半導(dǎo)體物理(I)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年西安電子科技大學(xué)

半導(dǎo)體物理(I)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年西安電子科技大學(xué)雜質(zhì)濃度ND越高，半導(dǎo)體達(dá)到全部電離的溫度就越高。（）

答案:對(duì)器件生產(chǎn)中的摻金工藝是縮短少子壽命的有效手段，通過改變Si中金含量，可以大幅度調(diào)整少子的壽命。（）

答案:對(duì)隨著溫度的降低，載流子由以雜質(zhì)電離為主要來源過渡到以本征激發(fā)為主要來源。（）

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體中幾種散射機(jī)構(gòu)同時(shí)存在時(shí)，總遷移率等于各種散射機(jī)構(gòu)所決定的遷移率之和。（）

答案:錯(cuò)對(duì)Si和Ge性質(zhì)起作用的主要是重空穴帶和輕空穴帶，因?yàn)榈谌龓е锌昭ú怀３霈F(xiàn)。（）

答案:對(duì)遷移率是單位電場(chǎng)強(qiáng)度下電子的平均漂移速度，它的大小反映了電子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)能力的強(qiáng)弱。（）

答案:對(duì)銻化銦的本征費(fèi)米能級(jí)Ei遠(yuǎn)在禁帶中線之上。（）

答案:對(duì)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷不但影響其導(dǎo)電性能，還影響其壽命。（）

答案:對(duì)表面復(fù)合屬于直接復(fù)合，直接復(fù)合理論適用于表面復(fù)合。（）

答案:錯(cuò)載流子做漂移運(yùn)動(dòng)時(shí)，只在連續(xù)的兩次散射之間才做加速運(yùn)動(dòng)。（）

答案:對(duì)在一定溫度下，隨電子能量E增加到一定程度，量子態(tài)被電子占據(jù)的概率指數(shù)性減小。（）

答案:對(duì)利用雜質(zhì)補(bǔ)償作用可以獲得半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)單元PN結(jié)。（）

答案:對(duì)本征半導(dǎo)體就是一塊沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體。（）

答案:對(duì)雜質(zhì)濃度ND越高，半導(dǎo)體達(dá)到過度區(qū)的溫度也越高。（）

答案:對(duì)

答案:錯(cuò)每個(gè)允帶中的能級(jí)可以看做是準(zhǔn)連續(xù)的，是因?yàn)樵跇O小的能量區(qū)間內(nèi)分布了極多的能級(jí)。（）

答案:對(duì)當(dāng)溫度趨于0K時(shí)，費(fèi)米能級(jí)EF趨于ED和Ei的中線處。（）

答案:錯(cuò)表面復(fù)合也是間接復(fù)合，間接復(fù)合理論同樣適用于表面復(fù)合過程。（）

答案:對(duì)離化的雜質(zhì)原子周圍會(huì)形成庫侖勢(shì)場(chǎng)，載流子因運(yùn)動(dòng)靠近后其速度大小會(huì)發(fā)生改變，也就是發(fā)生了散射，這種散射機(jī)構(gòu)就稱作電離雜質(zhì)散射。（）

答案:錯(cuò)聲學(xué)波代表原胞中兩個(gè)原子相位相反的振動(dòng)，長聲學(xué)波原胞質(zhì)心不動(dòng)。（）

答案:錯(cuò)單電子近似模型的意義是將復(fù)雜的原子核-電子混合系統(tǒng)中核與電子“作用力”加以分離，把眾多電子相互牽制的復(fù)雜多電子問題近似為大量電子對(duì)單個(gè)電子的影響只是一個(gè)平均值。（）

答案:對(duì)隨著溫度的升高，EF從位于雜質(zhì)能級(jí)附近逐漸移近禁帶中線處。（）

答案:對(duì)對(duì)于n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)EF位于Ei之上，雜質(zhì)濃度ND越大，費(fèi)米能級(jí)EF越高。（）

答案:對(duì)對(duì)于經(jīng)過雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)腘型半導(dǎo)體，在雜質(zhì)充分電離時(shí)，電離雜質(zhì)散射幾率中的Ni應(yīng)為ND-NA。（）

答案:錯(cuò)砷化鎵中Nc比Nv小的多，導(dǎo)帶電子比價(jià)帶空穴更容易發(fā)生簡并化。（）

答案:對(duì)Si、Ge半導(dǎo)體的壽命由直接復(fù)合過程所決定。（）

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體的電阻率可以直接采用四探針法測(cè)量得到，因而應(yīng)用更加普遍。（）

答案:對(duì)處于強(qiáng)電離區(qū)的多子濃度與溫度無關(guān)。（）

答案:對(duì)本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)Ei位于禁帶中線處。（）

答案:錯(cuò)雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)淖饔檬歉淖儼雽?dǎo)體中特定區(qū)域的導(dǎo)電類型。（）

答案:對(duì)對(duì)于n型半導(dǎo)體的直接復(fù)合過程，復(fù)合率（）。

答案:與復(fù)合概率系數(shù)成正比;與價(jià)帶中的空穴數(shù)量成正比;與復(fù)合概率成正比;與導(dǎo)帶中的電子數(shù)量成正比以下有關(guān)有效質(zhì)量的說法，正確的是（）。

答案:空穴有效質(zhì)量是正值;電子有效質(zhì)量可正可負(fù)當(dāng)溫度升高時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體中的電離雜質(zhì)散射幾率和晶格振動(dòng)聲學(xué)波散射幾率的變化分別是（）。

答案:變小，變大格波能量是不連續(xù)的，當(dāng)格波與其他物質(zhì)相互作用而交換能量時(shí)，格波能量的變化只能是hνa的整數(shù)倍。（）

答案:對(duì)對(duì)于n型簡并半導(dǎo)體，價(jià)帶空穴服從玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)律。（）

答案:對(duì)半導(dǎo)體中的電子受周期性勢(shì)場(chǎng)作用（）。

答案:是基于單電子近似模型而得到的;布洛赫解得了具有周期性勢(shì)場(chǎng)的薛定諤方程其解必定會(huì)具有的形式在雜質(zhì)半導(dǎo)體中費(fèi)米能級(jí)EF的位置不但反映了半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型，而且還反映了半導(dǎo)體的摻雜水平。（）

答案:對(duì)如果一維半導(dǎo)體的非平衡載流子濃度線性減小，則濃度梯度和擴(kuò)散流密度分別是（）。

答案:不變和不變半導(dǎo)體簡并的原因是重?fù)诫s。（）

答案:對(duì)禁帶寬度Eg越小的半導(dǎo)體的極限工作溫度越高。（）

答案:對(duì)用強(qiáng)光照射p型半導(dǎo)體，其內(nèi)部載流子關(guān)系正確的一項(xiàng)是（）。

答案:△n=△p施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（）。

答案:電子一塊半導(dǎo)體樣品，用適當(dāng)頻率的光照射從而在樣品中產(chǎn)生非平衡載流子，其中非平衡少子壽命為5μs。若光照突然停止15μs后，則非平衡載流子濃度將衰減到原來的（）。

答案:1/e3當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

答案:1/n0半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)是（）。

答案:擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)光照下的半導(dǎo)體，其（）。

答案:非平衡載流子的產(chǎn)生導(dǎo)致了附加電導(dǎo)率有關(guān)k空間等能面，以下說法正確的是（）。

答案:因電子有效質(zhì)量各向同性，半導(dǎo)體GaAs導(dǎo)帶底附近電子狀態(tài)是球形等能面受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（）。

答案:空穴室溫下，半導(dǎo)體Si中摻入濃度為5×1014cm-3的磷雜質(zhì)后，如果再一次向該半導(dǎo)體中摻入濃度為1.5×1015cm-3的硼雜質(zhì)，則半導(dǎo)體中多數(shù)載流子為（）。

答案:p=1015cm-3室溫下，半導(dǎo)體Si中摻入濃度為1014cm-3的磷雜質(zhì)，以下關(guān)于半導(dǎo)體中多數(shù)載流子類型和費(fèi)米能級(jí)位置正確的選項(xiàng)是（）。

答案:電子，高于Ei在小注入的情況下，起主導(dǎo)和決定作用的載流子是多數(shù)載流子。（）

答案:錯(cuò)關(guān)于半導(dǎo)體內(nèi)部作用，以下說法正確的是（）。

答案:當(dāng)光停止照射后，半導(dǎo)體會(huì)逐漸恢復(fù)原先的熱平衡狀態(tài)有關(guān)非平衡載流子的壽命，以下說法正確的是（）。

答案:器件生產(chǎn)中的摻金工藝是縮短少子壽命的有效手段，通過改變Si中金含量，可以大幅度縮短少子的壽命。（）

答案:錯(cuò)關(guān)于表面復(fù)合，以下說法正確的是（）。

答案:半導(dǎo)體的表面越粗糙，非平衡載流子的壽命越短溫度高到本征導(dǎo)電起主要作用時(shí)，一般器件就不能正常工作了。（）

答案:對(duì)隨著溫度的升高，雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子受電離雜質(zhì)散射的幾率增大。（）

答案:錯(cuò)光學(xué)波代表原胞中兩個(gè)原子相位相同的振動(dòng)，長光學(xué)波代表原胞質(zhì)心的振動(dòng)。（）

答案:錯(cuò)載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為（）。

答案:漂移運(yùn)動(dòng)對(duì)多能谷半導(dǎo)體，如果用電導(dǎo)有效質(zhì)量代替有效質(zhì)量，遷移率仍具有和各向同性半導(dǎo)體遷移率相同的表達(dá)形式。（）

答案:對(duì)T>0K時(shí)，關(guān)于費(fèi)米分布函數(shù)，以下說法正確的是（）。

答案:當(dāng)E=EF時(shí)，f(E)=50%，與溫度大小無關(guān)。關(guān)于本征半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

答案:對(duì)于本征Si，只含有聲學(xué)波散射機(jī)構(gòu)。對(duì)于n型非簡并半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

答案:n0p0積與EF無關(guān)對(duì)于n型非簡并半導(dǎo)體所處的五個(gè)溫區(qū)，以下說法正確的是（）。

答案:過渡區(qū)的電子和空穴濃度大小可以相比擬關(guān)于強(qiáng)電離區(qū)n型非簡并半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。

答案:空穴濃度與施主濃度成反比只形成原子空位的點(diǎn)缺陷稱為（）。

答案:肖特基缺陷電離后向?qū)峁╇娮拥碾s質(zhì)稱為（）。

答案:施主雜質(zhì)Au在Ge中電離后可以引入四個(gè)能級(jí)，且都是深能級(jí)。（）

答案:對(duì)室溫下，在硅材料中摻入濃度為1015cm-3的雜質(zhì)硼（），則引入的雜質(zhì)能級(jí)（）。

答案:靠近價(jià)帶頂雜質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有很大影響，下面哪兩種雜質(zhì)分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導(dǎo)電性能（）。

答案:硼或磷關(guān)于回旋共振實(shí)驗(yàn)，以下說法正確的是（）。

答案:實(shí)驗(yàn)中可以固定交變磁場(chǎng)頻率，改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向并觀測(cè)吸收峰個(gè)數(shù)單電子近似包含了晶體無雜質(zhì)和缺陷、晶體中原子固定不動(dòng)兩方面的理想化。（）

答案:對(duì)自由電子慣