材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第1頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第2頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第3頁
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材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)常見的兩種擴(kuò)散機(jī)構(gòu)為()。

答案:空位機(jī)構(gòu);間隙機(jī)構(gòu)影響溶質(zhì)在置換型固溶體的溶解度的因素是()。

答案:離子尺寸;離子電價(jià)的影響;電負(fù)性;晶體的結(jié)構(gòu)類型化合物能否形成玻璃與其鍵能和鍵型都有關(guān)。()

答案:對(duì)在三元相圖中,相應(yīng)的副三角形的數(shù)量一定等于無變量點(diǎn)的數(shù)量。()

答案:錯(cuò)石英的位移型轉(zhuǎn)變不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建,轉(zhuǎn)變過程迅速而可逆。()

答案:對(duì)擴(kuò)散進(jìn)行的方向一定是物質(zhì)從高濃度處流向低濃度處。()

答案:錯(cuò)蒙脫石的顯著特點(diǎn)是C軸吸水后易膨脹。()

答案:對(duì)低價(jià)陽離子占據(jù)高價(jià)陽離子位置時(shí),該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生陰離子空位或間隙陽離子。()

答案:對(duì)一致熔化合物是一種穩(wěn)定的化合物。()

答案:對(duì)在三元相圖中,不一致熔二元化合物的組成點(diǎn)不在其初晶區(qū)的范圍內(nèi)。()

答案:對(duì)CaZr"示Ca2+離子占據(jù)Zr4+離子位置,且此缺陷帶有二個(gè)單位負(fù)電荷。()

答案:對(duì)蒙脫石屬于1:1型的層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)。()

答案:錯(cuò)晶界擴(kuò)散系數(shù)>表面擴(kuò)散系數(shù)>晶格擴(kuò)散系數(shù)。()

答案:錯(cuò)位置關(guān)系強(qiáng)調(diào)形成缺陷時(shí),基質(zhì)晶體中正負(fù)離子結(jié)點(diǎn)數(shù)之比保持不變,并非原子個(gè)數(shù)比保持不變。()

答案:對(duì)弗倫克爾缺陷的特點(diǎn)是正離子空位與負(fù)離子空位成對(duì)產(chǎn)生,晶體體積增加。()

答案:錯(cuò)固溶體是一種單相均一的晶態(tài)固體。()

答案:對(duì)高嶺石屬于2:1型的層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)。()

答案:錯(cuò)常用γGB/γSV(γGB:晶界能,γSV:表面能)來衡量燒結(jié)難易,若YGB/YSV愈大愈容易燒結(jié)。()

答案:錯(cuò)在離子晶體中,圍繞每一陽離子,形成一個(gè)陰離子配位多面體,陰陽離子的間距決定于它們的半徑之和。()

答案:對(duì)一級(jí)相變與二級(jí)相變都具有相變前后化學(xué)勢(shì)的一階偏微分相等的特點(diǎn)。()

答案:錯(cuò)在離子晶體中,被極化的主要是正離子,負(fù)正離子為極化者,正離子作為被極化者。()

答案:錯(cuò)在離子晶體中,陽離子的配位數(shù)完全取決于正負(fù)離子的半徑比。()

答案:錯(cuò)擴(kuò)散傳質(zhì)時(shí),對(duì)于雙球模型,空位濃度最大的區(qū)域是()。

答案:頸部表面關(guān)于玻璃的性質(zhì)的說法,正確的是()。

答案:Li2O,Na2O和K2O對(duì)粘度的影響能力和O/Si有關(guān)蒙脫石屬于層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)特征是()。

答案:三層型二八面體結(jié)構(gòu)CaCl2加入NaCl晶體時(shí),若Ca2+離子位于Na+離子位置上,那么該缺陷所帶電荷為()。

答案:一個(gè)單位正電荷燒結(jié)過程中,只改變氣孔形狀而不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是()。

答案:蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)在晶體材料TiO2-X中,Ti4+位置的數(shù)目與O2-位置的數(shù)目之比為(注意:位置數(shù)目指的是某種離子所在的正常格點(diǎn)的數(shù)目()。

答案:1:2硅酸鹽熔體中聚合物的種類、數(shù)量與熔體的組成O/Si有關(guān),O/Si比值增大,則熔體中()。

答案:高聚物數(shù)量減少根據(jù)缺陷產(chǎn)生的原因進(jìn)行劃分,點(diǎn)缺陷可以分為三種,下面哪個(gè)選項(xiàng)不屬于這三種類型()。

答案:空位關(guān)于點(diǎn)缺陷,以下說法錯(cuò)誤的是()。

答案:高價(jià)陽離子取代低價(jià)陽離子,會(huì)產(chǎn)生陽離子間隙或陰離子空位關(guān)于位錯(cuò),下面說法正確的是()。

答案:刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)是兩種最基本的位錯(cuò)對(duì)燒結(jié)與晶粒生長(zhǎng)說法錯(cuò)誤的是()。

答案:二者的推動(dòng)力相同在氧化鈦的非化學(xué)計(jì)量化合物中,Ti3+/Ti4+=0.1,則其化學(xué)式為()。

答案:TiO1.955非化學(xué)計(jì)量化合物Cd1+xO中存在那種類型晶格缺陷()。

答案:陽離子填隙Na2O·K2O·Al2O3·2SiO2玻璃的四個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)為()。

答案:Z=4R=2.25X=0.5Y=3.5本征缺陷是由于什么形成的?()。

答案:原子的熱運(yùn)動(dòng)根據(jù)3T曲線,某種玻璃的形成難度很大,表明其臨界冷卻速率()。

答案:較大在合成鎂鋁尖晶石時(shí),根據(jù)相關(guān)理論可以推斷出固相反應(yīng)速度最快的組合是()。

答案:γ-Al2O3,MgCO3關(guān)于形成填隙固溶體的條件中,下列說法正確的是()。

答案:形成填隙型固溶體的次序是:沸石>CaF2>TiO2>MgO。;也必須保持結(jié)構(gòu)中的電中性;通過形成空位或補(bǔ)償電子缺陷,以及復(fù)合陽離子置換來達(dá)到電中性;溶質(zhì)原子的半徑小或溶劑晶格的結(jié)構(gòu)空隙大高嶺石的性能特點(diǎn)是()。

答案:易理解成片狀小晶體;化學(xué)組成較純凈;陽離子交換容量小;離子的取代很少(對(duì))陷產(chǎn)生和消滅的過程可以用化學(xué)反應(yīng)方程式來表示,這種反應(yīng)式的寫法必須滿足以下規(guī)則()。

答案:位置關(guān)系;質(zhì)量守恒;電荷守恒;表面位置對(duì)于陰離子空位型的非化學(xué)計(jì)量結(jié)構(gòu)缺陷,下面說法正確的是()。

答案:在缺氧的氣氛中形成;TiO2-x與ZrO2-x屬于這種類型;屬于n型半導(dǎo)體;電導(dǎo)率隨氧分壓升高而降低在配位結(jié)構(gòu)中,圍繞高電價(jià)、低配位數(shù)的陽離子的陰離子多面體之間完全可以共用棱、共用面。()

答案:錯(cuò)本征擴(kuò)散的溫度比雜質(zhì)擴(kuò)散的溫度低。()

答案:錯(cuò)楊德爾方程可適用于粉狀物料固相反應(yīng)的全過程。()

答案:錯(cuò)形成玻璃的物質(zhì)必須具有極性共價(jià)鍵或金屬共價(jià)鍵型。()

答案:對(duì)在一個(gè)晶體中,本質(zhì)不同的結(jié)構(gòu)組元的種類趨向于最多。()

答案:錯(cuò)高嶺石具有較高的陽離子交換容量。()

答案:錯(cuò)靜電價(jià)規(guī)則不可以用來確定陰離子配位數(shù)。()

答案:錯(cuò)微晶學(xué)說和無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說都承認(rèn)玻璃是具有近程有序、遠(yuǎn)程無序結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的無定形物質(zhì)。()

答案:對(duì)晶體結(jié)構(gòu)缺陷對(duì)能造成晶格點(diǎn)陣的畸變,因此對(duì)材料的性能有著非常明顯的影響,因?yàn)榫w結(jié)構(gòu)缺陷。()

答案:對(duì)在硅酸鹽晶體中,會(huì)同時(shí)出現(xiàn)[SiO4]和[Si2O7]雙四面體。()

答案:錯(cuò)對(duì)液-固相變過程,若相變過程吸熱,即△H>0,則相變推動(dòng)力過冷度△T<0。()

答案:對(duì)硅酸鹽層狀結(jié)構(gòu)中,2:1型(三層型層狀結(jié)構(gòu))指的是一層四面體層和一層八面體層相連。()

答案:錯(cuò)硅酸鹽熔體粘度的大小是由熔體中硅氧四面體的網(wǎng)絡(luò)連接程度決定的。()

答案:對(duì)固體和液體相互接觸后,若潤(rùn)濕則體系自由能降低。()

答案:對(duì)硅酸鹽晶體的基本單元不是SiO4]四面體。()

答案:錯(cuò)過冷度越大,晶胚的臨界半徑越小。()

答案:對(duì)一個(gè)晶體的結(jié)構(gòu),主要取決于其組成單位的數(shù)目、相對(duì)大小以及極化性質(zhì)。()

答案:對(duì)對(duì)硅酸鹽熔體,堿金屬氧化物對(duì)粘度的影響能力為L(zhǎng)i2O>Na2O>K2O()

答案:錯(cuò)固相反應(yīng)開始于較高的溫度,但反應(yīng)速度非??臁#ǎ?/p>

答案:錯(cuò)一般說來,價(jià)數(shù)愈低及半徑越大,越易被極化。()

答案:對(duì)高溫熔體結(jié)構(gòu)具有近程無序的特點(diǎn)()

答案:錯(cuò)在正常的結(jié)點(diǎn)位置上有一個(gè)結(jié)點(diǎn)位置是空著的,這個(gè)空結(jié)點(diǎn)就是空位。()

答案:對(duì)硅酸鹽熔體是由低聚物、高聚物、“三維碎片”、吸附物、游離堿等不同聚合程度的各種聚合體的混合物。()

答案:對(duì)在氧化鋁晶體中,如果氧離子遷移到固體表面后在原來的位置上留下空位,那么該空位帶2個(gè)單位的負(fù)電荷。()

答案:錯(cuò)硅酸鹽晶體中的Si-O鍵不是純離子鍵,有相當(dāng)?shù)墓矁r(jià)鍵成分。()

答案:對(duì)在三元相圖中,處于相應(yīng)副三角形的交叉位的無變量點(diǎn)是雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。()

答案:錯(cuò)固溶體的晶體結(jié)構(gòu)和固體“溶劑”無關(guān)。()

答案:錯(cuò)離子晶體中,極化可能會(huì)導(dǎo)致鍵長(zhǎng)縮短。()

答案:對(duì)靜電價(jià)規(guī)則可以用來判斷晶體結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定(滿足靜電平衡)。()

答案:對(duì)B2O3一定使硅酸鹽玻璃的粘度降低。()

答案:錯(cuò)離子化合物和固溶體都是在原子尺度形成的,它們中的各種原子或離子的數(shù)量比(摩爾比)都不是固定的。()

答案:錯(cuò)固溶體是一種溶解了雜質(zhì)原子的非晶態(tài)固體。()

答案:錯(cuò)對(duì)于低共熔混合物,從液相中析出幾種晶體,即產(chǎn)生幾種新相。()

答案:對(duì)肖特基缺陷的特點(diǎn)是間隙原子和空位成對(duì)產(chǎn)生。()

答案:錯(cuò)熔體析晶遵循成核-長(zhǎng)大機(jī)理,I、U曲線峰值的大小及位置直接影響析晶過程及制品性質(zhì)。當(dāng)I-U曲線重疊面積大且過冷度大時(shí),容易得到()

答案:晶粒多、尺寸小的細(xì)晶。三元系統(tǒng)相圖中,等溫線分布疏松,表明隨溫度變化()。

答案:液相量變化大以下哪種缺陷的產(chǎn)生和環(huán)境的氣氛有關(guān)()。

答案:非化學(xué)計(jì)量缺陷關(guān)于熱缺陷,下面說法錯(cuò)誤的是()。

答案:體積都沒有變化當(dāng)在晶格中存在陽離子空位時(shí),為了保持電中性,在正離子空位周圍捕獲電子空穴,它屬于()。

答案:p型半導(dǎo)體下面那個(gè)選項(xiàng)不屬于影響形成置換型固溶體的主要因素()。

答案:密堆積方式可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大,形成玻璃就()。

答案:越難在離子化合物中,晶界擴(kuò)散系數(shù)Qg、表面擴(kuò)散系數(shù)Qs以及晶格擴(kuò)散系數(shù)Qb的大小關(guān)系一般為()。()

答案:Qs>Qg>Qb在Al2O3中摻加0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O3所制成的人造黃玉,經(jīng)分析認(rèn)為是形成了置換型(空位)固溶體,則此人造黃玉的化學(xué)式為()。

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975對(duì)于x(0<x<1)mol的Al2O3溶解到1molZrO2形成固溶體,如果形成空位型缺陷,則固溶體的化學(xué)式為()。

答案:Zr1-2xAl2xO2-X某熔體析晶區(qū)較寬,在冷卻析晶時(shí)若控制△T大,則得到的產(chǎn)品()。

答案:晶粒多而尺寸小擴(kuò)散的一般推動(dòng)力為()。

答案:化學(xué)位梯度關(guān)于硅酸高溫玻璃熔體,下列說法錯(cuò)誤的是()。

答案:降溫一定不能析出晶體。0.03mol%TiO2固溶于Al2O3中形成空位型有限固溶體,該固溶體分子式為()。

答案:Al1.9997Ti0.0003O3關(guān)于高嶺石和蒙脫石,下面說法錯(cuò)誤的是()。

答案:兩者吸水后C軸都易膨脹.當(dāng)有n個(gè)等大球體緊密堆積時(shí),會(huì)形成八面體空隙和四面體空隙,則球體個(gè)數(shù)與八面體空隙、四面體空隙的個(gè)數(shù)比為()。

答案:1:1:2某晶體AB,A—的電荷數(shù)為1,A—B鍵的S=1/6,則A+的配位數(shù)為()。

答案:6關(guān)于在M2O-SiO2高溫熔體中,關(guān)于Li2O,Na2O,K2O對(duì)其粘度的影響,說法正確的是()。

答案:當(dāng)O/Si比很大時(shí),按照熔體粘度按照Li2O,Na2O,K2O次序減小關(guān)于固體材料中的擴(kuò)散,下面說法正確的是()。

答案:根據(jù)鮑林規(guī)則,[SiO4]四面體中的某一個(gè)O2-可以同時(shí)被這個(gè)[SiO4]四面體和幾個(gè)[Fe2+O6]八面體所共用()。

答案:3下列硅酸鹽礦物中是1:1型層狀結(jié)構(gòu)是()。

答案:高嶺石下列性質(zhì)中哪個(gè)不是晶體的基本性質(zhì)()。

答案:有限性在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中硅氧四面體只能以何種方式相連,否則結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定()。

答案:共頂方式在硅酸鹽熔體中,當(dāng)R=O/Si減小時(shí),相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化,熔體析晶能力、熔體的黏度、低聚物數(shù)量如何變化?()。

答案:減?。辉龃?;減小硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的何種聚集體()。

答案:近程有序,遠(yuǎn)程無序下面各項(xiàng),不屬于形成連續(xù)置換型固溶體的條件是()。

答案:電負(fù)性相差大于1Na2O·CaO·Al2O3·3SiO2玻璃的四個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)為()。

答案:Z=4R=2.2X=0.4Y=3.6關(guān)于晶界,下面說法錯(cuò)誤的是()。

答案:晶界處熔點(diǎn)高于晶粒二級(jí)相變的特點(diǎn)是()。

答案:相變時(shí)兩相的化學(xué)勢(shì)相等;相變時(shí)兩相的體積相等;相變時(shí)兩相的熵相等相變過程的推動(dòng)力表現(xiàn)為()。

答案:過冷度;過飽和濃度;過飽和蒸汽壓馬氏體相變的特點(diǎn)是()。

答案:伴隨馬氏體相變的宏觀變形-浮凸效應(yīng);存在習(xí)性平面;相變往往以很高的速度進(jìn)行,有時(shí)高達(dá)聲速;無擴(kuò)散性關(guān)于液-固相變中的關(guān)于晶坯的臨界半徑的說法正確的是()。

答案:過冷度愈大,則rk值就愈小;rk是新相可以長(zhǎng)大而不消失的最小晶胚半徑關(guān)于亞穩(wěn)區(qū),說法正確的是()。

答案:在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)雖然不能自發(fā)產(chǎn)生新相;亞穩(wěn)區(qū)具有不平衡狀態(tài)的特征;在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi),物系不能自發(fā)產(chǎn)生新相;在外界能量影響下,也有可能在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)形成新相,此時(shí)使亞穩(wěn)區(qū)縮小以什么為主要傳質(zhì)手段的燒結(jié),用延長(zhǎng)時(shí)間難以達(dá)到坯體致密化的目的()。

答案:蒸發(fā)—凝聚;以擴(kuò)散傳質(zhì)為主的燒結(jié)初期擴(kuò)散傳質(zhì)時(shí)空位由(),擴(kuò)散原子或離子由()擴(kuò)散()。

答案:凸表面向凹表面;凹表面向凸表面燒結(jié)時(shí)加入外加劑可以促進(jìn)燒結(jié),外加劑作用是()。

答案:擴(kuò)大燒結(jié)溫度范圍;與燒結(jié)主體生成化合物;與燒結(jié)主體形成固溶體;與燒結(jié)主體形成液相下列哪個(gè)過程能使燒結(jié)產(chǎn)物強(qiáng)度增大而不產(chǎn)生致密化過程()。

答案:蒸發(fā)—凝聚常用γGB/γSV來衡量燒結(jié)難易,若YGB/YSV愈大,說明燒結(jié)推動(dòng)力()。

答案:越大關(guān)于金斯特林格方程和楊德爾方程,以下說法正確的是()。

答案:金斯特林格方程適用范圍比楊德爾方程更大。;金斯特林格方程和楊德爾方程都是以穩(wěn)定擴(kuò)散為假設(shè)條件。;金斯特林格方程沒有考慮體積效應(yīng)。對(duì)于間隙空位機(jī)構(gòu):間隙擴(kuò)散活化能包括()。

答案:間隙遷移能對(duì)于本征空位機(jī)構(gòu):空位擴(kuò)散活化能包括()。

答案:空位形成能;空位遷移能固體材料中的擴(kuò)散特點(diǎn)是()。

答案:遷移速率十分緩慢;晶體中的質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散具有各向異性;明顯的質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散常開始于較高的溫度;需克服一定勢(shì)壘非穩(wěn)定擴(kuò)散的描述正確的是()。

答案:是菲克第二定律的適用條件;擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散層內(nèi)的濃度分布隨時(shí)間而變化氧化鋁固溶到氧化鋯中形成的晶態(tài)固體屬于()。

答案:單相相應(yīng)副三角形的數(shù)量()無變量點(diǎn)的數(shù)量()。

答案:≤單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)處于相應(yīng)副三角形的什么位()。

答案:交叉位不一致熔融的化合物的特點(diǎn)是()。

答案:加熱后到一定溫度下分解;不穩(wěn)定;在二元系統(tǒng)中,化合物組成位于其液相線的范圍之外用于判斷結(jié)晶產(chǎn)物和結(jié)晶終點(diǎn)的規(guī)則是()。

答案:三角形規(guī)則當(dāng)表面形成雙電層后,它將向內(nèi)層發(fā)生作用,并引起內(nèi)層離子的極化和重排,表面效應(yīng)所能達(dá)到的深度,與陰、陽離子的半徑差有關(guān),差愈大深度愈深。()

答案:對(duì)黏土在下列哪種溶液中的陽離子交換容量最大()。

答案:

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