28-基于VoLTE的eSRVCC切換關(guān)鍵問(wèn)題及策略研究分析-上海聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化中心V3（楊飛虎）

上海聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化中心系統(tǒng)優(yōu)化處主管，集團(tuán)網(wǎng)優(yōu)戰(zhàn)略人才專家，從事移動(dòng)網(wǎng)規(guī)劃優(yōu)化、無(wú)線網(wǎng)集中評(píng)估和新技術(shù)專項(xiàng)研究工作。楊飛虎VoLTE的eSRVCC切換關(guān)鍵問(wèn)題及策略研究分析上海聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化中心楊飛虎背景VoLTE開(kāi)啟了向移動(dòng)寬帶語(yǔ)音演進(jìn)之路，其給我們帶來(lái)兩方面的價(jià)值，一是提升無(wú)線頻譜利用率、降低網(wǎng)絡(luò)成本，另一個(gè)價(jià)值就是提升用戶語(yǔ)音感知體驗(yàn)。上海無(wú)線環(huán)境復(fù)雜，在4G覆蓋邊緣或深度覆蓋區(qū)域如何保障用戶語(yǔ)音感知，需在VoLTE業(yè)務(wù)商用前研究制定一套完善的VoLTE會(huì)話持續(xù)性策略。BestVoice更短的呼叫建立時(shí)延更好的語(yǔ)音質(zhì)量

<6.8sCSFB<5sUltra-FlashCSFB<3sVoLTENB-AMR12.2kbpsWB-AMR23.85kbpsGSMHR4.8kbps語(yǔ)音網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)演進(jìn)All-IP電路連接>4.0MOS<1sSetupTimeVoLTE>400VoLTEUsersperCell<4sSetupTimeUltra-FlashCSFBVoLTE語(yǔ)音連續(xù)性解決方案-SRVCC的引入及演進(jìn)LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)初期，其覆蓋范圍有限，當(dāng)用戶在使用LTE網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行語(yǔ)音通話過(guò)程中，移動(dòng)到LTE信號(hào)較弱，但GERAN/UTRAN網(wǎng)絡(luò)信號(hào)覆蓋較好的區(qū)域時(shí)，3GPP在R9中提出了SRVCC（SingleRadioVoiceCallContinuity）。但由于此方案需要在IMS域創(chuàng)建新的承載，延時(shí)較長(zhǎng)，用戶體驗(yàn)較差。演進(jìn)eSRVCC功能與SRVCC相比，eSRVCC在保證語(yǔ)音呼叫連續(xù)性的同時(shí)，盡可能地減小了切換時(shí)延，將時(shí)延控制在人類所能感知的范圍之內(nèi)，使正在進(jìn)行的通話不會(huì)感覺(jué)到有中斷的跡。SRVCCeSRVCCeSRVCC切換策略制定原則及切換過(guò)程分析宏站設(shè)置時(shí)主體以路面感知為導(dǎo)向，根據(jù)城區(qū)與郊區(qū)的不同場(chǎng)景分別設(shè)置，重點(diǎn)場(chǎng)景涉及的宏站單獨(dú)設(shè)置，根據(jù)MR采樣點(diǎn)，在路面參數(shù)方案上適當(dāng)調(diào)整，減少掉話風(fēng)險(xiǎn)。室分場(chǎng)景分電梯場(chǎng)景（快衰）與一般場(chǎng)景（慢衰），快衰場(chǎng)景eSRVCC觸發(fā)流程建議使用B1算法，以加快切換速度，避免信號(hào)衰落較快導(dǎo)致掉話，慢衰場(chǎng)景可使用B2算法。測(cè)量階段從A2事件觸發(fā)/B2測(cè)控下發(fā)至B2事件上報(bào)。準(zhǔn)備階段從B2事件上報(bào)至切換命令。執(zhí)行階段從切換命令至切換完成。測(cè)量階段和準(zhǔn)備階段時(shí)延影響eSRVCC切換成功率，執(zhí)行階段會(huì)語(yǔ)音中斷，影響用戶感知。eSRVCC切換流程參數(shù)門限分宏站和室分兩類場(chǎng)景eSRVCC切換過(guò)程分測(cè)量、準(zhǔn)備、執(zhí)行基于MOS值設(shè)置eSRVCC切換門限分析目前對(duì)于MOS值的統(tǒng)計(jì)是針對(duì)MOS均值以及MOS值如下占比：語(yǔ)音MOS質(zhì)量＝（MOS>=2.5個(gè)數(shù)）/（MOS個(gè)數(shù)）×100％語(yǔ)音MOS質(zhì)量＝（MOS>=3.0個(gè)數(shù)）/（MOS個(gè)數(shù)）×100％語(yǔ)音MOS質(zhì)量＝（MOS>=3.5個(gè)數(shù)）/（MOS個(gè)數(shù)）×100％語(yǔ)音MOS質(zhì)量取主、被叫手機(jī)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，按照分段出具采樣點(diǎn)統(tǒng)計(jì)。統(tǒng)計(jì)上海網(wǎng)格第一輪長(zhǎng)呼VOLTE拉網(wǎng)MOS統(tǒng)計(jì)結(jié)果，如下表所示：網(wǎng)格MOS>=3比例MOS>=3.5比例MOS均值LTE覆蓋率RTP丟包率語(yǔ)音MOS質(zhì)量＝（MOS>=3.0個(gè)數(shù)）/（MOS個(gè)數(shù)）語(yǔ)音MOS質(zhì)量＝（MOS>=3.5個(gè)數(shù)）/（MOS個(gè)數(shù)）LTE覆蓋率（RSRP>=-110&SINR>=-3）=LTE條件采樣點(diǎn)/覆蓋率計(jì)算參數(shù),LTE總采樣點(diǎn)；RTP丟包率=（發(fā)送RTP數(shù)-接收到RTP數(shù)）/發(fā)送RTP數(shù)網(wǎng)格198.29%93.50%3.9797.26%0.42%網(wǎng)格297.89%92.51%3.9498.26%0.47%網(wǎng)格393.22%88.81%3.8599.30%1.50%主要受切換影響，網(wǎng)格DT測(cè)試數(shù)據(jù)中MOS受RSRP和SINR影響沒(méi)有呈現(xiàn)出明顯規(guī)律，統(tǒng)計(jì)全部測(cè)試采樣點(diǎn)發(fā)現(xiàn)RSRP與MOS并無(wú)直接映射關(guān)系如下：為進(jìn)一步對(duì)語(yǔ)音MOS值進(jìn)行分析找出其拐點(diǎn)，首先排除切換影響，單獨(dú)針對(duì)RSRP以及SINR選點(diǎn)做CQT測(cè)試。RSRP與MOS的關(guān)系圖MOS是VOLTE語(yǔ)音質(zhì)量評(píng)估的主要參考因素eSRVCC切換門限驗(yàn)證結(jié)果評(píng)估：基于RSRP和MOS相關(guān)性驗(yàn)證結(jié)果以SINR=-3、0dB選點(diǎn)，RSRP由-70dBm衰減步長(zhǎng)5dBm，直到掉話為止，做VoLTE的CQT測(cè)試，統(tǒng)計(jì)每個(gè)信號(hào)點(diǎn)強(qiáng)度CQTlog的RSRP平均值，以及MOS平均值，做出折線圖。根據(jù)第一輪測(cè)試數(shù)據(jù)找出MOS衰落的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，以該轉(zhuǎn)折點(diǎn)為起測(cè)點(diǎn)，再次做VoLTE的CQT測(cè)試

，衰減步長(zhǎng)為3dBm，直到掉話，相差10dBm以內(nèi)的RSRP選點(diǎn)要求SINR值波動(dòng)范圍在0-5dB內(nèi)，統(tǒng)計(jì)最終的MOS隨RSRP變化折線圖。RSRP值采樣由-90dBm衰減到-119dBm。RSRP-90-95-100-105-110-115-119SINR0000000RSRP值采樣由-100dBm衰減到-119dBm。RSRP-100-105-110-115-119SINR-3-3-3-3-3數(shù)據(jù)整理后得出如下折線圖：數(shù)據(jù)整理后得出如下折線圖：SINR值固定為-3dB選點(diǎn)測(cè)試SINR值固定為0dB選點(diǎn)測(cè)試結(jié)論：SINR=-3dB，對(duì)應(yīng)的RSRP采樣最優(yōu)點(diǎn)只取到-100dBm，整個(gè)衰減過(guò)程中，MOS值均在4以下，RSRP為-115dBm以后MOS值由3以下向下波動(dòng)。結(jié)論：當(dāng)SINR=0，RSRP=-98dBm時(shí)MOS值開(kāi)始由4向下波動(dòng)。eSRVCC切換門限驗(yàn)證結(jié)果評(píng)估：基于RSRP和MOS相關(guān)性驗(yàn)證方法據(jù)第一輪測(cè)試數(shù)據(jù)-100dbm為MOS值向下波動(dòng)拐點(diǎn)，針對(duì)RSRP低于-100dBm的點(diǎn)重點(diǎn)測(cè)試，衰減步長(zhǎng)為3dBm，SINR值選點(diǎn)盡量在0-5dB范圍內(nèi)波動(dòng)。選取測(cè)試點(diǎn)如下：將所有MOS對(duì)應(yīng)采樣時(shí)間點(diǎn)8s內(nèi)的RSRP和SINR取值求平均，MOS采樣點(diǎn)共768個(gè)，根據(jù)步驟一測(cè)試數(shù)據(jù)，拐點(diǎn)后的RSRP值重點(diǎn)測(cè)試，采樣點(diǎn)較多，取整處理匯總得出MOS隨RSRP變化圖像，已排除RSRP變化過(guò)程中SINR變化對(duì)MOS的影響，呈現(xiàn)折現(xiàn)圖像如下：結(jié)論1：RSRP由-70dBm衰減到-105dBm過(guò)程中，MOS值穩(wěn)定在4左右。結(jié)論2：RSRP-105dBm衰減到-123dBm過(guò)程中MOS值呈現(xiàn)大幅度衰落，該變化中SINR在0-5dB范圍內(nèi)波動(dòng)，排除SINR對(duì)MOS值的影響。結(jié)論3：RSRP=-105開(kāi)始MOS值開(kāi)始由4向下波動(dòng)。結(jié)論4：RSRP=-115開(kāi)始MOS值出現(xiàn)3以下的值。結(jié)論5：RSRP=-119開(kāi)始MOS值出現(xiàn)2.5以下的值。RSRP-90-95-100-105-108-111-114-117-120-123-126-129-132eSRVCC切換門限驗(yàn)證結(jié)果評(píng)估：基于SINR和MOS相關(guān)性驗(yàn)證方法以RSRP=-95、-110和-115dBm選點(diǎn)，SINR由20dB，衰減步長(zhǎng)為5dB，直到掉話，做VoLTE的CQT測(cè)試，統(tǒng)計(jì)每個(gè)信號(hào)點(diǎn)強(qiáng)度CQTlog的SINR平均值，以及MOS平均值，做出折線圖。根據(jù)第一輪測(cè)試數(shù)據(jù)找出MOS衰落的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，以該轉(zhuǎn)折點(diǎn)為起測(cè)點(diǎn)，再次做VoLTE的CQT測(cè)試

，衰減步長(zhǎng)為2dB，直到掉話，相差5dBm以內(nèi)的SINR選點(diǎn)要求RSRP值波動(dòng)范圍在10dB以內(nèi)，統(tǒng)計(jì)最終的MOS隨SINR變化折線圖。評(píng)估方式：為排除RSRP對(duì)MOS的影響，測(cè)試選點(diǎn)RSRP值相同，分別取-95，-110，-115探究RSRP值變化對(duì)MOS值的影響。SINR2015108642RSRP-95-95-95-95-95-95-96數(shù)據(jù)整理后得出如下折線圖：結(jié)論：排除RSRP值影響，當(dāng)RSRP=-95，SINR=6dBMOS值開(kāi)始由4向下波動(dòng)。RSRP值采樣由20dB衰減到2dBRSRP值采樣由8dB衰減到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-110-110-110-110-110-110-110-110結(jié)論：當(dāng)RSRP=-110dBm,SINR值最高點(diǎn)取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=0開(kāi)始MOS值由3向下波動(dòng)。RSRP值采樣由8dB衰減到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-115-115-115-115-115-115-115-115結(jié)論：當(dāng)RSRP=-115dBm,SINR值最高點(diǎn)取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=1開(kāi)始MOS值由3向下波動(dòng)RSRP值固定為-95dBm選點(diǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)整理后得出如下折線圖：RSRP值固定為-110dBm選點(diǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)整理后得出如下折線圖：RSRP值固定為-115dBm選點(diǎn)測(cè)試eSRVCC切換門限驗(yàn)證結(jié)果評(píng)估：基于SINR和MOS相關(guān)性驗(yàn)證方法根據(jù)第一輪測(cè)試數(shù)據(jù)8dB為MOS值由4向下波動(dòng)拐點(diǎn)，針對(duì)SINR低于8dB的點(diǎn)重點(diǎn)測(cè)試，衰減步長(zhǎng)為2dBm，RSRP值選點(diǎn)盡量在-110dBm左右波動(dòng)，選取測(cè)試點(diǎn)如下：將所有MOS對(duì)應(yīng)采樣時(shí)間點(diǎn)8s內(nèi)的RSRP和SINR取值求平均，MOS采樣點(diǎn)共768個(gè)，拐點(diǎn)后的SINR值重點(diǎn)測(cè)試，采樣點(diǎn)較多，數(shù)據(jù)取整處理匯總得出MOS隨SINR變化圖像，已排除SINR變化過(guò)程中RSRP對(duì)MOS的影響，呈現(xiàn)折線圖如下：結(jié)論1：SINR由25dB衰落到9dB，MOS穩(wěn)定在4左右。結(jié)論2：SINR由8dB衰減到-9dB過(guò)程中，MOS值呈現(xiàn)大幅度衰落，此變化過(guò)程中RSRP在-110dBm左右波動(dòng)，排除RSRP對(duì)MOS值影響。SINR2015108531-1-3-5-7-9結(jié)論3：SINR=8dB開(kāi)始MOS值開(kāi)始由4向下波動(dòng)。結(jié)論4：SINR=0dB開(kāi)始MOS值出現(xiàn)3以下的值。結(jié)論5：SINR=-3dB開(kāi)始MOS值出現(xiàn)2.5以下的值?？偨Y(jié)為保證VOLTE語(yǔ)音通話的連續(xù)性和用戶的良好感知，在LTE覆蓋較弱區(qū)域采用eSRVCC切換到3G，做好eSRVCC切換門限優(yōu)化策略是關(guān)鍵，根據(jù)以上CQT測(cè)試數(shù)據(jù)的研究