電工電子技術(shù)與技能課件:晶體管的基本原理分析與檢測(cè)_第1頁(yè)
電工電子技術(shù)與技能課件:晶體管的基本原理分析與檢測(cè)_第2頁(yè)
電工電子技術(shù)與技能課件:晶體管的基本原理分析與檢測(cè)_第3頁(yè)
電工電子技術(shù)與技能課件:晶體管的基本原理分析與檢測(cè)_第4頁(yè)
電工電子技術(shù)與技能課件:晶體管的基本原理分析與檢測(cè)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩8頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

常用半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體及半導(dǎo)體二極管晶體管的基本原理分析與檢測(cè)1.掌握晶體管工作導(dǎo)電特性2.了解晶體管結(jié)構(gòu)、特性、命名方法3.掌握晶體管基本作用和主要參數(shù)晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

【學(xué)習(xí)目標(biāo)】

【能力目標(biāo)】

1.能夠分析和判斷晶體管工作狀態(tài)2.能目測(cè)晶體管管腳極性3.能用萬(wàn)用表電阻擋檢測(cè)晶體管【知識(shí)探究】

1.晶體管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和類型

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

按照兩個(gè)PN結(jié)的組合方式不同,晶體管分為NPN型和PNP型兩大類,其結(jié)構(gòu)和圖形符號(hào)如圖所示

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

常見(jiàn)的三極管外形

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

類型:

(1)依據(jù)制造材料的不同,分為鍺管和硅管。硅管受溫度影響小,性能穩(wěn)定,用得較為廣泛。(2)依據(jù)晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,分為NPN型和PNP型兩類。硅管多數(shù)是NPN型,且采用平面工藝制造;鍺管多數(shù)PNP型,且采用合金工藝制造。(3)依據(jù)工作頻率不同,分為高頻管(工作頻率≥3MHZ)和低頻管(工作頻率﹤3MHZ)。(4)依據(jù)功率不同,分為小功率管(耗散功率和﹤1W)大功率管(耗散功率和≥1W)。(5)依據(jù)用途的不同,分為普通管和開(kāi)關(guān)管。2.晶體管的電流放大作用

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

要使晶體管具有正常的電流放大作用,必須在其發(fā)射結(jié)上加正向電壓

,在集電結(jié)上加反向電壓。由于NPN型PNP型晶體管極性不同,所以外加電壓的極性也不同,如圖所示。a)NPN型三極管b)PNP型三極管電流放大作用根據(jù)基爾霍夫定律,將晶體管用以假想的封閉曲面包圍起來(lái),則流進(jìn)封閉曲面的電流應(yīng)等于流出封閉曲面的電流。在NPN型晶體管中IB、IC是流進(jìn),在PNP型晶體管中IB、IC是流出。無(wú)論是NPN型還是PNP型,都是3.晶體管的伏安特性(a)輸入特性曲線(b)輸出特性曲線

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

1.截止區(qū):IC≈0,稱它為穿透電流ICEO,集電極與發(fā)射極之間相當(dāng)于斷路。2.放大區(qū)為平直部分的線性區(qū)域,幾乎與橫軸平行。需要的條件是發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。這個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)是一IB定時(shí),IC的大小與基本無(wú)關(guān),具有恒流特性;IB改變時(shí),IC也隨著改變,IC受IB控制,具有電流放大作用,ΔIC=?ΔIB。c極與e極之間的等效電阻線性可變,相當(dāng)于一可變電阻。電阻的大小受基極電流控制。基極電流增大,c極與e極之間的等效電阻變小,反之則大。3.飽和區(qū)輸出特曲線的左側(cè)陰影部分,包括曲線的上升和彎曲部分。條件是發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正偏狀態(tài),此區(qū)特點(diǎn)是UCE很低,IC不受IB控制,三極管失去放大作用,集電極和發(fā)射極相當(dāng)于一個(gè)接通的開(kāi)關(guān)。4.晶體管的主要參數(shù)(1)電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)hFE

(2)極間反向電流集電極—基極反向飽和電流ICBO集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO

(3)極限參數(shù)集電極最大允許電流ICM反向擊穿電壓U(BR)CEO

集電極最大耗散功率PCM

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

【技能訓(xùn)練】

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

識(shí)別:一般晶體管管腳的排列是有一定規(guī)律的,根據(jù)這一規(guī)律,可以很方便地識(shí)別管腳極性。下表為常見(jiàn)晶體管的管腳排布規(guī)律

晶體管的基本原理分析與檢測(cè)

萬(wàn)用表判別晶體管極性萬(wàn)用表測(cè)試小功率管時(shí),一般選用R×100擋或R×1k擋;測(cè)大功率管時(shí)可選用R×10擋。步驟:首先判別管型找出基極。以黑表筆為準(zhǔn)筆,紅表筆分別接晶體管的另外兩極,如果阻值均小,則該管為NPN型,黑表筆所接為基極;以紅表筆為準(zhǔn)筆,黑表筆分別接晶體管的另外兩極,如果阻值均小,則該管為PNP型,且黑表筆所接為基極。切記,不能以都大做標(biāo)準(zhǔn)?!菊n堂小結(jié)】1.晶體管分為NPN、PNP兩種類型;有基極(b)、集電極(c)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論