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文檔簡介

EUV光刻機DUV光刻機也能造出7nm芯片，但同EUV光刻機相比，二者還是有著不小的差距。在光源、光路系統(tǒng)與鏡頭三大方面，二者有著很大的不同首先，二者發(fā)光原理不同DUV光刻機光源為準(zhǔn)分子激光，而EUV光刻機則是激光激發(fā)等離子來發(fā)射EUV光子。通過不同方式，二者發(fā)出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達(dá)到193納米，而EUV光源的波長則為13.5納米。二者之間的差距十分明顯，波長越短，所能實現(xiàn)的分辨率越高。這讓EUV光刻機能夠承擔(dān)高精度芯片的生產(chǎn)任務(wù)。其次，二者的光路系統(tǒng)有著明顯的差異。DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻機則不會如此，其介質(zhì)為空氣。而EUV光刻機則是利用的光的反射原理，內(nèi)部必須為真空操作。這是因為，EUV光刻機的光源極易被介質(zhì)吸收，只要真空才能最大程度保證光源能量不被損失。最后，EUV光刻機鏡頭難度更大。目前，ASML的EUV光刻機的光學(xué)模組，需要依賴于德國蔡司，其他供應(yīng)商難以擔(dān)起此重任。為盡可能保證EUV光源能量不被損失，反射透鏡對光學(xué)精度的要求極高，并且反射透鏡表面還要鍍有采用Mo/Si的多層膜結(jié)構(gòu)。綜合來看，EUV光刻機的制造難度頗高，這使得EUV光刻機產(chǎn)能較低，價格也十分昂貴。但因為EUV光刻機分辨率較DUV光刻機高出14倍，因此受到臺積電、三星等廠商的爭搶。而且，DUV光刻機雖然也能制造7nm芯片，但要經(jīng)過多次曝光，這會使得成本飆升，良品率也難以控制，而EUV光刻機則沒有這樣的煩惱。/s?id=16

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