場影響力，提高公司未來整體盈利水平，符合公司長期發(fā)展需求及全體股東的利益。公司的資金實力將得到有效提升，總資產(chǎn)和凈資產(chǎn)規(guī)模增加，資產(chǎn)負債率下降，資產(chǎn)結構更加合理，財務結構更加優(yōu)化，有利于降低公司的財務風險并為公司的持續(xù)發(fā)展提供保障，具有良好的社會效益和經(jīng)濟效益。半導體設備行業(yè)：多重驅動加持，自主開發(fā)空間廣闊半導體設備是半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心。半導體設備在芯片制造中發(fā)揮著重要作用，是半導體制造的基石和行業(yè)基礎。晶圓制造設備是半導體設備行業(yè)需求最大的領域，設備投資在晶圓廠的資本開支中占主要部分，光刻、刻蝕和薄膜沉積設備尤為重要。半導體生產(chǎn)流程中需要多種類半導體設備。在ICIC制造環(huán)節(jié)后，內(nèi)嵌集成電路IC封測環(huán)節(jié)，包括磨片、切割、貼片等一系列步驟，在各步驟中需使用相對應的半導體封裝和測試設備，最終得到芯片成品。圖半導體設備產(chǎn)業(yè)鏈示意圖 圖12：芯片生產(chǎn)過程詳解數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、 數(shù)據(jù)來源：全球半導體設備市場有望反彈，成長型行業(yè)需求樂觀。半導體是周期型行業(yè)，更是成長型行業(yè)，5G大數(shù)據(jù)、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應用領域強勁需求的帶動下，中長期需求樂觀。25年有望強勁反彈。根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)，2023202210751.3%，1063億美元，SEMI表示，20241090備投資980億美元，占比高達90%，后道分倉和測試投資規(guī)模為110億美元，占整體規(guī)模的10%202516%的增長，所有細分市場都將實現(xiàn)兩位1270圖13：半導體中長期需求樂觀 圖14：全球半導體設備市場模億美元 全球半導體設備市場規(guī)模 同比1270102612701026107610631090712598120010008006004002000201920202021202220232024E2025E數(shù)據(jù)來源：SUMCO、SEMI、 數(shù)據(jù)來源：SUMCO、SEMI、

50%40%30%20%10%0%-10%各細分市場保持增長，薄膜沉積和蝕刻設備占比最高。預計2025年，全球半導體設備市場規(guī)模1270274269億美元。圖15：全球半導體前道設備細分市場規(guī)模（十億美元）刻蝕 清洗 薄膜沉積設備 光刻機量測檢測設備 離子注入機 擴散設備 涂膠顯影設備CMP設備 熱處理設備 去膠設備 其他27.419.927.419.920.821.523.113.213.819.920.920.622.626.9120.0100.080.0

2020

2021

2022

2023

2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：SEMI、測算中國市場全球最大，且保持高增長。中國大陸是全球最大的半導體設備市場，且保持最快增速，占全球市場的比重持續(xù)提升且呈持續(xù)提升之勢。半導體產(chǎn)業(yè)向中國大陸擴散，設計、制造、設備等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化配套空間廣闊?？v觀全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，經(jīng)歷了由美國向日本、向韓國和中國臺灣地區(qū)及中國大陸的幾輪產(chǎn)業(yè)轉移。目前中國大陸正處于智能電動汽車、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等行業(yè)快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導體應用和消費市場。2023年中國大陸半導體設備投資同比增加了29%，達到366億美元，中國大陸占全球市場的比重上升到34%。圖16：世界各地區(qū)半導體設市場規(guī)模 圖17：全球半導體設備市場布情況億美元 2023202236628336628326819921519612110579846563603735030025020015010050

中國大陸 中國臺灣 韓國 北美 日本 歐洲 其他地區(qū)0中國大陸 韓國 中國臺灣 北美 日本 歐洲 其他地

0%20132014201520162017201820192020202120222023數(shù)據(jù)來源：SEMI、頭豹研究院、 數(shù)據(jù)來源：SEMI、頭豹研究院、先進技術仍待突破，技術和客戶驗證壁壘突出。先進技術由美歐日等國主導，美國、荷蘭、日本在不同設備領域具有競爭優(yōu)勢。其中美國的刻蝕設備、離子注入機、薄膜沉積設備、測試設備、程序控制、CMP等設備的制造技術位于世界前列；荷蘭憑借ASML的高端光刻機在全球處于領先地位；日本則在刻蝕設備、清洗設備、測試設備等方面具有競爭優(yōu)勢。半導體設備技術壁壘高，穩(wěn)定運行要求高，客戶驗證壁壘高，驗證成本高周期長，標準嚴苛。由于設備本身和產(chǎn)線構成的復雜性，單設備的良率、穩(wěn)定性會在整個體系內(nèi)產(chǎn)生累積效應的影響，同時可能帶來巨額的潛在損失，因此晶圓制造廠商對于上游設備的驗證、驗收有嚴苛的標準和流程。對于晶圓制造廠而言，配合上游設備驗證需要付出大量的人力（合作研發(fā)、調試）、物力（拿出其他設備配合驗證的機會成本損失、驗證過程中的物料損失），以及采用新設備供應商面臨的巨大潛在風險（批量晶圓報廢的風險、向客戶延遲交貨的風險）。圖18：各地區(qū)半導體設備競爭力（按公司總部所在地劃分）-2022

圖19：半導體設備（光刻機-ASML）內(nèi)部結構復雜 數(shù)據(jù)來源：SEMI、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、CSET、VLSIResearch、 數(shù)據(jù)來源：ASML、2.2半導體需求量提升驅動半導體設備市場增長半導體設備市場持續(xù)增長的底層邏輯是科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展對半導體需求量的提升，直接驅動因素是下202413球之冠。SEMI20235.5%296020246.4%3000182023年的12%增至2024年的13%，每月產(chǎn)能將從760萬片增長至860萬片。圖20：全球新建晶圓廠預測 圖21：全球晶圓產(chǎn)能增長預測數(shù)據(jù)來源：SEMI、、ICInsights、頭豹研究院、 數(shù)據(jù)來源：SEMI、、ICInsights、頭豹研究院、技術升級驅動半導體設備行業(yè)擴容。摩爾定律推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，設備行業(yè)壁壘將持續(xù)提升，根據(jù)摩爾定律演進，每隔18-24個月芯片性能將提升一倍。先進制程IC產(chǎn)能具有強勁的增長勢頭，根據(jù)ICInsights預測，2024年先進制程（<10nm）的IC產(chǎn)能預計增長并在全球產(chǎn)能占比提升至30%。每更新一代工藝制程，則需更新一代更為先進的制程設備，更加精密的制程帶來半導體設備難度直線上升，行業(yè)壁壘不斷提高。隨著制程推進和工藝升級，單位產(chǎn)能下設備需求將進一步增加，先進工藝單位產(chǎn)能投資幾何級數(shù)提升。制程和工藝升級推動芯片復雜度提升，更復雜的結構需要更多的制造工序完成，各類設備的用量顯著增加。以刻蝕環(huán)節(jié)為例，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達到64次，7nm所需刻蝕步驟達140次，較14nm提升118%。圖22：半導體行業(yè)摩爾定律 圖23：不同制程刻蝕次數(shù)（位：次）不同工藝刻蝕次數(shù)不同工藝刻蝕次數(shù)065nm45nm28nm20nm14nm10nm7nm 5nm數(shù)據(jù)來源：ITIF、ICInsights、 數(shù)據(jù)來源：ITIF、ICInsights、先進工藝單位產(chǎn)能投資幾何級數(shù)提升。隨著技術節(jié)點的不斷縮小，集成電路制造的設備投入呈大幅上升的趨勢，5nm15614nm65%。圖24：每5萬片晶圓產(chǎn)能的備投資（百萬美元） 圖25：制造工藝升級提高產(chǎn)設備投資額（十億美元）每5每5萬片晶圓產(chǎn)能的設備投資（百萬美元）0數(shù)據(jù)來源：頭豹研究院、SEMI、 數(shù)據(jù)來源：頭豹研究院、SEMI、國內(nèi)擴產(chǎn)更為激進，國產(chǎn)化率提升空間大。大陸半導體設備的成長空間較大，國產(chǎn)化率有望加速。國產(chǎn)半導體設備進入生產(chǎn)線后，將推動其技術的不斷完善、進步和創(chuàng)新。目前國內(nèi)晶圓廠積極擴產(chǎn)，極大拉動國內(nèi)半導體設備需求，國產(chǎn)設備廠商將迎來增長機遇。國產(chǎn)半導體設備進入生產(chǎn)線后，在不同產(chǎn)線持續(xù)測試和應用，可以及時掌握晶圓廠的技術需求，有針對性地對設備進行研發(fā)、升級，推動其技術的不斷完善、進步和創(chuàng)新。目前國內(nèi)晶圓廠積極擴產(chǎn)，極大拉動國內(nèi)半導體設備需求；終端半導體產(chǎn)品的不斷迭代推動晶圓廠開發(fā)新的工藝，隨著國內(nèi)晶圓制造產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，國產(chǎn)半導體設備種類將不斷增加，性能也將不斷提升，國產(chǎn)設備廠商將迎來增長機遇，進入加速成長階段。圖26：國產(chǎn)半導體設備有望維持高增長數(shù)據(jù)來源：21PC業(yè)向中國大陸轉移的趨勢加強。圖27：全球半導體產(chǎn)業(yè)轉移歷程數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，公開資料，半導體設備自主開發(fā)勢在必行國家支持力度大，大基金三期已成立。20146二期聚焦半導體設備材料等上游領域，芯片制造環(huán)節(jié)仍舊是大基金二期的主要投資對象；大基金3440987.22041.5地緣政治不確定性風險高，自主開發(fā)勢在必行。在當前復雜多變的國際形勢下，地緣政治因素對全球半導體產(chǎn)業(yè)的影響日益凸顯。貿(mào)易摩擦、技術封鎖等事件不斷發(fā)生，使得半導體供應鏈的穩(wěn)定性面臨巨大挑戰(zhàn)。尤其是對于中國這樣的半導體消費大國而言，過度依賴進口半導體設備和產(chǎn)品，不僅在經(jīng)濟層面存在風險，更在國家戰(zhàn)略安全層面埋下隱患。目前中國半導體設備廠商已覆蓋多細分領域，國產(chǎn)化率有望提升。隨著國內(nèi)對半導體產(chǎn)業(yè)的重視程度不斷提高，大量的資金、人才和政策資源紛紛涌入。中國的半導體設備廠商在刻蝕機、光刻機、薄膜沉積設備等多個關鍵細分領域持續(xù)發(fā)力，不斷取得技術突破。隨著國產(chǎn)半導體設備國產(chǎn)化率提升，國產(chǎn)設備廠商市場規(guī)模有望迅速提升。隨著半導體設備各細分領域國產(chǎn)化率持續(xù)提升，預計到202550%300市場空間有望過千億人民幣。圖28：中國半導體設備市場國產(chǎn)化市場規(guī)模測算（億元）1200

刻蝕 清洗 薄膜沉積設備光刻機 量測檢測設備離子注入擴散設備 涂膠顯影設備CMP設備 熱處理設備 去膠設備 其他1000

3850

5064 50

3072020 2021 2022 2023 2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：拓荊公司公告、打造平臺核心優(yōu)勢，多元布局快速成長刻蝕技術是芯片制造的核心，半導體設備在這一過程中起著關鍵作用。晶圓制造設備（包括刻蝕設備、沉積設備和光刻設備）是半導體設備行業(yè)中需求最大的領域之一。作為集成電路（IC）制造的核心技術，刻蝕技術的主要功能是通過離子轟擊去除多余的氧化層或其他薄膜層，并將電路圖形從光刻膠膜精確轉移到晶圓表面。刻蝕機產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游、中游和下游三部分。上游包括真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)；中游涵蓋刻蝕機的制造；下游主要包括半導體器件和其他微機械制造。在這條產(chǎn)業(yè)鏈中，刻蝕設備的制造是最關鍵的環(huán)節(jié)。當前，許多半導體器件采用臺面型結構設計，而臺面形成和刻蝕設備的制造方法又可分為濕法刻蝕（wetetching）和干法刻蝕（dryetching）兩種方向。圖29：刻蝕技術分類數(shù)據(jù)來源：繪制干法刻蝕優(yōu)勢顯著，占市場主導地位。干法刻蝕是一種利用氣相中的化學或物理反應去除材料表面的刻蝕工藝，而濕法刻蝕則使用液體化學溶液來去除材料表面。盡管濕法刻蝕的反應速率較快，但干法刻蝕設備憑借其優(yōu)異的各向異性、良好的均勻性和高重復性，占據(jù)了當前市場的90%份額。根據(jù)刻蝕材料的不同，干法刻蝕可分為硅刻蝕、金屬刻蝕和介質刻蝕三大工藝。對于硅刻蝕和金屬刻蝕，主要采用電感耦合等離子體（ICP）設備，而介質刻蝕則更多使用電容耦合等離子體（CCP）設備。圖30：CMOS芯片的結構示意圖數(shù)據(jù)來源：SK海力士，刻蝕設備自主開發(fā)趨勢顯現(xiàn)刻蝕設備市場地位不斷提升，全球市場目前由海外巨頭主導。隨著集成電路線寬的不斷縮小和3D集成電路技術的提升，刻蝕設備在集成電路設備市場中的地位日益重要，現(xiàn)已成為主要的采購設備類型之一。據(jù)BusinessResearchInsights預測，2023年全球半導體刻蝕機市場規(guī)模為2042029279（CAG）為5.0%。由于國內(nèi)刻蝕技術起步較晚，目前刻蝕設備市場主要由以泛林半導體為首的海外巨頭主導。圖31：全球半導體刻蝕機市場規(guī)模數(shù)據(jù)來源：BusinessResearchInsights，全球刻蝕機市場被三巨頭壟斷，自主開發(fā)浪潮興起。當前全球刻蝕機市場呈現(xiàn)壟斷格局，其中泛林半導體、東京電子和應用材料三家公司占據(jù)了超過80%的市場份額。近年來，隨著國產(chǎn)替浪潮的興起，國內(nèi)企業(yè)的市場份額不斷增加。2023年，北方華創(chuàng)占據(jù)了6%的市場份額。雖然國際巨頭仍占據(jù)主導地位，但國內(nèi)企業(yè)在刻蝕設備市場的競爭力正在逐步增強。這一趨勢不僅提升了國內(nèi)企業(yè)的市場地位，也為全球市場帶來了更多的競爭與創(chuàng)新。圖32：全球各地區(qū)刻蝕設備增長速度（2022-2027）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、中國半導體設備出貨增長，國產(chǎn)設備市場前景光明SEMI報告顯示，2023202210761063366億美元，成為全球最大的半導體設備市場。盡管當前蝕刻設備市場主要由海外寡頭主導，但作為自主開發(fā)占比最高的重要半導體設備之一，中國在半導體設備領域的崛起無疑為國產(chǎn)刻蝕設備市場創(chuàng)造了一個愈加光明的前景。圖33：國內(nèi)半導體設備銷售額變化趨勢（億美元）0

34

131 49 65 82496582

296 2831871872013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：SEMI，AI市場崛起，原子層刻蝕技術或成刻蝕設備企業(yè)突破關鍵。隨著AI服務市場的快速發(fā)展，芯片上晶體管數(shù)量的需求不斷增加。更多晶體管的使用意味著更復雜的運算能力、更高的數(shù)據(jù)處理速度和更先進的架構實現(xiàn)。隨著晶體管數(shù)量的增加，其尺寸也將不斷縮小，這對刻蝕的精準度提出了更高要求。根據(jù)硅晶圓廠SUMCO的預測，2024年第二季度起，12寸硅晶圓的需求將因人工智能和存儲芯片的推動而逐步回升。因此，作為一種能夠針對微結構進行精確深度控制的技術，原子層刻蝕（ALE）的發(fā)展將成為國內(nèi)刻蝕設備企業(yè)實現(xiàn)突破的關鍵機遇之一。北方華創(chuàng)刻蝕設備取得突破，持續(xù)拓展多領域新業(yè)務。北方華創(chuàng)作為國內(nèi)集成電路高端工藝設備202005201020236月，北方華創(chuàng)正式發(fā)布了12英寸去膠機ACEi300，標志著122024年，12CCP介質刻蝕機，預計將拓展在存儲、CIS（互補金屬氧化物半導體圖像傳感器）和功率半導體等多個領域的新業(yè)務。2023603500（ICP）體（CCP）、硅通孔技術和干法去膠四個類別。圖34：北方華創(chuàng)刻蝕設備領域關鍵時間節(jié)點數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)，ifind，ICP刻蝕機市場占有率高，國內(nèi)外應用廣泛。ICP(電感耦合等離子體)刻蝕機憑借其高等離子體密度、低壓生成以及水平和垂直電場獨立控制等優(yōu)勢，被廣泛應用于硅和金屬的刻蝕。2023年，ICP53%ICP技術的主要供應商，公司200520233200ICP12表4：各類型刻蝕工藝對比材質刻蝕系統(tǒng)工作壓力刻蝕速率選擇比介質刻蝕氧化硅反應離子刻蝕小于0.1Torr相對較慢高氮化硅反應離子刻蝕小于0.1Torr較快高硅刻蝕多晶硅反應離子刻蝕小于0.1Torr較快（120nm/min）高單晶硅高密度等離子系統(tǒng)小于0.1Torr較快低金屬刻蝕鋁反應離子刻蝕RIE系統(tǒng)小于0.1Torr快(大于1000nm/min)高鎢反應離子刻蝕RIE系統(tǒng)-快(大于1000nm/min)高數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，CCP刻蝕機技術關鍵，覆蓋邏輯存儲等領域。CCP（）設備作為刻蝕設備的重要組成部分，在介質刻蝕和后介質膜層圖形化工藝中具有不可替代的作用。公司自20212022CCP2023CCP100圖35：北方華創(chuàng)ICP刻蝕機：NMC612D硅刻蝕機 圖36：北方華創(chuàng)CCP刻蝕：AccuraLX介質刻蝕機 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、TSV刻蝕設備提升互連效率，北方華創(chuàng)成國內(nèi)主力。3D的重要性逐漸提升，硅通孔技術（TSV）作為一種新興的互連解決方案應運而生。TSV片和晶圓之間創(chuàng)建垂直導通，實現(xiàn)了高效互連。與傳統(tǒng)技術相比，TSV疊密度，并最小化了外形尺寸，從而有效降低信號延遲和芯片間的功耗。202012TSV的側壁和線寬的保持。目前，北方華創(chuàng)的TSVFabTSV量產(chǎn)線的主力設備。圖37：TSV技術與傳統(tǒng)線鍵合（WireBonding）技術對比 圖38：北方華創(chuàng)ACEi300膠機數(shù)據(jù)來源：三星半導體、 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、表5：北方華創(chuàng)部分刻蝕設備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸（英寸）適用材料適用工藝適用領域設備優(yōu)勢NMC508C/G多晶硅刻蝕機6/8硅多晶硅刻蝕、硅刻蝕、多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕等化合物半導體、功率半導體控制能力優(yōu)、定制化配置、量產(chǎn)穩(wěn)定、維護成本低等NMC508M金屬刻蝕機6/8鋁、鉬、鎢等頂層金屬刻蝕、中間層金屬刻蝕等功率半導體等精確的離子能量控制、高MTBC等NMC508RIE介質刻蝕機6/8氧化硅等鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導線孔、側襯、自對準、回刻等刻蝕化合物半導體、功率半導體、科研領域全自動并行工藝、易維護、產(chǎn)能高、低成本NMC508Gt深槽刻蝕機6/8硅深硅刻蝕功率半導體形貌控制優(yōu)、速率快、高均勻性等NMC612C12英寸硅刻蝕12硅多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕、側墻刻蝕功率半導體良好工藝調試手段、較高的刻蝕均勻性等NMC612D12英寸硅刻蝕機12硅淺溝槽隔離刻蝕、柵極刻蝕、側墻刻蝕、雙重圖形曝光集成電路脈沖等離子體控制技術、形貌控制優(yōu)、表面處理能力強等NMC612M12英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機12金屬TiNHM刻蝕、高K值介質刻蝕、金屬及其化合物刻蝕集成電路多區(qū)溫控靜電吸附卡盤、脈沖等離子體射頻技術等NMC612G12英寸金屬刻蝕機12鋁、硅、氧化物等多晶硅刻蝕、介質刻蝕、金屬刻蝕功率半導體、硅基微型顯示高性能靜電卡盤、均勻性調節(jié)能力強等PSEV300深硅刻蝕機8/12硅、氧化硅等TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕先進封裝、功率半導體等統(tǒng)等PSEV300Di封12氧化硅、玻璃等掩膜刻蝕、有機物刻蝕、大馬士革刻蝕等先進封裝鈍化層材料刻蝕、高刻蝕選擇比、低成本HSED300等離6/8/12硅深硅等離子切割先進封裝高切割效率、無損傷切割多工藝兼容等HSEP300深硅刻蝕機8/12硅、氧化硅等先進封裝Cluster結構布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能等BMDP300微波等離子體表面處理系統(tǒng)8/12PR,PI,PBO等等離子體表面處理、殘渣去除、金屬離子去除先進封裝Twins等ACEi300去膠機8/12光刻膠干法去膠集成電路、功率半導體高密度低損傷等離子體源系統(tǒng)、去膠速率快等GSEV200高精度刻蝕機8及以下氮化鎵、氧化硅等多種材料刻蝕工藝化合物半導體、MicroLED、刻蝕均勻性好、顆?？刂颇芰?、寬工藝窗口等ELEDE?G380A/G380D芯片刻蝕機2/4/6及特殊尺寸氮化鎵、氧化硅等電極、深槽隔離、DBR、紅黃光、鈍化層、金屬阻擋層等刻蝕半導體照明、MiniLED工藝窗口寬、高產(chǎn)能，均勻性佳、顆粒控制優(yōu)等ELEDE?380FPSS刻蝕機2/4/6及特殊尺寸藍寶石，氧化硅等納米級/圖形化PSS刻蝕、復合襯底刻蝕半導體照明、MiniLED工藝窗口寬、產(chǎn)能大、使用壽命長等數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、薄膜沉積設備是半導體制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié)。薄膜沉積設備約占集成電路裝備總資本開支的22%，是半導體制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié)。薄膜沉積的作用在于制造半導體器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分以形成三維結構。作為晶圓制造的核心設備之一，薄膜沉積設備主要用于在基底材料上生長、沉積或涂布極薄的膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。薄膜沉積總體上可分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）兩類。隨著薄膜沉積工藝的不斷演進，針對不同應用領域的發(fā)展，衍生出了多種技術，如PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD等。CVD主要應用于金屬涂層的制備；ALD45nm好的膜厚均勻性，在高深寬比的器件制備方面更有優(yōu)勢。Gartner22PECVD是薄膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設28%CVD13%，ALD13%LPCVD10%PVDPVDECD24%。圖39：薄膜沉積技術分類數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)《集成電路專用設備-薄膜設備》、PVD是半導體行業(yè)中使用最廣泛的技術之一。據(jù)MordorIntelligence預測，2023年全球物理氣271.02024294.12032570.4億美元，2024-20328.6%圖40：全球各地區(qū)PVD增長速度（2020-2025）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、PVD領域高度壟斷，應用材料一枝獨秀。PVD領域應用材料一家獨大，CVD、ALDPVD市場由亞太地區(qū)的少圖41：PVD設備市場領導者 圖42：亞太地區(qū)PVD市場模（十億美元）35302520151050數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、 數(shù)據(jù)來源：FortuneBusinessInsights、微電子和消費電子產(chǎn)品需求增加，推動CVD設備市場增長?；瘜W氣相沉積（CVD）工藝通常用MordorIntelligence預測，2024CVD設備市場規(guī)模預計170.22029227.2（2024-2029年）5.95%CVD大市場份額。圖43：全球各地區(qū)PVD增長速度（2022-2027）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、CVD領域呈現(xiàn)寡頭壟斷的市場格局，整體保持穩(wěn)定。2023CVD10181%多因素推動CVD和ALD前驅體市場規(guī)模穩(wěn)步增長。（CVD）和原子層沉積（ALD）是材料科學和納米技術領域兩種廣泛使用的薄膜沉積技術，兩種方法都依賴于前體的使用。據(jù)BusinessResearchInsights預測，2022CVDALD13.9202917.8CVDALD圖44：全球CVD和ALD前驅體市場規(guī)模數(shù)據(jù)來源：BusinessResearchInsights、北方華創(chuàng)業(yè)績快速增長，薄膜沉積設備收入創(chuàng)新高。2023年北方華創(chuàng)營業(yè)收入220.7950%，603966%需薄膜層數(shù)和對薄膜材料的性能要求不斷提高。薄膜沉積設備的發(fā)展至關重要，支持集成電路工藝向更小制程的演進，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性，推動半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)進步6PVD產(chǎn)品工藝產(chǎn)品主要特點應用領域PVDeVictorPVDAl金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)先進的磁控濺射系統(tǒng)，有效提高薄膜均勻性及靶材利用率；專業(yè)的加熱基座和高溫靜電卡盤設計，具備良好的溫度均勻性；全新雙腔傳輸平臺，可配置性強，可支持10個工藝模塊；優(yōu)秀的WhiskerDefect解決方案，降低產(chǎn)品缺陷；大產(chǎn)能，低運營成本。集成電路、功率半導體、硅基微型顯示eVictorSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)專業(yè)的加熱基座設計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無累溫；高溫鋁工藝具備高深寬比填充能力；背金工藝薄片傳輸及工藝，過程溫度實時監(jiān)控，精確的溫度控制能力和良好應力；雙腔傳輸平臺，可支持10個工藝模塊；靶材利用率高，大產(chǎn)能，低運營成本。集成電路、功率半導體、科研領域、化合物半導體PolarisSeries硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)專業(yè)的磁控濺射源和腔室結構設計有效提高靶材利用率；高離化率的磁控濺射源設計帶來良好的臺階覆蓋率表現(xiàn)；針對先進封裝領域優(yōu)化的穩(wěn)定的傳輸系統(tǒng)，兼容多種類型的基片；專業(yè)的偏壓基座設計，良好的冷卻性能；優(yōu)化的工藝流程帶來大產(chǎn)能表現(xiàn)，低運營成本。先進封裝PolarisSeries12功率半導體、先進封裝PolarisSeries8/12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)Rc先進封裝、硅基微型顯示iTopsSeriesPVDITO濺射系統(tǒng)采用托盤形式，可兼容2/4/6英寸晶圓；工藝溫度在0~700℃之間；結構簡單，操作簡便，維護方便；設備穩(wěn)定，運營成本低。半導體照明iTopsSeriesPVDAlN濺射系統(tǒng)超高的加熱能力、精確的溫度控制、優(yōu)秀的真空能力；高晶體質量的氮化鋁薄膜及良好的薄膜厚度均勻性；占地面積小，結構簡單，操作靈活，維修方便；設備穩(wěn)定，稼動率高，運營成本低。半導體照明PolarisSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)多種材料膜層工藝能力，低損傷，高深寬比填充能力；獨立工藝腔室，可支持6個工藝模塊；良好的溫度和顆?？刂颇芰?；配置靈活、大產(chǎn)能、低運營成本?；衔锇雽w、半導體照明、硅基微型顯示、科研領域數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、北方華創(chuàng)PVD業(yè)務強勁增長。物理氣相沉積（PVD）主要用于金屬薄膜制備。這些金屬薄膜作為芯片中互連線的重要組成部分，對整個芯片的性能具有至關重要的影響。作為中國PVD工藝裝備技術的先行者，北方華創(chuàng)實現(xiàn)了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，成功實現(xiàn)功率半導體、三維集成和先進封裝、新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產(chǎn)應用，12成電路制程金屬化薄膜沉積Ma1D)202340PVD3500技術創(chuàng)新推動，CVD業(yè)務蓬勃發(fā)展。DCVDMCVD兩大系列產(chǎn)品，實現(xiàn)金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數(shù)原子層沉積等工藝設備的全方位覆蓋，關鍵技術202330CVD1000表7：北方華創(chuàng)CVD產(chǎn)品及特點工藝產(chǎn)品主要特點應用領域CVDEPEEi200等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)先進的單腔雙片架構，兼具產(chǎn)能和性能優(yōu)勢；高效傳輸系統(tǒng)，智能軟件調度算法；高效遠程等離子體清洗系統(tǒng)，良好的顆粒控制；支持氣態(tài)硅烷和液態(tài)正硅酸乙酯兩類沉積工藝。集成電路、化合物半導體、功率半導體、LED、硅基微顯EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)專業(yè)的氣流場和溫度場設計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統(tǒng)，保證成膜質量；穩(wěn)定的傳輸和電機升降系統(tǒng)，保證工藝結果一致性；友好的人機交互和全面的安全性設計，保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效；具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求。域ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)單工藝腔，占地面積小，操作簡單；專業(yè)的氣流場和溫度場設計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統(tǒng)，保證成膜質量；友好的人機交互和全面的安全性設計，保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效。域HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)專業(yè)的氣流場和加熱場設計提供優(yōu)良的工藝性能；高效傳輸設計可提高產(chǎn)能；單、雙、四腔兼容設計，可滿足不同客戶需求。功率半導體、襯底材料、科研領域EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)功率半導體、襯底材料、科研領域ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)占地面積小，操作簡單；五區(qū)氣流場和內(nèi)外區(qū)輔助摻雜設計，獲得良好的工藝性能；多片槽冷卻位，有效提升WPH功率半導體、襯底材料、科研領域SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)適用于5-150微米范圍的硅外延工藝；先進的感應加熱和氣流場技術提供了優(yōu)良穩(wěn)定的工藝性能；多片平板式設計，高容載量；自動化程度高、產(chǎn)能高、低運營成本功率半導體、襯底材料、科研領域EPEEi800等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)多站式旋轉沉積架構，兼具產(chǎn)能和均勻性優(yōu)勢；良好的片內(nèi)、片間薄膜均勻性控制；全自動晶圓傳輸系統(tǒng)，高效便捷；高效大功率在線清洗工藝及沉積顆粒度控制；集成多項人性化軟件操作功能?；衔锇雽w、半導體照明、科研領域EPEE550等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)大容量載盤，兼容不同晶圓尺寸；良好的薄膜沉積均勻性；高功率在線清洗技術，清洗效率高；可選高、低頻電源配置，薄膜應力可調；低擁有成本、低運營成本。半導體顯示及照明、科研領域MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高；具備多層外延能力；專業(yè)的氣流場和加熱場設計，工藝性能優(yōu)；可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質量均一性好?；衔锇雽w、襯底材料、科研領域HORICL200可根據(jù)客戶需求配置多工藝組合的機臺；高可靠性、穩(wěn)定性；安全性能高，設備及所使用的元件符合國家和國際標準；可提供先進成熟的MES系統(tǒng)解決方案；良好的工藝技術支持?；衔锇雽w、襯底材料、科研領域HORISL12管式低壓化學氣相沉積設備多路進氣方式以及前后雙勻流設計保證高質量薄膜工藝均勻性；高強度石英舟結構和雙層密封反應腔室保障低運營成本，實現(xiàn)超高設備稼動率；超大承載機構設計以及專項升級的抓取機構；采用先進的閉環(huán)壓控系統(tǒng)，確保成膜速度和均勻性；具備多種鍍膜技術，如多層復合膜、摻雜多晶硅技術。新能源光伏HORISP12管式等離子體增強型化學氣相沉積設備配備自動上下料系統(tǒng)，成熟的MES接口經(jīng)驗；高精度控溫，在線工藝調整，工藝結果一致性和穩(wěn)定性高；多預警功能，提升維護性和安全性；石墨舟預訂管理系統(tǒng)，實現(xiàn)舟精準管理；具備多種快速、高質量鍍膜技術，如多層復合膜/Poly層等。新能源光伏數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、外延設備廣泛應用，覆蓋多領域。外延系列產(chǎn)品覆蓋集成電路、功率半導體、化合物半導體等領12器件及特色工藝的全覆蓋，且成功量產(chǎn)。截至2023年底，北方華創(chuàng)已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設備，累計出貨超1000腔。清洗設備和熱處理設備板塊不斷拓展。立式爐和清洗設備分別約占集成電路裝備總資本開支的5%，在集成電路工藝生產(chǎn)線上發(fā)揮著關鍵作用。立式爐主要包括立式氧化/退火爐、多片立式低壓化學氣相沉積設備（LPCVD）和多片立式原子層沉積設備（ALD）。清洗設備主要包括單片清洗設備和槽式清洗設備。2023年公司立式爐和清洗設備收入合計超30億元。在清洗設備領域，槽式清洗機實現(xiàn)工藝全覆蓋，單片清洗機實現(xiàn)前段高端工藝新突破，為清洗業(yè)務板塊開拓了更廣闊的市場空間。北方華創(chuàng)經(jīng)過多年的技術積累，先后突破了多項關鍵模塊設計技術和清洗工藝技術，包括伯努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統(tǒng)、熱SPM工藝、熱磷酸工藝、低壓干燥工藝等，實現(xiàn)了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實現(xiàn)突破。公司在集20231200臺。表8：北方華創(chuàng)清洗設備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域SC308012英寸單片清洗設備12英寸單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介質膜、金屬膜后段Cu/Al制程刻蝕后、AlPad、背面清洗、背面刻蝕先進封裝、功率半導體、硅基微型顯示Pinnacle30012英寸槽式清洗設備12英寸光阻、單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金屬膜、金屬氧化物爐前、刻蝕/拋光后清洗、光阻、金屬氧化物、氮化物去除、控擋片回收功率半導體、硅基微型顯示、襯底材料GAMASeries6/8英寸全自動槽式清洗機6、8英寸硅，碳化硅，硅基氮化鎵預清洗、去膠清洗、氮化硅去除、金屬去除(Co,Ti)、Recycle清洗、拋光功率半導體、化合物半導體、襯底材料BpureSeries立式/臥式管舟清洗機8、12英寸石英、碳化硅石英管/舟、石英板、點火炮、基座等零部件浸泡式處理工藝功率半導體、化合物半導體、科研領域Pinnacle2008英寸槽式清洗設備8英寸預清洗、去膠清洗、氮化硅、Co、Ti去除、Recycle清洗功率半導體、硅基微型顯示、襯底材料EGCSeries面板清洗機---平板顯示及智能自動化數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、在立式爐領域，實現(xiàn)了立式爐系列化設備在邏輯和存儲工藝制程應用的全面覆蓋。北方華創(chuàng)突破并掌握了氣流場/立式爐原子層沉積設備等新產(chǎn)品層出不窮，為客戶提供全面解決方案的能力持續(xù)提升；多種立式爐、臥式爐設備均已成為國內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)設備，并持續(xù)獲得重復訂單。截至2023年底，公司立式爐累計出貨超700臺。表9：北方華創(chuàng)立式爐設備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)12英寸二氧化硅濕法氧化、減壓Spike功率半導體、襯底材料THEORISA30212英寸立式低溫退火爐12英寸硅低溫常/低壓工藝、合金、金屬/非金屬退火、薄片退火先進封裝、功率半導體、硅基微型顯示THEORISA302C12英寸立式PI固化爐12英寸硅PI膠固化功率半導體THEORISHO302D12英寸立式低壓化學氣相沉積高溫氧化硅爐12英寸硅二氧化硅低壓化學氣相淀積功率半導體、硅基微型顯示THEORISPY302U12英寸立式低壓化學氣相沉積非摻雜多晶硅爐12英寸硅多晶硅薄膜低壓化學氣相沉積功率半導體、襯底材料THEORISSN302D12英寸立式低壓化學氣相沉積氮化硅爐12英寸硅氮化硅低壓化學氣相沉積功率半導體THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐12英寸硅高溫干/濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、高溫退火功率半導體、襯底材料THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐12英寸硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、退火功率半導體、襯底材料TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐12英寸硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化集成電路FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐8英寸硅、碳化硅氮氣退火、合金功率半導體、化合物半導體、硅基微型顯示FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐8英寸硅、碳化硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、退火功率半導體、化合物半導體、科研領域FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐8英寸硅、碳化硅高/中溫氧化、退火功率半導體、化合物半導體、襯底材料BoosterSWA單片退火系統(tǒng)12英寸Sub40nmBEOL單片退火集成電路SUMERISAP302C8/12英寸先進封裝立式PI固化爐8/12英寸兼容硅、玻璃PI固化、烘烤去濕等先進封裝VERICA6151ASiC高溫退火爐4/6英寸兼容碳化硅、氮化鋁注入后激活、Ar退火、Ar/H?退火、溝槽平滑化合物半導體，襯底材料，科研VERICO6151ASiC高溫氧化爐4/6英寸兼容碳化硅干氧氧化、濕氧、Ar/N?退火、NO/N?O退火、H?退火、DCE清洗化合物半導體、襯底材料、科研領域HORICD200擴散/氧化系統(tǒng)4、6、8英寸硅、碳化硅、硅基氮化鎵磷擴散、硼擴散、氧化、退火、合金化合物半導體、襯底材料、科研領域數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、北方華創(chuàng)發(fā)布12英寸去膠機，提升效率降低成本。2023年，公司發(fā)布了12英寸去膠機ACEi300，實現(xiàn)了去膠工藝的全面覆蓋。干法去膠，也稱等離子去膠，其原理是在真空環(huán)境下，利用活性等離子體去除晶片表面的掩膜材料，并確保晶片材料不受損。北方華創(chuàng)憑借多年的等離子技術積累，自主研發(fā)了低損傷等離子體元件，與傳統(tǒng)濕法去膠相比，不僅提高了效率，還降低了成本。此外，公司開發(fā)的真空和大氣雙配置傳輸平臺，使設備在保持高性能的同時，延長了使用壽命并降低了消耗成本。電子元器件需求暫時波動，長期空間廣闊。2023年，受全球經(jīng)濟環(huán)境和行業(yè)周期等多方面因素的影響，元器件市場需求有所放緩，產(chǎn)品需求量出現(xiàn)波動。然而新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革蘊育出新的機遇，正成為我國經(jīng)濟社會發(fā)展的重要支撐，一批代表“新質生產(chǎn)力”的戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)和未來產(chǎn)業(yè)為傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)注入前所未有的活力。智能制造、物聯(lián)網(wǎng)、算力、新能源汽車等領域的飛速發(fā)展，促進了制造業(yè)向數(shù)字化、網(wǎng)絡化、智能化轉型，推動了元器件不斷向“小型化、集成化、高精密”方向發(fā)展，為精密電子元器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的機遇。圖45：電子元器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結構圖數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、5G和物聯(lián)網(wǎng)技術推動電子元器件發(fā)展。5G長。5G技術的高速度、大帶寬、低時延特性將帶動智能終端、自動駕駛、視頻傳輸?shù)葢玫陌l(fā)展，從而增加對高性能處理器、高頻高速射頻器件、光電器件等電子元器件的需求。據(jù)TDIA預測，20205G2.520248GSMA2025250行數(shù)據(jù)處理和傳輸。華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院預計到2025年，全球納米電子元器件市場規(guī)模將以每年10%的速度增長，達到數(shù)百億美元。圖46：全球物聯(lián)網(wǎng)終端連接數(shù)量發(fā)展趨勢圖消費物聯(lián)網(wǎng)終端（億個） 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)終端（億個）120140120140100806070405090100110110506070802502001501005002018 2019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：GSMAIntelligence、深耕電子元器件23年。北方華創(chuàng)持續(xù)推動元器件向小型化、輕量化、高精密方向發(fā)展。公司前20019232017圖47：北方華創(chuàng)電子元器件產(chǎn)品種類與用途數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、業(yè)務規(guī)模不斷擴大，先后進行兩次擴產(chǎn)。近年來電子元器件業(yè)務不斷發(fā)展，相關營業(yè)收入持續(xù)增加，為了進一步擴大電子元器件業(yè)務的規(guī)模，公司于2019年和2021年先后兩次通過非公開募集資金，開展高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目。兩次擴產(chǎn)項目擴增了公司的相關產(chǎn)品產(chǎn)能，進一步提升了公司的市場競爭地位和產(chǎn)品市場占有率，樹立了公司技術實力強勁的品牌形象。表10：兩次擴產(chǎn)項目概況項目年份及名稱投產(chǎn)時間項目關鍵要素項目關鍵要素內(nèi)容2019年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目2020年產(chǎn)品模塊電源投資規(guī)模2.42億元產(chǎn)能規(guī)模年產(chǎn)模塊電源5.8萬只。2021年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（第三期）在建產(chǎn)品高精密石英晶體振蕩器和特種電阻投資規(guī)模8億元產(chǎn)能規(guī)模222000種電阻的生產(chǎn)能力數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、持續(xù)拓展品類，推出模擬鏈路產(chǎn)品和硅電容器。2023年北方華創(chuàng)新開發(fā)了模擬鏈路產(chǎn)品，采用國內(nèi)先進半導體工藝制程，結合先進塑封技術和高可靠金屬陶瓷封裝技術，具有產(chǎn)品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等特點，主要應用于通信、交通及電力等領域，在信號處理中有著無可替代的作用。新開發(fā)的硅電容器，采用半號體MOS工藝和微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝相結合的技術，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應用于通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢。表11：精密電子元器件品類新研發(fā)產(chǎn)品產(chǎn)品名稱優(yōu)勢用途模擬鏈路產(chǎn)品品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等通信、交通及電力等領域硅電容器MOS工藝和微機電系具有小型化、集成化、高精密的特點通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、公司電子元器件業(yè)務19-22年快速增長，2023年受元器件市場需求疲軟影響，營收和利潤有所下滑。2019年至2022年，公司電子元器件業(yè)務營業(yè)收入從8.47億元上升至25.7億元，凈利潤從10.420238.5718%，凈利率為35%。2023年電子元器件市場需求疲軟，全球半導體銷售額共計5268億美元，同比下降8.2%，亞太（除日本外）地區(qū)降幅超過14%21%202311%。圖48：電子元器件營業(yè)收入占比 圖49：電子元器件凈利潤營業(yè)收入（億元）營收占比營業(yè)收入（億元）營收占比YoY25201510502019 2020 2021 2022

60%50%40%30%20%10%0%-10%

12凈利潤（億元）同比增速凈利潤（億元）同比增速864202019年 2020年 2021年 2022年 2023

80%60%40%20%0%-20%-40%數(shù)據(jù)來源：公司年報、 數(shù)據(jù)來源：公司年報、盈利預測與投資建議盈利預測我們對公司24-26年盈利預測做如下假設：收入的大幅增長主要來自于電子工藝裝備出貨量快速增長。在半導體裝備業(yè)務板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應用于集成電路、功率半導體等制造領域。在真空及鋰電裝備業(yè)務板塊，北方華創(chuàng)研發(fā)的單晶硅晶體生長設備、真空熱處理設備等在材料熱處理、真空電子等領域廣泛應用，為新材料、新工藝、新能源等綠色制造提供技術支持。我們預測公司24-26年電子裝備業(yè)務營收分別為27,504/35,867/45,361在精密電子元器件業(yè)務板塊，北方華創(chuàng)推動元器件向小型化、集成化、高精密方向發(fā)展，研發(fā)的精密電阻器、新型電容器等產(chǎn)品，廣泛應用于電力電子、軌道交通等領域，為客戶打造高端精密電子元器件技術、產(chǎn)品、服務一體化的專業(yè)解決24-262,311/2,426/2,548百萬元。2)24-2644.0%/44.6%/45.4%3) 我們預測公司24-26年銷售費用率為4.06%/3.81%/3.71%，管理費用率為6.94%/6.54%/6.44%，研發(fā)費用率為11.21%/10.51%/10.36%。費用率小幅下降主要考慮到股權激勵計劃對費用端的影響，以及銷售收入的增長對費用率有一定的攤薄影響。盈利預測核心假設2022A2023A2024E2025E2026E電子裝備銷售收入（百萬元）12,084.519,611.527,504.235,866.745,361.3增長率52.0%62.3%40.2%30.4%26.5%毛利率電子元器件37.1%38.0%42.9%43.9%44.8%銷售收入（百萬元）2,574.32,432.52,310.92,426.52,547.8增長率50.1%-5.5%-5.0%5.0%5.0%毛利率其他業(yè)務72.5%65.6%56.0%56.0%56.0%銷售收入（百萬元）29.435.542.951.962.8增長率47.6%20.8%21.0%21.0%21.0%毛利率53.0%48.4%60.0%50.0%50.0%合計14,688.122,079.529,858.038,345.047,971.9增長率51.7%50.3%35.2%28.4%25.1%綜合毛利率43.3%41.1%44.0%44.6%45.4% 資料來源：公司數(shù)據(jù)，預測 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。投資建議24-2610.51/14.05/18.08MOCVD設備及薄膜沉積設備生產(chǎn)商）、拓荊科技（薄膜沉積設備生產(chǎn)商）、盛美上海（清洗及爐管設備生產(chǎn)商）、芯源微（涂膠顯影設備生產(chǎn)商），以及華海清科（半導體設備生產(chǎn)商）2539PE547.95圖50：可比公司估值表公司代碼最新價格(元)2024/12/31每股收益（元）市盈率2023A2024E2025E2026E2023A2024E2025E2026E中微公司688012189.162.872.904.075.3865.9265.2046.4235.17拓荊科技688072153.672.382.503.715.0164.5561.4941.4530.66盛美上海688082100.002.082.673.584.5048.1937.5027.9722.22芯源微68803783.631.251.191.862.6667.0670.1745.0531.49華海清科688120162.993.064.275.616.9753.3138.2129.0423.39最大值67.0670.1746.4235.17最小值48.1937.5027.9722.22平均數(shù)59.8154.5137.9928.59調整后平均61.2654.9738.5228.51數(shù)據(jù)來源：、風險提示國內(nèi)競爭加?。簢鴥?nèi)半導體設備行業(yè)不斷發(fā)展，新進入者和現(xiàn)有競爭對手的技術研發(fā)和市場拓展能力不斷提升，使北方華創(chuàng)面臨更激烈的競爭，可能影響其市場份額和盈利能力。技術迭代風險：國內(nèi)設備廠商大力投入技術研發(fā)，自主開發(fā)進展加速，如果北方華創(chuàng)不能及時跟上技術發(fā)展的步伐，如研發(fā)項目可能無法按計劃完成、研發(fā)成果可能無法達到預期的技術指標或市場需求等，公司的市場競爭力和業(yè)績將受到負面影響。下游需求不及預期風險：半導體行業(yè)