2014-2020年電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)咨詢報(bào)告

-2020年電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)咨詢報(bào)告第一章世界電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行形勢(shì)分析第一節(jié)全球電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)發(fā)展概況一、前言電力電子技術(shù)主要是由電力半導(dǎo)體器件、電力變流技術(shù)和控制技術(shù)三部分組成，它主要利用電力半導(dǎo)體器件把電能(包括電壓、電流、頻率、相位和相數(shù))從一種形式變換成另一種形式，亦即把電能從AC變成DC，DC變成AC，DC變成DC以及AC變成AC，滿足用電設(shè)備的各種需要，以達(dá)到最佳利用電能的目的．但是在這種電能變換過(guò)程中，采用哪一種電力半導(dǎo)體器件能使變流裝置的體積最小、重量最輕、變換效率最高、且電路簡(jiǎn)單、電能品質(zhì)最好、價(jià)格便宜、操作安裝方便，從而使變流系統(tǒng)最可靠呢?這是裝置設(shè)計(jì)者長(zhǎng)期以來(lái)首先要考慮和解決的重要問(wèn)題，亦是器件設(shè)計(jì)者長(zhǎng)期追求的目標(biāo)。電力半導(dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，是電力變流裝置的心臟，它非但對(duì)電力變流裝置的體積、重量、效率、性能以及可靠性等起到至關(guān)重要的作用，而且對(duì)裝置的價(jià)格也起至幟良大影響。一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改現(xiàn)，促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展．自1957年世界上第一個(gè)晶閘管問(wèn)世以來(lái)，經(jīng)過(guò)40多年的開(kāi)發(fā)和研究，已推出各種電力半導(dǎo)體器件近40種，目前正沿著高頻化、智能化、大功率化和模塊化方向發(fā)展，本文將簡(jiǎn)要介紹模塊化發(fā)展趨勢(shì)。所謂模塊，就是把二個(gè)或二個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定電路聯(lián)成，并與輔助電路共同封裝在一個(gè)絕緣的樹(shù)脂外殼內(nèi)而制成。自上世紀(jì)七十年代Semkron．公司把模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來(lái)[1]，由于模塊外形尺寸和安裝尺寸的標(biāo)準(zhǔn)化以及芯片間的連線已在模塊內(nèi)部聯(lián)成，因而它與同容量的分立器件相比，具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝、結(jié)構(gòu)重復(fù)性好、裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可簡(jiǎn)化、總價(jià)格(包括散熱器)比分立器件低等優(yōu)點(diǎn)，又因模塊化是使電力電子裝置的效率、重量、體積、可靠性、價(jià)格等技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)進(jìn)一步改善和提高的重要措施，因此，一開(kāi)始就受到世界各國(guó)電力半導(dǎo)體器件公司的高度重視，投入大量人力和財(cái)力，開(kāi)發(fā)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊，如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、電力晶閘管GTR、MOS可控晶閘管MCT、功率MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管IGBT等模塊，使模塊技術(shù)得以蓬勃發(fā)展。2晶閘管和整流二極管模塊晶閘管和整流二極管模塊始于上世紀(jì)70年代初，起初是中小功率晶閘管（電壓≤1000V,電流≤100A）模塊，之后，隨著模塊制造工藝的成熟以及制造模塊的相應(yīng)輔助材料的研發(fā)成功，使晶閘管模塊的容量增大，品種增多，目前晶閘管模塊水平已達(dá)1000A／1600V。下圖是晶閘管、整流二極管橋臂模塊和電橋模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖，圖中單相和三相電橋模塊可帶續(xù)流二極管，亦可不帶續(xù)流二極管，因此圖中續(xù)流二極管用虛線連接表示。模塊一般有二種型式，即絕緣隔離型和非絕緣隔離型，前者芯片與銅底板之間的絕緣耐壓高達(dá)2.5kV有效值以上，應(yīng)用對(duì)比較靈活，裝置設(shè)計(jì)者可以把一個(gè)或多個(gè)橋臂模塊安裝在同一接地的散熱器上，聯(lián)成各種標(biāo)難的單相或三相全控、半控整流等橋式電路、交流開(kāi)關(guān)或其它各種實(shí)用電路，從而大大簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，縮小裝置體積。后者應(yīng)有公共陽(yáng)極和陰極才能使用，因而在使用中有很大局限性，發(fā)展較慢。模塊結(jié)構(gòu)按管芯組裝工藝和固定方法不同可分為：普通焊接結(jié)構(gòu)，壓接式結(jié)構(gòu)和DCB鍵合結(jié)構(gòu)三種。它們各有各的優(yōu)缺點(diǎn)，普通焊接結(jié)構(gòu)工藝簡(jiǎn)單，零部件少，因而成本低，但由于焊料的熱疲勞，重復(fù)功率循環(huán)，使模塊容易造成現(xiàn)場(chǎng)失效。壓接式結(jié)構(gòu)，雖然解決了熱疲勞問(wèn)題，但由于它結(jié)構(gòu)復(fù)雜，零部件多，因而成本高。圖表SEQ圖表\*ARABIC1晶閘管、整流二極管橋臂模塊和電橋模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理而DCB鍵合式結(jié)構(gòu)，集中了上述二種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，克服了它們的缺點(diǎn)，使之有良好的熱疲勞穩(wěn)定性，可制成大電流和高集成度的功率模塊。下面兩圖分別為DCB鍵合式和壓接式品閘管模塊結(jié)構(gòu)圖，由圖可見(jiàn)，模塊三個(gè)主電極端子配置在同一平面上，使母線配線容易，門(mén)極和輔助陰極端子設(shè)在模塊的右側(cè)，并與主端子分開(kāi)，因而提高了抗干擾能力。模塊內(nèi)的陶瓷絕緣片是AI2O3或Be0，它使銅底板與芯片之間的絕緣耐壓超過(guò)2．5kV有效值。晶閘管芯片用RTV“或玻璃鈍化保護(hù)，上面灌有硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂，從而提高了模塊的氣密性，這種雙重密封結(jié)構(gòu)大大提高了模塊的耐潮濕性能，因而使模塊能穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。目前，這種模塊已廣泛應(yīng)用于國(guó)防、冶金、航天、機(jī)械等國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門(mén)，并被裝置設(shè)計(jì)者用來(lái)逐步替代分立器件。據(jù)美國(guó)上世紀(jì)90年代初統(tǒng)計(jì)，在過(guò)去十幾年內(nèi)300A以下的分立晶閘管、整流二極管和20A以上的達(dá)林頓晶體管市場(chǎng)占有量已由90％降到20％，而上述器件的模塊卻由10％上升到80％，可見(jiàn)模塊發(fā)展之快。到上世紀(jì)90年代初，這種晶閘管系列模塊的制造技術(shù)在國(guó)外已相當(dāng)成熟，而且生產(chǎn)成品率也相當(dāng)高。但由于晶閘管是電流控制型電力半導(dǎo)體器件，所以需要較大的脈沖觸發(fā)功率才能驅(qū)動(dòng)晶閘管，又要加其它一些輔助電路的元器件(如同步電源的同步變壓器等)，體積龐大和制造技術(shù)的限制，很難使移相觸發(fā)系統(tǒng)與晶閘管主電路以及保護(hù)取樣傳感器等共同封裝在同一塑料外殼內(nèi)，所以，國(guó)外至今未見(jiàn)有這種晶閘管集成智能模塊產(chǎn)品，可靠性高。圖表SEQ圖表\*ARABIC290A/1600V焊接式晶閘管模塊電原理圖（ａ）和示意圖（b）數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理圖表SEQ圖表\*ARABIC3260A/1400V壓接式晶閘管模塊簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理我國(guó)山東淄博臨淄銀河高技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司，經(jīng)多年的研究開(kāi)發(fā)，在解決了同步元件微型化問(wèn)題，使之適合集成用之后，繼而解決了提高信號(hào)幅度、抗干擾、高壓隔離和同步信號(hào)輸人等問(wèn)題，并研制開(kāi)發(fā)出高密度的脈沖變壓器和多路高速大電流集成電路以及幾種適合集成模塊用的專用集成電路，在采用了導(dǎo)熱、絕線性能良好的DCB板，鉬銅板和具有較好電絕緣和保護(hù)性能并具有良好熱傳導(dǎo)作用的彈性硅凝膠等特殊材料后，開(kāi)發(fā)出各種功能的晶閘管集成智能模塊ITPM(IntelligentThyrstorPowerModule)，解決了世界上一直未能實(shí)現(xiàn)的晶閘管主電路與移相觸發(fā)系統(tǒng)以及保護(hù)取樣傳感器共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)的難題。下兩圖分別為移相觸發(fā)系統(tǒng)原理框圖和晶閘管智能模塊內(nèi)部接線圖。這樣，使電力電子裝置體積進(jìn)一步縮小，可靠性更進(jìn)一步提高，使用更簡(jiǎn)單方便，安裝維修更容易，大大方便了用戶，為機(jī)電一體化作出重要貢獻(xiàn)。經(jīng)過(guò)近三年的生產(chǎn)和約千余家用戶在調(diào)速、調(diào)功、調(diào)光、溫控、固態(tài)開(kāi)關(guān)、電機(jī)軟起動(dòng)、自動(dòng)控制等領(lǐng)域的使用，性能良好，使用簡(jiǎn)單方便，有“傻瓜”晶閘管模塊之稱。目前，該公司正以數(shù)字技術(shù)替代模擬技術(shù)，擴(kuò)大模塊的輸出容量，單相、三相集成移相調(diào)控晶閘管交流開(kāi)關(guān)模塊最大電流達(dá)1000A，最高電壓達(dá)2200V，單、三相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊電流達(dá)500A，電壓達(dá)1800V。已研制出多種功能更全，輸出電流更大的專用晶閘管智能模塊，如交流電機(jī)軟起動(dòng)模塊，雙閉環(huán)直流電機(jī)調(diào)速模塊，大電流全控型整流逆變模塊，弧焊電源模塊以及恒壓、恒流模塊等，且模塊內(nèi)都置有電壓、電流傳感器，以達(dá)到閉環(huán)調(diào)節(jié)和保護(hù)作用。圖表SEQ圖表\*ARABIC4移相觸發(fā)系統(tǒng)原理框圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理圖表SEQ圖表\*ARABIC5晶閘管智能模塊內(nèi)部接線圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理（a）三相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊（b）單相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊（c）三相集成移相調(diào)控晶閘管交流開(kāi)關(guān)模塊（d）單相集成移相調(diào)控晶閘管交流開(kāi)關(guān)模塊（e）帶過(guò)零觸發(fā)電路的三相晶閘管交流開(kāi)關(guān)模塊（f）帶過(guò)零觸發(fā)電路的單相晶閘管交流開(kāi)關(guān)模塊3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上世紀(jì)80年代初，ICBT器件的研制成功以及隨后其額定參數(shù)的不斷提高和改進(jìn)，為高頻、較大功率應(yīng)用的發(fā)展起到了重要作用。由于IGBT為電壓型驅(qū)動(dòng)，具有驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度高，飽和壓降低,可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，表現(xiàn)出很好的綜合性能，已成為當(dāng)前在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的電力半導(dǎo)體器件。其硬開(kāi)關(guān)頻率達(dá)25kHz，軟開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)100kHz。而新研制成的霹靂(Thunderb0lt)型IGBT，其硬開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)150kHz，在諧振逆變軟開(kāi)關(guān)電路中可達(dá)300kHZ。目前，IGBT封裝形式主要有塑封單管和底板與各主電極相互絕緣的模塊形式，大功率IGBT亦有板壓接形式。由于模塊封裝形式對(duì)設(shè)計(jì)散熱器極為方便，因此，被各器件生產(chǎn)大公司廣泛采用。另一方面，IGBT生產(chǎn)工藝復(fù)雜，制造過(guò)程中要做十幾次精細(xì)的光刻套刻，并經(jīng)相成次數(shù)的高溫加工，因此要制造面積即大電流IGBT單片，其成品率將大大降低。可是IGBT的MOS特性，使其更易并聯(lián)，所以模塊封裝形式更適于制造大電流IGBT。起初由于IGBT工藝采用高阻外延片技術(shù)，電壓很難突破2kV，因?yàn)橐圃爝@樣高電壓的IGBT，外延厚度就要超過(guò)200微米，這在技術(shù)上很難，且?guī)缀醪荒軐?shí)用化。因此，1993年德國(guó)EUPEC公司研制成的1300A／3200VIGBT模塊，就是由多個(gè)IGBT芯片串、并聯(lián)制成，這種組合只是對(duì)大電流、高電壓模塊發(fā)展的一種嘗試，對(duì)工業(yè)生產(chǎn)的實(shí)用價(jià)值不大。1996年日本多家公司采用(110)晶面的高阻硅單晶制造IGBT器件，硅片厚度超過(guò)300微米，使單片IGBT的耐壓超過(guò)2.5kV，因此，同年?yáng)|芝公司推出的1000A／2500V平板壓接式IGBT器件就是由24個(gè)80A／2500V的芯片并聯(lián)組成。1998年ABB公司采用在陽(yáng)極側(cè)透明P+發(fā)射層和n—緩沖層結(jié)構(gòu)，使IGBT的耐壓高達(dá)4.5kV，而該公司同年研發(fā)成的1200A／3300VIGBT模塊就是由20個(gè)芯片并聯(lián)制成。此后，非穿通(NPT)和軟穿通(SPT)結(jié)構(gòu)IGBT的試制成功，使ICBT器件具有正電阻溫度系數(shù)，更易于并聯(lián)，這為高電壓、大電流IGBT模塊的制造只需并聯(lián)無(wú)需串聯(lián)創(chuàng)造了技術(shù)基礎(chǔ)。目前，已能批量生產(chǎn)一單元、二單元、四單元、六單元和七單元的IGBT標(biāo)準(zhǔn)型模塊，其最高水平已”達(dá)到1800A/4500V。下圖為300A/1700VIGBT模塊的電路圖和簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)示意圖，它是由4個(gè)160A/1700VIGBT芯片和8個(gè)100A/1700V快恢復(fù)二極管組成。IGBT芯片的集電極和快恢復(fù)二極管的陰極都直接焊在DCB板陶瓷基板上，然后用銅電極引出，DCB基板再與銅底板相焊，以便散熱。IGBT的發(fā)射極、柵極以及快恢復(fù)二極管的陽(yáng)極都用鋁絲鍵合在DCB板上，然后再用銅電極引出，模塊采用RTV硅橡膠、硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂密封保護(hù)，又加芯片本身PN結(jié)已有玻璃鈍化保護(hù)，因此，能達(dá)到防潮、防震、防有害氣體侵襲，使模塊性能穩(wěn)定可靠。但是，這種把IGBT芯片焊在一個(gè)平面上，芯片之間采用超聲鍵合或熱壓焊的方法相聯(lián)，由于器件高di／dt”和dv／dt下進(jìn)行開(kāi)和關(guān)，很容易產(chǎn)生高的電磁場(chǎng)，導(dǎo)致鍵合線(鋁絲)之間由于鄰近效應(yīng)，，使電流在導(dǎo)線內(nèi)分布不均勻，并產(chǎn)生寄生振蕩和噪音，導(dǎo)致鍵合線損壞，或使鍵合點(diǎn)脫落，造成IGBT模塊失效。為此，已研制出在鉬片表面鍍合一層鋁，鉬面與IGBT或抉恢復(fù)二極管相焊，而鋁絲鍵合在鉬片表面的鍵合鋁層上，以降低鍵合處的應(yīng)力，進(jìn)一步改善了IGBT模塊工作的可靠性。圖表SEQ圖表\*ARABIC6300A/1700VIGBT模塊電路圖和簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)示意圖4IGBT智能模塊由于MOS結(jié)構(gòu)的IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)的，因此驅(qū)動(dòng)功率小，并可用集成電路來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)和控制，進(jìn)而發(fā)展到把IGBT芯片，快速二極管芯片，控制和驅(qū)動(dòng)電路，過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱和欠壓保護(hù)電路、箝位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化IGBT模塊(IPM)，它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎(chǔ)，亦使整機(jī)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)化，整機(jī)的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造成本降低，縮短整機(jī)產(chǎn)品的上市時(shí)間。由于IPM均采用標(biāo)準(zhǔn)化的具有邏輯電平的柵控接口，使IPM能很方便與控制電路板相連接。IPM在故障情況下的自保護(hù)能力，降低了器件在開(kāi)發(fā)和使用中損壞的幾率，大大提高了整機(jī)的可靠性。下兩圖分別為IPM保護(hù)的功能框圖和結(jié)構(gòu)圖。圖表SEQ圖表\*ARABIC7IPM保護(hù)功能框圖（原圖未做格式處理）圖中IPM內(nèi)置的保護(hù)功能允許IGBT避免因控制失靈和應(yīng)力過(guò)大而損壞的前提下，最大限度地利用IGBT器件的容量，而且其中任一種保護(hù)動(dòng)作，ICBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)被關(guān)斷，并輸出一個(gè)故障信號(hào)FO。由于采用RTC電路的實(shí)時(shí)電流控制功能來(lái)抑制短路電流，所以能實(shí)現(xiàn)短路的安全切斷。過(guò)電壓箝位保護(hù)，改變了過(guò)去過(guò)壓保護(hù)用外插入吸收電路的辦法，解決了吸收電路存在的損耗問(wèn)題。IPM中采用帶有電流傳感器的IGBT芯片，這一電流實(shí)時(shí)監(jiān)控技術(shù)能高效迅速檢測(cè)過(guò)電流和短路電流，并采用逐步降柵壓的軟關(guān)斷技術(shù)，大大降低了關(guān)斷大電流而引發(fā)的浪涌電壓。在靠近IGBT芯片的絕緣基板(DCB板)上安裝有一個(gè)溫度傳感器，進(jìn)行芯片溫度檢測(cè)，若基板溫度超過(guò)熱動(dòng)作數(shù)值，則內(nèi)部封鎖柵極驅(qū)動(dòng)脈沖，并輸出故障信號(hào)F0，此法解決了熱敏法無(wú)法解決的檢測(cè)短時(shí)通電溫升問(wèn)題。圖表SEQ圖表\*ARABIC8IPM簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理上圖中柵極驅(qū)動(dòng)和控制電路則做在一塊帶有特殊防電磁干擾保護(hù)層的多層PCB上，放在功率器件上面。DCB陶瓷襯底板可提供更大的載流能力，具有更好的散熱性能。目前市場(chǎng)上己能批量供應(yīng)800A/1200VIPM，其最高水平已達(dá)到1200A/1800V和1600A/1500V的通用和專用IPM模塊。為適應(yīng)計(jì)算機(jī)、通訊、空間技術(shù)以及各種大容量的工業(yè)電力變流裝置和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)要求，為了提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力，在IPM的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出高集成化，智能化，標(biāo)準(zhǔn)化，并適合各種不同用戶應(yīng)用要求的用戶專用功率模塊(ASPM)，它是把變流裝置所有硬件盡量集成在同一芯片上，如把逆變裝置的整流器，逆變器的IGBT和FWD，，制動(dòng)IGBT以及快速二極管集成在一個(gè)芯片上，使之不再有額外的引線連接。目前市場(chǎng)上已大量供應(yīng)作小功率電機(jī)控制用的0.1kW到1.5kWASPM模塊。一臺(tái)7.5kW電機(jī)變頻裝置ASPM模塊，其體積僅為600mm×400mm×250mm。從而達(dá)到體積小，重量輕，裝置成本低，寄生電感小，并大大提高高頻變流裝置的可靠性，21世紀(jì)被稱作“Allinone”的ASPM模塊將越來(lái)越普及。但是，技術(shù)上要把幾百安、幾千伏的電力半導(dǎo)體器件與邏輯電平僅為幾伏、幾毫安的集成電路集成在同一硅芯片上將非常困難。然而采用混合封裝形式的集成電力電子模塊(IPEM)將非常合適和經(jīng)濟(jì)，三維多層結(jié)構(gòu)的集成技術(shù)，可大大擴(kuò)大IPEM的功率范圍，下圖為分層多芯片IPEM機(jī)構(gòu)圖。圖9中IGBT等器件制成可安裝的管芯形式，它們被安裝在具有高導(dǎo)熱率且絕緣的襯底板上，利用獨(dú)特的電通路來(lái)實(shí)現(xiàn)各器件的互聯(lián)。IPEM的控制電路，柵極緩沖器，電流和溫度傳感器，電平位移電路和保護(hù)電路，都利用表面貼裝元件安裝在已燒制好的普通陶瓷片上，一個(gè)微處理控制器與[PEM接口，提供所需的控制功能，這種以高集成度為特色的混合結(jié)構(gòu)，結(jié)合無(wú)源元件的電磁集成，采用新型材料、熱控技術(shù)以及諧振軟開(kāi)關(guān)技術(shù)所制成的IPEM為新世紀(jì)電力電子技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟了新途徑。圖表SEQ圖表\*ARABIC9260A/1400V壓接式晶閘管模塊結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理第二節(jié)世界電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)發(fā)展走勢(shì)一、全球電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)市場(chǎng)分布情況圖表SEQ圖表\*ARABIC102014年1-8月全球電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)市場(chǎng)分布情況數(shù)據(jù)來(lái)源：專家整理二、全球電力半導(dǎo)體模塊和組件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析所謂模塊，最初定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定電路聯(lián)成，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹(shù)脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并與導(dǎo)熱底板絕緣而成。自上世紀(jì)70年代SemikronNurmbeg把模塊原理（當(dāng)時(shí)僅限于晶閘管和整流二極管）引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來(lái)，因此模塊化就受到世界各國(guó)電力半導(dǎo)體公司的重視，開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊，如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管（GTR）、MOS可控晶閘管（MCT）、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等模塊，使模塊技術(shù)得到蓬勃發(fā)展，在器件中所占比例越來(lái)越大。據(jù)美國(guó)在上世紀(jì)90年代初統(tǒng)計(jì)，在過(guò)去十幾年內(nèi)，300A以下的分立晶閘管、整流二極管以及20A以上達(dá)林頓晶體管市場(chǎng)占有量已由90%降到20%，而上述器件的模塊卻由10%上升到80%，可見(jiàn)模塊發(fā)展之快。隨著MOS結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件研發(fā)的成功，亦即用電壓控制、驅(qū)動(dòng)功率小、控制簡(jiǎn)單的IGBT、電力MOSFET、MOS控制晶閘管（MCT）和MOC控制整流管（MCD）的出現(xiàn)，開(kāi)發(fā)