半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)專(zhuān)題研究：探討海外半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)牛底層邏輯看好A股硬科技資產(chǎn)估值修復(fù)-華西證券

半導(dǎo)體設(shè)備專(zhuān)題研究：探討海外半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)牛底層邏輯，看好A股硬科探討海外半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)牛底層邏輯，看好A股硬科【華西機(jī)械團(tuán)隊(duì)】2024年7月22日u半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，24年海外設(shè)備龍頭估值持續(xù)新高。2023年以來(lái)美股科技股資產(chǎn)迎來(lái)牛市，SOX指數(shù)累計(jì)漲幅+130%，其中半導(dǎo)體設(shè)備表現(xiàn)出色，優(yōu)于SOX指數(shù)，AMAT、LAM、TEL、KLA、ASML股價(jià)持續(xù)新高，累計(jì)漲幅達(dá)到+163%/+173%/+146%/+136%/+95%，封裝設(shè)備和后道測(cè)試設(shè)備龍頭DISCO、愛(ài)德萬(wàn)等股價(jià)表現(xiàn)更為出色。股價(jià)持續(xù)走強(qiáng)使得海外半導(dǎo)體設(shè)備估值歷史新高，整體上看，2024年前道/封裝/后道測(cè)試設(shè)備環(huán)節(jié)整體PE均值38x/43x/55x，PS均值10x/11x/9x，背后的底層邏輯主要有：1）全球半導(dǎo)體行業(yè)加速?gòu)?fù)蘇，2023年2月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額觸底后，連續(xù)15個(gè)月環(huán)比持續(xù)改善 ,進(jìn)入新一輪上行周期；2）AI驅(qū)動(dòng)全球存儲(chǔ)進(jìn)入史詩(shī)級(jí)擴(kuò)產(chǎn)周期，HBM等成為重要增長(zhǎng)點(diǎn)，三星、海力士、美光等加速布局，SEMI預(yù)計(jì)23-27年存儲(chǔ)設(shè)備支出CAGR為29%。3）高算力需求拉動(dòng)下，AI芯片大廠加速先進(jìn)封裝下單，臺(tái)積電積極擴(kuò)充CoWoS產(chǎn)能，24Q2臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)預(yù)計(jì)2025年依舊供給緊張，產(chǎn)能有望翻倍，2026年后每年復(fù)合增速超60%，全球先進(jìn)封裝的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)已經(jīng)確立。u行業(yè)高成長(zhǎng)性+競(jìng)爭(zhēng)格局出色，海外半導(dǎo)體設(shè)備走出了長(zhǎng)牛。中長(zhǎng)期維度看，海外半導(dǎo)體設(shè)備同樣走出了長(zhǎng)牛，18-24年AMAT、LAM、TEL、KLA、ASML股價(jià)漲幅達(dá)到+400%/+523%/+503%/+803%/+501%，封裝和后道測(cè)試設(shè)備龍頭DISCO、愛(ài)德萬(wàn)漲幅+727%/+1246%，支撐全球半導(dǎo)體硬科技資產(chǎn)長(zhǎng)牛的背后邏輯：1）半導(dǎo)體設(shè)備除了周期性外，受益芯片需求持續(xù)擴(kuò)容，還具有較強(qiáng)的成長(zhǎng)性，以兩輪周期低點(diǎn)計(jì)算，2019-2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從600億增長(zhǎng)至1063億美元，期間CAGR為15.5%。2）“半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)，制造設(shè)備是關(guān)鍵”，高技術(shù)門(mén)檻使得全球半導(dǎo)體設(shè)備格局較為出色，以價(jià)值量占比較高的光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備為例，ASML全球光刻機(jī)占率約80%，LAM/AMAT/TEL合計(jì)全球刻蝕設(shè)備、CVD市占率分別為91%、70%。3）極佳的競(jìng)爭(zhēng)格局加持下，全球半導(dǎo)體設(shè)備呈現(xiàn)高盈利水平特質(zhì)，2023年板塊平均凈利率達(dá)22.3%，ASML、AMAT、KLA、LAM凈利率均超過(guò)25%，在制造業(yè)較為少見(jiàn)。uA股半導(dǎo)體設(shè)備估值存在低估，高成長(zhǎng)性有望帶來(lái)修復(fù)。2024年A股主要半導(dǎo)體設(shè)備公司PE均值30-40x，低于海外設(shè)備公司的40-55X，且24年A股設(shè)備公司業(yè)績(jī)大部分高增長(zhǎng)，橫向?qū)Ρ龋珹股半導(dǎo)體設(shè)備估值存在一定低估。先進(jìn)制程產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)確立+國(guó)產(chǎn)替代，A股設(shè)備公司估值有望迎來(lái)修復(fù)：1）大基金三期落地彰顯國(guó)家解決半導(dǎo)體“卡脖子”決心，先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)將是主要投資方向。此外，以海思等為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)也積極布局AI芯片，AI驅(qū)動(dòng)下先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)已經(jīng)確立。2）對(duì)于中國(guó)大陸，先進(jìn)封裝除了受益AI的推動(dòng)，也是解決制程瓶頸的重要手段，華為陸續(xù)公布相關(guān)專(zhuān)利，通富微電、盛合晶微等龍頭紛紛擴(kuò)產(chǎn)，先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)的彈性強(qiáng)于晶圓制造。3）以銷(xiāo)售口徑測(cè)算，2023年半導(dǎo)體設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率仍不足20%，量測(cè)、光刻機(jī)等國(guó)產(chǎn)化率僅為個(gè)位數(shù)，國(guó)產(chǎn)替代空間大。4）硬科技帶來(lái)高門(mén)檻，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局逐漸明朗；A股半導(dǎo)體設(shè)備毛利率保持在45%，甚至優(yōu)于海外設(shè)備龍頭，高盈利特征凸顯。u投資建議：前道受益標(biāo)的：北方華創(chuàng)、拓荊科技、中微公司、華海清科、中科飛測(cè)、精測(cè)電子、芯源微、京儀裝備、萬(wàn)業(yè)企業(yè)、至純科技、盛美上海等；后道測(cè)試設(shè)備受益標(biāo)的：長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控、金海通；零部件受益標(biāo)的：正帆科技、富創(chuàng)精密、新萊應(yīng)材、江豐電子、英杰電氣等。u風(fēng)險(xiǎn)提示：AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展不及預(yù)期、先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)化不及預(yù)期、封測(cè)行業(yè)景氣度下滑、設(shè)備新品產(chǎn)業(yè)化不及預(yù)期等。1半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，海外設(shè)半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，海外設(shè)一二行業(yè)高成長(zhǎng)性+競(jìng)爭(zhēng)格局出色，海外半導(dǎo)體設(shè)二三A股半導(dǎo)體設(shè)備估值存在低估，高成長(zhǎng)性有望帶三2圖：2023年至今全球主流資產(chǎn)收益情況標(biāo)普500費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)標(biāo)普5002023/1/32023/3/302023/6/272023/9/2122023/1/32023/3/302023/6/272023/9/212圖：2023年至今費(fèi)半指數(shù)相對(duì)標(biāo)普5002023/1/32023/3/302023/6/272023/9/212023/12/152024/3/14（數(shù)據(jù)截至2024年7月10日）3幅出現(xiàn)明顯分化：其中封裝設(shè)備商大幅領(lǐng)漲，平均漲幅+229%，DISCO/ONTO累計(jì)漲幅分別高達(dá)340%/244%圖：ASML、AMAT、LAM、KLA、TEL等十家龍頭公司漲幅情況（截封裝+229%前道+147%測(cè)試+128%平均漲幅達(dá)167%前道+147%測(cè)試+128%平均漲幅達(dá)167%50% （數(shù)據(jù)截至2024年7月10日）4（數(shù)據(jù)截至2024年7月10日；估值計(jì)算采用萬(wàn)得一致預(yù)期值和彭博一致預(yù)期值；涉及年份均為財(cái)年概念，非自然5（數(shù)據(jù)截至2024年7月10日；估值計(jì)算采用萬(wàn)得一致預(yù)期值和彭博一致預(yù)期值；涉及年份均為財(cái)年概念，非自然5年u海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭股價(jià)持續(xù)新高，驅(qū)u封裝設(shè)備：24年業(yè)績(jī)受封測(cè)行業(yè)復(fù)蘇改善明顯，24年史高位。封裝設(shè)備中DISCO的PE最高達(dá)53倍，PS ,最低的ASMPT的PE為31倍，PS為3倍?？紤]到港股整體風(fēng)格同美股相差較大，我們認(rèn)為ASMPT的估值存在一定低估。為0.7，均處于歷史相對(duì)高位。測(cè)試機(jī)設(shè)備中愛(ài)德萬(wàn)的PE2024E2025E2026E2024E2025E2026E2024E2025E2026E2024E2025E776987986587832298987976987u我們認(rèn)為海外半導(dǎo)體設(shè)備牛市行情背后的底層邏輯主要有兩點(diǎn)：半導(dǎo)體 阿斯麥拉姆研究(LAMRESEARCH)2024.2-至今2023.1-2023.5①基本面仍處于淡季，但市場(chǎng)預(yù)期景氣度有望觸底回升2024.2-至今2023.1-2023.5①基本面仍處于淡季，但市場(chǎng)預(yù)期景氣度有望觸底回升②Chatgpt引發(fā)AI產(chǎn)業(yè)新趨勢(shì)板塊在低估值下提前上漲2023.6-2024.1①5月半導(dǎo)體行業(yè)結(jié)束下行，重回上升周期，但邊際變化不明顯②英偉達(dá)業(yè)績(jī)連續(xù)超預(yù)期，AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)得到驗(yàn)證，進(jìn)而帶動(dòng)板塊上漲估值進(jìn)一步修復(fù)2023-01-032023-03-302023-06-272023-09-212023-12-152024-03-14 應(yīng)用材料(APPLIEDMATERIAL)東京電子DISCOON來(lái)半導(dǎo)體銷(xiāo)售數(shù)據(jù)同環(huán)比呈現(xiàn)加速修復(fù)，復(fù)②產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)預(yù)期強(qiáng)化：AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，（數(shù)據(jù)截至2024年7月10日；標(biāo)的選擇中剔除ASMPT、ADVANTEST和泰瑞達(dá)，主要系其股價(jià)過(guò)低難以疊加畫(huà)圖）6圖：全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額連續(xù)15個(gè)月環(huán)比改善，景氣拐點(diǎn)進(jìn)一0全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額（十億美元）當(dāng)月同比2021-012021-062021-112022-042022-092023-022023-072023-122024-05圖：中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷(xiāo)售額連續(xù)15個(gè)月環(huán)中國(guó)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額（十億美元）當(dāng)月同比864202021-012021-062021-112022-042022-092023-022023-072023-122024-057需要算力、存力、運(yùn)力三者同時(shí)匹配，通常存儲(chǔ)的讀取速度和計(jì)算的處理速度之間存在一定時(shí)間差，HBM就是為提高NVIDIAHGX?H200，采用更加先進(jìn)的HBM3或HBM3e；②AMD：2023年12月發(fā)布MI300X，包含8組HBM3，AI性能約為圖：HBM綜合性能明顯優(yōu)于DDR和GDDR圖：英偉達(dá)GH200采用HBM3或者HBM3e8（3）三星、海力士、美光加速布局，HBM進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)浪潮：根據(jù)集邦咨詢，HBM市場(chǎng)主要由海力士、三星、美光三家存儲(chǔ)龍頭主導(dǎo)，2023年市場(chǎng)占比分①海力士：根據(jù)華爾街見(jiàn)聞，公司稱計(jì)劃到2028年投資103萬(wàn)億韓元(約合748億美元)，其中80%(約為600億美元)將用于HBM芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。根據(jù)《首過(guò)20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年HBM的出貨量將是2023年的13.8倍；2028年HBM的年產(chǎn)量將增至20計(jì)劃2024年初開(kāi)始大規(guī)模出貨HBM3④臺(tái)積電將加入HBM4競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)：根據(jù)愛(ài)集微官網(wǎng)，臺(tái)積電將使用其12FFC+ ,臺(tái)積電2024年資本支出或達(dá)到上限值320億美元，2025年有望進(jìn)一步升至圖：2023年海力士在全球HBM市場(chǎng)占比超（單位：百萬(wàn)美元）HBM營(yíng)收占比DRAM產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收9u根據(jù)SMEI數(shù)據(jù)，AI驅(qū)動(dòng)下全球存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)勢(shì)頭迅猛，2023-2027年存儲(chǔ)設(shè)備支出CAGR約20%，而同期晶圓代工的CAGR為圖：2023-2027年DRAM、NAND是存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)主要nn2023-2027年設(shè)備資本開(kāi)支CAGR存儲(chǔ)DRAM3DNAND較于前道晶圓制造，臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能較為有限，已成為客戶擴(kuò)產(chǎn)的一大約束因素。受益于AI、晶圓。此外，臺(tái)積電還為CoWoS生產(chǎn)分配更多晶圓廠產(chǎn)能，2024年CoWoS封裝的月產(chǎn)能有望逐季增加；根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界消息圖：CoWoS為連接SoC芯片和HBM的核心工藝圖：2023-2025年臺(tái)積電CoWoS收入CAGR約29%0020222023E2024E2025Eu對(duì)于傳統(tǒng)的后道封裝設(shè)備類(lèi)別，先進(jìn)封裝增量主要體現(xiàn)在技術(shù)路線迭代、技術(shù)指標(biāo)升級(jí)等維度，有望帶動(dòng)相關(guān)設(shè)備需求裝需求放量&堆疊層數(shù)持續(xù)增加，減薄設(shè)備需求有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升；6）指標(biāo)電鍍需求。日本DISCO壟斷全球70%以上的劃片機(jī)和研磨機(jī)市場(chǎng)，自202圖：晶圓背面減薄流程示意圖圖：芯片間的鍵合技術(shù)逐步由倒裝焊向熱壓鍵合、混合鍵合迭代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，海外設(shè)半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，海外設(shè)一二二三A股半導(dǎo)體設(shè)備估值存在低估，高成長(zhǎng)性有望帶三1246%、274%。不難發(fā)現(xiàn)，2018-2024年海外半導(dǎo)體設(shè)400%400%平均漲幅達(dá)585%前道+554%（數(shù)據(jù)截至2024年7月15日）14u半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)成長(zhǎng)性更強(qiáng)，2019-2023年全球市場(chǎng)規(guī)模CAGR為15.5%。半導(dǎo)體設(shè)備作為集成電路和泛半導(dǎo)體微觀器件產(chǎn)業(yè)047714331412343312018201920202021202220232020201820192020202120222023表：全球半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分賽道競(jìng)爭(zhēng)格局一覽表，海外龍頭強(qiáng)勢(shì)壟斷眾多賽道尼康A(chǔ)LD（2020）資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，中商產(chǎn)業(yè)研究院，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，中商產(chǎn)業(yè)研究院，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，華西證券研究16所18年有一定提升，如此出眾且穩(wěn)定出色的盈利水平放在制造業(yè)較為少見(jiàn)，哪怕對(duì)比美國(guó)其他行業(yè)龍頭，大表：2018年以來(lái)海外設(shè)備龍頭凈利率與蘋(píng)果、卡特皮勒、埃克森美孚對(duì)比（按降序排列）2018201920202021202220232024Q1KLA19.9%25.7%20.9%30.0%36.1%32.3%30.9%DISCO22.2%19.6%19.6%21.4%26.1%29.2%23.5%ASML23.7%21.9%25.4%31.6%26.6%28.4%24.3%LAM21.5%22.7%22.4%26.7%26.7%25.9%25.5%AMAT19.2%18.5%21.0%25.5%25.3%25.9%30.1%愛(ài)德萬(wàn)8.7%20.2%19.4%22.3%20.9%23.3%9.1%TEL18.1%19.4%16.4%17.4%21.8%21.3%16.4%泰瑞達(dá)21.5%20.4%25.1%27.4%22.7%16.8%10.7%ONTO17.8%0.6%5.6%18.0%22.2%14.9%20.5%ASMPT11.3%3.9%9.6%14.4%13.4%4.8%5.5%凈利率均值18.4%17.3%18.6%23.5%24.2%22.3%19.7%蘋(píng)果22.4%21.2%20.9%25.9%25.3%25.3%27.4%卡特彼勒11.2%11.3%7.2%12.7%11.3%15.4%18.1%?？松梨?.5%5.7%-12.9%8.3%14.0%11.0%10.4%行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)牛市行情，全球設(shè)備龍頭行業(yè)復(fù)蘇+AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)牛市行情，全球設(shè)備龍頭一全球設(shè)備龍頭長(zhǎng)期走牛，格局優(yōu)異與盈利水平出全球設(shè)備龍頭長(zhǎng)期走牛，格局優(yōu)異與盈利水平出二三A股半導(dǎo)體設(shè)備估值存在低估，高成長(zhǎng)性有望帶三要設(shè)備公司估值平均僅30-40x，且A股設(shè)備公司24年業(yè)績(jī)大部分高增長(zhǎng)。ASML、AMAT、LAM、KLA、TEL、DISCO等24年對(duì)應(yīng)PE分別達(dá)53x、29x、36x、37x、36x測(cè)電子、拓荊科技、中科飛測(cè)、芯源微等因短期研uPEG角度看，24-26年海外龍頭顯著高于A股公司（均表：A股設(shè)備公司25年P(guān)E在25-30倍，PS僅有6倍，相比海外具有明顯估值優(yōu)勢(shì)PEPEGPS2024E2025E2026E2024E2025E2026E2024E2025E2026E2024E2025E64486865975543765754654972217548768658798987（估值計(jì)算均采用萬(wàn)得一致預(yù)測(cè)值和彭博一致預(yù)測(cè)值，總市值截至2024年7月15日，均值計(jì)算剔除至純科表：海外及A股半導(dǎo)體設(shè)備公司2024-2026年對(duì)應(yīng)PE、PEG、PS情況總覽表2024E2025EASMLAMATASMPT2025E7868298782025E2025E2026E679578287672024E2026E2024E79839992026E2024E2024E2025E2024E2025E2024E2025E2026E2026E2024E2025E2024E689577627882025E48674655925764655354471465（估值計(jì)算均采用萬(wàn)得一致預(yù)測(cè)值和彭博一致預(yù)測(cè)值，總市值截至2024年7月15日，均值計(jì)算剔除至純2014年一期987億元，2019年二期2042億元，2024年大基金三期3440億元（相比市場(chǎng)預(yù)期3000億略有提升反映出國(guó)解決半導(dǎo)體卡脖子的決心。我們一直強(qiáng)調(diào)自主可控核心是芯片安全，最終落腳到先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)，梳理企查查數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：大基金一期晶圓制造投資占比67%，而大基金二期僅對(duì)中芯國(guó)際、長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存、華虹等本土頭部晶圓廠投資金額就超過(guò)900億元，可見(jiàn)0晶圓制造被投資企業(yè)名稱認(rèn)繳出資額/持股數(shù)中芯國(guó)際集成電路制造有限公司127,458,120股長(zhǎng)鑫新橋存儲(chǔ)技術(shù)有限公司1456027.955737萬(wàn)元人民幣長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司1288673.4904萬(wàn)元人民幣長(zhǎng)鑫集電（北京）存儲(chǔ)技術(shù)有限公司1254691.08萬(wàn)元人民幣中芯南方集成電路制造有限公司150000萬(wàn)美元中芯京城集成電路制造（北京）有限公司122450萬(wàn)美元華虹半導(dǎo)體制造（無(wú)錫）有限公司116580萬(wàn)美元中芯東方集成電路制造有限公司92200萬(wàn)美元長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司525607.3841萬(wàn)元人民幣中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司53130萬(wàn)美元上海華力微電子有限公司290762.6929萬(wàn)元人民幣華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司21368.70222萬(wàn)美元合計(jì)超過(guò)900億元人民幣（1）邏輯端：中芯國(guó)際仍為擴(kuò)產(chǎn)主力，2023年資本開(kāi)支達(dá)到75億美元，同比線啟動(dòng)，上海建工四建和信息產(chǎn)業(yè)第十一設(shè)計(jì)院共同參與廠房及配套設(shè)施建設(shè)項(xiàng)、華虹均釋放了樂(lè)觀的擴(kuò)產(chǎn)信號(hào)。2）存儲(chǔ)端：2023年一線存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)力度受圖：2023年中芯國(guó)際資本開(kāi)支同比+10資本性支出（億美元）同比（%）201820192020202120222023圖表：中芯國(guó)際持續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，已成為中國(guó)大陸晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)主力實(shí)施主體工廠代碼尺寸類(lèi)型項(xiàng)目地點(diǎn)2021年底產(chǎn)能（萬(wàn)片/月）規(guī)劃產(chǎn)能SN1SN20在建B1(Fab4、6)6B2B3P105在建B3P205Fab16A/B040在建上海臨港0份額達(dá)到66%，中芯國(guó)際和華虹合計(jì)份額雖已經(jīng)達(dá)到9.6%，但臺(tái)積電依靠自身在先進(jìn)制程的優(yōu)勢(shì)，2019-2024Q1主力創(chuàng)收制程從16nm到u技術(shù)節(jié)點(diǎn)提升，將大幅提升資本開(kāi)支。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例，每萬(wàn)片的晶圓產(chǎn)能設(shè)備投資額7.9億美元，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到14nm/7nm，每萬(wàn)片的晶圓產(chǎn)能設(shè)備投資額12.54/22.84億美元，可見(jiàn) 為大陸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。圖：2023年臺(tái)積電晶圓代工市場(chǎng)份額達(dá)66%圖：隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)升級(jí)，設(shè)備投資額大幅提升)從設(shè)備數(shù)量和單價(jià)來(lái)看，2023年5月份以來(lái)我國(guó)對(duì)荷蘭光刻機(jī)進(jìn)口量?jī)r(jià)齊升，2023年全年對(duì)荷蘭光刻機(jī)進(jìn)口225臺(tái)，設(shè)備均價(jià),我們推測(cè)主要系部分高端浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)仍有明顯占比。我們認(rèn)為光刻機(jī)進(jìn)口維持高位，對(duì)后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的持續(xù)有較強(qiáng)的指引。圖：2023年5月起我國(guó)從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)金額快速增長(zhǎng)圖：我國(guó)從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)均價(jià)提升明顯0000u中國(guó)大陸Al芯片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，不會(huì)缺席新的一輪擴(kuò)產(chǎn)浪潮。國(guó)內(nèi)以海思等為代表的企業(yè)也積極布局AI相關(guān)芯片，根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2019年我國(guó)AI芯片市場(chǎng)規(guī)模約為116億元，2024年有望達(dá)到1412億元，期間CAGR約65%，國(guó)內(nèi)Al行業(yè)持續(xù)快速發(fā)展。在存儲(chǔ)領(lǐng)域，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為大陸3DNAND閃存龍頭，2020年第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2023年正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，我們認(rèn)為都將受益于AI應(yīng)用需求，AI驅(qū)動(dòng)下中國(guó)大陸存儲(chǔ)不會(huì)缺席全球擴(kuò)產(chǎn)浪潮。企業(yè)名稱企業(yè)布局華為海思寒武紀(jì)AI芯片業(yè)務(wù)主要是芯片設(shè)計(jì)，主要芯片產(chǎn)品為M（信息娛樂(lè)導(dǎo)航）芯片、MCU（車(chē)身控制）芯片、音頻功放芯片及胎壓芯片。北京君正AI芯片業(yè)務(wù)主要布局在智能視頻芯片方面，擁有CPU、VPU、ISP、AI加速器和圖：2024年我國(guó)AI芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1412億元,期間CAGR6■00u國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商同樣積極布局先進(jìn)封裝領(lǐng)域，華為入局有望成為先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)化重要推動(dòng)者。O強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，長(zhǎng)電科技、通威富電等均掌握先進(jìn)封裝核心技術(shù)。根據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公開(kāi)信息，2022-2023年華為陸續(xù)公布15條芯片堆疊封裝相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利，顯示了華為在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的投入力度和創(chuàng)新能力。在不提升制程工藝前提下，芯片堆疊可表：2024年以來(lái)行業(yè)利好催化不斷，景氣度火熱時(shí)間事件5表：2024年以來(lái)行業(yè)利好催化不斷，景氣度火熱時(shí)間事件5月16日通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目順利簽約5月18日華天科技簽約盤(pán)古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目，總投資額達(dá)30億元5月18日盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項(xiàng)目暨J2C廠房開(kāi)工6月30日長(zhǎng)鑫金橋擴(kuò)產(chǎn)，固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)不少于171.41億，擬建設(shè)高端封測(cè)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能3萬(wàn)片/月。申請(qǐng)公布號(hào)申請(qǐng)公布日專(zhuān)利名稱CN116745913A2023.09.12芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN116724389A2023.09.08芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片堆疊封裝、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN116670827A2023.08.29包含有垂直柱狀晶體管的芯片堆疊結(jié)構(gòu)華為技術(shù)有限公司CN116635996A2023.08.22芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN116504752A2023.07.28芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN116110879A2023.05.12用于高速信號(hào)傳輸?shù)男酒靶酒询B結(jié)構(gòu)華為技術(shù)有限公司CN115461858A2022.12.09多芯片堆疊封裝、電子設(shè)備及制備方法華為技術(shù)有限公司CN115210854A2022.10.18芯片堆疊結(jié)構(gòu)、制作方法及電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN115004355A2022.09.02存儲(chǔ)芯片堆疊封裝及電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN114762103A2022.07.15一種芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法華為技術(shù)有限公司CN114651322A2022.06.21芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN114631179A2022.06.14芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN114450785A2022.05.06一種多芯片堆疊封裝及制作方法華為技術(shù)有限公司CN114450786A2022.05.06芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備華為技術(shù)有限公司CN114287057A2022.04.05一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備華為技術(shù)有限公司3.2.3修復(fù)條件三：半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍處于低位，國(guó)產(chǎn)替代空間較大、量/檢測(cè)、涂膠顯影、離子注入設(shè)備等領(lǐng)域，我們預(yù)估國(guó)產(chǎn)化率圖：本土半導(dǎo)體設(shè)備公司整體國(guó)產(chǎn)化率仍不足20%表：半導(dǎo)體設(shè)備各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)率情況012家設(shè)備企業(yè)營(yíng)業(yè)收入（億元）國(guó)產(chǎn)化率 20202021202220價(jià)值占比2023年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模(億美元）國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)2023年上市公司收入量級(jí)（億元）國(guó)產(chǎn)化率刻蝕設(shè)備22%北方華創(chuàng)、中微公司等~110>20%光刻設(shè)備22%上海微電子等-<1%薄膜沉積22%北方華創(chuàng)、拓荊科技、中微公司、微導(dǎo)納米~90<20%量檢測(cè)設(shè)備44中科飛測(cè)、精測(cè)電子、睿勵(lì)科學(xué)、天準(zhǔn)科技等~15<10%清洗設(shè)備5%盛美上海、至純科技、北方華創(chuàng)、芯源微等~45>30%track4%芯源微等~10<10%CMP3%華海清科等~25>30%離子注入3%萬(wàn)業(yè)企業(yè)、中科信等~5<10%其他5%---3.2.3修復(fù)條件三：美對(duì)華半導(dǎo)體管制不斷加碼，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程進(jìn)一步加快和ASML等公司繼續(xù)向中國(guó)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒚媾R最嚴(yán)厲的貿(mào)易限制。此前美國(guó)的限制主要影響美國(guó)本土設(shè)備商，第三涂膠顯影、薄膜沉積、刻蝕、清洗以及量/檢測(cè)等日企傳統(tǒng)占據(jù)優(yōu)勢(shì)的細(xì)分圖：美國(guó)制裁下，TEL來(lái)自中國(guó)區(qū)收入激增，已成為全球第一大0259.1259.1217.2FY23Q1FY23Q2FY23Q3FY23Q4FY24Q1FY24Q2FY24Q3F表：日本半導(dǎo)體設(shè)備龍頭公司全球市場(chǎng)份額統(tǒng)計(jì)設(shè)備類(lèi)型公司名稱市占率合計(jì)涂膠顯影迪恩士DNS92.0%迪恩士DNS77.0%熱處理38.0%刻蝕30.0%CVD25.0%光刻機(jī)17.9%u資金+人才密集構(gòu)筑高行業(yè)門(mén)檻，先發(fā)龍頭強(qiáng)者恒強(qiáng)。產(chǎn)品的不斷突破，需要持續(xù)不斷的高強(qiáng)度研發(fā)。①?gòu)难邪l(fā)費(fèi)用率來(lái)看，圖：PERC-TOPCon-HJT之間工藝路線并非同源023.50%24.5%→25.0%→25%→26.5%圖：從研發(fā)費(fèi)用率&研發(fā)人員占比兩個(gè)維度橫向比較其他行業(yè)，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是典型的資金+人才密集行業(yè) ..1上證主板科創(chuàng)板半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)通用設(shè)備行業(yè)光伏設(shè)備行業(yè)當(dāng)前凈利率并未達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此以毛利率為例：①2020-2023年A股半導(dǎo)體設(shè)備毛利率保持在45顯著高于光伏設(shè)備的37%要系人力成本、原材料成本等優(yōu)勢(shì)。我們判斷隨著后續(xù)收入規(guī)模不斷兌現(xiàn)，規(guī)模效應(yīng)下A股設(shè)備龍頭凈利率有望快速提升，同樣超圖：A股半導(dǎo)體設(shè)備毛利率顯著高于其他設(shè)備制造業(yè)圖：部分國(guó)內(nèi)設(shè)備龍頭毛利率優(yōu)于海外設(shè)備龍頭毛利率半導(dǎo)體設(shè)備--SW光伏設(shè)備SW通用設(shè)備2020202120222