2025屆高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)：化學(xué)用語

2025屆高三一輪復(fù)習(xí)專題3化學(xué)用語

一、基礎(chǔ)達(dá)標(biāo)

1.（2024?安徽?模擬預(yù)測）下列化學(xué)用語表示正確的是

A.中子數(shù)為20的C1原子：；久1

：C1：

B.BCL的電子式:

：C1：B：C1：

C.四澳化碳的空間填充模型:

3s

D.基態(tài)硫原子最外層電子排布圖:I!

2.（24-25高三上?安徽合肥?開學(xué)考試）下列化學(xué)用語或圖示正確的是

A.1-氯丙烯的結(jié)構(gòu)簡式：C1-CH2-CH=CH2

Is2s2p

B.基態(tài)氮原子電子排布軌道表達(dá)式寫成向回回才口違背了泡利原理

C.分子的球棍模型：上只、

Q—Q

D.CO的電子式：：C^O：

3.（2024?四川遂寧.一模）下列化學(xué)用語表示正確的是

A.BF3的空間填充模型：

B.co?的電子式：：O：C：O：

C.3,3-二甲基戊烷的鍵線式：

D.應(yīng)中共價鍵的電子云圖：

4.（2024?安徽?一模）下列化學(xué)用語或圖示正確的是

A.PH3和H2s的電子式分別為三和H：S：H

H,,

B.異丙基的結(jié)構(gòu)簡式：-CH2cH2cH3

D.激發(fā)態(tài)碳原子可能的電子排布軌道表示式:同fflIWlt

Is2s2p

5.（2023?湖南?一模）下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是

A.二硫化碳的空間填充模型：B.是6c的原子結(jié)構(gòu)示意圖

C.固體Si。？的電子式：：0：：Si：：0：D.C1-C1的p-Pc鍵電子云圖形：

6.（2024?福建?模擬預(yù)測）下列化學(xué)用語表達(dá)正確的是

COOCH2cH3

A.I的名稱：乙二酸乙二酯

COOCH2cH3

B.空間填充模型既可以表示甲烷分子，也可以表示四氯化碳分子

C.BF3的價層電子對互斥（VSEPR）模型:

D.基態(tài)鍍原子最外層電子的電子云輪廓圖:

7.（24-25高三上?江蘇南京?期中）氮化硅（Si3N4）可通過反應(yīng)

3SiC>2+6C+2N?-SisN,+6CO制備。下列說法正確的是

A.ImolSiCh中含有2moiSi—O鍵B.風(fēng)的電子式為N：：：N

C.CO是極性分子D.Si3N4晶體屬于分子晶體

8.（2024?江西?一模）短周期主族元素a、b、c、d的原子半徑與價層電子數(shù)關(guān)系如圖所示,

基態(tài)b原子和基態(tài)c原子最外層能層符號相同。下列敘述正確的是

試卷第2頁，共8頁

s10

Es08

U

/0

@s6

井0

琳s4

廖0

s2

0.00

012345678

價層電子數(shù)

A.最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性：b>cB.bds和cdj分子都是非極性分子

C.c和d二者的簡單氫化物相遇產(chǎn)生“白煙”D.C2a4的電子式：

HH

9.（2024?河北.模擬預(yù)測）銃元素在國防、冶金、化工、宇航等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。由草酸

銃制取銃單質(zhì)的工藝流程如圖所示。下列說法錯誤的是

灼燒提純3OO-C900~1650"C

502（（；04）、一粗50203—純5。,。37Sc罵一銃單質(zhì)

73

'NH4HF2CalAr

A.在空氣中灼燒草酸銃，反應(yīng)的化學(xué)方程式為25?2儲2。4）+3。2.2SC2O3+I2CO2

■H-|+

B.NH4HF2為離子化合物，NH；的電子式為H：N：H

-H-

C.理論上，生產(chǎn)Imol銃單質(zhì)，需要40g金屬鈣

D.假設(shè)各步轉(zhuǎn)化均完全，由150g粗氧化銃可制得90g銃單質(zhì)，則粗氧化銃的純度為92%

10.（2024?浙江?模擬預(yù)測）下列表示不正確的是

A.NaOH的電子式：Na+[：O：H]B.NaCl溶液中的水合離子：

C.03分子的球棍模型：D.環(huán)己烷穩(wěn)定的空間構(gòu)型的鍵線式:

11.（2024?湖北?一模）下列化學(xué)用語或表述正確的是

A.順-2-丁烯的結(jié)構(gòu)簡式：C=c[B.Na位于元素周期表p區(qū)

HZX：H

c.co,空間結(jié)構(gòu)：三角錐形D.。2分子中P-四鍵的電子云輪廓圖:

12.（2024?安徽蕪湖?模擬預(yù)測）下列化學(xué)用語正確的是

A.基態(tài)碳原子的核外電子排布圖:|TT||-T￡

Is2s2p

B.乙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH2CH2

C.He原子的核外電子排布式為IsZ,故氯原子屬于s區(qū)

D.HC1分子中s-pb鍵的電子云輪廓圖：GV）

13.（2024?湖北?一模）下列化學(xué)用語表達(dá)正確的是

120°

A.sp2雜化軌道模型:

B.固體HF中的鏈狀結(jié)構(gòu)/???%.?『一、

....2-

c.H2O2電子式：H[：O:O:]H

14.（2024.貴州遵義?一模）太陽能蒸發(fā)在海水淡化方面具有廣闊的應(yīng)用前景。金屬2-

能高效吸收太陽能，實(shí)現(xiàn)了對鹽水的高效蒸發(fā)。下列化學(xué)用語正確的是

A.中子數(shù)為10的氧原子：；8。

B.H2O的VSEPR模型:

C.用電子式表水NaCl的形成過程：Na?+?C1：—?NaiCl"

3d4s

D.基態(tài)Ti原子的價層電子軌道表示式:ln|III|[u]

15.（2024?廣西?模擬預(yù)測）中科院研制出一種多功能催化劑，首次將甲烷轉(zhuǎn)化為乙烯:

試卷第4頁，共8頁

2CH4+O2^C2H4+2H2O0下列說法正確的是

基態(tài)C原子的價層電子排布式為Is22s22P2

。2的電子式為：：0：0：

乙烯的結(jié)構(gòu)簡式為：CH2cH2

CH4的空間填充模型為:

16.（2024?廣西玉林?一模）化學(xué)用語是化學(xué)學(xué)科知識的專業(yè)語言符號，下列有關(guān)表述正確的

是

A.凡。?是一種高價值的綠色環(huán)保氧化劑，其電子式為H+[:Q：O：]2H+

的化學(xué)名稱是3-甲基-2-戊烯

C.核廢水中含|"c、14co、.CO?互為同素異形體

D.北京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)構(gòu)筑了純化的h-10BN和h-11BN范德華界面對原子進(jìn)行研究,

I0B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為（+10）28

17.（2024?安徽?一模）化學(xué)知識繁雜，充分利用類比、遷移等方法有助于學(xué)習(xí)化學(xué)。下列類

比、遷移正確的是

A.鹽酸是強(qiáng)酸，氫氟酸也是強(qiáng)酸

B.氨可還原灼熱的氧化銅，貝叫井（NRJ也可還原灼熱的氧化銅

C.Fe3Cl8根據(jù)化合價規(guī)律可表示為FeCl2.2FeCl3,則Fe3I8也可表示為Fei「2FeI3

D.少量CO?通入足量NaClO溶液生成NaHCOs，則少量CO?通入足量Ca（CIO%溶液

生成Ca（HCC）3）2

18.（2024?湖南邵陽?三模）下列化學(xué)用語或圖示表達(dá)正確的是

A.2Pz電子云圖為

y

B.KC1的電子式為K：C1：

C.基態(tài)Cu原子的價層電子軌道排布式為ls22s22p63s23P63d104s1

D.NH3分子的VSEPR模型:

二、能力提升

19.(2024高一下?天津?學(xué)業(yè)考試)我國空間站“天和”核心艙太陽翼電池采用自主研發(fā)的碑

化像器件，能量轉(zhuǎn)化效率大大提高。

已知：碑(As)與錢(Ga)同位于第四周期；Ga與A1同主族，As與P同主族。

(1)鋁元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖為o

(2)P在元素周期表中的位置是o

(3)P的非金屬性弱于S的，用原子結(jié)構(gòu)解釋原因：P和S在同一周期，原子核外電子層數(shù)相

同，,得電子能力P弱于S。

(4)下列關(guān)于Ga的推斷正確的是(填字母)。

a.最外層電子數(shù)為5

b.原子半徑：Ga>As

c.元素的金屬性：Ga>K

(5)氮的簡單氫化物的電子式,HNO3,H3Po4,H3ASO4的酸性由強(qiáng)到弱的關(guān)系

是o

(6)三價碑有劇毒，五價碑毒性減弱。含As?O3的污水可被次氯酸鈉堿性溶液轉(zhuǎn)化為AsO：而

降低毒性。該反應(yīng)的離子方程式是o

20.(22-23高一下?福建龍巖?階段練習(xí))1869年俄國化學(xué)家門捷列夫制出第一張?jiān)刂芷诒?

到現(xiàn)在形成的周期表經(jīng)過了眾多化學(xué)家的艱辛努力。元素周期表體現(xiàn)了元素位構(gòu)性的關(guān)系,

揭示了元素間的內(nèi)在聯(lián)系，下圖是元素周期表的一部分，回答下列問題：

試卷第6頁，共8頁

BCN0F

AlSiPSCl

GaGeAsSeBr

InSnSbTeI

T1PbBiPo：At

(1)元素Ga在元素周期表中的位置為：；氯原子的結(jié)構(gòu)示意圖________；第一

族元素通常也稱之為鹵族元素。

(2)Sn的最高正價為,C1的最高價氧化物對應(yīng)水化物的化學(xué)式為。

(3)根據(jù)元素周期律，推斷

①陰影部分元素形成的氫化物中熱穩(wěn)定性最高的是o(寫化學(xué)式)

②H3ASO4、H2SeO4的酸性強(qiáng)弱為：H3ASO4H2SeO4o(填“>”、“<"、"=”或，無法比

較“)

③氫化物的還原性：H2OH2S0(填或“無法比較”)

(4)一個硫原子得到二個電子形成一種新粒子，該粒子的符號為o

(5)實(shí)驗(yàn)室常利用氨水制取A1(OH)3,而不用NaOH的溶液的原因是。(用離子方程

式說明)

(6)請根據(jù)H,N,O元素，寫出反應(yīng)物和生成物皆為10u微粒的離子反應(yīng)：。

21.(2024?安徽?一模)短周期元素原子半徑的相對大小、最高正價或最低負(fù)價的遞變關(guān)系如

圖所示。回答下列問題：

原

子a

半+^3+4

徑1-T

+4b^^

j

-2

一

d

原子序數(shù)

(l)i在元素周期表中的位置是,e、f、j三種元素對應(yīng)的簡單離子半徑由大到小的

順序?yàn)?填離子符號)。

(2)f的最高價氧化物對應(yīng)的水化物溶液與g的最高價氧化物反應(yīng)的離子方程式為o

(3)己知i?j2分子中的各原子均滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，ij的結(jié)構(gòu)式為。

(4)a與c能形成化合物ca$,它的所有原子的最外層都符合相應(yīng)稀有氣體原子的最外電子層

結(jié)構(gòu)，其電子式為一，其中所含化學(xué)鍵類型為一，該物質(zhì)能與水反應(yīng)生成一

種氣體和一種堿，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：o

(5)用如圖所示裝置可以證明元素b、c、h的最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性強(qiáng)弱，則溶液b

為o下列事實(shí)可用于比較元素b與i非金屬性相對強(qiáng)弱的是(填標(biāo)號)。

B.j的氫化物比b的簡單氫化物穩(wěn)定

C.j的氫化物比b的簡單氫化物沸點(diǎn)高

D.最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性：j>b

試卷第8頁，共8頁

參考答案:

題號12345678910

答案DDCDDCCCCD

題號1112131415161718

答案DAAADBBA

1.D

【詳解】A.質(zhì)量數(shù)等于中子數(shù)加質(zhì)子數(shù)，因此中子數(shù)為20的氯原子的質(zhì)量數(shù)為20+17=37,

表示為：C1,故A錯誤；

B.BCL是缺電子化合物,B提供3個電子，與3個C1分別共用1對電子，電子式：，

故B錯誤；

C.四澳化碳結(jié)構(gòu)類似于甲烷，為正四面體結(jié)構(gòu)，澳原子半徑大于碳原子，空間填充模型為

D.硫原子是16元素，價層電子排布式為3s23P3價層電子軌道表示式為：

liI,故D正確；

3s3p

故答案選D。

2.D

【詳解】A.1-氯丙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH3-CH=CHC1,A錯誤;

Is2s2p

B.基態(tài)氮原子電子排布軌道表達(dá)式寫成而回回才□!違背了洪特規(guī)則,B錯誤;

三個原子以一個O原子為中心，與另外兩個O原子分別構(gòu)成一個共價鍵；中間。原子提供

兩個電子，旁邊兩個。原子各提供一個電子，構(gòu)成一個特殊的化學(xué)鍵，所以。3分子的球棍

模型不是：＞0^，。錯誤

答案第1頁，共10頁

D.CO為共價化合物，其電子式為：：CIO：，D正確；

故選D。

3.C

【詳解】A.BF3中B形成3個共價鍵且無孤電子對，為平面三角形，A錯誤；

B.co2的電子式：：6：：C：：6：，B錯誤；

C.主鏈上碳原子個數(shù)為5,3號碳原子上有2個甲基，名稱為3,3-二甲基戊烷，C正確;

D.H原子的軌道為球形，應(yīng)中共價鍵的電子云圖：(HT-7H),D錯誤；

故選C。

4.D

【詳解】

H

A.PH3的電子式為H：P：,A錯誤；

??

H

—CH-CHR

B.異丙基的結(jié)構(gòu)簡式為?\B錯誤；

CH3

C.Na+半徑小于C1-,水分子在C1調(diào)圍時，呈正電性的H朝向C1-,水分子在Na+周圍時，

呈負(fù)電性的。朝向Na+,NaCl溶液中的水合離子應(yīng)表示為：C錯誤；

D.基態(tài)碳原子的軌道表達(dá)式為旺G311川L受到激發(fā)后，低能級的電子躍遷到

Is2s2p

高能級，可能的電子排布軌道表示式為mum”川，LD正確；

Is2s2p

故選D。

5.D

【詳解】

A.二硫化碳分子中碳原子的價層電子對數(shù)為2,孤對電子對數(shù)為0,分子的空間構(gòu)型為直

線形，分子的空間填充模型為。joQ,故A錯誤；

B.選項(xiàng)給出的碳原子結(jié)構(gòu)示意圖正確，碳原子的質(zhì)子數(shù)為6,質(zhì)量數(shù)大于6,碳原子符號

錯誤，故B錯誤；

答案第2頁，共10頁

C.二氧化硅是呈空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的共價晶體，不是單個的共價分子，故c錯誤；

D.氯氣分子中氯原子的p軌道形成頭碰頭的p-p◎鍵,p-pc鍵電子云圖形為

故D正確；

故選D。

6.C

【詳解】

COOCH2cH3

A.I是由乙二酸和乙醇形成的酯，其名稱為乙二酸二乙酯，A錯誤；

COOCH2cH3

可以表示甲烷分子,但是不能表示CC14分子，因?yàn)镃1原子的半徑比C原子大，

與比例模型中的原子大小不符，B錯誤；

c.BF3的中心原子價層電子對數(shù)為主器=3,其VSEPR模型為平面三角形，C正確；

D.基態(tài)鍍原子電子排布式為Is22s2,最外層電子在s軌道，電子云輪廓是球形的，D錯誤；

故選C。

7.C

【詳解】A.SiCh晶體中1個Si原子和4個O原子形成4個共價鍵，每個Si周圍結(jié)合4個

O,同時每個O與2個Si相結(jié)合，所以ImolSiCh中含有4moiSi—O鍵，A錯誤；

B.N2分子中，2個N原子之間形成共價三鍵，另外，每個N原子的最外層還有1個孤電

子對，則其電子式為：NWN：，B錯誤；

c.CO是雙原子化合物分子，共用電子對偏向0原子、偏離C原子，0原子帶部分負(fù)電荷，

c原子帶部分正電荷，正負(fù)電中心不重合，屬于極性分子，c正確；

D.Si3N4是由硅原子和氮原子通過Si—N鍵構(gòu)成共價晶體，不是分子晶體，D錯誤；

故選C。

8.C

【分析】根據(jù)原子半徑和價層電子數(shù)關(guān)系可知，c為氮，d為氯；由于b和c位于同一周期（基

態(tài)原子最外層能層符號相同），所以b為硼。a原子半徑小于硼，故a為氫。

【詳解】A.由于非金屬性B<N,故H3BO3的酸性比HNO3的弱，A錯誤；

B.BCL為平面三角形分子，是非極性分子，NCL為三角錐形分子，是極性分子，B錯誤；

答案第3頁，共10頁

C.HC1和NH3相遇產(chǎn)生“白煙”(生成NH4cl固體)，c正確；

D.月井(N2HJ是共價化合物，氮氮之間是單鍵，電子式為H：、：'：11，D錯誤；

答案選C。

9.C

【分析】草酸銃在空氣中灼燒生成粗SczO,和CO?，粗SC2O3經(jīng)提純得到純SJO3,純SqOs與

NH4HF2反應(yīng)生成SCB,ScF,與鈣在高溫條件下反應(yīng)生成銃和氧化鈣。

【詳解】A.草酸銃在空氣中灼燒時，與空氣中的發(fā)生反應(yīng)生成Scq^和C。?，反應(yīng)的化

高溫

學(xué)方程式為：2SC2(C2O4)3+302=2SC2O3+12CO2)故A項(xiàng)正確；

■H-1+

B.NHRFZ中含有NH：,是離子化合物，NH；的電子式為H：N：H，故B項(xiàng)正確；

-H-

高溫

C.根據(jù)Sc,C)3+3Ca'=2Sc+3CaO可知，生成Imol銃單質(zhì)需要1.5mol金屬鈣，其質(zhì)量為60g,

故C項(xiàng)錯誤；

D.由質(zhì)量守恒可知，138g氧化銃可制得90g銃單質(zhì)，則粗氧化銃的純度為：譬xlOO%

150g

=92%,故D項(xiàng)正確；

故本題選C。

10.D

【詳解】

+

A.已知NaOH是離子化合物，且OH-中存在共價鍵，故NaOH的電子式為：Na[：O：H]-；

A正確；

B.已知H2O中H原子一端帶正電性，O原子一端帶負(fù)電性，且C1-半徑比Na+大，故NaCl

溶液中的水合離子表示為：焦B正確；

C.已知03為V形分子，故03分子的球棍模型為：c正確；

D.------彳為船式結(jié)構(gòu),環(huán)己烷(C6H12)穩(wěn)定的空間構(gòu)型為椅式結(jié)構(gòu)，即D

錯誤;

答案第4頁，共10頁

故答案為：D。

11.D

【詳解】

H3cCH

A.順-2-丁烯的結(jié)構(gòu)中兩個甲基在雙鍵的同一側(cè)，其結(jié)構(gòu)簡式為\=C3，A錯誤；

HZ、H

B.基態(tài)Na原子的價電子排布式是3$,最后一個電子填充在s能級，位于元素周期表s區(qū)，

故B錯誤；

C.COj中心碳原子的價層電子對數(shù)為3+；x(4+2-2x3)=3,無孤電子對，故其空間結(jié)構(gòu)

為平面三角形，故C錯誤；

D.分子中P—時鍵的電子云輪廓圖：，D正確；

答案選D。

12.A

【詳解】

A.基態(tài)C原子的電子排布式為Is22s22P2,根據(jù)泡利原理和洪特規(guī)則，電子排布圖為：

E3omm,故A正確；

Is2s2p

B.碳碳雙鍵不能省略，乙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH2=CH2,故B錯誤；

C.He位于元素周期表p區(qū)，故C錯誤；

D.s軌道為球形，p軌道為啞鈴形，則氯化氫分子中s-p0鍵的電子云圖為U^)°，

故D錯誤；

故答案選A。

13.A

【詳解】A.sp2雜化軌道在空間呈平面三角形，鍵角120。，軌道模型正確，A正確；

/F、/F、

B.固體HF中的鏈狀結(jié)構(gòu)應(yīng)為(H，H'.~,B錯誤;

C.H2O2為共價化合物，電子式：H：o：o：H,C錯誤；

D.鈉離子半徑小于氯離子，圖示中鈉離子半徑大于氯離子，同時水分子中氫原子呈正電性,

答案第5頁，共10頁

氧原子呈負(fù)電性，因此鈉離子周圍的水分子應(yīng)該是氧原子對著鈉離子，氯離子周圍的水分子

應(yīng)該是氫原子對著氯離子，D錯誤；

故選Ao

14.A

【詳解】A.己知。是8號元素，故中子數(shù)為10的氧原子表示為：；8。，A正確;

B.已知H2O中中心原子。周圍的價層電子對數(shù)為：2+1(6-2?=4,故H2O的VSEPR模

°°o

型：13錯誤,

C.NaCl是離子化合物，故用電子式表示NaCl的形成過程為：NaN-'-Cl：—>Na+［：Cl：］-,

C錯誤;

D.根據(jù)洪特規(guī)則可知，當(dāng)電子進(jìn)入同一能級不同軌道時總是單獨(dú)分占且自旋方向相同，故

心一，,,,____3d4s

基態(tài)Ti原子的價層電子軌道表示式：?????,D錯誤；

故答案為：Ao

15.D

【詳解】A.C是第6號元素，基態(tài)C原子的價層電子排布式為2s22P'A錯誤;

B.分子中含0=0雙鍵，故電子式為°::°,B錯誤;

C.乙烯的結(jié)構(gòu)簡式為：CH2=CH2,C錯誤；

D.CH,分子為正四面體，空間填充模型正確，，D正確;

故選D。

16.B

【詳解】

A.凡。?是共價化合物，電子式為H：0：0：H，故A錯誤;

B.由系統(tǒng)命名法,的化學(xué)名稱是3-甲基-2-戊烯，故B正確;

答案第6頁，共10頁

C.同素異形體指的是由同種元素組成的單質(zhì)，co、CO?是化合物，故c錯誤;

D.B的核電荷數(shù)為5,原子結(jié)構(gòu)示意圖為(+5)23,故D錯誤;

選B。

17.B

【詳解】A.氫氟酸是弱酸，A錯誤;

B.氨氣還原氧化銅，氨氣中N原子化合價由-3升高為0,N2H,中N顯-2價，具有強(qiáng)還原

性，也能還原氧化銅，B正確；

C.Fe3+、「會發(fā)生氧化還原反應(yīng)，F(xiàn)e?%中不含F(xiàn)e?+,可表示為SFekL，C錯誤；

D.少量CO2通入NaClO溶液生成NaHCOs和HC1O,少量CO2通入Ca(ClO)2溶液生成碳酸

鈣沉淀和HC1O,D錯誤；

故選B。

18.A

【詳解】A.pz能級電子云是啞鈴(紡錘)形，A正確；

B.氯化鉀是離子化合物，其電子式是：K+［：C1［］；B錯誤；

C.基態(tài)Cu原子的價層電子排布式為：3di04si,軌道表示式為：

tltltltlTil田,c錯誤；

3d4s

D.根據(jù)VSEPR模型計算，NH3分子中有1對孤電子對，N原子還連接有3個H原子，因

此NH3的VSEPR模型為四面體型，D錯誤；

故選A。

19.(1)2力

(2)第三周期VA族

(3)核電荷數(shù)P小于S,原子半徑P大于S,因此P對最外層電子的吸引能力比S弱

(4)b

答案第7頁，共10頁

(5)H；曰：HHNO3>H3PO4>H3ASO4

H

--

(6)AS2O3+2C10+60H=2AsO；+2CP+3H2O

【詳解】(1)

鋁為第13號元素，原子結(jié)構(gòu)示意3圖力為；

(2)P原子序數(shù)為15,在元素周期表中的位置是第三周期VA族；

(3)P的非金屬性弱于S的，用原子結(jié)構(gòu)解釋原因：P和S在同一周期，原子核外電子層

數(shù)相同，核電荷數(shù)P小于S,原子半徑P大于S,因此P對最外層電子的吸引能力比S弱,

得電子能力P弱于S;

(4))a.Ga與Al同族，位于第IIIA族，原子的最外層電子數(shù)為3,a錯誤；

b.As與Ga均位于第四周期，As位于VA,Ga位于第HIA,故原子半徑：Ga>As,b正確；

c.K與Ga均位于第四周期，該周期中K金屬性最強(qiáng)，c錯誤；

故選b；

(5)

氮的簡單氫化物NH3,的電子式N、P、As三種非金屬元素位于同主族，最外層

電子數(shù)相同，隨著原子序數(shù)逐漸增大，原子半徑也逐漸增大，非金屬性逐漸減弱，最高價氧

化物對應(yīng)水化物酸性減弱，所以HN03、H3P04、H3Ase)4的酸性由強(qiáng)到弱的關(guān)系是：HN03

>H3PO4>H3ASO4；

(6)AS2O3被次氯酸鈉堿性溶液轉(zhuǎn)化為AsO：,同時結(jié)合化合價升降可知，次氯酸鈉轉(zhuǎn)化

為C1-,結(jié)合電荷守恒書寫離子方程式為：AS2O3+2C1O-+6OH=2AsO+2C1+3H2O?

20.(1)第四周期IIIA族VDA

(2)+4HCIO4

(3)HF<<

(4)S2-

(5)A1(OH)3+OH-=[A1(OH)4]-

A

(6)NH：+OH-=NH3T+H2O

答案第8頁，共10頁

【詳解】(1)

Ga和Al同主族，在A1的下一個周期，Ga位于第四周期OA族；氯元素為17號元素，故

氯原子的結(jié)構(gòu)示意圖；第VIIA族元素通常也稱之為鹵族元素;

(2)Sn和碳同主族，最高價是+4價；C1的最高價是+7價，最高價氧化物對應(yīng)水化物的化

學(xué)式為HC1O4;

(3)①同一主族元素從上到下，元素的非金屬性逐漸減弱，則相應(yīng)的氫化物的穩(wěn)定性逐漸

減弱，因此氫化物熱穩(wěn)定性最高的是HF；

②As元素和Se元素位于同一周期，同周期元素從右到左，最高價含氧酸的酸性減弱，所以

酸性強(qiáng)弱：H3As04VH2SeCU；

③氧元素和硫元素位于同一主族，同主族元素從上到下，非金屬性依次減弱，氫化物的穩(wěn)定

性依次減弱，還原性依次增強(qiáng)，則氫化物的還原性：H2O<H2S；

(4)一個硫原子得到二個電子形成硫離子，該粒子的符號為S,

(5)實(shí)驗(yàn)室常利用氨水制取A1(OH)3,而不用NaOH的溶液的原因是氫氧化鋁溶于強(qiáng)堿而

不溶于弱堿，離子方程式為A1(OH)3+OH-=[A1(OH)4