【MOOC】集成電路版圖設計-江蘇信息職業(yè)技術學院 中國大學慕課MOOC答案

【MOOC】集成電路版圖設計-江蘇信息職業(yè)技術學院中國大學慕課MOOC答案第一章單元測驗1、【單選題】晶圓尺寸通常用英寸表示，十二英寸晶圓是指本題答案：【晶圓直徑300mm】2、【單選題】芯片制造步驟的產品為本題答案：【晶圓】3、【單選題】集成電路版圖設計屬于集成電路設計的本題答案：【后端】4、【單選題】chiplogic系列軟件中主要用于數(shù)據保存的是本題答案：【chipdatacenter】5、【單選題】LVS驗證其主要功能是本題答案：【驗證版圖和電路是否一致】6、【多選題】集成電路設計階段通常分為兩大步驟，它們是本題答案：【電路設計#版圖設計】7、【多選題】同種工藝下，不同MOS管版圖形狀區(qū)別也很大，其主要的原因是因為本題答案：【MOS管寬度參數(shù)不同#MOS管長度參數(shù)不同】8、【多選題】集成電路版圖正向設計主要用到的工具軟件有本題答案：【cadencevirtuoso工具#spectre仿真工具#calibre驗證工具】9、【多選題】下列運行在unix平臺下的設計工具軟件有本題答案：【cadencevirtuoso#華大九天empyrean】10、【判斷題】數(shù)字集成電路由CMOS器件構成，模擬集成電路由雙極型器件構成。本題答案：【錯誤】11、【判斷題】數(shù)?；旌霞呻娐樊a品以Bi-CMOS產品居多。本題答案：【正確】12、【判斷題】設計相同電路的版圖，全定制設計通常比半定制設計占用更多面積。本題答案：【錯誤】13、【判斷題】標準單元版圖其主要是用于大規(guī)模數(shù)字集成電路版圖的自動布局布線。本題答案：【正確】14、【判斷題】CadenceSE主要用于集成電路版圖自動布局布線。本題答案：【正確】15、【填空題】集成電路版圖是一組的圖形，各層版圖對應不同工藝步驟。本題答案：【相互套合##%_YZPRLFH_%##相互嵌套】16、【填空題】全定制設計和半定制設計相比，設計的自動化程度更高。本題答案：【半定制】17、【填空題】DRC中文含義是。本題答案：【設計規(guī)則檢查##%_YZPRLFH_%##設計規(guī)則驗證】18、【填空題】EDA的含義是：。本題答案：【電子設計自動化】第二章單元測試1、【單選題】能夠運行在個人電腦上的操作系統(tǒng)有本題答案：【windows】2、【單選題】能夠運行集成電路設計軟件cadence的操作系統(tǒng)有本題答案：【Linux】3、【單選題】linux中用于改變路徑的命令是本題答案：【cd】4、【單選題】linux中用于復制文件的命令是本題答案：【cp】5、【單選題】vi編輯器中保存退出的命令是本題答案：【:wq】6、【判斷題】版圖設計所用的圖形工作站的硬件架構和普通電腦基本一樣。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】通常公司工作站服務器用于存放cadence軟件，PC服務器用于存放chiplogic軟件。本題答案：【正確】8、【判斷題】xmanager軟件是用于PC訪問unix服務器操作的。本題答案：【正確】9、【判斷題】關閉linux系統(tǒng)可以直接點擊右上方的叉來關閉。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】虛擬機中的文件若轉存到本地windows下需要轉換格式。本題答案：【錯誤】11、【判斷題】linux系統(tǒng)中terminal中所輸入的命令都是小寫。本題答案：【正確】12、【判斷題】vi編輯器進去編輯模式可以用insert進行插入編輯本題答案：【正確】第三章單元測驗1、【判斷題】當cadence啟動完成后，terminal不再使用，可以直接關閉。本題答案：【錯誤】2、【判斷題】cadence的主界面不僅用來選取操作菜單，也是主要信息顯示界面。本題答案：【正確】3、【判斷題】名為schematic的視圖代表的是該單元的版圖本題答案：【錯誤】4、【判斷題】添加已有庫的界面需要先進入librarypatheditor后才能進入。本題答案：【正確】5、【判斷題】刪除庫中單元需要先進入librarypatheditor后才能進行刪除操作。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】CIW中的warning字體以黃色表示，存在warning設計操作仍可進行。本題答案：【正確】第四章單元測驗1、【單選題】金屬、多晶、N+摻雜層、N阱四種材料制備的電阻中方塊電阻最小的是本題答案：【金屬】2、【單選題】MOS做電容使用時比較適合的工作狀態(tài)是本題答案：【積累】3、【單選題】二極管版圖外圍環(huán)狀開缺口的原因是本題答案：【方便走線】4、【單選題】三極管結構中埋層的作用是本題答案：【減小體電阻】5、【單選題】之所以同工藝中相同類型MOS管版圖圖形還有很大差異主要是因為本題答案：【器件的參數(shù)不同】6、【單選題】為減少失配，版圖上電阻條的寬度應該本題答案：【采用較寬尺寸】7、【判斷題】方塊電阻越大的材料制備的電阻阻值越大。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】所有多晶電阻不管圖形如何變化，其方塊電阻阻值都不變。本題答案：【錯誤】9、【判斷題】若用于信號耦合雙多晶電容比MOS電容更為合適。本題答案：【正確】10、【判斷題】二極管版圖通常做成環(huán)狀的原因是為了使電流流向比較均勻本題答案：【正確】11、【判斷題】通常三極管版圖圖形比二極管版圖圖形要多一環(huán)本題答案：【正確】12、【判斷題】P型增強型MOS管當柵極加上正向偏壓后溝道出現(xiàn)，MOS管導通。本題答案：【錯誤】13、【判斷題】版圖中MOS管溝道長度等于多晶的寬度。本題答案：【錯誤】14、【判斷題】版圖中串聯(lián)MOS管的連接可以采用直接合并有源區(qū)來進行連接。本題答案：【正確】15、【判斷題】版圖中并聯(lián)MOS管的連接通常采用叉指方式進行連接。本題答案：【正確】第五章單元測驗1、【單選題】創(chuàng)建電路圖文件時，其視圖類型應選擇以下哪種類型本題答案：【Schematic】2、【單選題】在建立版圖文件時，視圖類型是什么本題答案：【layout】3、【單選題】版圖進行設計規(guī)則驗證（DRC）的目的是什么本題答案：【檢查是否違反設計規(guī)則】4、【單選題】進行LVS時，與電路文件進行比較是是哪種視圖文件本題答案：【提取文件】5、【單選題】DRC驗證結果顯示“Metal1toMetal1spacing0.5”，是違反了哪類設計規(guī)則本題答案：【最小間距】6、【判斷題】在繪制版圖時，版圖的面積越小越好，所以要將NMOS管和PMOS管可以無限靠近本題答案：【錯誤】7、【判斷題】建立版圖文件的命令和新建電路圖文件相同，都是File-New-Cellview本題答案：【正確】8、【判斷題】版圖中MOS管的溝道長由多晶硅柵的寬度確定本題答案：【正確】9、【判斷題】建立設計單元庫的目的是為了避免重復繪制那些反復在電路中用到的版圖單元本題答案：【正確】10、【判斷題】LVS結果保存在si.out文件中，文件分別把版圖和電路圖的元器件、端口和連線的數(shù)目顯示出來，并顯示匹配情況。本題答案：【正確】第六章單元測驗1、【判斷題】用DIVA進行與非門LVS驗證時，是用與非門的電路圖直接和版圖進行比較。本題答案：【錯誤】2、【判斷題】添加Pin端口時需要在LSW中選擇相應的圖層，否則無法正確添加端口本題答案：【正確】3、【判斷題】或非門版圖中NMOS管并聯(lián)，PMOS管串聯(lián)本題答案：【正確】4、【判斷題】CMOS電路可以直接得到與門邏輯本題答案：【錯誤】5、【判斷題】繪制復合邏輯門電路時，通過邏輯式化簡可能用一級電路就可以實現(xiàn)該邏輯本題答案：【正確】6、【判斷題】NMOS管的襯底電位不可以直接加在圓片的P型襯底上，而是要繪制一個P型有源區(qū)，將引線孔放在P型有源區(qū)上本題答案：【正確】7、【判斷題】PMOS管的襯底電位可以直接加在器件所在的N型阱區(qū)上。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】圖層的顏色決定了圖層的性質和作用本題答案：【錯誤】9、【判斷題】版圖布局布線時，可以考慮用有源區(qū)、多晶等材料完成布線本題答案：【正確】10、【判斷題】Dracula的DRC驗證是對版圖gds文件進行驗證，因此在進行Dracula驗證之前先生成版圖的GDS文件本題答案：【正確】11、【判斷題】LVS驗證完成后，需在版圖設計窗口選擇Launch-DraculaInteractive命令后，在新增的LVS菜單中選擇Setup命令，并輸入完整的LVS驗證路徑才能查看LVS驗證的錯誤信息本題答案：【正確】第七章單元測驗1、【判斷題】電路符號可以告訴我們電路功能和特性，不能說明內部結構本題答案：【正確】2、【判斷題】D觸發(fā)器是雙穩(wěn)態(tài)電路，可以存儲1位二進制數(shù)本題答案：【正確】3、【判斷題】CMOS傳輸門是由一個NMOS管構成的本題答案：【錯誤】4、【判斷題】功能仿真必須要在電路圖模式下進行本題答案：【錯誤】5、【判斷題】DRC是驗證版圖與電路圖是否匹配本題答案：【錯誤】6、【判斷題】修改LVS錯誤時，一般先修改port錯誤，再修改instance錯誤本題答案：【正確】第八章單元測驗1、【判斷題】同一種工藝中，標準單元的高度應該都相同本題答案：【正確】2、【判斷題】標準單元的寬度應該是網格間距的整數(shù)倍本題答案：【錯誤】3、【判斷題】標準單元中端口的引出只可以用通孔引出本題答案：【錯誤】4、【判斷題】若要統(tǒng)一網格尺寸，一般采用芯片上尺寸要求最小的那個工藝層上的尺寸本題答案：【錯誤】5、【判斷題】標準單元的高度應該由一鋁的Pitch來決定本題答案：【正確】6、【判斷題】標準單元內部常用金屬2來做互連本題答案：【錯誤】7、【判斷題】每個標準單元內都必須設置襯底接觸孔本題答案：【正確】第九章單元測驗1、【判斷題】晶閘管整流器ESD保護結構中，PNPN結構內有NPN和PNP之間的負反饋，提供了良好ESD泄流通路，具有明顯的ESD保護性能本題答案：【錯誤】2、【判斷題】場管做ESD保護的最大優(yōu)點是可以節(jié)省芯片面積本題答案：【正確】3、【判斷題】場管的ESD能力跟其漏端面積有主要的關系，漏端面積越大其ESD能力越小本題答案：【錯誤】4、【判斷題】全芯片ESD保護結構和其他幾種保護相比，ESD保護能力較弱，但是面積較小。本題答案：【錯誤】5、【判斷題】單元寬度超過整數(shù)個pitch單元（比如N個）一點，但又不到N+1個，那么還是要調用N+1個pitch單元本題答案：【正確】6、【判斷題】反相器單元的P管的寬長比一般為N管的兩倍。本題答案：【正確】7、【判斷題】與非門中，P管是并聯(lián)連接的，N管是串聯(lián)連接的本題答案：【正確】8、【判斷題】為了布局布線更加方便，通常我們將與非門的各端口放在一直線上本題答案：【錯誤】9、【判斷題】或非門中，P管是并聯(lián)連接的，N管是串聯(lián)連接的本題答案：【錯誤】10、【判斷題】在設計與或非門標準單元時，輸出走線可能需要作一些改動本題答案：【正確】11、【判斷題】在設計與或非門標準單元時，為滿足DRC要求，通孔與多晶孔的擺放可能需要進行修改本題答案：【正確】12、【判斷題】或與非門通常和與或非門具有相同的pitch個數(shù)本題答案：【正確】13、【判斷題】或與非的邏輯和與或非門類似，因此版圖設計時通常可以參考本題答案：【正確】14、【判斷題】鎖存器是一種對脈沖邊沿敏感的存儲單元電路，它們可以在特定輸入脈沖邊沿作用下改變狀態(tài)。本題答案：【錯誤】15、【判斷題】對于觸發(fā)器等比較大的數(shù)字單元，為了節(jié)省面積，版圖設計可以將同類型的串聯(lián)或并聯(lián)的MOS管進行源/漏共享接法本題答案：【正確】16、【判斷題】觸發(fā)器器是一種對脈沖邊沿敏感的存儲單元電路，它們可以在特定輸入脈沖邊沿作用下改變狀態(tài)。本題答案：【正確】17、【判斷題】DRC的作用是與原理圖進行對比，以檢查在版圖中實際形成的電路的與原理圖中的電路是否一致。本題答案：【錯誤】18、【判斷題】分頻器版圖設計時，所有觸發(fā)器最好就近布局本題答案：【正確】19、【判斷題】移位寄存器版圖設計時，所有觸發(fā)器最好就近布局本題答案：【正確】20、【判斷題】移位寄存器中的觸發(fā)器大小對整個移位寄存器的版圖沒有什么影響本題答案：【錯誤】21、【判斷題】三八譯碼器版圖設計時通常進行單元的布局，然后根據線路連接關系進行連線本題答案：【正確】期末試卷1、【單選題】P襯底接觸的英文縮寫為Ptap，該圖形應畫在P襯底上，其摻雜類型為什么類型。本題答案：【P+型】2、【單選題】反相器版圖中，NMOS管和PMOS管的柵極多晶層通常連接在一起，對應反相器電路的什么端口？本題答案：【輸入】3、【單選題】當繪制某個完整的模擬單元版圖時，通常要求最終的完成的整體版圖接近呈現(xiàn)什么形狀？本題答案：【矩形】4、【單選題】不用做標準單元版圖內部的器件間主要互連線的圖層是：本題答案：【金屬2】5、【單選題】模擬版圖中，即使DRC、LVS完全通過，也不代表版圖就一定能付諸實際生產，還需要考慮版圖哪些問題？本題答案：【以上都是】6、【單選題】物理驗證時，錯誤條目顯示為金屬間距不滿足最小尺寸，則該錯誤屬于哪種錯誤范疇。本題答案：【DRC】7、【單選題】LVS錯誤類型中顯示MOS管“propertyerrors”與版圖中MOS管的哪個參數(shù)無關。本題答案：【溝道類型】8、【單選題】常用的版圖驗證工具主要有DIVA、DRACULA、calibre以及ASSURA等，其中mentor公司的驗證工具是：本題答案：【caliber】9、【單選題】下列哪個圖層不屬于組成N保護環(huán)所用到的圖層？本題答案：【多晶】10、【單選題】集成電路設計按分一般可分為雙極集成電路設計、MOS集成電路設計。本題答案：【器件類型】11、【單選題】下列可以運行cadence設計軟件運行的操作系統(tǒng)是：本題答案：【solaris】12、【單選題】cadence中顯示標尺的快捷鍵是：本題答案：【k】13、【單選題】下列哪個命令是用來對調用的symbol視圖進行的下級電路查看和修改的？本題答案：【descendedit】14、【單選題】下列版圖中顯示的圖層不會被制成掩膜版的是：本題答案：【電阻標識層】15、【單選題】版圖設計中下述那個不是金屬2和金屬3之間的通孔所用到的圖層主要是：本題答案：【孔3】16、【判斷題】電路原理錯誤能被cadence中文件菜單欄的“checksave”命令所檢查出來。本題答案：【錯誤】17、【判斷題】版圖設計中用于繪制端口的圖層類型應使用的圖層類型是text類型。本題答案：【正確】18、【判斷題】某硅柵工藝設計中，與孔1（接觸孔）沒有連接關系的圖層是多晶層。本題答案：【錯誤】19、【判斷題】庫的名稱不是建庫要素之一。本題答案：【錯誤】20、【判斷題】多晶電阻是模擬版圖設計中使用的常用電阻。本題答案：【正確】21、【判斷題】同種工藝下，不同MOS管版圖形狀區(qū)別也很大，其主要的原因是MOS管類型和參數(shù)各不相同。本題答案：【正確】22、【判斷題】大規(guī)模集成電路一般都采用CMOS電路的原因是因為這種電路的理論靜態(tài)功耗為0。本題答案：【正確】23、【判斷題】在版圖繪制時繪制源漏區(qū)域的摻雜層圖層時可以繪制一個完全包圍有源區(qū)的圖形，并可以和多晶層交疊，而不是分別在源、漏各繪制一個摻雜層，其主要原因是因為在工藝中采用自對準工藝。本題答案：【正確】24、【判斷題】在MOS管的版圖繪制中，若有兩個MOS管有源區(qū)共用，則可以判定這2個MOS管是串聯(lián)關系。本題答案：【錯誤】25、【判斷題】版圖中有源區(qū)和場區(qū)的關系是互補關系。本題答案：【正確】26、【判斷題】一個MOS管其參數(shù)中fingerwidth為3.3um，finger為4，則其width為13.2um。本題答案：【正確】27、【判斷題】版圖的布局主要的思路有引線驅動、模塊驅動、信號驅動。本題答案：【正確】28、【判斷題】在標準單元版圖自動布線時，一般第1、3、5等層金屬走線方向總體相同，相鄰兩層金屬的走線方向總體要求是相互垂直。本題答案：【正確】29、【判斷題】模擬版圖繪制中為了增加匹配程度，通常會增加一些電路中不存在的器件，這些器件在版圖上也不做任何連接，僅僅放置在實際器件附近，這些額外的器件稱dummy。本題答案：【錯誤】30、【判斷題】電路圖與版圖對比一致驗證的縮寫是DRC。本題答案：【錯誤】31、【判斷題】在calibre做LVS驗證時，RVE界面顯示的錯誤大類主要有端口錯誤、器件錯誤、線網錯誤和參數(shù)錯誤。本題答案：【正確】32、【判斷題】使用calibre工具做LVS驗證時，需要用到設計規(guī)則文件。本題答案：【錯誤】33、【判斷題】N阱內放置的保護環(huán)類型是N+摻雜類型。本題答案：【正確】34、【判斷題】全定制設計和半定制設計相比，半定制設計的設計要求更高。本題答案：【錯誤】35、【判斷題】linux中命令輸完以空格結尾。本題答案：【正確】36、【填空題】載流子在電場的作用下，產生的定向運動稱為本題答案：【漂移】37、【填空題】1.解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進行摻雜。本題答案：【重##%_YZPRLFH_%##高】38、【填空題】降低半導體材料中的少子壽命τ，可以PN結二極管的開關速度。本題答案：【提高##%_YZPRLFH_%##增加##%_YZPRLFH_%##提升##%_YZPRLFH_%##增大##%_YZPRLFH_%##加快】39、【填空題】目前常用的柵材料是本題答案：【多晶硅##%_YZPRLFH_%##金屬鋁##%_YZPRLFH_%##鋁】40、【填空題】1.在集成電路中，將掩膜版上的圖形轉移到光刻膠上的圖形化工藝是。本題答案：【光刻】41、【填空題】集成電路設計按電路類型分可分為數(shù)字集成電路設計、模擬集成電路設計和本題答案：【數(shù)?；旌霞呻娐吩O計##%_YZPRLFH_%##數(shù)?；旌霞呻娐?#%_YZPRLFH