【中國第二高中】【河北卷】河北省衡水中學2024-2025學年高三上學期綜合素質(zhì)評價一化學試卷含答案及解析_第1頁
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文檔簡介

高三年級素養(yǎng)檢測一化學試題可能用到的相對原子量:H-1C-12O-16Al-27Si-28S-32Cl-35.5Fe-56Co-59Cu-64As-75Ta-181一、單項選擇題。本題共14小題,每小題3分,共42分,在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。1.河北省有著深厚的文化底蘊和獨特的自然條件,民間藝術(shù)代表著民族的思想和智慧,下列民間藝術(shù)作品的制作材料主要成分是蛋白質(zhì)的是民間藝術(shù)作品選項A.井陘木雕B.雄安蘆葦畫C.蔚縣剪紙D.唐山驢皮皮影2.NA是阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法錯誤的是A.1mol乙二醇中采取sp3雜化的原子總數(shù)為2NAB.標準狀況下,11.2L乙炔中π鍵的數(shù)目為NAC.31gP4分子中孤電子對數(shù)為NAD.1mol[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2+中配位鍵的數(shù)目為6NA3.一種名貴寶石的主要成分是由原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素X、Y、Z、W組成,其中X、Z為金屬元素,X的質(zhì)子數(shù)等于W的最外層電子數(shù),Y、W的最外層電子數(shù)之和是X、Z最外層電子數(shù)之和的2倍,Y單質(zhì)是空氣的主要成分之一。下列有關(guān)說法正確的是A.X的氫氧化物易溶于水B.X、Z位于同一主族C.X、W的氯化物中各原子均為8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)D.Y、Z的第一電離能均小于同周期相鄰兩種元素4.短周期元素X、Y、M原子半徑依次減小,M與X、Y位于不同周期,它們組成的某離子液體陽離子結(jié)構(gòu)如圖所示。下列有關(guān)說法錯誤的是A.X元素的單質(zhì),既可能是共價晶體,也可能是分子晶體B.Y的簡單氫化物既可溶于水,又可溶于甲醇C.X的簡單氫化物的空間結(jié)構(gòu)為正四面體D.X、Y均可與O形成原子個數(shù)比1∶2的酸性氧化物5.某化合物的分子結(jié)構(gòu)如圖所示,其中G、X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次遞增的短周期主族元素,G、Y、W位于不同周期。下列說法錯誤的是A.原子半徑:Z>W(wǎng)>Y>GB.沸點:XY2>XZ2C.G2XY分子和G2Y分子之間可以形成氫鍵D.該化合物中X、Y、Z、W原子均滿足8電子結(jié)構(gòu)6.下列儀器或裝置能實現(xiàn)相應實驗目的的是A.用圖Ⅰ所示操作測定NaOH溶液的物質(zhì)的量濃度B.用圖Ⅱ所示裝置為鍍件鍍銅C.用圖Ⅲ所示裝置在實驗室中制取Cl2D.用圖Ⅳ所示裝置干燥SO27.現(xiàn)代宇宙學理論認為現(xiàn)今的宇宙起源于一次“大爆炸”,該過程中發(fā)生“碳燃燒”形成了其他元素,可表示為12C+12C→aX+γ(γ為高能量光子),12C+12C→bY+1H,12C+12C→cZ+4He,下列說法錯誤的是A.a(chǎn)=24B.Y的基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s1C.cZ是20OD.金屬性:X<Y8.一種利用水催化促進NO2和SO2轉(zhuǎn)化的化學機制如圖所示,電子傳遞可以促進HSOeq\o\al(-,3)中O—H鍵的解離,進而形成中間體SOeq\o\al(-,3),通過“水分子橋”,處于納米液滴中的HSOeq\o\al(-,3)可以將電子快速轉(zhuǎn)移給周圍的氣相NO2分子。下列敘述正確的是A.圖示中分子、離子之間以范德華力結(jié)合形成“水分子橋”B.HSOeq\o\al(-,3)中O—H鍵的解離可表示為HSOeq\o\al(-,3)=H++e-+SOeq\o\al(-,3)C.SOeq\o\al(-,3)中S和O均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)D.總反應的離子方程式為HSOeq\o\al(-,3)+NO2+H2O=HNO2+HSOeq\o\al(-,4)9.聚乙二醇(PEG)有良好的生物相容性,在水中可與H3O+形成氫鍵,由“中性聚合物”轉(zhuǎn)變?yōu)槌肿印熬垭娊赓|(zhì)”,下列說法錯誤的是A.PEG中C和O的雜化方式相同B.H3O+的VSEPR模型為四面體形C.鍵角:H2O>H3O+D.電負性:O>C>H10.下列裝置能達到實驗目的的是A.裝置甲:制備少量“84”消毒液B.裝置乙:除去Fe(OH)3膠體中的FeCl3C.裝置丙:電解飽和食鹽水并檢驗氣體產(chǎn)物D.裝置?。簻y定草酸溶液的濃度11.NiFe基催化劑是堿性條件下活性最高的催化劑之一,利用NiFe基催化劑自修復水氧化循環(huán)中FeOeq\o\al(2-,4)發(fā)生的一步反應為FeOeq\o\al(2-,4)+H2O——FeOOH+O2↑+OH-(未配平),下列說法正確的是A.FeOeq\o\al(2-,4)中鐵元素化合價的絕對值與基態(tài)鐵原子的價電子數(shù)相等B.反應中FeOOH是氧化產(chǎn)物C.生成22.4LO2時,轉(zhuǎn)移4mol電子D.FeOeq\o\al(2-,4)與H2O的化學計量數(shù)之比為2∶312.已知:溴(Br2)的沸點為59℃、CCl4的沸點為76.8℃。海水提溴中,可以用四氯化碳萃取濃溴水中的溴,分離溴和四氯化碳可采用減壓蒸餾,裝置如圖。下列說法正確的是A.可以用酒精燈加熱替代熱水浴B.毛細玻璃管起攪拌作用C.冷凝管能用球(或蛇)形冷凝管替換D.克氏蒸餾頭上彎管的作用是防止液體進入接收瓶13.磷化鋁可用紅磷和鋁燒制而成,水解釋放出PH3氣體,用作廣譜性熏蒸殺蟲劑。紅磷為無定型粉末,鋁為面心立方晶胞,磷化鋁的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖,下列說法錯誤的是A.P的第一電離能大于同周期相鄰元素B.PH3和AlP熔化時都破壞共價鍵C.Al片發(fā)生形變時金屬陽離子和自由電子間的作用力仍然存在D.鋁晶胞中鋁原子的配位數(shù)為12,磷化鋁晶胞中鋁原子的配位數(shù)為414.73號元素鉭(Ta)形成的晶體TaAs在室溫下?lián)碛谐叩目昭ㄟw移率和較低的電子遷移率,其長方體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法錯誤的是A.基態(tài)As原子核外N層有5種空間運動狀態(tài)不同的電子B.Ta是過渡金屬,位于d區(qū)C.As的配位數(shù)為6D.TaAs的晶體密度ρ=eq\f(4×256,a2bNA)×1021g·cm-3二、非選擇題:本題共4小題,共58分。15.(14分)三氯硅烷是一種\t"/item/%E4%B8%89%E6%B0%AF%E7%A1%85%E7%83%B7/_blank"無機化合物,化學式為SiHCl3,無色液體,沸點為31.8℃,熔點為-126.5℃,溶于苯、乙醚、庚烷等多數(shù)有機溶劑,易水解,主要用于制造硅酮化合物。實驗室根據(jù)反應Si+3HClSiHCl3+H2,利用如下裝置制備SiHCl3粗品(加熱及夾持裝置略)?;卮鹣铝袉栴}:(1)上述裝置依次連接的合理順序為:(通HCl氣體)→__________________(按氣流方向,用小寫字母表示,儀器可重復使用);儀器B的名稱為。(2)組裝好儀器后進行的操作為。(3)裝入藥品后,①通入HCl,②加熱管式爐,③通冷凝水,先后的順序為________(填數(shù)字),判斷制備反應結(jié)束的實驗現(xiàn)象是_____________________________。(4)裝置E中冰水浴的作用為,本實驗裝置的缺陷為。(5)已知電負性Cl>H>Si,SiHCl3水解的化學方程式為_______________。(6)采用如下方法測定溶有少量HCl的SiHCl3純度。m1g樣品經(jīng)水解、干燥等預處理過程得硅酸水合物后,經(jīng)過高溫灼燒、冷卻、稱量質(zhì)量為m2g,則樣品純度為___________%(用含m1、m2的代數(shù)式表示)。16.(14分)鎳、鈷、鎂的氫氧化物在化工生產(chǎn)中有著重要的應用。某褐鐵礦層紅土礦(其含有金屬元素為:Fe、Ni、Mg和少量Co),某工廠以此為原料,制備鎳、鈷、鎂的氫氧化物等產(chǎn)品的工藝流程如下:已知:①常溫下,相關(guān)金屬離子形成氫氧化物沉淀的pH范圍如下:金屬離子NM開始沉淀的pH9.6完全沉淀的pH11.1②Co(OH)2在空氣中可被氧化成CoO(OH)③“氧化”過程中,混合氣在金屬離子的催化作用下產(chǎn)生具有強氧化性的過一硫酸(H2SO5),過一硫酸(H2SO5)溶液中含硫微粒有HSO5-、SO52-回答下列問題:(1)“加壓酸浸”過程中,為增大褐鐵礦層紅土礦在硫酸中的浸出速率,可采取的措施為。(2)根據(jù)化合價判斷1molH2SO5中含有O-O單鍵的數(shù)目為;用石灰乳調(diào)節(jié)pH=4,M被H2SO5氧化為M,該反應的離子方程式為。(3)“氧化”過程中保持空氣通入速率不變,M(Ⅱ)氧化率與時間的關(guān)系如下。SO2體積分數(shù)為_______時,M(Ⅱ)氧化速率最大;繼續(xù)增大SO2體積分數(shù)時,M(Ⅱ)氧化速率減小的原因是_______。(4)“沉鈷鎳”過程中加入NaOH溶液,調(diào)節(jié)pH的范圍是,得到的Co(Ⅱ)在空氣中被氧化成Co(Ⅲ)的化學方程式為。(5)鈷鎳渣中鈷含量的測定:處理鈷鎳渣使Co(Ⅱ)完全被氧化成Co(Ⅲ),在稀硫酸中加入0.1000g處理后的樣品,待樣品完全溶解后加入足量KI固體。充分反應后,調(diào)節(jié)溶液pH=3~4、以淀粉作指示劑,用0.01000mol·L-1Na2S2O3標準液滴定至終點,消耗標準溶液25.00ml(已知:2Co3++2I-=2Co2++I2;I2+2S2O32-=2I-+S4O62-)。樣品中含Co(Ⅲ)元素的質(zhì)量分數(shù)為。17.(15分)硅是地殼中含量第二大的元素。(1)基態(tài)Si原子的價層電子排布式是____。地殼中的硅元素主要以硅酸鹽的形式存在,硅酸鹽的陰離子結(jié)構(gòu)豐富多樣,其中都含有“硅氧四面體”結(jié)構(gòu)單元如圖甲所示,可簡化為圖乙。硅氧四面體中,每個O連接____個Si,Si原子的雜化類型是____。硅氧四面體通過共用氧原子可形成鏈狀、環(huán)狀或網(wǎng)絡狀復雜陰離子,如圖丙和圖丁,則丙的化學式為______。丁中硅原子與氧原子個數(shù)比為_______。(2)單晶硅的晶胞為正方體,與金剛石的晶胞相似,圖中原子坐標參數(shù)A為(0,0,0),B為(,0,),C(,,0),如圖所示。圖中原子坐標參數(shù)D為,精確的阿伏加德羅常數(shù)是以高純的單晶28Si為樣品通過X射線衍射法測定的。測得相同條件下樣品的密度為ρg?cm-3,晶胞邊長為apm(1pm=10-10cm),則阿伏加德羅常數(shù)的表達式NA=____mol-1。(3)已知幾種常見化學鍵的鍵能如表:化學鍵Si—OH—OO=OSi—SiC—CSi—C鍵能/kJ·mol-1368467498226607x比較Si—Si鍵與Si—C鍵的鍵能大?。簒_________(填“>”“<”或“=”)226kJ·mol-1。能否(填“能”或“不能”)據(jù)此比較金剛石和單晶硅的熔點?若能,比較熔點高低。若不能,說明理由。18.(15分)中學常見物質(zhì)之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖,部分生成物省略。金屬M在潮濕的空氣中生銹有A生成。C、D是由短周期元素X、Y、Z中兩種組成的化合物,X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,在周期表中X的原子半徑最小,Y、Z的原子最外層電子數(shù)之和為10,D為無色非可燃性氣體,G為黃綠色氣體單質(zhì),J、M為常見金屬單質(zhì),I有漂白作用。請回答下列問題:寫出A的化學式:,金屬M在潮濕的空氣中生成A的化學方程式為:。(2)I的結(jié)構(gòu)式為,中心原子的雜化方式為。(3)與的鍵角大小關(guān)系為:(填化學式),原因是。(4)已知F在酸性條件下會發(fā)生歧化反應,請寫出該反應的離子方程式:。設計實驗證明M中含有F:。(5)在含有K和L的混合溶液中,檢驗K中金屬陽離子的方法為,發(fā)生反應的離子方程式為。(6)J、M和硫元素形成的某晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。該晶體密度為。

高三年級素養(yǎng)檢測一化學答案1.D解析:井陘木雕的制作材料主要是樹根,其主要成分是纖維素,A項錯誤;雄安蘆葦畫的制作材料是蘆葦,其主要成分是纖維素,B項錯誤;蔚縣剪紙的制作材料是紙,其主要成分是纖維素,C項錯誤;唐山驢皮皮影的制作材料是驢皮,其主要成分是蛋白質(zhì),D項正確。2.A解析:乙二醇中C、O原子均采取sp3雜化,所以1mol乙二醇中采取sp3雜化的原子總數(shù)為4NA,A項錯誤;一個乙炔分子中含2個π鍵,標準狀況下,11.2L的HC≡CH物質(zhì)的量為0.5mol,故π鍵數(shù)目為NA,B項正確;31gP4的物質(zhì)的量為0.25mol,其結(jié)構(gòu)為,每個P原子有一個孤電子對,所以31gP4中含孤電子對數(shù)為NA,C項正確;1mol[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2+中配位鍵的數(shù)目為6NA,D項正確。3.D解析:短周期主族元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增大,其中X、Z為金屬元素,Y單質(zhì)是空氣的主要成分之一,可知X為第二周期金屬元素,Z為第三周期金屬元素,Y為第二周期非金屬元素,W為第三周期非金屬元素。由“X的質(zhì)子數(shù)等于W的最外層電子數(shù)”可知,X為Be,W為Si。結(jié)合“Y、W的最外層電子數(shù)之和是X、Z最外層電子數(shù)之和的2倍”可知,X、Y、Z、W依次為Be、O、Al、Si。根據(jù)對角線規(guī)則可知Be(OH)2難溶于水,A項錯誤;Be位于第ⅡA族,Al位于第ⅢA族,B項錯誤;BeCl2中Be原子不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),C項錯誤;O的第一電離能小于同周期相鄰元素N、F,Al的第一電離能也小于同周期相鄰元素Mg、Si,D項正確。4.D解析:根據(jù)該陽離子中各原子成鍵數(shù)目可知,M為第ⅠA族或第ⅦA族元素,X為第ⅣA族元素,Y為第ⅤA族元素,X、Y可形成雙鍵,可知X為C,再結(jié)合“X、Y、M原子半徑依次減小,M與X、Y位于不同周期”推知,X、Y、M依次為C、N、H。C元素可形成多種單質(zhì),既可能是共價晶體:金剛石,也可能是分子晶體:C60,A項正確;N的簡單氫化物NH3與H2O、CH3OH間均可形成氫鍵,所以NH3既可溶于水,又可溶于甲醇,B項正確;X的簡單氫化物為CH4,空間結(jié)構(gòu)為正四面體,C項正確;CO2是酸性氧化物,NO2不是酸性氧化物,D項錯誤。5.B解析:根據(jù)各元素原子的成鍵特點,結(jié)合原子序數(shù)大小關(guān)系分析可知,G、X、Y、Z、W依次為H、C、O、S、Cl。則原子半徑由大到小的順序為S>Cl>O>H,A項正確;CO2和CS2組成與結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量:CO2<CS2,則范德華力:CO2<CS2,所以沸點:CO2<CS2,B項錯誤;G2XY為HCHO,G2Y為H2O,二者之間可以形成氫鍵,C項正確;由各元素的核外電子排布及其在該化合物中的成鍵特點可知,該化合物中C、O、S、Cl原子均滿足8電子結(jié)構(gòu),D項正確。6.A解析:測定NaOH溶液的物質(zhì)的量濃度時,需用標準鹽酸進行滴定,使用的裝置和操作如圖Ⅰ所示,A項正確;為鍍件鍍銅時,應使銅片作陽極,鍍件作陰極,B項錯誤;以MnO2和濃鹽酸為反應物制取Cl2時需要加熱,圖Ⅲ中缺少酒精燈,C項錯誤;堿石灰能與SO2發(fā)生反應,不能使用圖Ⅳ所示裝置干燥SO2,D項錯誤。7.C解析:根據(jù)“碳燃燒”過程中質(zhì)子總數(shù)和中子總數(shù)不變,結(jié)合“碳燃燒”的表達式可知,aX為24Mg,bY為23Na,cZ為20Ne。則a=24,A項正確;Y為Na,其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s1,B項正確;cZ不是20O,C項錯誤;金屬性:Mg<Na,D項正確。8.B解析:由圖可知,N、O原子的電負性大,與周圍其他分子(或離子)中的H原子之間形成氫鍵,分子、離子之間以氫鍵結(jié)合形成“水分子橋”,A項錯誤;由圖可知,HSOeq\o\al(-,3)中O—H鍵解離時生成e-和SOeq\o\al(-,3),根據(jù)質(zhì)量守恒可知,還會生成H+,則該過程可表示為HSOeq\o\al(-,3)=H++e-+SOeq\o\al(-,3),B項正確;根據(jù)O—H鍵的解離過程可知,SOeq\o\al(-,3)中的一個氧原子具有未成對電子,則該氧原子不可能滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),C項錯誤;由圖可知,HSOeq\o\al(-,3)與NO2發(fā)生的總反應的離子方程式為HSOeq\o\al(-,3)+2NO2+H2O=2HNO2+HSOeq\o\al(-,4),D項錯誤。9.C解析:PEG中C和O均采取sp3雜化,A項正確;H3O+的中心原子價層電子對數(shù)為4,孤電子對數(shù)為1,則其VSEPR模型為四面體形,B項正確;H2O和H3O+的中心原子雜化方式均為sp3,H2O中O有兩個孤電子對,H3O+中O有一個孤電子對,由于孤電子對與孤電子對之間的斥力大于孤電子對與σ鍵電子對之間的斥力,故鍵角:H3O+>H2O,C項錯誤;電負性:O>C>H,D項正確。10.D解析:MnO2和濃鹽酸反應需要加熱,A項錯誤;Fe(OH)3膠體粒子和Fe3+、Cl-都能透過濾紙,B項錯誤;電解飽和食鹽水時,陽極生成Cl2,用淀粉KI溶液檢驗,陰極生成H2,用向下排空氣法收集,C項錯誤;酸性KMnO4溶液有強氧化性,用酸式滴定管盛裝,且酸性KMnO4溶液呈紫色,可指示滴定終點,D項正確。11.D解析:FeOeq\o\al(2-,4)中鐵元素的化合價為+6價,基態(tài)鐵原子的價電子排布式為3d64s2,鐵元素化合價的絕對值與基態(tài)鐵原子的價電子數(shù)不相等,A項錯誤;反應中,鐵元素化合價降低,F(xiàn)eOOH是還原產(chǎn)物,B項錯誤;未注明溫度和壓強,不能確定O2的物質(zhì)的量,C項錯誤;配平后的化學方程式為4FeOeq\o\al(2-,4)+6H2O=4FeOOH+3O2↑+8OH-,則FeOeq\o\al(2-,4)與H2O的化學計量數(shù)之比為2∶3,D項正確。12.D解析:酒精燈直接加熱,不便于控制溫度,水浴加熱便于控制溫度,受熱更均勻,A項錯誤;毛細玻璃管的作用是防暴沸,B項錯誤;球形或蛇形冷凝管會殘留液體,不能替代直形冷凝管,C項錯誤;克氏蒸餾頭上彎管作用是防止減壓蒸餾過程中液體因劇烈沸騰而濺入冷凝管,D項正確。13.B解析:P的3p軌道半充滿不易失去電子,第一電離能大于同周期相鄰元素,A項正確;PH3、AlP為分子晶體,熔化時不破壞化學鍵,破壞分子間作用力,B項錯誤;金屬鍵沒有方向性,當金屬受到外力作用時,晶體中的各原子層發(fā)生相對滑動而不會被破壞,Al片發(fā)生形變時,金屬陽離子和自由電子間的作用力仍然存在,C項正確;鋁為面心立方晶胞,鋁原子的配位數(shù)是12,圖示磷化鋁晶胞中鋁原子的配位數(shù)為4,D項正確。14.A解析:基態(tài)As原子的價電子排布式為4s24p3,一個原子軌道即為一種空間運動狀態(tài),N層電子共4種空間運動狀態(tài),A項錯誤;Ta是73號元素,位于d區(qū),B項正確;由晶胞結(jié)構(gòu)可知,As和Ta的配位數(shù)均為6,C項正確;m(晶胞)=ρa2b×10-21=eq\f(4M,NA),則ρ=eq\f(4×256,a2bNA)×1021g·cm-3,D項正確。15.答案:(1)cdabghcdef(2分)球形冷凝管(1分)(2)檢查裝置氣密性(2分)(3)①③②或③①②(1分)當管式爐中沒有固體剩余時(2分)(4)冷凝三氯硅烷,便于收集(1分)缺少尾氣H2的處理裝置(1分)(5)SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2↑(2分)(6)(2分)解析:(1)氯化氫氣體通入濃硫酸干燥后,在管式爐中和硅在高溫下反應,生成三氯硅烷和氫氣,由于三氯硅烷沸點為31.8℃,熔點為-126.5℃,在球形冷凝管中可冷卻成液態(tài),在裝置E中收集起來,濃硫酸可以防止C中的水蒸氣進入E,防止SiHCl3水解,氣體則通過C裝置排出同時C可處理多余吸收的氯化氫氣體,燃著的酒精燈可以除去未反應的氫氣。所以連接的合理順序為:HCl氣體→cdabghcdef。儀器B的名稱為球形冷凝管(2)制備SiHCl3時,由于氯化氫、SiHCl3和氫氣都是氣體,所以組裝好裝置后,要先檢查裝置氣密性。(3)將硅粉置于管式爐中,通入氯化氫氣體,排出裝置中的空氣,一段時間后,接通冷凝裝置,加熱開始反應,當管式爐中沒有固體剩余時,即硅粉完全反應。(4)冰水浴的作用為冷凝三氯硅烷,便于收集;本實驗裝置的缺陷為缺少尾氣H2的處理裝置。(5)已知電負性Cl>H>Si,則SiHCl3中氯元素的化合價為-1,H元素的化合價為-1,硅元素化合價為+4,所以發(fā)生SiHCl3水解反應時,要發(fā)生氧化還原反應,得到氯化氫、硅酸和氫氣,化學方程式為:SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2↑。(3)m1g樣品經(jīng)水解,干燥等預處理過程得到硅酸水合物后,高溫灼燒,所得固體氧化物為二氧化硅,質(zhì)量為m2g,則二氧化硅的物質(zhì)的量為n(SiO2)=,樣品純度為=。16.答案:(1)適當升溫、攪拌、適當增大硫酸的濃度等(2分)(2)NA(1分)M+HSO5-+H2O=M(2分)(3)9.0%(1分)繼續(xù)增大SO2體積分數(shù)時,由于SO2有還原性,過多將會降低H2SO5的濃度,降低M(Ⅱ)氧化速率;(2分)(4)(2分)4Co(OH)2+O2=4CoO(OH)+2H20(2分)(5)14.75%(2分)解析:(1)“加壓酸浸”過程中,為增大褐鐵礦層紅土礦在硫酸中的浸出速率,可采取的措施為適當升溫、攪拌、適當增大硫酸的濃度等。(2)根據(jù)化合價判斷H2SO5分子含有2個-1價氧原子,所以1molH2SO5中含有O-O單鍵的數(shù)目為NA;用石灰乳調(diào)節(jié)pH=4,M被H2SO5氧化為M,該反應的離子方程式為:M+HSO5-+H2O=M(3)根據(jù)圖示可知SO2體積分數(shù)為9.0%時,M(Ⅱ)氧化速率最大;繼續(xù)增大SO2體積分數(shù)時,由于SO2有還原性,過多將會降低H2SO5的濃度,降低M(Ⅱ)氧化速率。(4)N完全沉淀的pH為9.2,MpH為9.6,故加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)至Co(Ⅱ)在空氣中被氧化成Co(Ⅲ)的化學方程式為:4Co(OH)2+O2=4CoO(OH)+2H2O(5)根據(jù)元素守恒和得失電子守恒可得關(guān)系式:2CoOOH~2Co3+~I?~2S2O32-;n[Co(Ⅲ)]=n(S2O52-)=c(S2O52-)×V(S2O52-)=0.01000mol·L-1×25.00mL×10?3L·mL?1=2.5000×10?4mol;m(Co樣品)=2.5000×10-4mol×59g·mol-1=1.475×10-2g;w=m[Co/m(樣品)]=1.475×10-2g/0.1000g×100%=14.75%17.(15分,除標注外,每空1分)(1)3s23p22sp3

Si6O1812-(2分)6:17(2分)(2)()(2分)×1030(2分)(3)>能金剛石的熔點高于單晶硅(2分)解析:(1)Si為14號元素,基態(tài)Si原子的核外電子排布式是1s22s22p23s23p2,因此基態(tài)Si原子的價層電子排布式是3s23p2;根據(jù)結(jié)構(gòu)圖

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