材料科學基礎知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋哈爾濱工程大學

材料科學基礎知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋哈爾濱工程大學第一章單元測試

以離子鍵為主的晶體所具有的特點包括：（）。

A:塑性差

B:熔點高

C:硬度低

D:導電性差

答案:塑性差

；熔點高

；導電性差

空間點陣是由（）在空間作有規(guī)律的重復排列。

A:分子

B:幾何點

C:離子

D:原子

答案:幾何點

常見金屬的晶體結構有體心立方、面心立方和密排六方，均屬于14種布拉菲點陣中的空間點陣類型。（）

A:錯B:對

答案:錯立方晶系中，具有相同指數的晶向與晶面（）。

A:45°相交

B:相互平行

C:夾角不確定

D:相互垂直

答案:相互垂直

已知面心立方Cu的點陣常數為0.361nm，其密排面的晶面間距為（）。

A:0.1276nm

B:0.2084nm

C:0.1042nm

D:0.361nm

答案:0.2084nm

下列具有密排六方結構的金屬有：()。

A:Zn

B:Mg

C:Fe

D:Al

答案:Zn

；Mg

已知γ-Fe的點陣常數為0.3633nm，則其原子半徑為（）。

A:0.1284nm

B:0.2568nm

C:0.3633nm

D:0.1573nm

答案:0.1284nm

下列相中，其晶體結構與組成元素的晶體結構均不相同的為：（）。

A:正常價化合物

B:間隙固溶體

C:間隙化合物

D:置換固溶體

答案:正常價化合物

；間隙化合物

固溶體中的溶質原子都是混亂隨機的占據固溶體的晶格陣點或間隙位置。（）

A:錯B:對

答案:錯尺寸因素化合物主要受（）尺寸因素控制。

A:電子

B:原子

C:分子

D:化合物

答案:原子

第二章單元測試

晶體中由于點缺陷的存在，使其性能發(fā)生變化，包括：（）。

A:密度減小

B:電阻增大

C:電阻減小

D:密度增大

答案:密度減小

；電阻增大

因為位錯的晶格畸變區(qū)是一條幾何線，所以將位錯稱為線缺陷。（）

A:對B:錯

答案:錯以下關于柏氏矢量的描述中，錯誤的是：（）。

A:柏氏矢量越大，位錯導致的點陣畸變越嚴重

B:當位錯運動時，其柏氏矢量會發(fā)生變化

C:多個位錯交匯于一點時，流入節(jié)點的位錯與流出節(jié)點的位錯的柏氏矢量和相等

D:柏氏回路的起點不同，則得到的柏氏矢量方向也不同

答案:當位錯運動時，其柏氏矢量會發(fā)生變化

；柏氏回路的起點不同，則得到的柏氏矢量方向也不同

不管是刃型位錯，還是螺型位錯，當它們在一個滑移面上運動受阻時，都可能發(fā)生交滑移。（）

A:錯B:對

答案:錯當位錯在某一個滑移面上滑移時，如果與其它位錯相遇，可能會形成（）。

A:割階

B:無影響

C:其他選項都有可能發(fā)生

D:扭折

答案:其他選項都有可能發(fā)生

下列選項中屬于面心立方晶體全位錯的是（）。

A:

B:

C:

D:

答案:

以下關于肖克萊不全位錯的描述，錯誤的是（）。

A:可能是刃型、螺型或混合型位錯

B:位錯線為平面曲線

C:既可以滑移，也可以攀移

D:位錯線、柏氏矢量、滑移面共面

答案:既可以滑移，也可以攀移

面心立方晶體的（111）晶面按ABCABCACABCABC……順序堆垛時，其中含有（）。

A:一片插入型層錯

B:一片抽出型層錯

C:其他選項都不是

D:一片插入或抽出型層錯

答案:一片抽出型層錯

兩肖克萊不全位錯的柏氏矢量之間呈60°角，這兩個位錯之間（）。

A:相互吸引

B:其他選項都可能發(fā)生

C:沒有相互作用

D:相互排斥

答案:相互排斥

下列不屬于晶體中內界面缺陷的是（）。

A:層錯

B:孿晶界

C:晶界

D:相界

答案:層錯

第三章單元測試

對于純金屬來說，實際冷卻曲線上的水平臺就是該金屬的理論結晶溫度。（）

A:錯B:對

答案:錯純金屬凝固時，當形成的晶胚半徑等于臨界晶核半徑時，體系的自由能變化為（）。

A:無法判斷

B:等于零

C:大于零

D:小于零

答案:大于零

某純金屬結晶時的臨界形核功為△G*，其臨界晶核表面能為△G，則△G*和△G的關系為（）。

A:△G=△G*

B:△G=3△G*

C:△G=2/3△G*

D:△G=1/3△G*

答案:△G=3△G*

純金屬結晶時，形核和晶核長大都需要過冷，過冷度增大通常使臨界晶核半徑、臨界形核功減小，形核過程容易，形核率增加，晶粒細化。（）

A:錯B:對

答案:對關于純金屬凝固過程中的非均勻形核，下列描述正確的是：（）。

A:形狀因子f(θ)的大小影響形核的難易程度

B:晶胚和基底之間的晶體結構越接近，越易形核

C:晶胚與基底之間的界面張力越小，越有利于形核

D:相同的曲率半徑和潤濕角時，凸曲面上容易形核，凹曲面上不易形核

答案:形狀因子f(θ)的大小影響形核的難易程度

；晶胚和基底之間的晶體結構越接近，越易形核

；晶胚與基底之間的界面張力越小，越有利于形核

純金屬結晶過程中，影響晶核形成和成長速率的因素是（）。

A:過熱度

B:過熱度和未溶雜質

C:過冷度和未溶雜質

D:未溶雜質

答案:過冷度和未溶雜質

非金屬、亞金屬或化合物等材料的晶體主要是以（）的方式長大。

A:螺型位錯長大機制

B:垂直長大機制

C:二維晶核長大機制

D:刃型位錯長大機制

答案:螺型位錯長大機制

；二維晶核長大機制

晶體的固-液界面分為光滑界面和粗糙界面，按照長大速度由慢到快，其長大方式依次為晶體缺陷長大、二維晶核長大和垂直長大。（）

A:對B:錯

答案:錯純金屬鑄錠凝固時，如果絕大部分結晶潛熱是通過固相散出，那么固-液界面一般以（）向前推進。

A:平面狀和樹枝狀的混合形態(tài)

B:平面狀

C:樹枝狀

D:平面狀或樹枝狀

答案:平面狀

對于小型或薄壁的鑄件，可以采用下列方法細化晶粒：（）。

A:低溫慢速澆注

B:變質處理

C:采用導熱性好的金屬模具

D:在凝固過程中實施機械振動

答案:低溫慢速澆注

；變質處理

；采用導熱性好的金屬模具

；在凝固過程中實施機械振動

第四章單元測試

根據Cu-Ni勻晶相圖，含40wt.%Cu的液態(tài)合金平衡冷卻到凝固進行一半時，固相中Cu的含量為（）。

A:大于40%

B:等于40%

C:小于40%

D:不能確定

答案:小于40%

固溶體合金凝固時，除了需要結構起伏和能量起伏外，還需要有成分起伏。（）

A:錯B:對

答案:對對于二元合金中的枝晶偏析，下列描述正確的是：（）。

A:平衡凝固會產生枝晶偏析

B:枝晶偏析是在非平衡凝固過程中產生的，可以采用均勻化退火減弱或消除

C:枝晶偏析不能消除

D:枝晶偏析是顯微偏析

答案:枝晶偏析是在非平衡凝固過程中產生的，可以采用均勻化退火減弱或消除

；枝晶偏析是顯微偏析

若一根k0＞1的合金棒從左到右順序凝固，凝固完畢后，溶質原子在右端（）。

A:保持原來的濃度

B:貧化

C:富集

D:濃度為零

答案:貧化

在實際工業(yè)生產中，固溶體在結晶過程中產生宏觀偏析最小的工藝條件為（）。

A:其他選項都不是

B:中速結晶

C:緩慢結晶

D:快速結晶

答案:快速結晶

共晶成分的合金在共晶反應L→α+β剛結束時，其組成相為（）。

A:L+α+β

B:(α+β)

C:α+β+(α+β)

D:α+β

答案:α+β

包晶成分的合金在平衡凝固時發(fā)生包晶轉變，L+α→β，在轉變過程中，（）。

A:高熔點組元由α向β內擴散

B:高熔點組元由L相向β內擴散

C:低熔點組元由L相向β內擴散

D:低熔點組元由L相向α內擴散

答案:高熔點組元由α向β內擴散

；低熔點組元由L相向β內擴散

鐵碳合金平衡組織中二次滲碳體可能達到的最大含量為（）。

A:2.26%

B:77.4%

C:22.6%

D:55.2%

答案:22.6%

鐵素體與奧氏體的根本區(qū)別在于碳在鐵中的固溶度不同。（）

A:對B:錯

答案:錯可引起鋼的缺陷組織中出現“白點”的雜質元素是：（）。

A:磷

B:氮

C:硫

D:氫

答案:氫

第五章單元測試

材料彈性變形的特點包括（）

A:彈性變形是可逆的，即卸除外加載荷后，材料能夠恢復到原來的狀態(tài)。

B:在彈性變形階段，應力和應變之間的關系始終保持線性關系。

C:有些材料的彈性應變量可以超過100%。

D:彈性變形的應變量與時間無關。

答案:彈性變形是可逆的，即卸除外加載荷后，材料能夠恢復到原來的狀態(tài)。

；有些材料的彈性應變量可以超過100%。

金屬的塑性變形主要是通過滑移和孿生來進行的，高溫變形時還會發(fā)生擴散蠕變和晶界滑動。（）

A:對B:錯

答案:對一般來說，金屬晶體的滑移面是原子面密度最大的晶面，滑移方向是原子線密度最大的方向。（）

A:對B:錯

答案:對下列晶向與晶面的組合中，哪個不可能是立方晶系中的滑移系統：（）

A:

B:

C:

D:

答案:

多晶體發(fā)生塑性變形時，其主要特點不包括（）

A:單滑移

B:多方式

C:變形不均勻

D:多滑移

答案:單滑移

下列說法錯誤的是（）。

A:多晶體塑性變形中，每個晶粒至少要有2個獨立的滑移系同時開動。

B:室溫變形時，晶界的強度高于晶內，使得每個晶粒的變形是不均勻的。

C:密排六方金屬的滑移系較多，塑性變形能力好。

D:一般情況下鋁合金較鎂合金具有更好的塑性變形能力。

答案:多晶體塑性變形中，每個晶粒至少要有2個獨立的滑移系同時開動。

；密排六方金屬的滑移系較多，塑性變形能力好。

扭折帶的形成有利于晶粒間的變形協調，引起晶體的再取向，促進晶體的變形。（）

A:錯B:對

答案:對金屬的塑性變形會導致材料的性能發(fā)生變化，下列描述錯誤的是（）。

A:金屬經過冷變形后，其塑形變形能力下降。

B:金屬經過冷變形后，其耐蝕性提高。

C:金屬經過冷變形后，其強度提高。

D:金屬經過冷變形后，其導電性下降。

答案:金屬經過冷變形后，其耐蝕性提高。

下列關于形變織構的說法，錯誤的是（）

A:拔絲變形過程中形成的絲織構的特點是，各晶粒的某一個晶面大致與拔絲方向平行。

B:形變織構的產生是晶粒在外力作用下發(fā)生轉動，導致各晶粒取向趨于一致的結果。

C:軋制過程中形成的板織構，其特點是各晶粒的某一晶面與軋制面平行，某一晶向與軋制時的主形變方向平行。

D:材料的形變織構會導致材料的性能出現各向異性。

答案:拔絲變形過程中形成的絲織構的特點是，各晶粒的某一個晶面大致與拔絲方向平行。

下列關于孿生變形的描述中，正確的是（）。

A:孿生變形中，變形區(qū)域內的晶體發(fā)生了均勻的切變。

B:孿生改變了晶體形變部分的位向關系。

C:孿生變形所需要的臨界分切應力遠大于滑移的臨界分切應力。

D:在應力應變曲線上，孿生變形部分表現為光滑的曲線。

答案:孿生變形中，變形區(qū)域內的晶體發(fā)生了均勻的切變。

；孿生改變了晶體形變部分的位向關系。

；孿生變形所需要的臨界分切應力遠大于滑移的臨界分切應力。

第六章單元測試

冷變形金屬在加熱至0.5Tm溫度附近時，隨時間的延長，組織發(fā)生的變化不包括（）。

A:回復

B:晶粒長大

C:重結晶

D:再結晶

答案:重結晶

在金屬回復過程中，材料的硬度和電阻率均急劇降低。（）

A:錯B:對

答案:錯在低溫回復時，點缺陷的密度會發(fā)生顯著地下降。（）

A:對B:錯

答案:對在回復過程中，不涉及的缺陷運動有（）

A:大角晶界的遷移

B:位錯的滑移和攀移

C:亞晶界的形成

D:空位和間隙原子向晶界和位錯處運動而消失

答案:大角晶界的遷移

下列對于回復過程動力學的描述，錯誤的是（）

A:不同溫度下，回復的機制不同，其激活能也可能不同。

B:回復溫度越高，回復速率越快，達到相同的軟化效果所需的時間越短。

C:冷變形金屬回復過程的驅動力是變形儲能。

D:回復過程中，需要一定的孕育期。

答案:回復過程中，需要一定的孕育期。

下列關于再結晶形核機制的描述，錯誤的是（）

A:變形量較大時，高層錯能金屬通過亞晶轉動、聚合成核。

B:變形量較小時，通過晶界弓出形核，由高密度位錯區(qū)向低密度位錯區(qū)弓出。

C:再結晶核心是無畸變的。

D:變形量較大時，低層錯能金屬通過亞晶界遷移、亞晶長大成核。

答案:變形量較小時，通過晶界弓出形核，由高密度位錯區(qū)向低密度位錯區(qū)弓出。

影響再結晶溫度的因素有哪些？（）

A:原始晶粒尺寸

B:材料的純度

C:第二相粒子

D:預變形程度

答案:原始晶粒尺寸

；材料的純度

；第二相粒子

；預變形程度

關于晶粒長大的描述，正確的是（）

A:雜質元素在晶界的偏聚將使晶界遷移速率下降。

B:溫度越高，晶粒長大速度越快。

C:彌散分布的第二相質點，可以使晶粒長大受到抑制。

D:小角晶界的界面遷移速度低。

答案:雜質元素在晶界的偏聚將使晶界遷移速率下降。

；溫度越高，晶粒長大速度越快。

；彌散分布的第二相質點，可以使晶粒長大受到抑制。

；小角晶界的界面遷移速度低。

如果熱加工過程中的真應力-應變曲線出現應力峰值高于穩(wěn)態(tài)流變應力的情況，說明存在動態(tài)再結晶。（）

A:錯B:對

答案:對熱加工過程中，某些夾雜物或第二相粒子隨變形的進行而沿著變形方向分布，形成“帶狀組織”。（）

A:對B:錯

答案:錯

第七章單元測試

如果固體中不存在擴散流，則說明原子沒有擴散。（）

A:對B:錯

答案:錯由于固體原子每次跳動方向是隨機的，因此在任何情況下擴散通量為零。（）

A:對B:錯

答案:錯下列表述中不正確的是（）。

A:菲克第一定律和第二定律本質上是一個定律，均表明擴散的過程是使不均勻體系均勻化的過程

B:間隙固溶體的擴散激活能小于置換固溶體的擴散激活能

C:對于規(guī)定濃度的滲層深度，擴散層深度增加一倍，則擴散時間要增加3倍

D:在滲碳過程中，若要增加滲層深度，只能延長滲碳時間

答案:在滲碳過程中，若要增加滲層深度，只能延長滲碳時間

在擴散退火過程中，擴散驅動力與濃度降低的方向一致。（）

A:對B:錯

答案:對下列情況中不能發(fā)生上坡擴散的是（）。

A:擴散退火過程中的擴散

B:彈性應力作用下的擴散

C:晶界的內吸附

D:電場作用下的擴散

答案:擴散退火過程中的擴散

固溶體中溶質原子的偏聚表現為（）。

A:下坡擴散

B:化學位梯度與濃度梯度方向相同

C:上坡擴散

D:化學位梯度與濃度梯度方向相反

答案:上坡擴散

；化學位梯度與濃度梯度方向相反

柯肯達爾實驗過程中發(fā)生了：（）。

A:等量擴散

B:空位擴散

C:間隙擴散

D:非等量擴散

答案:空位擴散

；非等量擴散

自擴散現象可以用空位擴散機制解釋。（）

A:對B:錯

答案:對下列因素中不利于提高擴散速度的是（）。

A:提高溫度

B:在二元合金中加入能形成穩(wěn)定化合物的第三元素

C:軋制

D:細化晶粒

答案:在二元合金中加入能形成穩(wěn)定化合物的第三元素

與晶內原子相比，晶界處原子具有更高的遷移能力，因此晶界擴散系數明顯高于晶內擴散系數。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章單元測試

下列表述中正確的是（）。

A:固態(tài)相變的相變阻力比液態(tài)結晶的相