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【MOOC】VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ))-東南大學(xué)中國(guó)大學(xué)慕課MOOC答案第二章單元作業(yè)第二章測(cè)試1、【單選題】下面哪個(gè)圖是增強(qiáng)型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線本題答案:【】2、【單選題】以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件本題答案:【】3、【判斷題】MOS晶體管的電學(xué)本質(zhì):電壓控制電流源本題答案:【正確】4、【判斷題】MOS器件的最高工作頻率與其溝道長(zhǎng)度的平方成正比,增大溝道長(zhǎng)度L可有效地提高工作頻率。本題答案:【錯(cuò)誤】第二章單元測(cè)試21、【單選題】MOS管的小信號(hào)輸出電阻是由MOS管的____效應(yīng)產(chǎn)生的。本題答案:【溝道長(zhǎng)度調(diào)制】2、【單選題】MOS管一旦出現(xiàn)_____現(xiàn)象,此時(shí)的MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。本題答案:【夾斷】3、【單選題】以下哪些為MOS管相關(guān)的二階效應(yīng):①短溝道效應(yīng);②窄溝道效應(yīng);③漏致勢(shì)壘降低效應(yīng);④閉鎖效應(yīng);⑤熱載流子效應(yīng)本題答案:【①②③④⑤⑥】4、【單選題】當(dāng)晶體管的W值較小時(shí),受窄溝道效應(yīng)的影響,晶體管的閾值電壓本題答案:【升高】5、【單選題】隨著MOS器件尺寸的縮小,源端和反向偏置的漏端結(jié)的耗盡區(qū)對(duì)器件的影響變得重要。由于在柵下的一部分區(qū)域已被耗盡,導(dǎo)致器件的閾值電壓本題答案:【降低】6、【單選題】我們希望柵源電壓一旦下降至閾值電壓以下時(shí)電流應(yīng)當(dāng)下降得盡可能,即斜率系數(shù)S的值越。本題答案:【快;小】7、【單選題】下面關(guān)于MOSFET電容不正確的是:本題答案:【結(jié)電容是由正向偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的?!?、【單選題】短溝道器件的閾值電壓往往會(huì)隨時(shí)間漂移,這是由于熱載流子效應(yīng),一般這個(gè)效應(yīng)使NMOS器件的閾值電壓,使PMOS器件的閾值電壓。本題答案:【升高;降低】9、【單選題】下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說(shuō)法不正確的是:本題答案:【隨著柵電壓的不斷提高,耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。】第三章測(cè)試1、【單選題】下圖對(duì)應(yīng)的邏輯表達(dá)式是本題答案:【】2、【單選題】下圖等效寬長(zhǎng)比為2:1,求ABCD四個(gè)PMOS和NMOS管的寬長(zhǎng)比本題答案:【4,8,8,42,2,2,1】3、【單選題】寫(xiě)出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式本題答案:【F=;】4、【判斷題】對(duì)于下圖所示電路,逐級(jí)加大晶體管尺寸,降低了起主要作用的電阻,同時(shí)使得電容的增加保持在一定的范圍內(nèi)本題答案:【正確】
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