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備戰(zhàn)2024年高考化學(xué)易錯題(全國通用)易錯類型09物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(7大易錯點)含答案易錯類型09物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯點1不掌握原子核外電子排布原理易錯點2不掌握第一電離能和電負性的大小比較易錯點3不清楚化學(xué)鍵與分子間作用力易錯點4不會判斷分子中原子的雜化軌道類型易錯點5不能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測微粒的立體構(gòu)型易錯點6不能判斷晶體的化學(xué)式、晶體中原子的配位數(shù)、晶體類型易錯點7不能正確計算空間利用率和晶體密度易錯點1不掌握原子核外電子排布原理【分析】1.基態(tài)原子的核外電子排布(1)能量最低原理:電子盡可能地先占有能量低的軌道,然后進入能量高的軌道,使整個原子的能量處于最低狀態(tài)。所有電子排布規(guī)則都需要滿足能量最低原理。如圖為構(gòu)造原理示意圖,即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖:(2)泡利不相容原理:每個原子軌道里最多只能容納2個電子,且自旋狀態(tài)相反。如2s軌道上的電子排布為,不能表示為。(3)洪特規(guī)則:當電子排布在同一能級的不同軌道時,基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道,且自旋狀態(tài)相同,如2p3的電子排布為,不能表示為或。狀態(tài)時,體系的能量最低,如24Cr的基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1。2.基態(tài)原子核外電子排布的表示方法(1)電子排布式①概念:將軌道上所排布的電子數(shù)標注在該軌道符號右上角,并按照電子層從左到右的順序排列的式子。②表示方法:,如16S原子的電子排布式:1s22s22p63s23p4;再如26Fe:原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d64s2。③簡化電子排布式:把內(nèi)層電子已達到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分寫成“原子實”,以相應(yīng)稀有氣體的元素符號外加方括號表示,得到簡化的電子排布式。上述兩種原子的簡化電子排布式分別為[Ne]3s23p4、[Ar]3d64s2。④外圍電子排布式:簡化的電子排布式中省去相應(yīng)的稀有氣體的元素符號后剩下的部分。上述兩種原子的外圍電子排布式分別為3s23p4、3d64s2。(2)軌道表示式①概念:將每一個原子軌道用一個方框表示,在方框內(nèi)標明基態(tài)原子核外電子排布的式子稱為軌道表示式。②表示方法:,如O的基態(tài)原子的軌道表示式:;再如Na的基態(tài)原子的軌道表示式:。易錯點2不掌握第一電離能和電負性的大小比較【分析】1.電離能①第一電離能氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,符號:I1,單位:kJ·mol-1。②變化規(guī)律a.同周期:第一種元素的第一電離能最小,最后一種元素的第一電離能最大,總體呈現(xiàn)從左至右逐漸增大的變化趨勢。b.同族元素:從上至下第一電離能逐漸減小。c.同種原子:逐級電離能越來越eq\a\vs4\al(大)(即I1eq\a\vs4\al(<)I2eq\a\vs4\al(<)I3…)。③注意:a.金屬活動性順序與元素相應(yīng)的電離能大小順序不完全一致,故不能根據(jù)金屬活動性順序判斷電離能的大小。b.第二、三、四周期的同周期主族元素,第ⅡA族(ns2np0)和第ⅤA族(ns2np3),因p軌道處于全空或半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,所以其第一電離能大于同周期相鄰的第ⅢA族和第ⅥA族元素的,如第一電離能:Mg>Al,P>S。2.電負性①含義元素的原子在化合物中吸引鍵合電子能力的標度。元素的電負性越大,表示其原子在化合物中吸引鍵合電子的能力越強。②標準以最活潑的非金屬氟的電負性為4.0作為相對標準,計算得出其他元素的電負性(稀有氣體未計)③變化規(guī)律在元素周期表中,同周期從左至右,元素的電負性逐漸增大,同主族從上至下,元素的電負性逐漸減小易錯點3不清楚化學(xué)鍵與分子間作用力【分析】1.σ鍵和π鍵的比較a.兩個s軌道只能形成σ鍵,不能形成π鍵。b.兩個原子間可以只形成σ鍵,但不能只形成π鍵。c.σ鍵一般比π鍵強度大,表現(xiàn)在化學(xué)性質(zhì)的不同,通常含π鍵的物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)更活潑,如乙烯比乙烷更活潑。2.極性鍵和非極性鍵同種非金屬元素原子間形成的共價鍵為非極性鍵,不同種非金屬元素原子間形成的共價鍵為極性鍵。3.共價鍵和離子鍵只有兩原子的電負性相差不大時,才能形成共用電子對,形成共價鍵,當兩原子的電負性相差很大(大于1.7)時,不會形成共用電子對,而形成離子鍵。4.鍵參數(shù)①概念②鍵參數(shù)對分子性質(zhì)的影響鍵能越大,鍵長越短,分子越穩(wěn)定。5.分子間作用力(1)概念:物質(zhì)分子之間普遍存在的相互作用力,稱為分子間作用力。(2)分類:分子間作用力最常見的是范德華力和氫鍵。(3)強弱:范德華力<氫鍵<化學(xué)鍵。(4)范德華力主要影響物質(zhì)的熔點、沸點、硬度等物理性質(zhì)。范德華力越強,物質(zhì)的熔點、沸點越高,硬度越大。一般來說,組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨著相對分子質(zhì)量的增加,范德華力逐漸增大。(5)氫鍵①形成:已經(jīng)與電負性很強的原子形成共價鍵的氫原子(該氫原子幾乎為裸露的質(zhì)子)與另一個分子中電負性很強的原子之間的作用力,稱為氫鍵。②表示方法:A—H…B③特征:具有一定的方向性和飽和性。④分類:氫鍵包括分子內(nèi)氫鍵和分子間氫鍵兩種。⑤分子間氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響主要表現(xiàn)為使物質(zhì)的熔、沸點升高,對電離和溶解度等產(chǎn)生影響。6.分子的性質(zhì)(1)分子的極性類型非極性分子極性分子形成原因正電荷中心和負電荷中心重合的分子正電荷中心和負電荷中心不重合的分子存在的共價鍵非極性鍵或極性鍵非極性鍵或極性鍵分子內(nèi)原子排列對稱不對稱①非極性分子與極性分子的判斷eq\a\vs4\al(雙原子分子)eq\a\vs4\al(單質(zhì))eq\a\vs4\al(正負電荷中心重合)eq\a\vs4\al(非極性分子)eq\a\vs4\al(結(jié)構(gòu)對稱)eq\a\vs4\al(多原子分子)eq\a\vs4\al(結(jié)構(gòu)不對稱)eq\a\vs4\al(正負電荷中心不重合)eq\a\vs4\al(極性分子)eq\a\vs4\al(→)eq\a\vs4\al(化合物)②對于ABn型分子,一般情況下,若中心原子A的化合價的絕對值等于該元素所在的主族序數(shù),則該分子為非極性分子,否則為極性分子。③鍵的極性、分子空間構(gòu)型與分子極性的關(guān)系類型實例鍵的極性空間構(gòu)型分子極性X2H2、N2非極性鍵直線形非極性分子XYHCl、NO極性鍵直線形極性分子XY2(X2Y)CO2、CS2極性鍵直線形非極性分子SO2極性鍵eq\a\vs4\al(V)形極性分子H2O、H2S極性鍵eq\a\vs4\al(V)形極性分子XY3BF3極性鍵平面正三角形非極性分子NH3極性鍵三角錐形極性分子XY4CH4、CCl4極性鍵正四面體形非極性分子(2)分子的溶解性①“相似相溶”的規(guī)律:非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑。若能形成氫鍵,則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大,溶解性越好。②“相似相溶”還適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性,如乙醇和水互溶(C2H5OH和H2O中的羥基相近),而戊醇在水中的溶解度明顯減小。③“相似相溶”規(guī)律可用于解釋一些物質(zhì)溶解現(xiàn)象,如HCl(極性分子)易溶于H2O(極性溶劑),可做噴泉實驗;苯(非極性溶劑)可萃取水(極性溶劑)中的溴(非極性分子)。(3)分子的手性①手性異構(gòu):具有完全相同的組成和原子排列的一對分子,如同左手和右手一樣互為鏡像,在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。②手性分子:具有手性異構(gòu)體的分子。③手性碳原子:在有機物分子中,連有四個不同基團或原子的碳原子。含有手性碳原子的分子是手性分子,如。(4)無機含氧酸分子的酸性對于同一種元素的無機含氧酸來說,該元素的化合價越高,其含氧酸的酸性越強。如果把含氧酸的通式寫成(HO)mROn,R相同時,n值越大,R的正電性越高,R—O—H中的氧原子的電子就會越向R偏移,在水分子的作用下,就越容易電離出H+,酸性也就越強。如H2SO3可寫成(HO)2SO,n=1;H2SO4可寫成(HO)2SO2,n=2。所以酸性:H2SO4eq\a\vs4\al(>)H2SO3。同理,酸性:HNO3eq\a\vs4\al(>)HNO2,HClO4eq\a\vs4\al(>)HClO3eq\a\vs4\al(>)HClO2eq\a\vs4\al(>)HClO。易錯點4不會判斷分子中原子的雜化軌道類型【分析】判斷分子中心原子的雜化類型方法①根據(jù)雜化軌道的空間分布構(gòu)型判斷a.若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形,則分子的中心原子發(fā)生sp3雜化。b.若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形,則分子的中心原子發(fā)生sp2雜化。c.若雜化軌道在空間的分布呈直線形,則分子的中心原子發(fā)生sp雜化。②根據(jù)雜化軌道之間的夾角判斷若雜化軌道之間的夾角為109°28′,則分子的中心原子發(fā)生sp3雜化;若雜化軌道之間的夾角為120°,則分子的中心原子發(fā)生sp2雜化;若雜化軌道之間的夾角為180°,則分子的中心原子發(fā)生sp雜化。③根據(jù)等電子原理進行判斷如CO2是直線形分子,CNS-、Neq\o\al(-,3)與CO2是等電子體,所以分子構(gòu)型均為直線形,中心原子均采用sp雜化。④根據(jù)中心原子的價層電子對數(shù)判斷如中心原子的價層電子對數(shù)為4,是sp3雜化,為3是sp2雜化,為2是sp雜化。⑤根據(jù)分子或離子中有無π鍵及π鍵數(shù)目判斷如沒有π鍵為sp3雜化,含一個π鍵為sp2雜化,含兩個π鍵為sp雜化。易錯點5不能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測微粒的立體構(gòu)型【分析】易錯點6不能判斷晶體的化學(xué)式、晶體中原子的配位數(shù)、晶體類型【分析】1.晶胞結(jié)構(gòu)的分析(1)判斷某種微粒周圍等距且緊鄰的微粒數(shù)目時,要注意運用三維想象法。如NaCl晶體中,Na+周圍的Na+數(shù)目(Na+用“”表示):每個面上有4個,共計12個。(2)記住常見晶體如干冰、冰、金剛石、SiO2、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等的空間結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)特點。當題中信息給出的某種晶胞空間結(jié)構(gòu)與常見晶胞的空間結(jié)構(gòu)相同時,可以直接套用該種結(jié)構(gòu)。2.晶胞中微粒數(shù)目的計算方法——均攤法(1)原則:晶胞中任意位置上的一個原子如果是被n個晶胞所共有,那么,每個晶胞對這個原子分得的份額就是eq\f(1,n)。(2)方法A.長方體(包括立方體)晶胞中不同位置的微粒數(shù)的計算方法如圖所示:B.非長方體晶胞中粒子視具體情況而定:a.三棱柱b.六棱柱熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目。當題中信息給出的某種晶胞空間結(jié)構(gòu)與常見晶胞的空間結(jié)構(gòu)相同時,可以直接套用該種結(jié)構(gòu)。A.NaCl(含4個Na,4個Cl-)B.干冰(含4個CO2)C.CaF2(含4個Ca2+,8個F-)D.金剛石(含8個C)E.體心立方(含2個原子)F.面心立方(含4個原子)3.“均攤法”在晶胞組成計算中的應(yīng)用(1)計算一個晶胞中微粒的數(shù)目非平行六面體形晶胞中微粒數(shù)目的計算同樣可用“均攤法”,其關(guān)鍵仍是確定一個微粒為幾個晶胞所共有。例如,石墨晶胞:每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(1個碳原子)對六邊形的貢獻為eq\f(1,3),那么一個六邊形實際有6×eq\f(1,3)=2個碳原子。又如,六棱柱晶胞(MgB2晶胞)如圖:。頂點上的原子為6個晶胞(同層3個,上層或下層3個)共有,面上的原子為2個晶胞共有,因此鎂原子個數(shù)為12×eq\f(1,6)+2×eq\f(1,2)=3個,硼原子個數(shù)為6。(2)計算化學(xué)式(3)=1\*GB3①單位換算:1nm=10-7cm、1pm=10-10cm②金屬晶體中體心立方、面心立方堆積中的幾組公式(設(shè)棱長為a)a.面對角線長:eq\r(2)ab.體對角線長:eq\r(3)ac.體心立方堆積:4r=eq\r(3)a(r為原子半徑)d.面心立方堆積:4r=eq\r(2)a(r為原子半徑)4.晶胞中的配位數(shù)(1)概念:在晶體中某一個原子(離子)周圍所接觸到的同種原子(異性離子)的數(shù)目。如NaCl的晶胞模型如圖,Na+配位數(shù)為6,Cl-配位數(shù)為6。金屬Po為簡單立方堆積,Po的配位數(shù)為6金屬Na、K、Fe為體心立方堆積,配位數(shù)為8(2)晶胞中微粒配位數(shù)的確定方法5.判斷晶體類型的方法(1)主要是根據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷如低熔、沸點的化合物形成分子晶體;熔、沸點較高,且在水溶液中或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物形成離子晶體;熔、沸點很高,不導(dǎo)電,不溶于一般溶劑的物質(zhì)形成原子晶體;晶體能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的為金屬晶體。(2)根據(jù)物質(zhì)的類別判斷金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強堿(如NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體;大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外)、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機物(除有機鹽外)是分子晶體。常見的共價晶體中單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等;常見的共價晶體中化合物有碳化硅、二氧化硅等。金屬單質(zhì)(注:汞在常溫為液體)與合金是金屬晶體。易錯點7不能正確計算空間利用率和晶體密度【分析】1.空間利用率(η)(1)概念:指構(gòu)成晶體的原子、離子或分子總體積在整個晶體空間中所占有的體積百分比。(2)金屬晶體空間利用率空間利用率=eq\f(球體積,晶胞體積)×100%,球體積為金屬原子的總體積。(3)空間利用率的計算①簡單立方堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含一個原子。η=eq\f(1×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(1×\f(4,3)πR3,2R3)×100%≈52.36%。②體心立方堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞體對角線方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=eq\f(4\r(3),3)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含兩個原子。η=eq\f(2×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(2×\f(4,3)πR3,\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(4\r(3)R,3)))3)×100%≈68.02%。③面心立方最密堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞面對角線方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=2eq\r(2)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含四個原子。η=eq\f(4×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(4×\f(4,3)πR3,2\r(2)R3)×100%≈74.05%。④六方最密堆積設(shè)原子半徑為R,根據(jù)原子在晶胞中的相切關(guān)系,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=2R,c=eq\f(2\r(6),3)a≈1.633a,α=β=90°,γ=120°。每個晶胞中包含兩個原子。η=eq\f(2×\f(4,3)πR3,a×\f(\r(3)a,2)×c)×100%=eq\f(2×\f(4,3)πR3,2R×\r(3)R×1.633×2R)×100%≈74.05%。⑤金剛石型堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞體對角線方向上相切(相鄰兩個碳原子之間的距離為晶胞體對角線的四分之一),可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=eq\f(8\r(3),3)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含八個原子。η=eq\f(8×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(8×\f(4,3)πR3,\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(8\r(3)R,3)))3)×100%≈34.01%。2.晶體密度的計算(1)計算晶胞的質(zhì)量,進而計算晶體的密度計算公式:ρ=eq\f(N·M,NA·V)。式中N與晶胞的組成有關(guān),M為晶體的摩爾質(zhì)量,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,V為晶胞的體積,其單位為cm3,ρ為晶體的密度,其單位為g·cm-3。(2)計算晶胞中微粒間的距離或晶胞參數(shù)立方晶胞參數(shù)a=eq\r(3,\f(N·M,NA·ρ))。(3)長度算關(guān)系式:1nm=1×10-7cm;1pm=1×10-10cm1.(2023春·北京東城·高三北京二中??奸_學(xué)考試)下列說法中不正確的是A.X射線衍射實驗可以區(qū)分晶體和非晶體,也可以獲得晶體的鍵長和鍵角的數(shù)值B.價層電子對互斥模型一般不用于預(yù)測以過渡金屬為中心原子的分子空間結(jié)構(gòu)C.雜化軌道用于形成σ鍵或用來容納未參與成鍵的孤電子對,未參與雜化的p軌道可用于形成π鍵D.鏈一元有機酸(R-是直鏈烷基)中,烷基是推電子基團,烷基越長羧酸的酸性越強2.(2023·廣東梅州·統(tǒng)考模擬預(yù)測)下列事實與解釋或結(jié)論不相符的是選項事實解釋或結(jié)論A苯不能使酸性高錳酸鉀溶液褪色苯分子中含有大π鍵而沒有碳碳雙鍵,大π鍵穩(wěn)定性較強B是極性分子中只含有極性鍵C鍵角:水分子中O的孤電子對數(shù)比氨分子中N的多D取2mL0.5溶液于試管中,進行加熱,發(fā)現(xiàn)溶液顏色變?yōu)辄S綠色;后將試管置于冷水中,溶液顏色又由黃綠色轉(zhuǎn)變?yōu)樗{綠色溶液中存在以下平衡:
,在其他條件不變時,升高溫度,平衡向吸熱反應(yīng)方向移動,降低溫度,平衡向放熱反應(yīng)方向移動3.(2023·重慶·統(tǒng)考模擬預(yù)測)三星堆遺址出土了大量的青銅器,其主要成分為Cu、Sn、Pb,還含少量Fe、As、O等元素。對上述有關(guān)元素,下列說法正確的是A.基態(tài)Cu原子的價層電子軌道表示式為B.基態(tài)Fe原子最高能級的軌道形狀為啞鈴形C.第一電離能最大的是AsD.電負性最大的是O4.(2023秋·天津·高三校聯(lián)考期末)下列表述不正確的是A.離子化合物的電子式:B.空間結(jié)構(gòu)為平面正三角形C.等物質(zhì)的量的和中σ鍵數(shù)之比為3∶2D.不能作為配合物的配位體5.(2023·廣東湛江·統(tǒng)考一模)硅與碳同主族,是構(gòu)成地殼的主要元素之一,下列說法正確的是A.單質(zhì)硅和金剛石中的鍵能:B.和中化合價均為-4價C.中Si原子的雜化方式為spD.碳化硅硬度很大,屬于分子晶體6.三氟化氯()是極強助燃劑,能發(fā)生自耦電離:,其分子的空間構(gòu)型如圖,下列推測合理的是A.分子的中心原子雜化軌道類型為B.與反應(yīng)生成和C.分子是含有極性鍵的非極性分子D.比更易發(fā)生自耦電離7.(2023·浙江嘉興·統(tǒng)考二模)(三氟化硼)熔點-127℃,沸點-100℃,水解生成(硼酸,結(jié)構(gòu)如圖)和(氟硼酸),與氨氣相遇立即生成白色的(氨合三氟化硼)固體。下列說法不正確的是A.和中心硼原子雜化方式不同B.晶體含有6mol氫鍵C.顯酸性原因:D.結(jié)構(gòu)式為8.(2023·遼寧·校聯(lián)考二模)Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu),其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞的邊長為apm)下列說法錯誤的是A.字母B表示氧離子,配位數(shù)是8B.若晶胞中M的坐標為(0,0,0),則P的坐標為(,,)C.A處于B圍成的正八面體空隙中D.晶胞中A與B的最短距離為cm9.(2023·湖南·校聯(lián)考二模)一種鈷的氧化物在納米儲能領(lǐng)域研究廣泛,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(白球為Co,黑球為O),已知該晶胞參數(shù)為,阿伏伽德羅常數(shù)為。下列說法錯誤的是A.該晶體的化學(xué)式為CoO B.基態(tài)Co原子有3個未成對電子C.與O原子最近且等距離的O原子有12個 D.氧化物的摩爾體積10.(2023·湖南衡陽·校聯(lián)考二模)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)是一種重要的結(jié)構(gòu)形式,若選擇作為晶胞原點,其立方晶胞如圖所示(邊長為)。下列關(guān)于該晶體的說法錯誤的是A.該晶胞中三種原子個數(shù)比為1∶1∶3B.晶胞中的配位數(shù)是6C.該晶體的密度為D.若選擇作為晶胞原點畫出晶胞,則晶胞中的位于體心的位置11.(2023·重慶渝中·高三重慶巴蜀中學(xué)校考階段練習(xí))一種新型鋰鹽結(jié)構(gòu)如圖所示,已知該鋰鹽中所有元素處于同一周期,下列敘述不正確的是A.原子半徑:X>Z B.第一電離能:Li<YC.W與X、Z都可以形成非極性分子 D.簡單氫化物的沸點:W>Y>Z12.(2023·黑龍江哈爾濱·哈爾濱三中校考二模)鋰離子電池的正負極一般采用可逆嵌鋰-脫鋰的材料。尖晶石結(jié)構(gòu)的LiMn2O4是一種常用的正極材料。已知一種LiMn2O4晶胞可看成由A、B單元按III方式交替排布構(gòu)成,“○”表示O2?。下列說法不正確的是A.充電時,LiMn2O4電極發(fā)生電極反應(yīng)LiMn2O4?xe-=Li1?xMn2O4+xLi+B.充電和放電時,LiMn2O4電極的電勢均高于電池另一極C.“●”表示的微粒是MnD.每個LiMn2O4晶胞轉(zhuǎn)化為Li1?xMn2O4時轉(zhuǎn)移8x個電子13.(2023·山東棗莊·統(tǒng)考二模)砷化鎵是一種立方晶系如圖甲所示,將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料如圖乙所示,砷化鎵的晶胞參數(shù)為xpm,密度為。下列說法錯誤的是A.砷化鎵中配位鍵的數(shù)目是B.Ga和As的最近距離是C.沿體對角線a→b方向投影圖如丙,若c在11處,則As的位置為7、9、11、13D.Mn摻雜到砷化鎵晶體中,和Mn最近且等距離的As的數(shù)目為6易錯類型09物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯點1不掌握原子核外電子排布原理易錯點2不掌握第一電離能和電負性的大小比較易錯點3不清楚化學(xué)鍵與分子間作用力易錯點4不會判斷分子中原子的雜化軌道類型易錯點5不能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測微粒的立體構(gòu)型易錯點6不能判斷晶體的化學(xué)式、晶體中原子的配位數(shù)、晶體類型易錯點7不能正確計算空間利用率和晶體密度易錯點1不掌握原子核外電子排布原理【分析】1.基態(tài)原子的核外電子排布(1)能量最低原理:電子盡可能地先占有能量低的軌道,然后進入能量高的軌道,使整個原子的能量處于最低狀態(tài)。所有電子排布規(guī)則都需要滿足能量最低原理。如圖為構(gòu)造原理示意圖,即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖:(2)泡利不相容原理:每個原子軌道里最多只能容納2個電子,且自旋狀態(tài)相反。如2s軌道上的電子排布為,不能表示為。(3)洪特規(guī)則:當電子排布在同一能級的不同軌道時,基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道,且自旋狀態(tài)相同,如2p3的電子排布為,不能表示為或。狀態(tài)時,體系的能量最低,如24Cr的基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1。2.基態(tài)原子核外電子排布的表示方法(1)電子排布式①概念:將軌道上所排布的電子數(shù)標注在該軌道符號右上角,并按照電子層從左到右的順序排列的式子。②表示方法:,如16S原子的電子排布式:1s22s22p63s23p4;再如26Fe:原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d64s2。③簡化電子排布式:把內(nèi)層電子已達到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分寫成“原子實”,以相應(yīng)稀有氣體的元素符號外加方括號表示,得到簡化的電子排布式。上述兩種原子的簡化電子排布式分別為[Ne]3s23p4、[Ar]3d64s2。④外圍電子排布式:簡化的電子排布式中省去相應(yīng)的稀有氣體的元素符號后剩下的部分。上述兩種原子的外圍電子排布式分別為3s23p4、3d64s2。(2)軌道表示式①概念:將每一個原子軌道用一個方框表示,在方框內(nèi)標明基態(tài)原子核外電子排布的式子稱為軌道表示式。②表示方法:,如O的基態(tài)原子的軌道表示式:;再如Na的基態(tài)原子的軌道表示式:。易錯點2不掌握第一電離能和電負性的大小比較【分析】1.電離能①第一電離能氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,符號:I1,單位:kJ·mol-1。②變化規(guī)律a.同周期:第一種元素的第一電離能最小,最后一種元素的第一電離能最大,總體呈現(xiàn)從左至右逐漸增大的變化趨勢。b.同族元素:從上至下第一電離能逐漸減小。c.同種原子:逐級電離能越來越eq\a\vs4\al(大)(即I1eq\a\vs4\al(<)I2eq\a\vs4\al(<)I3…)。③注意:a.金屬活動性順序與元素相應(yīng)的電離能大小順序不完全一致,故不能根據(jù)金屬活動性順序判斷電離能的大小。b.第二、三、四周期的同周期主族元素,第ⅡA族(ns2np0)和第ⅤA族(ns2np3),因p軌道處于全空或半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,所以其第一電離能大于同周期相鄰的第ⅢA族和第ⅥA族元素的,如第一電離能:Mg>Al,P>S。2.電負性①含義元素的原子在化合物中吸引鍵合電子能力的標度。元素的電負性越大,表示其原子在化合物中吸引鍵合電子的能力越強。②標準以最活潑的非金屬氟的電負性為4.0作為相對標準,計算得出其他元素的電負性(稀有氣體未計)③變化規(guī)律在元素周期表中,同周期從左至右,元素的電負性逐漸增大,同主族從上至下,元素的電負性逐漸減小易錯點3不清楚化學(xué)鍵與分子間作用力【分析】1.σ鍵和π鍵的比較a.兩個s軌道只能形成σ鍵,不能形成π鍵。b.兩個原子間可以只形成σ鍵,但不能只形成π鍵。c.σ鍵一般比π鍵強度大,表現(xiàn)在化學(xué)性質(zhì)的不同,通常含π鍵的物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)更活潑,如乙烯比乙烷更活潑。2.極性鍵和非極性鍵同種非金屬元素原子間形成的共價鍵為非極性鍵,不同種非金屬元素原子間形成的共價鍵為極性鍵。3.共價鍵和離子鍵只有兩原子的電負性相差不大時,才能形成共用電子對,形成共價鍵,當兩原子的電負性相差很大(大于1.7)時,不會形成共用電子對,而形成離子鍵。4.鍵參數(shù)①概念②鍵參數(shù)對分子性質(zhì)的影響鍵能越大,鍵長越短,分子越穩(wěn)定。5.分子間作用力(1)概念:物質(zhì)分子之間普遍存在的相互作用力,稱為分子間作用力。(2)分類:分子間作用力最常見的是范德華力和氫鍵。(3)強弱:范德華力<氫鍵<化學(xué)鍵。(4)范德華力主要影響物質(zhì)的熔點、沸點、硬度等物理性質(zhì)。范德華力越強,物質(zhì)的熔點、沸點越高,硬度越大。一般來說,組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨著相對分子質(zhì)量的增加,范德華力逐漸增大。(5)氫鍵①形成:已經(jīng)與電負性很強的原子形成共價鍵的氫原子(該氫原子幾乎為裸露的質(zhì)子)與另一個分子中電負性很強的原子之間的作用力,稱為氫鍵。②表示方法:A—H…B③特征:具有一定的方向性和飽和性。④分類:氫鍵包括分子內(nèi)氫鍵和分子間氫鍵兩種。⑤分子間氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響主要表現(xiàn)為使物質(zhì)的熔、沸點升高,對電離和溶解度等產(chǎn)生影響。6.分子的性質(zhì)(1)分子的極性類型非極性分子極性分子形成原因正電荷中心和負電荷中心重合的分子正電荷中心和負電荷中心不重合的分子存在的共價鍵非極性鍵或極性鍵非極性鍵或極性鍵分子內(nèi)原子排列對稱不對稱①非極性分子與極性分子的判斷eq\a\vs4\al(雙原子分子)eq\a\vs4\al(單質(zhì))eq\a\vs4\al(正負電荷中心重合)eq\a\vs4\al(非極性分子)eq\a\vs4\al(結(jié)構(gòu)對稱)eq\a\vs4\al(多原子分子)eq\a\vs4\al(結(jié)構(gòu)不對稱)eq\a\vs4\al(正負電荷中心不重合)eq\a\vs4\al(極性分子)eq\a\vs4\al(→)eq\a\vs4\al(化合物)②對于ABn型分子,一般情況下,若中心原子A的化合價的絕對值等于該元素所在的主族序數(shù),則該分子為非極性分子,否則為極性分子。③鍵的極性、分子空間構(gòu)型與分子極性的關(guān)系類型實例鍵的極性空間構(gòu)型分子極性X2H2、N2非極性鍵直線形非極性分子XYHCl、NO極性鍵直線形極性分子XY2(X2Y)CO2、CS2極性鍵直線形非極性分子SO2極性鍵eq\a\vs4\al(V)形極性分子H2O、H2S極性鍵eq\a\vs4\al(V)形極性分子XY3BF3極性鍵平面正三角形非極性分子NH3極性鍵三角錐形極性分子XY4CH4、CCl4極性鍵正四面體形非極性分子(2)分子的溶解性①“相似相溶”的規(guī)律:非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑。若能形成氫鍵,則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大,溶解性越好。②“相似相溶”還適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性,如乙醇和水互溶(C2H5OH和H2O中的羥基相近),而戊醇在水中的溶解度明顯減小。③“相似相溶”規(guī)律可用于解釋一些物質(zhì)溶解現(xiàn)象,如HCl(極性分子)易溶于H2O(極性溶劑),可做噴泉實驗;苯(非極性溶劑)可萃取水(極性溶劑)中的溴(非極性分子)。(3)分子的手性①手性異構(gòu):具有完全相同的組成和原子排列的一對分子,如同左手和右手一樣互為鏡像,在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。②手性分子:具有手性異構(gòu)體的分子。③手性碳原子:在有機物分子中,連有四個不同基團或原子的碳原子。含有手性碳原子的分子是手性分子,如。(4)無機含氧酸分子的酸性對于同一種元素的無機含氧酸來說,該元素的化合價越高,其含氧酸的酸性越強。如果把含氧酸的通式寫成(HO)mROn,R相同時,n值越大,R的正電性越高,R—O—H中的氧原子的電子就會越向R偏移,在水分子的作用下,就越容易電離出H+,酸性也就越強。如H2SO3可寫成(HO)2SO,n=1;H2SO4可寫成(HO)2SO2,n=2。所以酸性:H2SO4eq\a\vs4\al(>)H2SO3。同理,酸性:HNO3eq\a\vs4\al(>)HNO2,HClO4eq\a\vs4\al(>)HClO3eq\a\vs4\al(>)HClO2eq\a\vs4\al(>)HClO。易錯點4不會判斷分子中原子的雜化軌道類型【分析】判斷分子中心原子的雜化類型方法①根據(jù)雜化軌道的空間分布構(gòu)型判斷a.若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形,則分子的中心原子發(fā)生sp3雜化。b.若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形,則分子的中心原子發(fā)生sp2雜化。c.若雜化軌道在空間的分布呈直線形,則分子的中心原子發(fā)生sp雜化。②根據(jù)雜化軌道之間的夾角判斷若雜化軌道之間的夾角為109°28′,則分子的中心原子發(fā)生sp3雜化;若雜化軌道之間的夾角為120°,則分子的中心原子發(fā)生sp2雜化;若雜化軌道之間的夾角為180°,則分子的中心原子發(fā)生sp雜化。③根據(jù)等電子原理進行判斷如CO2是直線形分子,CNS-、Neq\o\al(-,3)與CO2是等電子體,所以分子構(gòu)型均為直線形,中心原子均采用sp雜化。④根據(jù)中心原子的價層電子對數(shù)判斷如中心原子的價層電子對數(shù)為4,是sp3雜化,為3是sp2雜化,為2是sp雜化。⑤根據(jù)分子或離子中有無π鍵及π鍵數(shù)目判斷如沒有π鍵為sp3雜化,含一個π鍵為sp2雜化,含兩個π鍵為sp雜化。易錯點5不能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測微粒的立體構(gòu)型【分析】易錯點6不能判斷晶體的化學(xué)式、晶體中原子的配位數(shù)、晶體類型【分析】1.晶胞結(jié)構(gòu)的分析(1)判斷某種微粒周圍等距且緊鄰的微粒數(shù)目時,要注意運用三維想象法。如NaCl晶體中,Na+周圍的Na+數(shù)目(Na+用“”表示):每個面上有4個,共計12個。(2)記住常見晶體如干冰、冰、金剛石、SiO2、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等的空間結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)特點。當題中信息給出的某種晶胞空間結(jié)構(gòu)與常見晶胞的空間結(jié)構(gòu)相同時,可以直接套用該種結(jié)構(gòu)。2.晶胞中微粒數(shù)目的計算方法——均攤法(1)原則:晶胞中任意位置上的一個原子如果是被n個晶胞所共有,那么,每個晶胞對這個原子分得的份額就是eq\f(1,n)。(2)方法A.長方體(包括立方體)晶胞中不同位置的微粒數(shù)的計算方法如圖所示:B.非長方體晶胞中粒子視具體情況而定:a.三棱柱b.六棱柱熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目。當題中信息給出的某種晶胞空間結(jié)構(gòu)與常見晶胞的空間結(jié)構(gòu)相同時,可以直接套用該種結(jié)構(gòu)。A.NaCl(含4個Na,4個Cl-)B.干冰(含4個CO2)C.CaF2(含4個Ca2+,8個F-)D.金剛石(含8個C)E.體心立方(含2個原子)F.面心立方(含4個原子)3.“均攤法”在晶胞組成計算中的應(yīng)用(1)計算一個晶胞中微粒的數(shù)目非平行六面體形晶胞中微粒數(shù)目的計算同樣可用“均攤法”,其關(guān)鍵仍是確定一個微粒為幾個晶胞所共有。例如,石墨晶胞:每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(1個碳原子)對六邊形的貢獻為eq\f(1,3),那么一個六邊形實際有6×eq\f(1,3)=2個碳原子。又如,六棱柱晶胞(MgB2晶胞)如圖:。頂點上的原子為6個晶胞(同層3個,上層或下層3個)共有,面上的原子為2個晶胞共有,因此鎂原子個數(shù)為12×eq\f(1,6)+2×eq\f(1,2)=3個,硼原子個數(shù)為6。(2)計算化學(xué)式(3)=1\*GB3①單位換算:1nm=10-7cm、1pm=10-10cm②金屬晶體中體心立方、面心立方堆積中的幾組公式(設(shè)棱長為a)a.面對角線長:eq\r(2)ab.體對角線長:eq\r(3)ac.體心立方堆積:4r=eq\r(3)a(r為原子半徑)d.面心立方堆積:4r=eq\r(2)a(r為原子半徑)4.晶胞中的配位數(shù)(1)概念:在晶體中某一個原子(離子)周圍所接觸到的同種原子(異性離子)的數(shù)目。如NaCl的晶胞模型如圖,Na+配位數(shù)為6,Cl-配位數(shù)為6。金屬Po為簡單立方堆積,Po的配位數(shù)為6金屬Na、K、Fe為體心立方堆積,配位數(shù)為8(2)晶胞中微粒配位數(shù)的確定方法5.判斷晶體類型的方法(1)主要是根據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷如低熔、沸點的化合物形成分子晶體;熔、沸點較高,且在水溶液中或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物形成離子晶體;熔、沸點很高,不導(dǎo)電,不溶于一般溶劑的物質(zhì)形成原子晶體;晶體能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的為金屬晶體。(2)根據(jù)物質(zhì)的類別判斷金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強堿(如NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體;大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外)、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機物(除有機鹽外)是分子晶體。常見的共價晶體中單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等;常見的共價晶體中化合物有碳化硅、二氧化硅等。金屬單質(zhì)(注:汞在常溫為液體)與合金是金屬晶體。易錯點7不能正確計算空間利用率和晶體密度【分析】1.空間利用率(η)(1)概念:指構(gòu)成晶體的原子、離子或分子總體積在整個晶體空間中所占有的體積百分比。(2)金屬晶體空間利用率空間利用率=eq\f(球體積,晶胞體積)×100%,球體積為金屬原子的總體積。(3)空間利用率的計算①簡單立方堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含一個原子。η=eq\f(1×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(1×\f(4,3)πR3,2R3)×100%≈52.36%。②體心立方堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞體對角線方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=eq\f(4\r(3),3)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含兩個原子。η=eq\f(2×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(2×\f(4,3)πR3,\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(4\r(3)R,3)))3)×100%≈68.02%。③面心立方最密堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞面對角線方向上相切,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=2eq\r(2)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含四個原子。η=eq\f(4×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(4×\f(4,3)πR3,2\r(2)R3)×100%≈74.05%。④六方最密堆積設(shè)原子半徑為R,根據(jù)原子在晶胞中的相切關(guān)系,可以計算出晶胞參數(shù):a=b=2R,c=eq\f(2\r(6),3)a≈1.633a,α=β=90°,γ=120°。每個晶胞中包含兩個原子。η=eq\f(2×\f(4,3)πR3,a×\f(\r(3)a,2)×c)×100%=eq\f(2×\f(4,3)πR3,2R×\r(3)R×1.633×2R)×100%≈74.05%。⑤金剛石型堆積設(shè)原子半徑為R,由于原子在晶胞體對角線方向上相切(相鄰兩個碳原子之間的距離為晶胞體對角線的四分之一),可以計算出晶胞參數(shù):a=b=c=eq\f(8\r(3),3)R,α=β=γ=90°。每個晶胞中包含八個原子。η=eq\f(8×\f(4,3)πR3,a3)×100%=eq\f(8×\f(4,3)πR3,\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(8\r(3)R,3)))3)×100%≈34.01%。2.晶體密度的計算(1)計算晶胞的質(zhì)量,進而計算晶體的密度計算公式:ρ=eq\f(N·M,NA·V)。式中N與晶胞的組成有關(guān),M為晶體的摩爾質(zhì)量,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,V為晶胞的體積,其單位為cm3,ρ為晶體的密度,其單位為g·cm-3。(2)計算晶胞中微粒間的距離或晶胞參數(shù)立方晶胞參數(shù)a=eq\r(3,\f(N·M,NA·ρ))。(3)長度算關(guān)系式:1nm=1×10-7cm;1pm=1×10-10cm1.(2023春·北京東城·高三北京二中??奸_學(xué)考試)下列說法中不正確的是A.X射線衍射實驗可以區(qū)分晶體和非晶體,也可以獲得晶體的鍵長和鍵角的數(shù)值B.價層電子對互斥模型一般不用于預(yù)測以過渡金屬為中心原子的分子空間結(jié)構(gòu)C.雜化軌道用于形成σ鍵或用來容納未參與成鍵的孤電子對,未參與雜化的p軌道可用于形成π鍵D.鏈一元有機酸(R-是直鏈烷基)中,烷基是推電子基團,烷基越長羧酸的酸性越強【答案】D【解析】A.通過晶體X射線衍射實驗可以區(qū)分晶體和非晶體,也可以獲得晶體的鍵長和鍵角的數(shù),故A正確;B.價層電子對互斥模型可用來預(yù)測分子的立體結(jié)構(gòu),以過渡金屬為中心原子形成的分子結(jié)構(gòu)復(fù)雜,價層電子對互斥模型一般不能用于預(yù)測以過渡金屬為中心原子的分子空間結(jié)構(gòu),故B正確;C.雜化軌道用于形成σ鍵或用來容納未參與成鍵的孤電子對,未參與雜化的p軌道可用于形成π鍵,故C正確;D.烷基是推電子基團,烷基越長推電子效應(yīng)越大,使羧基中的羥基的極性越小,羧酸的酸性越弱,故D錯誤;故選D。2.(2023·廣東梅州·統(tǒng)考模擬預(yù)測)下列事實與解釋或結(jié)論不相符的是選項事實解釋或結(jié)論A苯不能使酸性高錳酸鉀溶液褪色苯分子中含有大π鍵而沒有碳碳雙鍵,大π鍵穩(wěn)定性較強B是極性分子中只含有極性鍵C鍵角:水分子中O的孤電子對數(shù)比氨分子中N的多D取2mL0.5溶液于試管中,進行加熱,發(fā)現(xiàn)溶液顏色變?yōu)辄S綠色;后將試管置于冷水中,溶液顏色又由黃綠色轉(zhuǎn)變?yōu)樗{綠色溶液中存在以下平衡:
,在其他條件不變時,升高溫度,平衡向吸熱反應(yīng)方向移動,降低溫度,平衡向放熱反應(yīng)方向移動【答案】B【解析】A.苯分子中含有大π鍵而沒有碳碳雙鍵,大π鍵穩(wěn)定性較強,不能被酸性高錳酸鉀溶液氧化,故A正確;B.是極性分子,其中含有極性鍵H-O鍵和非極性鍵O-O鍵,故B錯誤;C.H2O和NH3的中心原子O和N都是sp3雜化,雜化軌道都是正四面體構(gòu)型,但孤電子對間的排斥力比成鍵電子對間的排斥力大,且孤電子對越多,斥力越大,鍵角被壓縮得越小,而H2O有兩對孤電子對,NH3有一對孤電子對,所以H2O的鍵角比NH3的鍵角小,故C正確;D.溶液中存在以下平衡:,該反應(yīng)是吸熱反應(yīng),升高溫度,平衡正向移動,轉(zhuǎn)化為,溶液顏色變?yōu)辄S綠色;降低溫度,平衡逆向移動,轉(zhuǎn)化為,溶液顏色又由黃綠色轉(zhuǎn)變?yōu)樗{綠色,故D正確;故選B。3.(2023·重慶·統(tǒng)考模擬預(yù)測)三星堆遺址出土了大量的青銅器,其主要成分為Cu、Sn、Pb,還含少量Fe、As、O等元素。對上述有關(guān)元素,下列說法正確的是A.基態(tài)Cu原子的價層電子軌道表示式為B.基態(tài)Fe原子最高能級的軌道形狀為啞鈴形C.第一電離能最大的是AsD.電負性最大的是O【答案】D【解析】A.基態(tài)銅原子的價層電子排布式為3d104s1,基態(tài)Cu原子的價層電子軌道表示式為,A錯誤;B.基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,最高能級為3d,軌道形狀為花瓣形,B錯誤;C.Cu、Sn、Pb、Fe、As、O中O的第一電離能最大,C錯誤;D.Cu、Sn、Pb、Fe、As、O中O的電負性最大,D正確;故答案選D。4.(2023秋·天津·高三校聯(lián)考期末)下列表述不正確的是A.離子化合物的電子式:B.空間結(jié)構(gòu)為平面正三角形C.等物質(zhì)的量的和中σ鍵數(shù)之比為3∶2D.不能作為配合物的配位體【答案】C【解析】A.Na2S4屬于離子化合物,4個硫原子間形成三對共用電子對,電子式為:,故A正確;B.中心原子價層對數(shù)為3+=3,沒有孤電子對,空間結(jié)構(gòu)為平面正三角形,故B正確;C.1molH2O分子中中有2molσ鍵,1mol的σ鍵為:2×6+6=18mol;1mol的σ鍵為4mol,等物質(zhì)的量的和中鍵數(shù)之比為18:4=9:2,故C錯誤;D.作為配合物的配位體的粒子必須含有能提供孤對電子的原子,中N原子沒有孤對電子,不能作為配合物的配位體,故D正確;故選C。5.(2023·廣東湛江·統(tǒng)考一模)硅與碳同主族,是構(gòu)成地殼的主要元素之一,下列說法正確的是A.單質(zhì)硅和金剛石中的鍵能:B.和中化合價均為-4價C.中Si原子的雜化方式為spD.碳化硅硬度很大,屬于分子晶體【答案】A【解析】A.原子半徑:Si>C,鍵長:Si-Si>C-C,則鍵能:Si-Si<C-C,故A正確;B.H的電負性大于Si,SiH4中Si的化合價為價,故B錯誤;C.SiO2中Si的價層電子對數(shù)為4,原子的雜化方式為sp3雜化,故C錯誤;D.碳化硅的硬度很大,屬于共價晶體,故D錯誤;故選A。6.三氟化氯()是極強助燃劑,能發(fā)生自耦電離:,其分子的空間構(gòu)型如圖,下列推測合理的是A.分子的中心原子雜化軌道類型為B.與反應(yīng)生成和C.分子是含有極性鍵的非極性分子D.比更易發(fā)生自耦電離【答案】D【解析】A.三氟化氯中氯原子的價層電子對數(shù)為5,雜化方式不可能為sp2雜化,故A錯誤;B.由三氟化氯是極強助燃劑可知,三氟化氯與鐵反應(yīng)生成氯化鐵和氟化鐵,故B錯誤;C.由圖可知,三氟化氯是結(jié)構(gòu)不對稱的三角錐形分子,屬于含有極性鍵的極性分子,故C錯誤;D.溴元素的電負性小于氯元素,溴氟鍵的極性強于氯氟鍵,則三氟化溴比三氟化氯更易發(fā)生自耦電離,故D正確;故選D。7.(2023·浙江嘉興·統(tǒng)考二模)(三氟化硼)熔點-127℃,沸點-100℃,水解生成(硼酸,結(jié)構(gòu)如圖)和(氟硼酸),與氨氣相遇立即生成白色的(氨合三氟化硼)固體。下列說法不正確的是A.和中心硼原子雜化方式不同B.晶體含有6mol氫鍵C.顯酸性原因:D.結(jié)構(gòu)式為【答案】B【解析】A.中心原子價層電子對數(shù)為3+=3,中心原子價層電子對數(shù)為4+=4,二者中心硼原子雜化方式不同,故A正確;B.1個參與6個氫鍵的形成,每個氫鍵形成于兩個硼酸分子之間,則1mol晶體中含有6mol=3mol氫鍵,故B錯誤;C.是一元弱酸,在水溶液中電離產(chǎn)生H+使溶液呈酸性,電離方程式為:,故C正確;D.NH3中N原子為sp3雜化,N原子上有一對孤電子對,BF3中B原子為sp2雜化,雜化軌道與F原子形成3個共價鍵,故有一個2p空軌道,與NH3形成配位鍵,結(jié)構(gòu)式為,故D正確;故選B。8.(2023·遼寧·校聯(lián)考二模)Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu),其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞的邊長為apm)下列說法錯誤的是A.字母B表示氧離子,配位數(shù)是8B.若晶胞中M的坐標為(0,0,0),則P的坐標為(,,)C.A處于B圍成的正八面體空隙中D.晶胞中A與B的最短距離為cm【答案】C【解析】A.由晶胞圖可知,A原子位于體內(nèi),其數(shù)目為8,B原子位于頂點和面心,其數(shù)目為,則A表示Li,B表示O,B周圍最近的A的數(shù)目為8,則其配位數(shù)為8,A選項正確。B.由晶胞圖可知,若晶胞中M的坐標為(0,0,0),則P的坐標為(,,),B選項正確。C.A處于B圍成的正四面體空隙中,故C選項錯誤。D.晶胞中A與B的最短距離為體對角線的1/4,由于晶胞的邊長為apm,所以A與B的最短距離為,D選項正確。
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