GB∕ T 4937.26-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第26部分：靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試 人體模型（HBM）（正式版）

ICS31.080.01半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Humanb國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)1前言 Ⅲ IV 1 1 1 44.1波形確認(rèn)設(shè)備 44.2示波器 44.3數(shù)字示波器的附加要求 44.4電流傳感器(感應(yīng)電流探針) 4 54.6人體模型模擬器 54.7HBM測(cè)試設(shè)備寄生特性 55應(yīng)力測(cè)試設(shè)備驗(yàn)證和常規(guī)確認(rèn) 65.1HBM測(cè)試設(shè)備評(píng)價(jià)的一般要求 6 65.3HBM測(cè)試設(shè)備驗(yàn)證 95.4插座式測(cè)試設(shè)備的測(cè)試夾具板驗(yàn)證 5.5常規(guī)波形檢查要求 5.6高壓放電路徑檢查 5.7測(cè)試設(shè)備波形記錄 6.1器件分級(jí) 6.2參數(shù)和功能測(cè)試 6.3器件應(yīng)力測(cè)試 6.4引腳分類(lèi) 6.5引腳分組 6.6引腳應(yīng)力組合 6.8應(yīng)力后測(cè)試 Ⅱ附錄A(資料性)HBM測(cè)試方法流程 20 23 23B.2可選的預(yù)脈沖電壓上升測(cè)試設(shè)備 B.3常開(kāi)式繼電器測(cè)試設(shè)備電容寄生效應(yīng) 26B.4測(cè)試確定HBM模擬器是否為低寄生模擬器 26附錄C(資料性)用表2、表3或表2及雙引腳HBM測(cè)試設(shè)備測(cè)試產(chǎn)品的示例 C.2程序A(依照表2) 29C.3可選程序B(依照表3) C.4可選程序C(依照表2) 附錄D(資料性)耦合非電源引腳對(duì)示例 附錄E(規(guī)范性)同名非電源(I/O)引腳抽樣測(cè)試方法 E.1目的和概述 E.2引腳抽樣概述和統(tǒng)計(jì)詳情 34E.3IC產(chǎn)品選擇 E.4隨機(jī)選取和測(cè)試同名I/O引腳 E.5確定是否可以用提供的Excel電 E.7抽樣同名I/O引腳的測(cè)試示例 ⅢGB/T4937.26—2023/IEC6——第11部分：快速溫度變化雙液槽法； 第19部分：芯片剪切強(qiáng)度；——第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試人體模型(HBM);本文件等同采用IEC60749-26:2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電GB/T4937.26—2023/IEC6 VGB/T4937.26—2023/IEC6 1半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試本文件依據(jù)元器件和微電路對(duì)規(guī)定的人體模型(HBM)靜電放電(ESD)所造成損傷或退化的敏感復(fù)的HBMESD測(cè)試結(jié)果，且測(cè)試結(jié)果不因測(cè)試設(shè)備而改變。重復(fù)性數(shù)據(jù)可以保證HBME3術(shù)語(yǔ)和定義與電源引腳組相連的非電源引腳(通常是1/0引腳)。2GB/T4937.26—2023/IEC6分信號(hào)(LVDS)引腳，包括模擬和數(shù)字差分對(duì)及其他特殊功能引腳對(duì)(如D+/D一、XTALin/I3HBM模擬器通過(guò)測(cè)試探針與被測(cè)器件(DUT)引腳(或球、臺(tái)、凸起或芯片焊盤(pán))相連，而不是將DUT放在插座中。未被歸為電源引腳或未連接的引腳。封裝平面packageplane振蕩ringing在芯片上或封裝內(nèi)，通過(guò)金屬連接(典型值<3Ω)到另一個(gè)非電源引腳(或一組非電源引腳)的任意非電源引腳(通常為I/0引腳)。通過(guò)安裝在測(cè)試夾具板上的DUT插座與DUT引腳(或球、臺(tái)、凸起或芯片焊盤(pán))相連的HBM模4峰值時(shí)間tmReaktime峰值電流Ip到最大值(Ipma)的時(shí)間。見(jiàn)圖2a)。HBM電流脈沖衰減后出現(xiàn)的電流脈沖。見(jiàn)B.1。雙引腳HBM測(cè)試設(shè)備two-pinHBM應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)廠家的建議校準(zhǔn)用于評(píng)估測(cè)試設(shè)備的所有設(shè)備。這包括示波器、電流傳感器和高壓電本文件測(cè)試方法中規(guī)定的脈沖波形的確認(rèn)設(shè)備包括但不限于一個(gè)示波器、評(píng)價(jià)負(fù)載和一個(gè)電流傳a)在配合使用4.4中規(guī)定的電流傳感器時(shí)，最小靈敏度為100mA/div;5GB/T4937.26—2023/IEC60749a)最小帶寬200MHz;b)峰值脈沖電流12A;d)能采用4.5中規(guī)定的實(shí)心導(dǎo)體；e)提供4.2中要求的單位信號(hào)電流的輸出電壓(通常為1mV/mA～5mV/mA);4.5評(píng)價(jià)負(fù)載a)負(fù)載1:一根截面為0.25mm2~0.75mm2的實(shí)心鍍錫銅短路線，盡可能短地穿過(guò)電流探針跨b)負(fù)載2:一個(gè)(500±5)Ω電阻，最小額定電壓4000V.圖1是HBM模擬器或測(cè)試設(shè)備的原理圖。該測(cè)試設(shè)備的性能受寄生電容和電感的影響。因此，采用該原理圖構(gòu)成的測(cè)試設(shè)備不能保證提供本文件要求的HBM脈沖。第5章介紹的波形捕捉過(guò)短路短路板圖1簡(jiǎn)化的HBM模擬器帶載電路一個(gè)10kΩ或更大的電阻(可能串聯(lián)一個(gè)開(kāi)關(guān))與測(cè)試夾具板并聯(lián)。該電阻也可用于控制寄生性預(yù)脈沖電壓(見(jiàn)附錄B)。雙極性脈沖發(fā)生器(源)應(yīng)該設(shè)計(jì)為避免產(chǎn)生再充電瞬變和雙脈沖。不能靠交換A、第二個(gè)插座的波形滿足本文件表1的要求時(shí)才允許。注3:元器件值是標(biāo)稱值。某些HBM模擬器會(huì)因?yàn)榧纳F(xiàn)象或不可控電壓意外進(jìn)入HBM模擬器，而錯(cuò)誤劃分HBM敏感6GB/T4937.26—2023/IEC67GB/T4937.26—2023/IEC60749-26:20---a)通過(guò)短路線的電流波形(Iy)8b)通過(guò)短路線的電流波形(t?)時(shí)間/ns9法),對(duì)曲線插值以獲得更準(zhǔn)確的峰值電流(Ip)(見(jiàn)圖4)。tmx是Ipmax出現(xiàn)的時(shí)間(見(jiàn)3.26對(duì)tm的定義和圖2)。偏離是Ring2。短路波形測(cè)量時(shí)的最大振蕩電流(見(jiàn)圖4)定義為：一時(shí)間/ns僅基于繼電器的測(cè)試設(shè)備要求進(jìn)行本項(xiàng)測(cè)試。本項(xiàng)測(cè)試的目的是確保連接脈沖發(fā)生器(組)(即A端)和電流回路(即B端)到DUT的測(cè)試設(shè)備高壓繼電器和接地繼電器功能正常。測(cè)試設(shè)備制造商應(yīng)5.3.1HBMESD測(cè)試設(shè)備驗(yàn)證要求a)當(dāng)ESD測(cè)試設(shè)備交付或首次使b)制造商建議的定期再驗(yàn)證。再驗(yàn)證測(cè)試的最長(zhǎng)間隔是一年。GB/T4937.26—2023/IEC6b)每個(gè)測(cè)試電壓施加5個(gè)正向和5個(gè)負(fù)向脈沖。記錄1000V、2000V和4000V的波形。確b)記錄1000V和4000V的波形，包含正、負(fù)極性。確認(rèn)波形滿足圖3和表1中規(guī)定的全HBM脈沖后的二次脈沖由放電繼電器產(chǎn)生。使用短路線，產(chǎn)生一個(gè)1000V脈沖，確認(rèn)初始GB/T4937.26—2023/IEC6d)施加至少一個(gè)正向和一個(gè)負(fù)向1000V脈沖。所有波形參數(shù)應(yīng)在圖3和表1中規(guī)定的限電壓等級(jí)VAA短路上升時(shí)間5000上升時(shí)間(tn)短路衰減時(shí)間A(可選)1。的15%I。的15%(可選)應(yīng)施加正向和負(fù)向1000V應(yīng)力，或使用時(shí)的被測(cè)應(yīng)力水平。波形應(yīng)滿足圖2a)、圖2b)和表1的GB/T4937.26—2023/IEC6在任何員工可能接觸電源的地方都宜考慮采用接地故障短路器(GFCI)和其他安全防護(hù)措施。用于分級(jí)測(cè)試的器件應(yīng)完成所有標(biāo)準(zhǔn)制造過(guò)程。測(cè)試應(yīng)使用實(shí)際器件芯片。不允許使用測(cè)試芯片6.2參數(shù)和功能測(cè)試試。參數(shù)和功能測(cè)試的結(jié)果應(yīng)在零件圖規(guī)定的參數(shù)限值內(nèi)。使用表4所示電壓擋來(lái)標(biāo)定器件的ESD失效閾值，每個(gè)電壓擋應(yīng)使用3個(gè)器件來(lái)測(cè)試。為得到精確的失效電壓，提升器件失效窗口的檢測(cè)，可選擇采用更精細(xì)的電壓擋。ESD測(cè)試應(yīng)從表4最低擋開(kāi)對(duì)3個(gè)新器件從下一擋較低電壓重新開(kāi)始測(cè)試(例如：若初始電壓為1000V且器件失效，則從500V每個(gè)電壓擋，應(yīng)按照表2和表3規(guī)定的所有引腳組合對(duì)3個(gè)器件樣品的每個(gè)引腳，用一個(gè)正向脈沖低水平ESD性能。建議不要跳過(guò)表4規(guī)定的任何擋次。允許進(jìn)一步劃分表2和表3規(guī)定的各引腳組合分組，且各子分組可以使用3個(gè)獨(dú)立的器件樣品。允許在不同測(cè)試設(shè)備上進(jìn)行器件測(cè)試，只要所有測(cè)試設(shè)備都已驗(yàn)證合格(符合5.3),并且表2和表3的所有引腳組合都至少用3個(gè)器件樣品進(jìn)行測(cè)試。HBM測(cè)試采用表2或表3規(guī)定的引腳組合完成。附錄A給出了分類(lèi)過(guò)程的流程圖。引腳組合的目的是測(cè)試所有主要的HBM電流通路。設(shè)置引腳組合需要了解被測(cè)器件。器件的每個(gè)引腳應(yīng)分為未中的電源引腳組。有了這些基礎(chǔ)知識(shí)就可以使用表3進(jìn)行測(cè)試。如果對(duì)被測(cè)件有了更多的了解，可以GB/T4937.26—2023/IEC6和數(shù)字差分對(duì)及其他特殊功能對(duì)(例如：D+/D一、XTALin/XTALout、RFin/RFout、TxP/TxN、GB/T4937.26—2023/IEC6表2列出了器件分級(jí)所需的首選引腳組合系列?？梢赃x擇使用表3。也可以聯(lián)合使用表2和表3對(duì)器件施加應(yīng)力。例如，可以用表2的引腳組合系列1～N和表3的N+1系列。附錄A和附錄C給引腳組合系列編號(hào)連接到B端(地)的引腳(組)1電源引腳組1除電源引腳組1°4的每個(gè)電源引腳與電源引腳組1互連的每個(gè)非電源引腳(見(jiàn)附錄C)2電源引腳組2b除電源引腳組2的每個(gè)電源引腳與電源引腳組2互連的每個(gè)非電源引腳(見(jiàn)附錄C)N電源引腳組Nb除電源引腳組N*的每個(gè)電源引腳與電源引腳組N互連的每個(gè)非電源引腳(見(jiàn)附錄C)的一個(gè)引腳，一次一對(duì)在所有組合里，既沒(méi)有接到A端，也沒(méi)有接到B端的引腳，在施加應(yīng)力脈沖時(shí)應(yīng)保持不連接狀態(tài)(浮空引腳)。所有未連接引腳總是保持不連接狀態(tài)。電源引腳可以連接在一起作為一個(gè)單獨(dú)的組，或者分成子組。子組可以是單獨(dú)的引腳。連接到A端的每個(gè)引腳對(duì)每個(gè)子組施加應(yīng)力(見(jiàn)6.5.1)。已知由封裝平面互連的電源引腳組可以使用一個(gè)單獨(dú)引腳(見(jiàn)6.5.1.3)?！半娫匆_到電源引腳的組合可以僅使用單極性脈沖施加應(yīng)力(見(jiàn)6.6.2.3)。引腳組合系列編號(hào)連接到B端的引腳(組)連接到A端的引腳(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))1電源引腳組1*除電源引腳組1°的每個(gè)電源引腳2電源引腳組2除電源引腳組2的每個(gè)電源引腳N電源引腳組N除電源引腳組N的每個(gè)電源引腳全部非電源引腳，被測(cè)引腳(PUT)除外每個(gè)非電源引腳(作為PUT)連接到B端的非電源引腳可被分成子組，每個(gè)引腳至少是一個(gè)子組的成員。每個(gè)A端引腳對(duì)每個(gè)子組施加應(yīng)·既沒(méi)有接到A端，也沒(méi)有接到B端的所有引腳在施加應(yīng)力脈沖時(shí)應(yīng)保持不連接6.6.2.1表2和表3的使用表2和表3由DUT的N個(gè)電源引腳組構(gòu)成。這些表格的前N行有唯一一個(gè)電源引腳組連接到B端。當(dāng)引腳未與封裝平面連接，電源引腳組內(nèi)的引腳應(yīng)單獨(dú)施加應(yīng)力(當(dāng)連到A端時(shí))。當(dāng)連到B端動(dòng)器連接到VCCIO電源組，而同一個(gè)引腳的輸入接收器連接到VCC電源組。另外，該1/O引腳可能b)在非電源引腳與電源引腳組之間存在寄生電路(例如漏極開(kāi)路型非電源引腳到連接附近N阱在表2規(guī)定的測(cè)試中，非電源引腳僅對(duì)與其互連的電源引腳組施加應(yīng)力。若已知每個(gè)非電源引腳與電源引腳組的互連信息，那么非電源引腳可以只對(duì)與其互連的電源引腳組施加應(yīng)力(見(jiàn)附錄C)。非電源引腳不需要對(duì)不相連的電源引腳組施加應(yīng)力。若該信息未知，則按表3第1~N行的規(guī)定，每個(gè)非對(duì)于超過(guò)8個(gè)電源引腳組的器件，建議使用表2。6.6.2.3電源引腳的應(yīng)力極性(表2和表3)6.6.2.4非電源引腳可選的引腳應(yīng)力方法(表2和表3)一個(gè)非電源引腳到電源引腳的應(yīng)力可以被它對(duì)應(yīng)的電源引腳到非電源引腳的應(yīng)力所代替。如果只電源引腳組的每個(gè)電源引腳分別向各非電源引腳施加應(yīng)力。若非電源引腳連到其他引腳上，如6.5.2GB/T4937.26—2023/IEC6需的樣品引腳。每組同名I/O(M)應(yīng)隨機(jī)選擇30個(gè)非電源引腳進(jìn)行測(cè)試。根據(jù)表2或表3對(duì)選擇的6.6.3.1表2和表3的使用分級(jí)電壓范圍(U)V2GB/T4937.26—2023/IEC60749-26:20(資料性)HBM測(cè)試方法流程HBM測(cè)試方法流程見(jiàn)圖A.1。是是否否否是是否是是否否是是是是否現(xiàn)有的電源是已知該電源引是否是是法否是否是GB/T4937.26—2023/IEC6否是是否是否是否(資料性)最大后沿電流脈沖水平定義為正常的HBM脈沖(組)后，通過(guò)10kΩ測(cè)試負(fù)載觀測(cè)到的最大峰值電流水平(電流=通過(guò)測(cè)試負(fù)載的電壓除以10kΩ)。評(píng)價(jià)脈沖后漏電流的時(shí)間段是在HBM電流脈沖當(dāng)施加HBM應(yīng)力電壓4000V時(shí)，后沿電流脈沖的幅值應(yīng)小于4μA。這包括正向和負(fù)向極性(樣品波形見(jiàn)圖B.2和圖B.3)。測(cè)量后沿電流脈沖的電路見(jiàn)圖B.1。電壓探針輸入阻抗不應(yīng)小于10MΩ,輸入電容不超過(guò)10pF,帶寬優(yōu)于1MHz,額定耐壓至少100V。評(píng)價(jià)負(fù)載阻值為10kΩ,容差士1%,能耐受4000V電十C?~100pF實(shí)際波形可能不同規(guī)定限值1規(guī)定限值實(shí)際波形可不同R≥1MQSiR?~1500Ω電路C?~100pFA編本GB/T4937.26—2023/IEC60749-26:2018圖B.610引腳短路測(cè)試器件與電流探針示意圖●VDD2-A和VDD2-B在芯片上電氣短路，它們之間的電阻小于30。每個(gè)引瓣合VSS1耦合瓣合VSS1耦合1封裝內(nèi)部分區(qū)3僅片上短路529678C.2程序A(依照表2)a)非電源引腳測(cè)試，所有的非電源引腳僅施加應(yīng)力到與其互連的電源引腳組。這可以通過(guò)將器對(duì)于非電源引腳測(cè)試，所有與該電源引腳組互連的非電源引腳分別只對(duì)其電源引腳施加應(yīng)力。例如，對(duì)于電源引腳組VDD1引腳2和引腳3被引腳1和引腳4施加應(yīng)力(其他電源引腳組使用相同的程序)。VSS1(作為VSS1、VSS2-A、VSS2-B的代表)和VSS3]互相施加應(yīng)力。表C.1依照表2的產(chǎn)品測(cè)試引腳組合引腳(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)1VDD1(引腳1)VSS1(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)1/O-11(引腳2)、I/O-12(引腳3)42VSS1(引腳4)VDD1(引腳1)、VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)8)、1/O-21(引腳9)、1/O-22(引腳10)3VDD2-A(引腳5)VDD2-B(引腳6)VDD1(引腳1)、VSS1(引腳4)、VDD3(引腳13)、VSS3/VSS?(引腳14)、VDD4(引腳15)I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、I/0-21(引腳9)、I/0-22(引腳10)84VDD3(引腳13)VDD1(引腳1)、VSSI(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、B(引腳6)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)(無(wú)互連非電源引腳)05VDD4(引腳15)VDD1(引腳1)、VSSI(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、B(引腳6)、VDD3(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)I/0-41(引腳16)26VSS3/VSS4(引腳14)VDD1(引腳1)、VSSI(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、B(引腳6)、VDD3(引腳13)、VDD4(引腳15)I/O-41(引腳16)2表C.1(續(xù))引腳組合連接到B端的引腳(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)7I/O-11(引腳2)I/0-12(引腳3)2I/O-12(引腳3)1/O-11(引腳2)2I/O-21(引腳9)I/O-22(引腳10)2I/0-22(引腳10)I/O-21(引腳9)2注：以這種方式施加應(yīng)力，一個(gè)器件每個(gè)電壓擋共進(jìn)行106次沖擊。C.3可選程序B(依照表3)表C.2依照表3的產(chǎn)品測(cè)試引腳組合連接到B端的引腳(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)1VDDI(引腳1)VSS1(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)、(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)I/O-11(引腳2)、1/0-12(引腳3)、1-21(引腳7)、0-21(引腳8)、1/0-21(引腳9)、I/O-22(引腳10)、1/O-41(引腳16)2VSS1(引腳4)VDD1(引腳1)、VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)、(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14),VDD4(引腳15)1/O-11(引腳2)、1/0-12(引腳3)、1-21(引腳7)、0-21(引腳8)、I/O-21(引腳9)、1/0-22(引腳10)、1/O-41(引腳16)3VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)VDD1(引腳1)、VSS1(引腳4)、VDD3(引腳13)、VSS3/(引腳14)、VDD4(引腳15)1/O-11(引腳2)、I/0-12(引腳3)、I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、1/0-21(引腳9)、I/0-22(引腳10)、1/O-41(引腳16)4VDD3(引腳13)VDD1(引腳1)、VSS1(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VB(引腳6)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)I/O-11(引腳2)、1/O-12(引腳3)、I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、I/O-21(引腳9)、I/0-22(引腳10)、I/O-41(引腳16)5VDD4(引腳15)VDD1(引腳1)、VSSI(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VB(引腳6)、VDD3(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)1/O-11(引腳2)、I/0-12(引腳3)、I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、J/O-21(引腳9)、I/O-22(引腳10)、1/0-41(引腳16)GB/T4937.26—2023/IEC6表C.2(續(xù))引腳組合連接到B端的引腳(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)6VSS3/VSS4(引腳14)VDD1(引腳1)、VSSI(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VB(引腳6)、VDD3(引腳13)、VDD4(引腳15)I/O-11(引腳2)、I/0-12(引腳3)、I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、I/O-21(引腳9)、I/0-22(引腳10)、I/O-41(引腳16)71/O-11(引腳2)I/0-12(引腳3)1-21(引腳7)0-21(引腳8)I/0-21(引腳9)I/O-22(引腳10)I/0-41(引腳16)除了施加應(yīng)力引腳(即連到A端)I/O-11(引腳2)2I/O-12(引腳3)2I-21(引腳7)2O-21(引腳8)2I/O-21(引腳9)2I/O-22(引腳10)2I/O-41(引腳16)2注：以這種方式施加應(yīng)力，一個(gè)器件每個(gè)電壓擋共進(jìn)行156次沖擊。C.4可選程序C(依照表2)表C.3依照表2可選的產(chǎn)品測(cè)試引腳組合(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)1VDD1(引腳1)VSSi(引腳4)、VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)1/O-11(引腳2)、I/O-12(引腳3)42VSS1(引腳4)VDD2-A(引腳5)、VDD2-B(引腳6)、VDD3(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)8)、I/O-21(引腳9)、1/O-22(引腳10)3VDD2-A(引腳5)VDD3(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)68引腳組合(組)(單獨(dú)引腳，一次測(cè)一個(gè))(1次正向/1次反向)4VDD2-B(引腳6)VDD3(引腳13)、VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)6I-21(引腳7)、0-21(引腳8)、I/O-21(引腳9)、I/O-22(引腳85VDD3(引腳13)VSS3/VSS4(引腳14)、VDD4(引腳15)4(無(wú)互連非電源引腳)06VDD4(引腳15)VSS3/VSS4(引腳14)2I/0-41(引腳16)27VSS3/VSS4(引腳14)(所有電源到電源組合已被施加應(yīng)力)01/0-41(引腳16)28I/0-11(引腳2)I/O-12(引腳3)21/O-21(引腳9)I/0-22(引腳10)2注：以這種方式施加應(yīng)力，一個(gè)器件每個(gè)電壓擋共進(jìn)行80次沖擊。 DP和DM TxP和TxN VREF_P和VREF_N PEGTXN和PEG_TXP xCLK_N和x_CLK_P QPIRXN和QPI_RX_P FMRRTX和FMR_RTXX ●LNA_IN和LNA_OUT●RF_IN和RF_OUTGB/T4937.26—2023/IEC60749-已開(kāi)發(fā)出一個(gè)統(tǒng)計(jì)Excel@程序來(lái)簡(jiǎn)化該新測(cè)試程序用同名I/O引腳的ESD敏感度等級(jí)可以通過(guò)對(duì)統(tǒng)計(jì)上的壓間的范圍)。按100V左右的步長(zhǎng)，定量增加HBM應(yīng)力電壓，直到30個(gè)引腳樣本中至少15個(gè)引腳失效。當(dāng)半數(shù)樣本引腳失效時(shí)即可獲得樣本中值，該失效電壓(VM)可用于表示在高置信水平(99%)半?yún)^(qū)間。區(qū)間范圍定義為V2-V1,其中V2是全部30個(gè)引腳失效的最高失效電壓，且V2-V1=2z=[VM-SPL]/o(見(jiàn)圖E.1)任一引腳無(wú)法通過(guò)SPL的概率。該值定義為NORMSDIST(-z)。該值是正態(tài)分布上失效電壓低于SPL的面積。GB/T4937.26—2023/IEC6e)若[NORMSDIST(z)](M-≥0.99,則樣本數(shù)據(jù)表明在統(tǒng)計(jì)置信度99%下，該IC器件的所有以手動(dòng)進(jìn)行設(shè)計(jì)確認(rèn)，也可以通過(guò)軟件檢查這種更有效的檢查方式識(shí)別同名I/O引對(duì)一個(gè)IC器件施加HBM應(yīng)力，確定最小HBM失效電壓(V1)和30個(gè)樣本E.5.2不使用Excel電子表d)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)累積分布函數(shù)表，并將單引腳正態(tài)分布概率值取(M-30)次冪，即測(cè)試程序。從M個(gè)同名I/0引腳中隨機(jī)選取30個(gè)同名I/O引腳進(jìn)行完整的HBM測(cè)試。測(cè)試30個(gè)同名引腳直到15個(gè)失效n30同名引腳總數(shù)M29230個(gè)引腳全部通過(guò)的最高電壓V12100至少15個(gè)引腳失效的最低電壓VM估計(jì)區(qū)間