可變增益放大器的研究的

[1]xx.CMOS可變增益放大器設計概述.微電子學，2005，35(6)：612~617；[2]xx.CMOS寬帶可變增益放大器.半導體學報，2005，26(12)：2401-2406；[3]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設計.半導體學報,2007，28(12):1967-1971;[4]xxCMOS高線性變增益放大器.半導體技術，2004，29(11):65-67;[5]xx.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導體學報，2003,24(8):595-599;[6]xx.0.18umCMOS可變增益放大器.電子器件2006,29(4):1031-1034.;[7]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設計.半導體學報，2007，28(12):1967-1971;完成各關鍵模塊的結構和電路參數設計后，將各模塊聯結起來對整個VGA進行III/406.完成畢業(yè)論文(設計)所需的條件與上機xx大學V/40大器必須滿足ADC性能要求，由此可見能[1]xx.CMOS可變增益放大器設計概述.微電子學，2005，35(6)：612~617；[2]xx.CMOS寬帶可變增益放大器.半導體學報，2005，26(12)：2401-2406；[3]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設計.半導體學報,2007，28(12):1967-1971;[4]xx.CMOS高線性變增益放大器.半導體技術，2004，29(11):65-67;[5]xx.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導體學報，2003,24(8):595-599;[6]xx0.18umCMOS可變增益放大器.電子器件2006,29(4):1031-1034;[7]xx，等.寬帶CMOS可變增益放大器的設計.半導體學報，2007，28(12):1967-1971;3.研究的主攻方向VII/402.重點研究問題關鍵模塊性能指標確定。各種設計指標的折中應該是VGAIX/40目評審參考容：畢業(yè)論文(設計)的研究容、研究方法與研究結果，難度與工作量，質量和水平，存在的主要問題與不足。學生的學習態(tài)度和組織紀律，學生掌握基礎和專業(yè)知識的情況，解決實際問題的能力，畢業(yè)論文(設計)是否完成規(guī)定任務，達到了學士學位論文的水平，是否XI/40目存在的主要問題與不足。學生掌握基礎和專業(yè)知識的情況，解決實際問題的能力，畢業(yè)論文(設計)是否完成規(guī)定任務，達到了學士學位論文的水平，是否同意參加答辯。目判畢業(yè)論文(設計)最終成績評定(依據指導教師評分、評日XIII/40圍等方向發(fā)展。鑒于此，探討了一些高性能VGA的設計技術，對開環(huán)VGA和閉環(huán)VGAB.SCandidate:WangShuangquanSchoolofPhysicalScienceandTechSupervisor:LiLinScamplifier;highperformance;openloop;closedloop;大器必須滿足ADC性能要求，由此可見可變增益放1.2可變增益放大器的發(fā)展現狀和趨勢2003年，吉華、永明、弘毅等人采用函2006年，惲廷華、唐守龍、時龍興等人基于0.22007年，郭峰、智群、東東、海松、王志功等人設計了新穎的電壓-電流指數控制電路，在800MHz下的最大輸出功率為7dBm。2009年，丹、閆濤濤、東坡、周建軍2010年，曲明、檀柏梅、毅強、姜?。ィ已芯恐攸c集中在了以下這三個方面：CMOS工藝下寬圍的指數控制電路、寬增益動它的增益；峰值檢測器對可變增益放大器輸出信號字信號，在數字域中判斷信號的強度，并產生數字增益控制字對VGA增益進行控制[2]。VGA的主要功能是實現增益變化,相應指標有增益變化圍、增益變化步長和增益in(f)=√Si(f)OO圖3典型可變增益放大器噪聲系數隨控制電壓的變化曲線y(t)=a0+a1x(t)+a2x(t)2+a3x(t)3+?通常我們用1dB壓縮點來衡量電路的非線性。1dB壓縮點定義為EQ\*jc3\*hps25\o\al(\s\up11(1),C)從而達到控制增益的目的。一種常用的改變負載的方式是基于如圖10所示的電路結gm3,4VV情況。缺點則是一方面，在大輸入信號下，MOS管可能會進入線性區(qū)，導致電路正常工作；另一方面，全差分結構的Gilbert電路疊堆了3層的MOS管，極大的限制了際應用中并不合適。因此，涌現了很多技術來嘗試只用MOS這一種晶體管來實現線2在現在大多數混合信號應用中，VGA通常是必不可少的一部分，以在ADC的輸入端獲得一個合理的信號強度。當信號進入數字領域，便能用DSP技術來實現復雜制，這樣就可以簡化電路，同時能簡化模數接口。由于這些原因，數字控制VGA從VGA，但是最高帶寬只能達到幾十MHz。另外一種可變電阻反饋技術采用電流分用網指數增益控制技術和實現方式可變增益放大器的設計無源元件L1、C1、L2、C2和Zin源簡并電感型窄帶共源放大器的輸入阻抗，在M1的柵源之間插入Cp1可以增加設計的在射頻電路中放大器的增益通常用對數表示，以dB為單位，為了使可變增益放大器的設計可變增益放大器的設計28(12):1967-1971;[4]王自強，王志華.CMOS高線性變增益放大器.半導體技術，2004，29(11):65-67;[5]吉華，永明，弘毅.CMOS寬動態(tài)圍的可變增益放大器.半導體學報，2003，24(8):871-876；2006，46(4):519-522；[7]惲廷華，唐守龍，羅嵐.一種高線性度的電流調節(jié)式CMOS中頻可變增益放大器.應用科學學報，2005，23(6):595-599；