DB31∕T 1156-2019 電氣火災熔痕技術(shù)鑒定 電子背散射衍射法

上海市市場監(jiān)督管理局發(fā)布前言 I 1 1 1 15樣品制備 2 2 3附錄A(資料性附錄)銅導線熔痕EBSD 4I本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標準由上海市公安局提出并組織實施。本標準由上海市安全生產(chǎn)標準化技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位：應急管理部上海消防研究所、中國科學院上海硅酸鹽研究所、上海市公安局物證鑒定中心。12規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T16840.4電氣火災原因技術(shù)鑒定方法第4部分：金相法GB/T5907.4消防詞匯第4部分：火災調(diào)查表示電子背散射衍射菊池帶花樣標定的擬合程度。MAD數(shù)值越小，表示探測的菊池帶花樣與模EBSD設備包括掃描電子顯微鏡與附件EBSD系統(tǒng)。25.1.1樣品制備包括清洗一選取一鑲嵌一磨制一機械拋光—氬離子刻蝕6個步驟。為防止刻蝕腔內(nèi)溫度過高，導致銅導線熔痕氧化，推薦以分鐘為單位進行刻蝕。每次刻蝕耗時1min,刻蝕1min結(jié)束后，等待1min,再繼續(xù)刻蝕下1min。6分析步驟6.2.1采集銅導線熔痕樣品衍射花樣時6.2.2將銅導線熔痕樣品傾斜60°,在獲得6.2.3扣除背底后設定曝光時間30s~60s、平均幀數(shù)4幀~8幀，以獲得樣品清晰菊池帶花樣。6.2.4MAD值不大于1后進行EBSD花樣采集(步長設置為5μm),獲得EBSD面分布數(shù)據(jù)，若MAD值大于1,則按第5章重新進行制樣。6.3.2采用EBSD后處理軟件獲得整個銅導線熔37熔痕判定當銅導線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例大于63%,熔痕可判定為一次短路熔痕。實例參見附錄A的A.1。當銅導線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例小于58%,且大氣孔明顯，熔痕可判定為二次短路熔痕。實例參見A.2。燒熔痕。實例參見A.3。當銅導線熔痕區(qū)域內(nèi)柱狀晶數(shù)目占總晶粒數(shù)目的比例為58%～63%時，應結(jié)合銅導線熔痕與銅導4(資料性附錄)銅導線熔痕EBSDA.1一次短路熔痕圖A.1為典型的一次短路熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。如圖A.1a),不同灰度(黑色除外)代表不同晶粒取向，晶粒內(nèi)部包圍的黑色代表氣孔，觀察圖中晶粒以柱狀晶為主，等軸晶較少。如圖A.1b)為一次短路熔痕區(qū)晶粒長徑比統(tǒng)計柱狀圖，其中等軸晶所占比例為12%,柱狀晶所占比例為88%,為典型的一次短路熔痕。b.i5A.2二次短路熔痕圖A.2為典型的二次短路熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。圖A.2a)中不同灰度(黑色除外)代表不同晶粒取向，晶粒內(nèi)部包圍的黑色代表氣孔，圖A.2a)中晶粒以等軸晶為主，柱狀晶較少，且大氣孔明顯。圖A.2b)為二次短路熔痕區(qū)晶粒長徑比統(tǒng)計柱狀圖，其中等軸晶所占比例為59%,柱狀晶所占比例為41%,且大氣孔明顯，為典型的二次短路熔痕。晶粒長徑比3b)A.3火燒熔痕圖A.3為典型的火燒熔痕電子背散射衍射晶粒取向圖。圖A.3中不同灰度(黑色