T-CPIA 0060-2024 鑄造單晶硅材料性能評(píng)價(jià)技術(shù)規(guī)范

CCSH82TechnicalspecificationforperformonocrystallinesiliIT/CPIA0060—2024前言 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 4技術(shù)要求 4.1外觀質(zhì)量 4.2電學(xué)性能 4.3間隙氧含量和代位碳含量 4.4位錯(cuò)缺陷 24.5單晶面積比例 25檢驗(yàn)方法 25.1外觀質(zhì)量 25.2電學(xué)性能的檢驗(yàn) 25.3間隙氧含量和代位碳含量的檢驗(yàn) 25.4位錯(cuò)缺陷的檢驗(yàn) 25.5單晶面積比例的檢驗(yàn) 26檢驗(yàn)規(guī)則 26.1檢查 26.2組批 26.3檢驗(yàn)項(xiàng)目 26.4取樣規(guī)則 26.5結(jié)果判定 3T/CPIA0060—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本文件由中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本文件起草單位：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、無(wú)錫市檢驗(yàn)檢測(cè)認(rèn)證研究院、江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司、金陽(yáng)硅業(yè)（徐州）有限公司、蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司、英利能源發(fā)展有限公司、浙江大學(xué)、浙大寧波理工學(xué)院、國(guó)信認(rèn)證無(wú)錫有限公司、寧夏國(guó)信檢研科技有限公司、新余賽維鑄晶技術(shù)有限公司、普德光伏技術(shù)（蘇州）有限公司。本文件主要起草人：汪晨、張華利、陳紅榮、吳曉麗、何亮、楊振幫、胡動(dòng)力、吳希哲、吳堅(jiān)、潘明翠、原帥、章金兵、欽衛(wèi)國(guó)、王炳楠、李建敏、蔣建平。1T/CPIA0060—2024鑄造單晶硅材料性能評(píng)價(jià)技術(shù)規(guī)范本文件規(guī)定了鑄造單晶硅材料的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則。本文件適用于鑄造單晶硅錠開方后的硅塊的性能評(píng)價(jià)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551—2021硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1557—2018硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558—2009硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T2297太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)術(shù)語(yǔ)GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)GB/T26068—2018硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法GB/T29054—2019太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T2297和GB/T14264界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1鑄造單晶硅Castingmonocrystallinesilicon引入單晶籽晶，以定向凝固法生長(zhǎng)形成的單晶硅。4技術(shù)要求4.1外觀質(zhì)量4.1.1硅塊應(yīng)無(wú)目視可見的裂紋、崩邊、缺口。4.1.2硅塊磨面后的紅外探傷檢測(cè)結(jié)果應(yīng)無(wú)微晶、無(wú)陰影、無(wú)夾雜，每個(gè)硅塊應(yīng)測(cè)量4個(gè)側(cè)面。4.1.3硅塊側(cè)面的表面粗糙度Ra應(yīng)不大于0.2μm。4.1.4硅塊的垂直度應(yīng)為90o±0.15o。4.2電學(xué)性能4.2.1硅塊導(dǎo)電類型為P/N型。4.2.3P型硅塊尾部載流子壽命應(yīng)不小于1.2μs，頭部載流子壽命應(yīng)不小于3μs，N型硅塊載流子壽命應(yīng)不小于5μs。4.3間隙氧含量和代位碳含量間隙氧含量應(yīng)不大于4.0×1017atoms/cm3;代位碳含量應(yīng)不大于5.0×1017atoms/cm3。2T/CPIA0060—20244.4位錯(cuò)缺陷硅塊的任一橫截面的光致發(fā)光（PL）測(cè)試圖像上顯示的位錯(cuò)缺陷面積比例應(yīng)不大于橫截面積的4.5%。4.5單晶面積比例鑄造單晶硅片的單晶面積比例為：I類100%，99%≤II類＜100%，90%≤III類＜99%。小于90%為不合格品。5檢驗(yàn)方法5.1外觀質(zhì)量5.1.1硅塊的紅外探傷檢驗(yàn)按GB/T29054—2019，4.11的規(guī)定進(jìn)行。5.1.2硅塊側(cè)面的表面粗糙度檢驗(yàn)使用表面粗糙度儀。5.1.3硅塊側(cè)面的垂直度檢驗(yàn)使用萬(wàn)能角度尺或相應(yīng)精度的量具。5.2電學(xué)性能的檢驗(yàn)5.2.1導(dǎo)電類型的檢驗(yàn)按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。5.2.2電阻率的檢驗(yàn)按GB/T1551—2021的規(guī)定進(jìn)行。5.2.3載流子壽命的檢驗(yàn)按GB/T26068—2018的規(guī)定進(jìn)行。5.3間隙氧含量和代位碳含量的檢驗(yàn)硅塊的間隙氧含量檢驗(yàn)在距離硅塊底部30mm處取樣，按GB/T1557—2018的規(guī)定進(jìn)行；硅塊的代位碳含量檢驗(yàn)在距離硅塊頂部30mm處取樣，按GB/T1558—2009的規(guī)定進(jìn)行。5.4位錯(cuò)缺陷的檢驗(yàn)將開方后鑄造單晶硅塊最頂部切割出厚度30mm的硅塊，利用光致發(fā)光（PL）測(cè)試儀進(jìn)行檢驗(yàn)，計(jì)算出位錯(cuò)缺陷面積比例。5.5單晶面積比例的檢驗(yàn)利用晶花分選機(jī)，進(jìn)行自動(dòng)計(jì)算硅片的單晶面積比例。6檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢查產(chǎn)品應(yīng)由供方質(zhì)量監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單（或合同）的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書。6.2組批硅塊應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由相同工藝生產(chǎn)的同一外形尺寸、導(dǎo)電類型和電阻率范圍的硅塊組成。6.3檢驗(yàn)項(xiàng)目6.3.1每批硅塊應(yīng)對(duì)外形尺寸、導(dǎo)電類型、電阻率、載流子壽命及表面質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)。6.3.2每批硅塊應(yīng)對(duì)間隙氧含量、代位碳含量、位錯(cuò)缺陷進(jìn)行檢驗(yàn)。6.3.3每批硅塊應(yīng)對(duì)所切硅片的單晶面積比例占比進(jìn)行檢驗(yàn)。6.4取樣規(guī)則6.4.1外觀質(zhì)量檢驗(yàn)、紅外探傷、硅塊位錯(cuò)缺陷的檢驗(yàn)應(yīng)逐塊進(jìn)行。6.4.2導(dǎo)電類型、電阻率、載流子壽命的檢驗(yàn)取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢驗(yàn)水平Ⅱ,正常檢驗(yàn)一次抽樣方案進(jìn)行。6.4.3間隙氧含量、代位碳含量的檢驗(yàn)取樣從同一硅錠中間和邊緣各取一硅塊進(jìn)行。3T/CPIA0060—20246.4.4單晶面積比例的檢驗(yàn)取樣應(yīng)對(duì)所切硅片逐片進(jìn)行。6.5結(jié)果