電子技術(shù) 試題庫（趙瑩） 第8章題庫

第8章

一、單選題

1、一個2KX4位的RAM有（）條地址線。

A.11B.10

C.9D.12

答案：A

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：單選題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

2、一個2KX8位的RAM有（）條位線。

A.11B.10

C.8D.12

答案：C

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：單選題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

3、利用2線一4線譯碼器74139將4個16kx4位的RAM芯片擴(kuò)展成為（）位的存儲器系統(tǒng)。

A.32kX4B.64kX4

C.64kX8D.32kX8

答案：B

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：單選題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

4、固定ROM由地址譯碼器和存儲矩陣陣兩部分組成，為了增強(qiáng)帶負(fù)載能力，在輸出端

接有（）。

A.譯碼器B.控制電路

C.編碼器D.讀出電路

答案：D

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：單選題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

5、用紫外線或X射線擦除的可編程只讀存儲器稱為（）。

A.EPROMB.ETR0M

C.PROMD.UVEPROM

答案：A

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：單選題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

二、填空題

1、半導(dǎo)體存儲器的種類很多，按存儲器的存儲功能可分為（）和（）。

答案：隨機(jī)存取存儲器，只讀存儲器

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器的分類

題解：無

2、半導(dǎo)體存儲器的種類很多，按構(gòu)成元件可分為（）型和（）型存儲器。

答案：雙極、MOS

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器的分類

題解：無

3、雙極型存儲器速度快，但（）；MOS型存儲器速度較慢，但功耗小，（）。目前所使用ROM

大都為（）。

答案：功耗大，集成度高，MOS型存儲器

知識點(diǎn)：8-1存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器的分類

題解：無

4、易失性存儲器（RAM）又分為（）和（）兩種。

答案：DRAM,SRAM

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器的分類

題解：無

5、非易失性存儲器（ROM）則可分為（）、（）、（）,以及（）。

答案：固定ROM、EPROM、EEPROM、閃存（Flash）

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器的分類

題解：無

6、對存儲器的操作通常分為兩類。把信息存入存儲器的過程稱為（）；將信息從存儲器取出

的過程稱為（），并且常把這兩個過程或操作通稱為（）。

答案：寫入,讀出，訪問

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：填空題

提示：存儲器特點(diǎn)

題解：無

7、固定ROM由（）和（）兩部分組成，為了增強(qiáng)帶負(fù)載能力，在輸出端接有讀出電路。

答案：地址譯碼器，存儲矩陣

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：填空題

提示：固定ROM

題解：無

8、固定ROM的存儲矩陣由許多存儲單元組成，每個存儲單元存放一位二值數(shù)據(jù)。一般情況

下，數(shù)據(jù)和指令是用一定位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)來表示的，這個二進(jìn)制數(shù)稱為（），其位數(shù)稱為（）。

答案：字，字長

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：填空題

提示：固定ROM

題解：無

9、存儲器中所存儲的二進(jìn)制信息的總位數(shù)（即存儲單元數(shù)）稱為存儲器的（）。

答案：存儲容量

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：填空題

提示：固定ROM

題解：無

10、PROM的基本結(jié)構(gòu)常用一個固定的（）（地址譯碼器）和一個可編程的（）（存儲矩陣）

組成。

答案：與陣列，或陣列

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：填空題

提示：可編程ROM（PROM）

題解：無

11、用紫外線或X射線擦除的可編程只讀存儲器稱為（）。

答案：EPROM

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：填空題

提示：可編程ROM（PROM）

題解：無

12、由于EPROM必須把芯片放在專用設(shè)備上用紫外線進(jìn)行擦除，因此耗時較長，又不能在線

進(jìn)行，使用起來很不方便。后來出現(xiàn)了采用電信號擦除的可編程ROM,稱為（）。

答案：E2PROM

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：填空題

提示：可編程ROM（PROM）

題解：無

13、RAM有雙極型和MOS型兩大類。兩者相比，雙極型存儲器速度（），但集成度（），制造

工藝復(fù)雜，功耗大，成本高，主要用于高速場合；MOS型速度（），但集成度（），制造工藝

簡單，功耗小，成本低，主要用于對工作速度要求不高的場合。

答案：快，低，低，高

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：填空題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

14、動態(tài)RAM存儲單元所用元件少，集成度（），功耗（），比如靜態(tài)RAM使用起來方便。

答案：高，小

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：填空題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

15、SRAM的存儲單元是由（）（或觸發(fā)器）構(gòu)成的，因此，SRAM屬于時序邏輯電路。

答案：鎖存器

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：填空題

提示：SRAM

題解：無

16、DRAM的存儲單元由一個（）和一個容量較小的（）組成

答案：MOS管，電容

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：填空題

提示：DRAM

題解：無

17、當(dāng)實(shí)際的存儲器系統(tǒng)的字長超過RAM芯片的字長時，需要對RAM實(shí)行（）。

答案：位擴(kuò)展

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：填空題

提示：存儲器的擴(kuò)展

題解：無

18、位擴(kuò)展可以利用芯片的（）方式實(shí)現(xiàn)

答案：并聯(lián)

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：填空題

提示：存儲器的擴(kuò)展

題解：無

19、字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加（）控制存儲器芯片的片選端來實(shí)現(xiàn)。

答案：譯碼器

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：填空題

提示：存儲器的擴(kuò)展

題解：無

20、利用2線一4線譯碼器74139將4個8kX8位的RAM芯片擴(kuò)展成為（）位的存儲器系統(tǒng)。

答案:32kX8

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：填空題

提示：存儲器的擴(kuò)展

題解：無

21、PLA器件的基本結(jié)構(gòu)與PR0M類似，都是基于（），但PLA器件的與陣列和或陣列都是可

編程的。

答案：與或表達(dá)式

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：3

題型：填空題

提示：可編程邏輯器件

題解：無

22、PAL由可編程的（）和固定的（）構(gòu)成。

答案：與門陣列，或門陣列

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：2

題型：填空題

提示：可編程邏輯器件

題解：無

23、GAL器件的輸出端設(shè)置了可編程的輸出（）。

答案：邏輯宏單元

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：3

題型：填空題

提示：可編程邏輯器件

題解：無

24、可編程邏輯器件從“離線”編程發(fā)展到（）編程，具有重要意義，它改變了產(chǎn)品生產(chǎn)的

先編程后裝配的慣例。

答案：在線

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：2

題型：填空題

提示：可編程邏輯器件

題解：無

25、和簡單PLD相比，CPLD有更多的（）、更多的（）和（）。

答案：輸入信號，乘積項，宏單元

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：2

題型：填空題

提示：可編程邏輯器件

題解：無

三、判斷題

1、目前所使用ROM大都為BJT型存儲器。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8-1存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：判斷題

提示：存儲器的特點(diǎn)和分類

題解：無

2、易失性是指電路掉電后所存儲的數(shù)據(jù)會丟失，RAM具有易失性。（）

答案：，

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：判斷題

提示：存儲器的特點(diǎn)和分類

題解：無

3、易失性是指電路掉電后所存儲的數(shù)據(jù)會丟失，ROM具有易失性。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8T存儲器的特點(diǎn)和分類

難度：2

題型：判斷題

提示：存儲器的特點(diǎn)和分類

題解：無

4、只讀ROM一旦存儲了信息，就不會在掉電時丟失。工作時，只能讀出信息，不能寫入信

息。（）

答案：J

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

5、ROM常用于存放系統(tǒng)程序、數(shù)據(jù)表、字符代碼等不易變化的數(shù)據(jù)。（）

答案：J

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

6、RAM常用于存放系統(tǒng)程序、數(shù)據(jù)表、字符代碼等不易變化的數(shù)據(jù)。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：2

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

7、固定ROM的存儲矩陣由許多存儲單元組成，每個存儲單元存放一位二值數(shù)據(jù)。（）

答案：，

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

8、固定ROM的存儲矩陣由許多存儲單元組成，每個存儲單元存放兩位二值數(shù)據(jù)。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：2

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

9、一個具有n條地址輸入線和M條數(shù)據(jù)輸出線的ROM,其存儲容量為：2"XM4立）。（）

答案：V

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

10、一個具有n條地址輸入線和M條數(shù)據(jù)輸出線的ROM,其存儲容量為：nXM（位）。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：判斷題

提示：只讀存儲器ROM

題解：無

11、SRAM的基本結(jié)構(gòu)與ROM類似，由存儲陣列、地址譯碼器和輸入/輸出控制電路三部分組

成。（）

答案：V

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

12、SRAM的存儲單元是由三極管構(gòu)成的。（）

答案：X

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：SRAM的存儲單元是由鎖存器（或觸發(fā)器）構(gòu)成

題解：無

13、SRAM的存儲單元是由鎖存器（或觸發(fā)器）構(gòu)成的。（）

答案：V

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

14、DRAM由于電路中存有漏電流，電容上存儲的數(shù)據(jù)不會長久保存，因此需要定期補(bǔ)充電

荷，以免存儲數(shù)據(jù)丟失。。

答案：V

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

15、RAM位擴(kuò)展可以利用芯片的并聯(lián)方式實(shí)現(xiàn)，即將RAM的地址線、讀/寫控制線和片選信

號對應(yīng)地并聯(lián)在一起，而各個芯片的數(shù)據(jù)輸入/輸出端作為字的各個位線。（）

答案：V

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

16、RAM不能同時進(jìn)行位擴(kuò)展和字?jǐn)U展。()

答案：X

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

17、RAM字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加譯碼器控制存儲器芯片的片選端來實(shí)現(xiàn)。

答案：V

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

18、RAM字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加編碼器控制存儲器芯片的片選端來實(shí)現(xiàn)。

答案：X

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：判斷題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：無

19、PLA器件的基本結(jié)構(gòu)與PROM類似，都是基于或與表達(dá)式。()

答案：X

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：2

題型：判斷題

提示：PLA器件

題解：無

20、PAL由可編程的與門陣列和固定的或門陣列構(gòu)成。()

答案：，

知識點(diǎn)：8-4可編程邏輯器件

難度：2

題型：判斷題

提示：PLA器件

題解：無

四、分析題

1、已知ROM的陣列圖如圖所示，歹！J表寫出ROM存儲的內(nèi)容，寫出Do?D3的邏輯式。

與陣列或陣列

m°=A可%!

i

地mi=\A

A\0W1\

址l'

1

譯

■VAAW2\

碼1

1

器除也與

A。A

1

1

1

1

口2D]D。

答案:

地址代碼字線譯碼結(jié)果存儲內(nèi)容

AiWiDDi

Aow3w2Wo3D2Do

0000010100

0100101011

1001000110

1110001001

2=叱+暝=AA+AA

D2=叫+%=W+AA)

2=叱+嗎=44+44

2=叱+暝=私+4&

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：分析題

提示：PROM

題解：無

2、下圖為PROM編程陣列圖。試寫出Yo?丫3邏輯式。

ABC

圖20-2例［20—2］的圖

答案：

4=叱+暝+叱=ABC+ABC+ABC

4=叱+嗎+叱+叱=ABC+ABC+ABC+ABC

Y2^W3+W7^ABC+ABC

X=叱+叱+叱=ABC+ABC+ABC

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：分析題

提示：PROM

題解：無

3、試分析下圖電路。（1）各片RAM有多少位地址？有多少字？每字多少位？（2）擴(kuò)展后

的RAM有多少位地址？有多少字？每字多少位？畫出等效的RAM電路。

402D3D。4D2D：

高四位低四位

答案：（1）各片RAM有12位地址，有222=41＜字，每字4位。（2）擴(kuò)展后的RAM有12

位地址，有212=4K字，每字8位。等效的RAM電路如圖20-8所示。

R/WCEAA

I"oIu

4kX8位

I/OI/O】I/0I/0I/0I/01/0i/o

-o--2-3I4I5-6-7

%%^n4DDDD

-z456

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：3

題型：分析題

提示：存儲器RAM的擴(kuò)展

題解：無

4、下圖為PROM編程陣列圖。試寫出Y。?丫3邏輯式。

ABC

圖20-9習(xí)題20-6的圖

答案：Y^W^W.+W.+W^ABC+ABC+ABC+ABC

X=叱+叱+叱+叱=ABC+ABC+ABC+ABC

Y2=W3+W4+W7=ABC+ABC+ABC

X=叫+暝+暝+叱=ABC+ABC+ABC+ABC

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：分析題

提示：PROM

題解：無

六、設(shè)計題

1、試用ROM實(shí)現(xiàn)一組邏輯函數(shù)，畫出ROM陣列圖，并列表說明ROM存儲的內(nèi)容。

Y0=ABC

Y^ABC+AC

Y2=ABCD+ABCD+BCD

答案：見題解。

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：4

題型：設(shè)計題

提示:PROM

題解：

解：Yo=ABCABCD+ABCD=fvi+fn7=W6+W1

乂=ABC+AC=ABC(D+D)+AC(B+B\D+D)

=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD+ABCD+ABCD

=m++啊,+叫3+煩+叫5

1clmll

=/+%+%+%+%+%

Y2=ABCD+ABCD+BCD=ABCD+ABCD+(A+A)BCD

=m6+m7+ml0+ml4=W6+W-l+Wl0+Wl4

ROM陣列圖如圖所示。

0000%

0001憶

0010

A%

0011%

0100%

0101

地%

0110%,

B址

0111

譯給

1000

碼%

1001

器%

1010

CW10

1011Wn

1100F12

1101%3

1110/14

D

1111憶5

“XU

圖20-4習(xí)題20—2ROM陣列圖

存儲內(nèi)容如表所示。

存儲內(nèi)容

輸入輸出

ABCD

Y2Yi%

0000000

0001000

0010000

0011000

0100000

0101000

0110101

0111101

1000000

1001000

1010110

1011010

1100010

1101010

1110110

1111010

2、試用8k義8位的RAM芯片擴(kuò)展成16kX8位的存儲器系統(tǒng)。

答案：見題解。

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度3

題型設(shè)計題

提示隨機(jī)存取存儲器RAM

題解

解：8kX8位的RAM有13個地址，要擴(kuò)展成16kx8位的RAM,需要14個地址，因此擴(kuò)出

一個地址，用43表示，接法如圖20-5所示。當(dāng)43為0時，芯片（0）工作，為8kX8位

的RAM,當(dāng)43為1時，芯片（1）工作，為8kX8位的RAM,一共擴(kuò)展成為16kX8位的

RAM=

413

D■D

R/W

“12~4

3、試用8kX8位的RAM芯片擴(kuò)展成16k義16位的存儲器系統(tǒng)。

答案：見題解。

知識點(diǎn)：8-3隨機(jī)存取存儲器RAM

難度：4

題型：設(shè)計題

提示：隨機(jī)存取存儲器RAM

題解：

解：該擴(kuò)展既包括位擴(kuò)展又包括字?jǐn)U展，電路如圖20-6所示。

4、試用PROM實(shí)現(xiàn)8421BCD碼到余3碼的轉(zhuǎn)換，畫出陣列圖。

答案：見題解。

知識點(diǎn)：8-2只讀存儲器ROM

難度：3

題型：設(shè)計題

提示：PROM

題解：

解：8421BCD碼到余3碼的轉(zhuǎn)換表如表所示。

8421BCD碼到余3碼的轉(zhuǎn)換表

8421BCD碼余3碼

ABCDMNOP

00000011

00010100

00100101

00110110

01000111

01011000

01101001

01111010

1000