可變增益放大器的研究的

[1]xx.CMOS可變增益放大器設(shè)計概述.微電子學(xué)，2005，35(6)：612~617；[2]xx.CMOS寬帶可變增益放大器.半導(dǎo)體學(xué)報，2005，26(12)：2401-2406；[3]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設(shè)計.半導(dǎo)體學(xué)報,2007，28(12):1967-1971;[4]xxCMOS高線性變增益放大器.半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29(11):65-67;[5]xx.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導(dǎo)體學(xué)報，2003,24(8):595-599;[6]xx.0.18umCMOS可變增益放大器.電子器件2006,29(4):1031-1034.;[7]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設(shè)計.半導(dǎo)體學(xué)報，2007，28(12):1967-1971;完成各關(guān)鍵模塊的結(jié)構(gòu)和電路參數(shù)設(shè)計后，將各模塊聯(lián)結(jié)起來對整個VGA進行III/406.完成畢業(yè)論文(設(shè)計)所需的條件與上機xx大學(xué)V/40大器必須滿足ADC性能要求，由此可見能[1]xx.CMOS可變增益放大器設(shè)計概述.微電子學(xué)，2005，35(6)：612~617；[2]xx.CMOS寬帶可變增益放大器.半導(dǎo)體學(xué)報，2005，26(12)：2401-2406；[3]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設(shè)計.半導(dǎo)體學(xué)報,2007，28(12):1967-1971;[4]xx.CMOS高線性變增益放大器.半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29(11):65-67;[5]xx.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導(dǎo)體學(xué)報，2003,24(8):595-599;[6]xx0.18umCMOS可變增益放大器.電子器件2006,29(4):1031-1034;[7]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設(shè)計.半導(dǎo)體學(xué)報，2007，28(12):1967-1971;3.研究的主攻方向VII/402.重點研究問題關(guān)鍵模塊性能指標(biāo)確定。各種設(shè)計指標(biāo)的折中應(yīng)該是VGAIX/40目評審參考容：畢業(yè)論文(設(shè)計)的研究容、研究方法與研究結(jié)果，難度與工作量，質(zhì)量和水平，存在的主要問題與不足。學(xué)生的學(xué)習(xí)態(tài)度和組織紀律，學(xué)生掌握基礎(chǔ)和專業(yè)知識的情況，解決實際問題的能力，畢業(yè)論文(設(shè)計)是否完成規(guī)定任務(wù)，達到了學(xué)士學(xué)位論文的水平，是否XI/40目存在的主要問題與不足。學(xué)生掌握基礎(chǔ)和專業(yè)知識的情況，解決實際問題的能力，畢業(yè)論文(設(shè)計)是否完成規(guī)定任務(wù)，達到了學(xué)士學(xué)位論文的水平，是否同意參加答辯。目判畢業(yè)論文(設(shè)計)最終成績評定(依據(jù)指導(dǎo)教師評分、評日XIII/40圍等方向發(fā)展。鑒于此，探討了一些高性能VGA的設(shè)計技術(shù)，對開環(huán)VGA和閉環(huán)VGAB.SCandidate:WangShuangquanSchoolofPhysicalScienceandTechSupervisor:LiLinScamplifier;highperformance;openloop;closedloop;大器必須滿足ADC性能要求，由此可見可變增益放1.2可變增益放大器的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢2003年，吉華、永明、弘毅等人采用函2006年，惲廷華、唐守龍、時龍興等人基于0.22007年，郭峰、智群、東東、海松、王志功等人設(shè)計了新穎的電壓-電流指數(shù)控制電路，在800MHz下的最大輸出功率為7dBm。2009年，丹、閆濤濤、東坡、周建軍2010年，曲明、檀柏梅、毅強、姜?。?，且研究重點集中在了以下這三個方面：CMOS工藝下寬圍的指數(shù)控制電路、寬增益動它的增益；峰值檢測器對可變增益放大器輸出信號字信號，在數(shù)字域中判斷信號的強度，并產(chǎn)生數(shù)字增益控制字對VGA增益進行控制[2]。VGA的主要功能是實現(xiàn)增益變化,相應(yīng)指標(biāo)有增益變化圍、增益變化步長和增益in(f)=√Si(f)OO圖3典型可變增益放大器噪聲系數(shù)隨控制電壓的變化曲線y(t)=a0+a1x(t)+a2x(t)2+a3x(t)3+?通常我們用1dB壓縮點來衡量電路的非線性。1dB壓縮點定義為EQ\*jc3\*hps25\o\al(\s\up11(1),C)從而達到控制增益的目的。一種常用的改變負載的方式是基于如圖10所示的電路結(jié)gm3,4VV情況。缺點則是一方面，在大輸入信號下，MOS管可能會進入線性區(qū)，導(dǎo)致電路正常工作；另一方面，全差分結(jié)構(gòu)的Gilbert電路疊堆了3層的MOS管，極大的限制了際應(yīng)用中并不合適。因此，涌現(xiàn)了很多技術(shù)來嘗試只用MOS這一種晶體管來實現(xiàn)線2在現(xiàn)在大多數(shù)混合信號應(yīng)用中，VGA通常是必不可少的一部分，以在ADC的輸入端獲得一個合理的信號強度。當(dāng)信號進入數(shù)字領(lǐng)域，便能用DSP技術(shù)來實現(xiàn)復(fù)雜制，這樣就可以簡化電路，同時能簡化模數(shù)接口。由于這些原因，數(shù)字控制VGA從VGA，但是最高帶寬只能達到幾十MHz。另外一種可變電阻反饋技術(shù)采用電流分用網(wǎng)指數(shù)增益控制技術(shù)和實現(xiàn)方式可變增益放大器的設(shè)計無源元件L1、C1、L2、C2和Zin源簡并電感型窄帶共源放大器的輸入阻抗，在M1的柵源之間插入Cp1可以增加設(shè)計的在射頻電路中放大器的增益通常用對數(shù)表示，以dB為單位，為了使可變增益放大器的設(shè)計可變增益放大器的設(shè)計28(12):1967-1971;[4]王自強，王志華.CMOS高線性變增益放大器.半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29(11):65-67;[5]吉華，永明，弘毅.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導(dǎo)體學(xué)報，2003，24(8):871-876；2006，46(4):519-522；[7]惲廷華，唐守龍，羅嵐.一種高線性度的電流調(diào)節(jié)式CMOS中頻可變增益放大器.應(yīng)用科學(xué)學(xué)報，2005，23(6):595-599；