電子行業(yè)2025年年度策略：關注半導體行業(yè)自主可控及AI終端繁榮兩大主線

報告日期:2024年12月報告日期:2024年12月17日——電子行業(yè)年度策略執(zhí)業(yè)登記編號：A01901230700電子行業(yè)指數(shù)與滬深300指數(shù)走勢對比-30%點將至，國產替代加速進行》2.《半導體測試設備行業(yè)專題研測試設備國產化持續(xù)推進》將至》2024.09.25根據(jù)SEMI預測，2024/2025年全球半導體設備行業(yè)市場著增加。伴隨國內晶圓制造端規(guī)模逐步壯大，將推進上游設備、材料和件等環(huán)節(jié)的國產化節(jié)奏。此外光刻機是半導體行業(yè)明珠，上海微電子有投入，有望推動AI終端市場的繁榮。IDC預達2350億美元，并預計2028年增長至6320億美元，復合增速達29%。AIAgent是以AI大模型為驅動的AI終端應用，有望推動大模型的商業(yè)化應用，加速“AI+”產業(yè)發(fā)展。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，預計2024年中國市場中搭載AI功能的智能終端滲透率超70%。其中AI手機在2024-2027年將由0.4億臺增長至增長，帶給上游供應鏈市場擴容機遇。半導體行業(yè)自主可控及AI終端應用繁榮是兩大主線，有望給電子展機遇：中微公司；3）光刻機零部件：福晶科技、富創(chuàng)精密、新萊應材。供應鏈發(fā)展不及預期。請閱讀最后評級說明和重要聲明2 4 42.保障芯片制造自主可控，設備國產化是必 7 9 圖1：預計全球半導體行業(yè)產值將在2025年增長至6547億美元 4圖2：半導體行業(yè)產業(yè)鏈 4圖3：半導體器件分類 5圖4：2025年全球晶圓廠設備支出有望達1128億美元 7圖5：半導體前道晶圓制程對應的主要工序 7圖6：2022年全球半導體設備各類型價值占比 8圖7：每5萬片晶圓產能對應設備投資額（億美元） 8圖8：二重模板/四重模板增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 8圖9：三維存儲芯片增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 8圖10：ASMLNXE：3400系列EUV光刻機，可用于7/5nm制程節(jié)點 10圖11：光刻機的基本結構 11圖12：帶有科勒結構的光刻機成像光路結構 11圖13：光刻機精度提升推動折射物鏡NA及尺寸增加 12圖14：光刻機由單工作臺向雙工作臺發(fā)展 12圖15：上海微電子SSA600/20光刻機圖例 14圖16：上海微電子600系列光刻機最高光刻精度在90nm 14圖17：預計2022-2024年全球AI支出年增速高于20% 15圖18：預計2025年中國智能算力規(guī)模同比增長44% 15圖19：IDC預計2024-2028年全球人工智能資本開支復合增速GAGR達29% 16圖20：IDC預計2028年軟件資本開支將占人工智能支出的57% 16圖21：AI服務器出貨量高速增長 17圖22：AI終端滲透率持續(xù)提升 18圖23：國內AI手機出貨量有望高速增長 183圖24：AI終端拓展至眼鏡、VR/AR和家用電器等更多場景 18表1：半導體產業(yè)鏈中游企業(yè)不同經(jīng)營模式 6表2：美日荷聯(lián)合對華出口管制，以設備和芯片端力度最大 6表3：從整體看半導體設備國產化率仍處于較低水平 9表4：光刻機所用光源的波長決定光刻精度 10表5：ASML在全球光刻機市場一家獨大 13表6：ASML對華出口管制措施落地，涉及2000i及之后可用于14nm以上先進制程的機型 13表7：工信部重大技術裝備指導目錄中披露兩類半導體光刻機設備 14表8：人工智能大模型的參數(shù)規(guī)模呈指數(shù)級增長趨勢 15表9：國內廠商加大對AIAgent等大模型驅動下的人工智能應用的投入 17表10：AI手機帶來產業(yè)鏈發(fā)展機遇 19表11：PCB各細分品類產值2023-2028年復合增速預測 19表12：萬得一致盈利預測 204一、半導體產業(yè)迎來復蘇，自主可控迫在眉睫0 半導體行業(yè)上下游聯(lián)系緊密，各環(huán)節(jié)缺一不可。半導體行業(yè)產5和晶閘管等產品。式出現(xiàn)分化：u邏輯芯片：早期intel、AMD等公司均為IDM模式，而臺積電將代工模式發(fā)揚光大。代速度較慢；③國內IDM和fables于發(fā)展早期，市場份額較小，較難發(fā)揮IDM成等特色工藝代工平臺合作是目前不錯的選擇。6涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試以及后續(xù)的產品銷售等環(huán)節(jié)代工服務品銷售，將晶圓制造和封裝測試外包給專業(yè)的712001000800600400200全球晶圓廠設備支出（億美元）——YOY50%40%30%20%10%0%8刻蝕等工序的需求。未來薄膜沉積、刻蝕價值占比或將進一步提升。0資料來源：SEMI，中微公司，源達信息證券研究所資料來源：中芯國際招股說明書，源達信息證券研究所資料來源：中微公司，源達信息證券研究所資料來源：拓荊科技招股說明書，源達信息證券研究所全球半導體設備市場被美日荷壟斷。半導體設備行ASML、LAM（泛林半導體）、TEL（東京電子）、KLA（科磊半導體）等公司起步較根據(jù)芯源微公告，公司已在2022年底發(fā)布可用于28nm節(jié)點的第三代浸沒迎來“0-1突破”后的放量階段。目前光刻機國產化率幾乎為零，上海打破光刻機進口壟斷的國產公司，目前公司官網(wǎng)已推出光刻精度在90nm的ArF光刻機，9北方華創(chuàng)北方華創(chuàng)、拓荊科技、微唐半導體盛美上海、北方華創(chuàng)、至純科技、芯源微精測電子、中科飛測、上北方華創(chuàng)、屹唐半導體生產能力的公司。 設備名稱接觸式/接近式光刻機436nm接觸式/接近式光刻機掃描投影式光刻機45-10nm影響光刻機產能效率；5）掃描刻線模組：在光刻階段對誤差及擾動進行有效調整及補償；6）晶圓掃描模組：對硅片剪裁一個缺口，用于光刻機光源發(fā)出的光會先經(jīng)過照明系統(tǒng),再照射到掩模版上,然后從掩模版發(fā)出的衍射光被投影物鏡收集,最后成像到硅片上的光刻膠上。最早的光刻機成像方式一般采用科勒照明結構，主要原理是將光源中每個點發(fā)出的光以不同角度的平行光均勻地照射在掩模版上,最終形成光強均勻的照明。資料來源：《現(xiàn)代光刻機的發(fā)展歷程與未來展望》，源達信節(jié)點減小,對成像分辨率的要求增加,除縮短波長外,還要增加大,需要設計出符合要求的物鏡結構減小像差，也因此導致折射物鏡的尺寸增加，在ArF光刻機中用于組成折射物鏡的非球面鏡片已達十數(shù)片。資料來源：《現(xiàn)代光刻機的發(fā)展歷程與未來展望》，源達信臺在測量工位進行硅片對準和調焦調平時,另外一個工件臺在曝光工位曝光,因此顯著提升光資料來源：《現(xiàn)代光刻機的發(fā)展歷程與未來展望》，源達信ASML204242900044945程芯片有望加快擴產，光刻機國產化亟待突破。表6：ASML對華出口管制措施落地，涉及2000i及之后可用于14nm以上先進制程的機型TWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCAN上海微電子是最有望打破光刻機進口壟斷的國產公司。根據(jù)公司公眾號信息，公司在LED機，采用深紫外光源（DUV），光刻精度達90nm。同時公司正在進行28nm浸沒式光刻圖16：上海微電子600系列光刻機最高光刻精度在90nm型號SSA600/20SSC60資料來源：上海微電子官網(wǎng)，源達信息證券研究所資料來源：上海微電子官網(wǎng)，源達信息證券研究所光刻機。其中氟化氬光刻機分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪光刻機分辨率≤110nm、定支持作用。裝備名稱核心技術指標氟化氪光刻機氟化氬光刻機二、人工智能產業(yè)加快增長，AI終端滲透率加快提升能持續(xù)提升的背后是千億級以上的參數(shù)訓練，帶來對算力的高額需求，有望推動新一輪AI基礎設施建設。根據(jù)OpenAI官網(wǎng)，AI模型訓練計算量自2012Parametersize/10-8S————資料來源：《大語言模型研究現(xiàn)狀及趨勢》，源達信圖17：預計2022-2024年全球AI支出年增速高 0資料來源：IDC，世界銀行，源達信息證券研究所顯著高于其他人工智能技術的22%。2025年將會是人2024年的AI投資達896億美元，占全球市場的3大模型加速發(fā)展趨勢下，國內廠商加大對AIAgent等新一代人工智能應用的投入。AIAWSTiAppBuilder、AgentBuil螞蟻集團/螞蟻數(shù)科騰訊元器智能體開發(fā)運營平臺人工智能行業(yè)高速發(fā)展，算力巨額缺口推動AI服務器出貨量高速增長。高端AI服務器（萬臺）普通AI服務器（萬臺）8070605040302010202220232024E資料來源：華勤技術投資者關系公眾號，源達信資料來源：IDC，源達信息證券研究所資料來源：ID生出超級智能終端，如智能機器人等。重點標的零部件攝像頭屏幕存儲18層以上的多層板2023-2028年的產值和歐洲，目前國內PCB企業(yè)已在加大對封裝基板的產能擴充力度，并在2025年進一步提升份額。產值封裝基板柔性板4.8%4.8%4.6%4.4%4.1%4.7%4.4%三、投資建議資料來源：Wind一致預期（2024），四、風險提示看好：行業(yè)指數(shù)相對于滬深3中性：行業(yè)指數(shù)相對于滬看淡：行