DB31∕T 1156-2019 電氣火災(zāi)熔痕技術(shù)鑒定 電子背散射衍射法

上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局發(fā)布前言 I 1 1 1 15樣品制備 2 2 3附錄A(資料性附錄)銅導(dǎo)線熔痕EBSD 4I本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由上海市公安局提出并組織實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由上海市安全生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：應(yīng)急管理部上海消防研究所、中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、上海市公安局物證鑒定中心。12規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T16840.4電氣火災(zāi)原因技術(shù)鑒定方法第4部分：金相法GB/T5907.4消防詞匯第4部分：火災(zāi)調(diào)查表示電子背散射衍射菊池帶花樣標(biāo)定的擬合程度。MAD數(shù)值越小，表示探測(cè)的菊池帶花樣與模EBSD設(shè)備包括掃描電子顯微鏡與附件EBSD系統(tǒng)。25.1.1樣品制備包括清洗一選取一鑲嵌一磨制一機(jī)械拋光—?dú)咫x子刻蝕6個(gè)步驟。為防止刻蝕腔內(nèi)溫度過(guò)高，導(dǎo)致銅導(dǎo)線熔痕氧化，推薦以分鐘為單位進(jìn)行刻蝕。每次刻蝕耗時(shí)1min,刻蝕1min結(jié)束后，等待1min,再繼續(xù)刻蝕下1min。6分析步驟6.2.1采集銅導(dǎo)線熔痕樣品衍射花樣時(shí)6.2.2將銅導(dǎo)線熔痕樣品傾斜60°,在獲得6.2.3扣除背底后設(shè)定曝光時(shí)間30s~60s、平均幀數(shù)4幀~8幀，以獲得樣品清晰菊池帶花樣。6.2.4MAD值不大于1后進(jìn)行EBSD花樣采集(步長(zhǎng)設(shè)置為5μm),獲得EBSD面分布數(shù)據(jù)，若MAD值大于1,則按第5章重新進(jìn)行制樣。6.3.2采用EBSD后處理軟件獲得整個(gè)銅導(dǎo)線熔37熔痕判定當(dāng)銅導(dǎo)線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例大于63%,熔痕可判定為一次短路熔痕。實(shí)例參見(jiàn)附錄A的A.1。當(dāng)銅導(dǎo)線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例小于58%,且大氣孔明顯，熔痕可判定為二次短路熔痕。實(shí)例參見(jiàn)A.2。燒熔痕。實(shí)例參見(jiàn)A.3。當(dāng)銅導(dǎo)線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例為58%～63%時(shí)，應(yīng)結(jié)合銅導(dǎo)線熔痕與銅導(dǎo)4(資料性附錄)銅導(dǎo)線熔痕EBSDA.1一次短路熔痕圖A.1為典型的一次短路熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。如圖A.1a),不同灰度(黑色除外)代表不同晶粒取向，晶粒內(nèi)部包圍的黑色代表氣孔，觀察圖中晶粒以柱狀晶為主，等軸晶較少。如圖A.1b)為一次短路熔痕區(qū)晶粒長(zhǎng)徑比統(tǒng)計(jì)柱狀圖，其中等軸晶所占比例為12%,柱狀晶所占比例為88%,為典型的一次短路熔痕。b.i5A.2二次短路熔痕圖A.2為典型的二次短路熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。圖A.2a)中不同灰度(黑色除外)代表不同晶粒取向，晶粒內(nèi)部包圍的黑色代表氣孔，圖A.2a)中晶粒以等軸晶為主，柱狀晶較少，且大氣孔明顯。圖A.2b)為二次短路熔痕區(qū)晶粒長(zhǎng)徑比統(tǒng)計(jì)柱狀圖，其中等軸晶所占比例為59%,柱狀晶所占比例為41%,且大氣孔明顯，為典型的二次短路熔痕。晶粒長(zhǎng)徑比3b)A.3火燒熔痕圖A.3為典型的火燒熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。圖A.3中不同灰度(黑色