電氣絕緣測試技術(shù)-第一課

電氣絕緣測試技術(shù)

主講：張文龍

哈爾濱理工大學(xué)材料學(xué)院高分子材料系Email:zhangwenlong2004@

電路電子有關(guān)知識(shí)回顧0-1電學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)

1、歐姆定律:流過電阻的電流,與加在電阻兩端的電壓成正比,與電阻的阻值成反比UI電阻元件的特點(diǎn)：無記憶元件：任意時(shí)刻電阻兩端的電壓僅與此刻的電流有關(guān)；無源元件：在關(guān)聯(lián)參考方向時(shí)，電阻元件只消耗功率；耗散元件：吸收的能量都換成熱能消耗掉+u-或第0章緒論2、分壓定律：當(dāng)電路由n個(gè)電阻串聯(lián)而成時(shí)，因流經(jīng)各電阻的電流均為i，可得

此時(shí)任意電阻RK上的電壓為

u

當(dāng)串聯(lián)的電阻只有兩個(gè)時(shí)，總電阻為R1+R2，分壓公式如下：

當(dāng)只有兩個(gè)電容串聯(lián)時(shí)，總電抗為X=XC1+XC2，電容的電抗可以計(jì)算為

,分壓公式如下：

u第0章緒論第0章緒論3、電容定義或解釋1）電容是導(dǎo)體或?qū)w組容納電量特征的物理量。導(dǎo)體的電容等于它所帶電量和它電勢的比。3）當(dāng)導(dǎo)體組所帶電量和電勢的比值只跟導(dǎo)體組的幾何形狀有關(guān)而不受其他物體影響，這種導(dǎo)體組叫做電容器。電容器的電容為C=Q/U；Q為一導(dǎo)體所帶電量的絕對值，u為導(dǎo)體組之間的電勢差。4）單位在國際單位制中,電容的單位是法拉。常用_的單位還有微法拉和皮法拉。5）說明①孤立導(dǎo)體的電容僅與導(dǎo)體的幾何形狀有關(guān)而跟導(dǎo)體所帶電量和電勢高低無關(guān)，例如，一個(gè)均勻帶電球體，設(shè)半徑為r，帶電量為q，則在球面處所具有的電勢為U=KQ/r，那么r/K=Q/U。則得出Q和u的比值將只跟半徑r有關(guān)，即當(dāng)形狀固定時(shí)，電容大小和導(dǎo)體是否帶電無關(guān)。如果在導(dǎo)體的近旁有其他導(dǎo)體時(shí)，則導(dǎo)體就不是孤立的了，它的電勢不僅和它自己所帶電量有關(guān)，還和其他導(dǎo)體的位置和形狀有關(guān)，這是由于原帶電導(dǎo)體使鄰近導(dǎo)體的表面產(chǎn)生感應(yīng)電荷而影響導(dǎo)體第0章緒論的電勢。因此單個(gè)導(dǎo)體作為電容器很不穩(wěn)定，無實(shí)用價(jià)值。為了消除其他導(dǎo)體的影響采用導(dǎo)體組實(shí)現(xiàn)靜電屏蔽。導(dǎo)體組所帶電量和電勢的比值只跟導(dǎo)體組本身的幾何形狀有關(guān)，而不受其他物體影響，這樣的導(dǎo)體組即為電容器。在實(shí)際工作中，往往需要一定數(shù)值的電容和電勢差(電壓)，所以采用電容器的組合。組合的基本方法有串聯(lián)和并聯(lián)兩種。②電容器儲(chǔ)藏的能量。因?yàn)樾纬扇魏我粋€(gè)帶電體系時(shí)，都要消耗一定形式的能，而克服帶電體之間相互作用也要作一定數(shù)量的功，因而具有電勢能。所以電容器在充電過程中通過電源作功，有一部分能量儲(chǔ)藏在電容器的電場中。反之，在電容器放電過程中將釋放電能。在一定電壓下，電容量大的電容器儲(chǔ)能多。如果對同一電容器來講，電壓越高，儲(chǔ)能越多。所以電容量和電壓將是電容器儲(chǔ)能大小的標(biāo)志，但須注意充電電壓不能超過電容器的耐壓值。第0章緒論0-2本課程內(nèi)容1、電介質(zhì)參數(shù)：電導(dǎo)率、相對介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切、擊穿強(qiáng)度的基本概念及在外界因素影響下的變化規(guī)律；2、絕緣材料電性能：電介質(zhì)四個(gè)參數(shù)的測量方法和測量技術(shù)；3、局部放電的測量：各種測量方法的基本原理及具體的測量技術(shù)；4、老化試驗(yàn)：常規(guī)老化試驗(yàn)應(yīng)遵循的原則；熱老化、電老化技術(shù)；5、試驗(yàn)的統(tǒng)計(jì)分析和設(shè)計(jì)：數(shù)理統(tǒng)計(jì)在絕緣測試中的應(yīng)用；第0章緒論0-3電氣絕緣測試技術(shù)作用高電壓或強(qiáng)電場電工、電子產(chǎn)品在研究、設(shè)計(jì)、制造和運(yùn)行中，絕緣性能的測試。其目的可概括如下：1）科學(xué)研究工作研究介電性能（傳統(tǒng)四大參數(shù)ρ或γ、εr、tanδ和Eb）與材料組份、微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系。2）工程領(lǐng)域（絕緣材料、電氣設(shè)備制造業(yè)、電子器件制造業(yè)）產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)時(shí)，模型實(shí)驗(yàn)中絕緣性能的測試；制造過程中，材料、半成品和成品絕緣性能的測試判斷產(chǎn)品合格與否；電力系統(tǒng)電氣設(shè)備運(yùn)行過程中，絕緣狀態(tài)的檢測和監(jiān)測判斷設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)是否滿足運(yùn)行要求及其可靠性等。第0章緒論0-4電氣絕緣測試與一般電工測試的區(qū)別

1）測試難度大絕緣電阻1010—1017Ω；直流微電流小到10-16A；工頻高電壓可達(dá)1000kV以上；局部放電電脈沖信號(hào)小到μV級；損耗因素小到10-5（相當(dāng)時(shí)間測試小到10-8秒）。）有些測量參數(shù)有別于一般電氣量如：空間電荷、局部放電在放電量、壽命實(shí)驗(yàn)和可靠性實(shí)驗(yàn)等。3）影響因素復(fù)雜，分散性大第一章電阻率與微電流的測量§1-1絕緣電阻與電阻率一、定義：

在電工設(shè)備中和電力傳輸線上，要把不同電位的導(dǎo)體隔離開，需要絕緣體。絕緣體的基本功能，是阻止電流流通，使得電能按設(shè)計(jì)的途徑傳輸，保證設(shè)備能正常工作。絕緣體也不是絕對不導(dǎo)電的，只不過是通過它的泄漏電流很小而已?！?、絕緣電阻：表征絕緣體阻止電流流通的能力。是標(biāo)準(zhǔn)絕緣特性的基本參數(shù)之一；絕緣電阻太低，泄露電流很大，電能浪費(fèi)；甚至破壞絕緣結(jié)構(gòu)，引起事故。材料的絕緣電阻受所處環(huán)境的影響（溫度，濕度），發(fā)生變化，需經(jīng)常測量；…………泄漏電流：直流電流施加于某一個(gè)絕緣體，電流隨時(shí)間由大到小的變化，一段時(shí)間后，達(dá)到穩(wěn)定電流；…………泄漏電流：流過絕緣體的穩(wěn)定電流；初始電流充電電流：線路剛開始充電的瞬間所引起的沖擊電流；

極化電流：電極極化所產(chǎn)生的電流。

第一章電阻率與微電流的測量時(shí)間電流絕緣電阻定義：是施加于絕緣體上兩個(gè)導(dǎo)體之間的直流電壓與流過絕緣體的泄漏電流之比：R——絕緣電阻，Ω；U——直流電壓，V；I——泄漏電流，A。絕緣電阻的組成：體積電阻與表面電阻的并聯(lián)Ir+-IsIs電極第一章電阻率與微電流的測量2、絕緣體的體積電阻施加的直流電壓U與通過絕緣體內(nèi)部的電流Iv之比。

絕緣體的體積電阻與導(dǎo)體間絕緣體的厚度成正比，與導(dǎo)體和絕緣體接觸面積成反比。體積電阻率是絕緣體內(nèi)的直流電場強(qiáng)度與體積內(nèi)部泄漏電流密度之比，即單位立方體的絕緣電阻值。h——絕緣體的厚度，m；A——電極的面積，m2；ρV——體積電阻率，Ω●mEV——絕緣體內(nèi)的電場強(qiáng)度，V/m；JV——絕緣體內(nèi)的電流密度，A/m2；第一章電阻率與微電流的測量3、絕緣體的表面電阻施加的直流電壓U與通過絕緣體表面的電流IS之比。

絕緣體的表面電阻與絕緣體表面上放置的導(dǎo)體的長度成反比，與導(dǎo)體間絕緣體表面上的距離成正比。表面電阻率是絕緣體表面層的直流電場強(qiáng)度與通過表面層的電流線密度之比，即正方形面積內(nèi)的表面電阻值。d——導(dǎo)體間距離，m；l——導(dǎo)體長度，m；ρS——表面電阻率，ΩES——表面電場強(qiáng)度，V/m；a——電流線密度，A/m；IS_d+l絕緣體導(dǎo)體第一章電阻率與微電流的測量幾點(diǎn)說明絕緣電阻不僅與絕緣材料的性能有關(guān)，還決定于絕緣系統(tǒng)的形狀和尺寸；電阻率則完全決定于絕緣材料的性能。表面電阻率對外界的影響很敏感，所以絕緣材料的電阻率一般指的是體積電阻率。第一章電阻率與微電流的測量二、影響絕緣電阻的因素實(shí)驗(yàn)條件和環(huán)境條件對試樣的電阻存在一定的影響：溫度在絕緣材料中，導(dǎo)電的載流子主要是靠離子遷移，溫度升高時(shí)離子容易擺脫周圍分子的束縛而產(chǎn)生位移，從而使體積電阻率呈指數(shù)下降。n——離子濃度，離子數(shù)/m3；f——離子振動(dòng)頻率，Hz；q——離子所帶電荷量，C;α——離子每次遷移的距離，m；A——離子遷移活化能，J;T——絕對溫度，K;K——波爾茲曼常數(shù)，J/K第一章電阻率與微電流的測量濕度絕緣材料在吸濕后，電阻率要明顯下降?！?..[水的電導(dǎo)比絕緣材料大得多，其介電常數(shù)也很大，能降低離子的電離能]電氣設(shè)備在潮濕環(huán)境中停放后，在重新投入運(yùn)行之前，應(yīng)該先測其電阻，若下降很多，需烘干后在投入使用。電場強(qiáng)度電場強(qiáng)度不高時(shí)，電阻率與電場強(qiáng)度無關(guān)；電場強(qiáng)度很高時(shí)，電子電導(dǎo)起明顯作用，此時(shí)電導(dǎo)隨電場強(qiáng)度增高而明顯增加。電壓升高時(shí)，絕緣體中的某些缺陷（裂紋、氣泡）可能產(chǎn)生放電，絕緣電阻也會(huì)下降。第一章電阻率與微電流的測量輻照有機(jī)材料在強(qiáng)光或X射線、γ射線等的輻照下，會(huì)產(chǎn)生各種光電流，使絕緣電阻下降。輻照停止相當(dāng)長時(shí)間后，此效應(yīng)仍然存在；聚乙烯輻照強(qiáng)度：8R⊙/min溫度：20℃電阻率下降3~4個(gè)數(shù)量級試驗(yàn)前的樣品預(yù)處理為消除由于試樣在試驗(yàn)之前所經(jīng)歷的環(huán)境條件不同而造成試驗(yàn)結(jié)果的偏差,試樣在試驗(yàn)之前要做預(yù)處理。在溫度為（23±2）oC、相對溫度為50±5%條件下處理24小時(shí)。

第一章電阻率與微電流的測量§1-2試樣與電極測量絕緣材料的體積電阻率和表面電阻率時(shí)，必須制作適當(dāng)?shù)脑嚇?，并選取適當(dāng)?shù)碾姌O系統(tǒng)和電極材料；一、試樣

根據(jù)使用要求，絕緣材料具有不同的形狀與尺寸（板狀、薄膜、帶狀、管狀、棒狀）；

測量體積電阻率時(shí)，試樣的形狀和厚度決定于材料的形狀和厚度；

測量表面電阻率時(shí)，規(guī)定試樣的厚度不超過4mm；

過厚的試樣需進(jìn)行單面切削以達(dá)到試驗(yàn)要求，測量表面電阻率時(shí)應(yīng)在未加工的材料原表面上進(jìn)行；

測試表面電阻率時(shí)，試樣的大小應(yīng)比電極的最大尺寸至少每邊大7mm；國標(biāo)規(guī)定，方形板材邊長50或100mm，圓形板材直徑50或100mm，管狀試樣長度50或100mm。第一章電阻率與微電流的測量二、電極系統(tǒng)電極系統(tǒng)分為兩電極和三電極系統(tǒng)兩種。平板試樣三電極系統(tǒng)管狀試樣三電極系統(tǒng)第一章電阻率與微電流的測量三電極系統(tǒng)：可以將體積電流和表面電流分開，以便分別測量體積電阻率和表面電阻率；使用三電極系統(tǒng)測量體積電阻率時(shí)，可以使測量的電極下的電場比較均勻，從而可以用等效面積來計(jì)算體積電阻率；平板型試樣的三電極系統(tǒng)中，當(dāng)測量體積電阻率時(shí)，電極1為被保護(hù)電極（測量電極），電極2為保護(hù)電極，電極3為不保護(hù)電極（高壓電極）；測量表面電阻率時(shí)，電極2為不保護(hù)電極，電極3為保護(hù)電極。第一章電阻率與微電流的測量電極尺寸的規(guī)定和選擇：

需考慮使測得的結(jié)果有代表性，并能滿足測量設(shè)備靈敏度的要求；測量體積電阻率時(shí)，要使測量電極下的電場盡可能的均勻，減小電極邊緣效應(yīng)，從而近似按均勻電場來計(jì)算電阻率；測量表面電阻時(shí)，間隙g不能太小，這一方面是為了使沿電極周長間隙g的誤差不至于太大，另一方面也是為了盡量減小體積電流的影響。實(shí)際中，IEC規(guī)定，電極1的直徑或長度至少要比試樣的厚度大10倍，實(shí)際采用的一般均不少于25mm；電極3的直徑或長度及電極2的外徑應(yīng)大于電極2的內(nèi)徑再加上試樣厚度的2倍，實(shí)際采用的g不小于1mm。第一章電阻率與微電流的測量體積電流的影響：第一章電阻率與微電流的測量兩電極系統(tǒng)中，隨著g/h的增大，Iv’，Is都減??；而且Is

比Iv’減小得更多，因此f（g/h）是上升的；當(dāng)電極為三電極系統(tǒng)時(shí)，g/h增大引起更多的體積電流流向保護(hù)電極，流向測量電極的Iv’比Is減小更多，因此f（g/h）是下降的。根據(jù)以上分析，在測量表面電阻率時(shí)，為了減小體積電流的影響，應(yīng)采用三電極系統(tǒng)，而且g/h≥2.二電極系統(tǒng)（不采用保護(hù)電極）一般只適用于某些特殊情況，例如當(dāng)試樣很薄時(shí)，Iv’≥

Is，測量ρv就可以用二電極系統(tǒng)。但要注意用二電極系統(tǒng)測ρs時(shí)，g不能太小，否則會(huì)增大體積電流的影響。第一章電阻率與微電流的測量三、電極材料與裝置要求：電極本身是良好的導(dǎo)體，而且能夠和試樣緊密接觸；電極與試樣不能有相互作用，電極應(yīng)能耐腐蝕。在試驗(yàn)過程中，特別是在高溫下，不能因有電極存在而引起試樣的性能發(fā)生變化；電極制作方便，使用安全。第一章電阻率與微電流的測量由于各種絕緣材料的特性不同，而且試驗(yàn)條件也有很大差別，因此推薦作為電極的材料有很多，主要有以下幾種：（1）銀漆和銀膏高導(dǎo)電的銀漆在大氣中干燥或在低溫下烘干，銀膏在高溫下還原，都能在試樣表面形成電極。這種電極由不連續(xù)的銀顆粒沉積在試樣表面形成，它能讓試樣內(nèi)部的潮氣擴(kuò)散出去，因此試驗(yàn)可先做好電極，然后再進(jìn)行預(yù)處理。

優(yōu)點(diǎn)：特別適用于研究不同溫度下電阻率隨溫度變化的規(guī)律。

注意：必須注意銀漆的溶劑對試樣的性能有無影響。

制作方法：先用圓規(guī)沾上銀漆，畫好各電極的外援，然后再用毛筆將整個(gè)電極涂滿。第一章電阻率與微電流的測量（2）噴涂或真空蒸發(fā)金屬電極采用能很好粘附于試樣表面的低熔點(diǎn)金屬材料，如錫、鋁或其他合金等，直接噴涂在按電極模型覆蓋好的試樣上；或把上述試樣放在真空蒸發(fā)器內(nèi)，讓氣化的金屬沉積在試樣表面上。

特點(diǎn)：與導(dǎo)電銀漆電極特點(diǎn)相同。

注意：離子轟擊或真空處理對材料的影響。（3）金屬箔電極采用柔軟的金屬箔，如鋁箔、錫箔等，涂以微量的粘合劑黏貼在試樣表面。用干凈的絹綢抹平以便把金屬箔下的空氣趕走，并將多余的粘合劑擠出去。粘合劑一般采用凡士林或硅脂，其厚度應(yīng)小于2.5um。特別是在測量薄膜材料和電阻值不大的材料時(shí)，粘合劑越厚，測得的電阻值正誤差越大。注意：試樣粘電極前必須進(jìn)行預(yù)處理。高溫下測量時(shí)，應(yīng)注意粘合劑流動(dòng)造成的點(diǎn)擊移動(dòng)，或粘合劑滲入試樣而改變試樣的性能。第一章電阻率與微電流的測量（4）導(dǎo)電橡皮電極

導(dǎo)電橡皮特征：電阻率不大于3×104Ω.m，邵氏硬度不大于60。

特點(diǎn)：使用方便。

注意：導(dǎo)電性能差。（5）膠體石墨電極

特征：片狀石墨堆積而成，與制作銀漆的方法相同。

優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格便宜；為保證形成連續(xù)的導(dǎo)電層，石墨必須有一定厚度。

注意：導(dǎo)電性能較差，當(dāng)受潮或浸在變壓器油中試驗(yàn)時(shí)，石墨容易脫落。第一章電阻率與微電流的測量（6）導(dǎo)電液體電極將試樣放在水銀面上，并用幾個(gè)按電極尺寸做成的不銹鋼環(huán)放在試樣表面上，再將水銀注入環(huán)內(nèi)形成保護(hù)電極和被保護(hù)電極。

特點(diǎn)：電極與試樣接觸良好。

注意：傾注水銀時(shí)，應(yīng)避免氣泡或表面氧化層夾在試樣與水銀之間；水銀有毒，必能長時(shí)間連續(xù)使用，特別不能在高溫下使用。第一章電阻率與微電流的測量§1-3直接法測量絕緣電阻定義：直接測量法即直接測量施加于試樣的直流V和流過試樣的電流I，通過歐姆定律計(jì)算出電阻R=U/I，或者使流過試樣的電流通過一個(gè)已知的標(biāo)準(zhǔn)電阻Rs，測量Rs兩端的電壓而求得通過的電流I。Rx=U×Rs／Us檢測儀器：歐姆表檢流計(jì)高阻計(jì)第一章電阻率與微電流的測量一、歐姆表組成：手搖直流發(fā)電機(jī)+流比式電流表特征：1）發(fā)電機(jī)的電壓基本穩(wěn)定；

2）流比式電流計(jì)的指針偏轉(zhuǎn)讀數(shù)α與流過表內(nèi)兩個(gè)線圈的電流成比例，外加電壓變化對α沒有影響；

3）試樣串聯(lián)在電流表的一個(gè)支路內(nèi)。第一章電阻率與微電流的測量優(yōu)點(diǎn)：最方便；儀器簡單，便于攜帶，讀數(shù)穩(wěn)定；常用于檢測電工產(chǎn)品的絕緣電阻，特別是在戶外使用。缺點(diǎn)：1）靈敏度不高，只能測到100MΩ，電壓等級只有500V,1000V,2500V三種；2）在使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇適當(dāng)?shù)碾妷海妷禾涂赡鼙┞恫怀鼋^緣的弱點(diǎn)，太高可能發(fā)生絕緣擊穿；3）在不同電壓下測得的絕緣電阻有時(shí)不可比。第一章電阻率與微電流的測量二、檢流計(jì)1）一種靈敏度很高的直流電流表；2）最小電流10-10A/mm；3）電阻可高達(dá)1012Ω主要特征：直流電源提供施加于試樣的電壓，電壓大小可調(diào)，100~1000V之間；通過換向開關(guān)，可改變施加于試樣的電壓極性。此時(shí)電源的輸出端均不接地；使用靜電電壓表接試樣兩端直接測量施加于試樣的電壓。要求靜電電壓表的電阻至少比試樣電阻高100倍；使用檢流計(jì)測量絕緣電阻，通常應(yīng)改變電壓極性，分別測出兩邊的偏轉(zhuǎn)讀數(shù)，然后取平均值α；絕緣電阻的計(jì)算公式：第一章電阻率與微電流的測量第一章電阻率與微電流的測量三、高阻計(jì)測量原理：當(dāng)絕緣電阻很高且通過的電流小于10-10A時(shí)，最靈敏的檢流計(jì)也無法進(jìn)行測量。只有應(yīng)用電子放大技術(shù)，把微小的電流信號(hào)放大才能進(jìn)行測量。部件核心：具有高輸入阻抗的直流放大器。主要優(yōu)點(diǎn)：目前測量絕緣電阻最靈敏的儀器，可測電阻值達(dá)1017Ω；主要缺點(diǎn)：準(zhǔn)確度較差，測量1015Ω以下的電阻時(shí)，誤差約為±10%，測更高的電阻時(shí)誤差可達(dá)±20%.第一章電阻率與微電流的測量從圖中可以看出，通過試樣的電流IX流經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)電阻RN,在RN兩端產(chǎn)生電壓Ug(即是直流放大器的輸入信號(hào)），然后經(jīng)過放大器的輸出端測得電流Ip,即Ip=AUg/R=AIxRN/R=SRNIx式中，R包括放大器的輸出阻抗，微安表的內(nèi)阻以及調(diào)節(jié)靈敏度的電阻Rp;S=A/R為高阻計(jì)的特性常數(shù)，于是

Rx=U/Ix=SURN/Ip從上式可以看出，增加RN可以提高測量電阻的范圍，實(shí)際上可以通過改變RN來改變量程。但RN是與放大器本身的輸入阻抗并聯(lián)的，為了測試準(zhǔn)確，其阻抗要比RN大100倍以上。一般阻抗器電阻1014Ω，所以RN不能超過1012Ω.另外，如果RN很大，其測試回路的時(shí)間常數(shù)很大，電流在1min內(nèi)達(dá)不到穩(wěn)定值。因此，RN不能太高第一章電阻率與微電流的測量§1-4比較法測量絕緣電阻比較法是與已知標(biāo)準(zhǔn)電阻相比較來測定絕緣電阻值的方法。常用的比較法有兩種：電橋法和電流比較法。一、電橋法由試樣和三個(gè)已知標(biāo)準(zhǔn)電阻組成一個(gè)電橋，屬于惠斯登電橋。RN—高阻值的標(biāo)準(zhǔn)電阻，可高達(dá)1012Ω；RB—十進(jìn)位的標(biāo)準(zhǔn)電阻，用以改變量程；RA—微調(diào)電阻，可以調(diào)節(jié)電橋最終平衡。V檢測器USRNnRARBRxm第一章電阻率與微電流的測量電橋法測量絕緣電阻的準(zhǔn)確度，基本上取決于各標(biāo)準(zhǔn)電阻的誤差和電橋不完全平衡而造成的誤差；標(biāo)準(zhǔn)電阻的誤差一般很小，±1%；電橋不完全平衡造成的誤差與平衡指示器的輸入電阻、標(biāo)準(zhǔn)電阻、電橋?qū)蔷€上的電位差以及靈敏度不夠等因素有關(guān)；提高施加于電橋的電壓U，增大RB，采用誤差的零點(diǎn)指示器(△UMIN小)都可以減小這種誤差。電橋法的特征：電橋法的優(yōu)點(diǎn)：可測的最高電阻約為1014Ω;量程廣泛；準(zhǔn)確度較高。電橋法的缺點(diǎn)：平衡電橋比較麻煩;電橋只能在通過試樣的電流達(dá)到穩(wěn)定時(shí)才能平衡；不能用于測量隨時(shí)間變化較快的電阻。第一章