TCEC1128- 2019 光伏發(fā)電站背接觸單晶硅片技術(shù)要求

ICS27.160F12T/CEC中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)T/CEC20191128光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術(shù)要求Technicalrequirementofinterdigitatedbackcontactmonocrystallinesiliconwaferforphotovoltaicsystem(征求意見稿）20XX-XX-XX發(fā)布 20XX-XX-XX實(shí)施中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā) 布光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術(shù)要求范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片外觀與性能要求、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存等技術(shù)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)背結(jié)背接觸晶體硅電池用單晶硅片。規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法檢測(cè)。GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T1556硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1557硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法GB/T6619硅片彎曲度測(cè)量方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T26068硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法GB/T30860太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。背結(jié)背接觸晶體硅電池rearjunctioninterdigitatedbackcontactcrystallinesiliconcell電池受光面（正表面）無柵線、所有正負(fù)柵線及PN結(jié)位于背面的晶體硅太陽能電池。隱裂crack延伸到單晶硅片表面的解理或斷裂，其可能或許沒有穿過單晶硅片的整個(gè)厚度。劃痕scratch由于外力接觸單晶硅片而造成單晶硅片表面肉眼可見的條型痕跡，或經(jīng)其他檢測(cè)技術(shù)顯現(xiàn)出的條型狀發(fā)暗、發(fā)黑的現(xiàn)象。沾污contamination在單晶硅片表面上，非有意地附加到單晶硅片表面上的物質(zhì)，它的線度遠(yuǎn)大于局部光散射體。區(qū)域沾污可以是由吸盤印，手指或手套印記、污跡、蠟或溶劑殘留物等形成的晶片表面上的外來物質(zhì)。崩邊（缺口）chip（indents）單晶硅片表面或邊緣非有意的造成脫落材料的區(qū)域。某些崩邊是在單晶硅片加工、測(cè)量或檢測(cè)時(shí)，因傳送或放置樣品等操作引起的。崩邊的尺寸由樣品外形的正投影圖上所測(cè)量的最大徑向深度和圓周弦長確定。線痕sawmark單晶硅錠切割時(shí)，在單晶硅片表面留下的一系列弧狀凸紋和凹紋交替形狀的不規(guī)則痕跡。使用內(nèi)圓切割時(shí)，其弧狀的半徑與切割刀具的半徑是相同的；而鋼線切割產(chǎn)生的刀痕特點(diǎn)取決于切割過程。外觀和性能要求外觀要求幾何參數(shù)硅片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定：表1單晶硅片幾何參數(shù)單位為微米硅片厚度允許偏差TV總厚度變化TTV彎曲度bow翹曲度Warp﹢20/﹣10≤25≤40≤40外形尺寸硅片的外形尺寸參見附錄A.1。外觀質(zhì)量要求單晶硅片的外觀要求見表2：表2單晶硅片外觀要求序號(hào)項(xiàng)目要求檢驗(yàn)方式1顏色單晶硅片的顏色應(yīng)均勻一致，無肉眼可見色差、水痕、手指印等外觀缺陷肉眼/每片2裂紋及孔洞單晶硅片不應(yīng)有肉眼可見的孔洞、裂紋肉眼/每片

表2單晶硅片外觀要求（續(xù)）序號(hào)項(xiàng)目要求檢驗(yàn)方式3崩邊及缺口不允許“V”型崩邊及類“V”形缺口；同一片單晶硅片上出現(xiàn)的崩邊、鈍形缺口不應(yīng)超過兩處，且外形缺陷的長度≤0.5mm，由邊緣向中心的深度≤0.3mm肉眼/每片4沾污單晶硅片表面、棱邊允許有輕微沾污，單個(gè)面積應(yīng)≤25mm2，個(gè)數(shù)應(yīng)≤1個(gè)；且距離硅片60cm處目測(cè)不可見肉眼/每片5劃痕劃痕寬度應(yīng)≤1mm,長度≤10mm,個(gè)數(shù)≤1個(gè)，不允許有劃傷肉眼/每片6線痕單晶硅片的線痕深度應(yīng)≤12μm，方向一致肉眼/每片電學(xué)性能電阻率單晶硅片電阻率應(yīng)為(0.5～25)Ω?cm。少數(shù)載流子壽命少數(shù)載流子壽命應(yīng)≥60μs。徑向電阻率不均徑向電阻率不均應(yīng)≤15%。理化性能間隙氧含量單晶硅片間隙氧含量應(yīng)≤0.81018atoms/cm3。代位碳含量單晶硅片代位碳含量應(yīng)≤5.01016atoms/cm3。晶體完整性單晶硅片位錯(cuò)密度應(yīng)≤500個(gè)/cm2。晶向及晶向偏離度單晶硅片的晶向應(yīng)為<100>，晶向偏離度應(yīng)不大于3°,單晶硅片四個(gè)邊緣晶向應(yīng)為<100>±2°。檢測(cè)規(guī)則檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)分為型式檢驗(yàn)、出廠檢驗(yàn)，具體檢驗(yàn)項(xiàng)目見表3。檢驗(yàn)方法外觀檢驗(yàn)5.2.1.1.幾何參數(shù)檢驗(yàn)總厚度變化按GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。彎曲度按GB/T6619硅片彎曲度測(cè)量方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。翹曲度按GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。5.2.1.2.外形尺寸檢驗(yàn)單晶硅片外形尺寸（邊長、標(biāo)稱直徑、弧長投影）檢驗(yàn)采用分辨率優(yōu)于0.02mm的游標(biāo)卡尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。5.2.1.3.外觀檢驗(yàn)在光照度不低于1000Lx的白色光源下，對(duì)硅片表面進(jìn)行目檢，產(chǎn)品與雙眼距離約30cm-50cm。線痕深度的測(cè)量按GB/T30860的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。檢驗(yàn)方法見表3。表3硅片外觀檢驗(yàn)方法序號(hào)項(xiàng)目試驗(yàn)方法1顏色目測(cè)2裂紋及孔洞目測(cè)3崩邊及缺口目測(cè)，使用菲林卡尺測(cè)量4沾污目測(cè)，使用游標(biāo)卡尺5劃痕目測(cè)，使用游標(biāo)卡尺測(cè)量6線痕按GB/T30860規(guī)定電性能檢驗(yàn)電阻率按GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。少數(shù)載流子壽命按GB/T26068硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。徑向電阻率不均勻按GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。理化性能檢驗(yàn)間隙氧含量按GB/T1556硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。代位碳含量按GB/T1557硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。晶體完整性按GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。晶向及晶向偏離度按GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。出廠檢驗(yàn)單晶硅片進(jìn)行100%出廠檢驗(yàn)，出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目包括本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部檢驗(yàn)項(xiàng)目，見表4。產(chǎn)品應(yīng)經(jīng)生產(chǎn)企業(yè)質(zhì)檢部門檢驗(yàn)合格，并簽發(fā)合格證后方可出廠。型式檢驗(yàn)型式檢驗(yàn)項(xiàng)目包括本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部檢驗(yàn)項(xiàng)目（見表4），型式檢驗(yàn)項(xiàng)目包括本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部檢驗(yàn)項(xiàng)目，見表4。型式檢驗(yàn)每年應(yīng)進(jìn)行1次。有下列情況之一時(shí)，宜應(yīng)進(jìn)行型式試驗(yàn)；a)新產(chǎn)品投產(chǎn)鑒定或鑒定新產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)時(shí);b)正式生產(chǎn)后，如結(jié)構(gòu)、材料、工藝及關(guān)鍵設(shè)備有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時(shí);c)停產(chǎn)半年以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí);d)供需雙方發(fā)生產(chǎn)品質(zhì)量爭(zhēng)議需要仲裁時(shí);e)國家質(zhì)量監(jiān)督部門或主管部門提出型式檢驗(yàn)要求時(shí)。表4檢驗(yàn)項(xiàng)目、技術(shù)要求和試驗(yàn)方法序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目型式檢驗(yàn)出廠檢驗(yàn)技術(shù)要求試驗(yàn)方法1總厚度變化√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1.12彎曲度√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1.13翹曲度√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1.14外形尺寸√√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.2本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1.25外觀要求√√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.3本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1.36電阻率√本標(biāo)準(zhǔn)4.2.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.27少數(shù)載流子壽命√本標(biāo)準(zhǔn)4.2.2本標(biāo)準(zhǔn)5.2.28徑向電阻率變化√本標(biāo)準(zhǔn)4.2.3本標(biāo)準(zhǔn)5.2.29間隙氧含量√本標(biāo)準(zhǔn)4.3.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.310代位碳含量√本標(biāo)準(zhǔn)4.3.2本標(biāo)準(zhǔn)5.2.311晶體完整性√本標(biāo)準(zhǔn)4.3.3本標(biāo)準(zhǔn)5.2.312晶向及晶向偏離度√本標(biāo)準(zhǔn)4.1.1本標(biāo)準(zhǔn)5.2.3標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存標(biāo)志單晶硅片包裝盒（或箱）上至少印有如下產(chǎn)品標(biāo)志：制造廠名、產(chǎn)品名稱、產(chǎn)品型號(hào)、制造日期、單晶編號(hào)、包裝數(shù)量、切割刀紋方向、合格標(biāo)識(shí)。外包裝箱印有正放置、防潮、防曬、易碎、堆碼極限等標(biāo)志。包裝硅片內(nèi)包裝應(yīng)做好防護(hù)防撞措施并密封，避免摩擦、晃動(dòng)、擠壓。對(duì)于批量出售和長途運(yùn)輸?shù)膯尉Ч杵?，?yīng)防潮、防曬、防震動(dòng)，箱內(nèi)有產(chǎn)品清單和檢驗(yàn)合格證書，包裝儲(chǔ)運(yùn)標(biāo)志應(yīng)符合GB/T13384的規(guī)定。運(yùn)輸產(chǎn)品應(yīng)使用有緩沖材料的包裝進(jìn)行運(yùn)輸，運(yùn)輸過程中做好防護(hù)措施。儲(chǔ)存產(chǎn)品應(yīng)在有包裝的條件下儲(chǔ)存在通風(fēng)、干燥（相對(duì)濕度≤60%，溫度小于42℃）、無腐蝕性氣體的環(huán)境下。附錄A（資料性附錄）單晶硅片尺寸規(guī)格A.1單晶硅片直徑及允許偏差單晶硅片的端面如圖A.1所示，端面尺寸應(yīng)符合表A.1的規(guī)定。圖A.1單晶硅片尺寸示意圖表A.1單晶硅片尺寸要求單位為毫米規(guī)格尺寸A（邊長）B（標(biāo)稱直徑）E（垂直度）156.75×156.75156.75±0.25210±0.2590±0.25°158.75×158.75158.75±0.25223±0.2590±0.25°166.00×166.00166.00±0.25213±0.2590±0.25°223±0.2590±0.25°233±0.2590±0.25°附錄B（規(guī)范性附錄）B.1單晶硅片性能檢驗(yàn)記錄如表B.1。表B.1單晶硅片性能檢驗(yàn)記錄表測(cè)試時(shí)間晶體編號(hào)電阻率厚度TTV邊緣厚度少子壽命線痕翹曲邊長1邊長2表面積標(biāo)稱直徑1標(biāo)稱直徑2弧長投影X1弧長投影X2弧長投影X3弧長投影X4弧長投影Y1弧長投影Y2弧長投影Y3弧長投影Y4垂直度1垂直度2垂直度3垂直度4沾污附錄