模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)的

模擬電子技術(shù)根底的ppt模擬電子技術(shù)以晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等電子器件為根底，以單元電路、集成電路的分析和設(shè)計(jì)為主導(dǎo)，研究各種不同電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、參數(shù)分析及應(yīng)用。1、模擬信號(hào)我們將連續(xù)性的信號(hào)稱為模擬信號(hào)，而將離散型的信號(hào)稱為數(shù)字信號(hào)。2、模擬電路模擬電路是對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行處理的電路，其最根本的處理是對(duì)信號(hào)的放大，含有功能和性能各異的放大電路。電子信息系統(tǒng)由信號(hào)的提取、信號(hào)的預(yù)處理、信號(hào)的加工和信號(hào)的驅(qū)動(dòng)與執(zhí)行四局部構(gòu)成，如下列圖所示。1、根本概念導(dǎo)體：極易導(dǎo)電的物體;絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物體;半導(dǎo)體：導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì);2、本征半導(dǎo)體共價(jià)鍵：在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子;自由電子：由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;復(fù)合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;載流子：運(yùn)載電荷的粒子;導(dǎo)電機(jī)理：在本征半導(dǎo)體中，電流包括兩局部，一局部是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一局部是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。3、本征半導(dǎo)體共價(jià)鍵：在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子;自由電子：由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;復(fù)合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;載流子：運(yùn)載電荷的粒子;導(dǎo)電機(jī)理：在本征半導(dǎo)體中，電流包括兩局部，一局部是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一局部是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。以實(shí)際材料為例，迅速講解相關(guān)知識(shí)，舉例大量的實(shí)際電路知識(shí)，圖示性強(qiáng)。能使人很清晰的看懂知識(shí)點(diǎn)。第一章：直流穩(wěn)壓電源的制作與調(diào)試(第1-12課時(shí))第二章：分立元件放大電路分析與調(diào)試(第12-30課時(shí))第三章：集成運(yùn)算放大器根底及負(fù)反應(yīng)電路(第31-37課時(shí))第四章：集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用(第38-49課時(shí))第五章：功率放大電路(第50-58課時(shí))第六章：正弦波振蕩電路(第59-63課時(shí)