半導(dǎo)體器件 第16-6部分：微波集成電路 倍頻器 征求意見稿

GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-161IEC60617(所有部分)簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)（Graphica注：GB/T4728（所有部分）電氣簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)[IEC60617（所有部分）]IEC60747-1:2006半導(dǎo)體器件第1部分IEC60747-4半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波二極管和晶體管(Semiconductordevices–Discretedevices–Part4:Microwavediodesandtransistors)注：GB/T20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件(IEC60747-4:2001,IDT)IEC60747-16-3:2002半導(dǎo)體器件第16-3部分16-3:MicrowaveintegratedcircuitsIEC60747-16-3:2002/AMD2IEC61340-5-1靜電學(xué)第5-1部分：電子器件的靜電防護(hù)通用要求（Electrostatics–Part5-1:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena–Generalrequirements)IECTR61340-5-2靜電學(xué)第5-2部分：電子器件的靜電防護(hù)用戶手冊(cè)（ElectrostatiProtectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena–Userguide）3.1fo輸出頻率等于輸入頻率乘以倍頻因子N，其中N為整數(shù)。3.2GB/TXXXXX—XXXX/IEC602Po3.33.4輸入回波損耗inputreturnLret(in)3.5Lret(out)3.6P3.7n階諧波隔離度n-thorderhaP3.8L(f)GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-163注1：此處的相位噪聲通常表示為相位波動(dòng)的功率譜密度，Sφ(f)，此處相位波動(dòng)函數(shù)φ(t)=2πFt?2πF0t。相位波f——傅里葉頻率。注2：L(f)的發(fā)聲是“script-elloff”。4.1總則4.2應(yīng)用說明GB/TXXXXX—XXXX/IEC604應(yīng)給出輸入和輸出電路的細(xì)節(jié)，例如：輸入/輸出阻抗、隔直流、漏極開路等。若存在與其他器件4.3功能規(guī)定GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-165——利用引出端相互連接、編程和（或）將功能選擇數(shù)據(jù)），輸入NU電源電壓微波集成電路倍頻器接地NC輸出4.4極限值（絕對(duì)最大額定值體系）b)如果外部連接和（或）安裝元件（例如熱沉），對(duì)額定值有影響，則應(yīng)規(guī)定帶有外部連接和GB/TXXXXX—XXXX/IEC606g)給出的額定值必須覆蓋多功能集成電路在規(guī)定工作溫度范圍內(nèi)的工作情況。如果額定值與溫+++++++）；GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-167）；）；）；++++++++輸入回波損耗（Lret(in)）++輸出回波損耗（Lret(out)）++++++++4.7機(jī)械和環(huán)境額定值，特性和數(shù)據(jù)應(yīng)規(guī)定適用的機(jī)械和環(huán)境額定值（見IEC60747-1a)輸入和輸出等效電路：根據(jù)輸入和輸出電路的類型應(yīng)給出詳細(xì)信息，例如輸入/輸出阻抗，隔GB/TXXXXX—XXXX/IEC608g)對(duì)相關(guān)器件的建議：例如，對(duì)于高頻器件，應(yīng)說明電j)其他應(yīng)用資料。5.1總則本文件中電路圖所示的測(cè)量系統(tǒng)的特性阻抗是50Ω。如果不是50Ω,應(yīng)說明。GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-169被測(cè)器件EABDA信號(hào)源定向耦合器1定向耦合器2定向耦合器3頻譜分析儀EABDAGC隔離器可變衰減器VC隔離器可變衰減器V帶通濾波器帶通濾波器HzAFWHzAFW頻率計(jì)功率計(jì)1W頻率計(jì)功率計(jì)1W功率計(jì)2偏置電壓功率計(jì)2PP=Pm2+L2·······················PP1和Pm2的單位為dBm，L1和L2的單位為dB。應(yīng)預(yù)先測(cè)得電路損耗L1和L2。帶通濾波器放置在功率計(jì)2之前來消除fo之外的頻率成分。隔離器GB/TXXXXX—XXXX/IEC60——倍頻因子，N。Pi和PoPi和PoGB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16由功率計(jì)2測(cè)量出Pm2,根據(jù)式（1）、（2）和（3）得到變頻增益Gc。5.4輸入回波損耗(Lret(in))被測(cè)器件信號(hào)源定向耦合器1定向耦合器2定向耦合器3頻譜分析儀GAABGACC隔離器可變衰減器WV隔離器可變衰減器WVWAHzWAHz頻率計(jì)功率計(jì)2功率計(jì)1頻率計(jì)功率計(jì)2偏置電壓GB/TXXXXX—XXXX/IEC60PP2的單位為dBm。Lret(in)的單位為dB。由公式（4）計(jì)算輸入回波損耗Lret(in)。5.5輸出回波損耗(Lret(out))GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16被測(cè)器件W被測(cè)器件W信號(hào)源1定向耦合器1定向耦合器3定向耦合器2信號(hào)源1定向耦合器1定向耦合器3GAXGAAYC射頻開關(guān)可變衰減器VYC射頻開關(guān)可變衰減器VA頻譜分析儀WA頻譜分析儀W定向耦合器4偏置電壓GLret(out)=P(f2,Γ=1)?P(f2)P(f2,Γ=1)——圖3中，當(dāng)射頻開關(guān)位于Y端（短路）時(shí)，頻譜分析儀在頻率f2下的數(shù)值；P(f2)——當(dāng)射頻開關(guān)位于A端時(shí)，頻譜分析儀在在頻率f2下的數(shù)值。P(f2,Γ=1)和P(f2)的單位為dBm。Lret(out)的單位為dB。在被測(cè)器件的頻率響應(yīng)在可忽略的變化范圍內(nèi)時(shí)，信號(hào)發(fā)生器2的頻率f2應(yīng)該從輸出頻率fo分離GB/TXXXXX—XXXX/IEC60在頻率f2下，由頻譜分析儀測(cè)量得到P(f2,在頻率f2下，由頻譜分析儀測(cè)量得到P(f2)的值?！额l因子，N；——信號(hào)源2的頻率，f2。P=P?PP=P(fi)+L(fi)··················································(7.)GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16PP(fi)——在輸入頻率fi下，頻譜分析儀的測(cè)量值；L(fi)——在輸入頻率fi下，從D點(diǎn)到E點(diǎn)測(cè)得的電路損耗值；P0、P1和P(fi)的單位為dBm，P0P1和L(fi)的單位為dB。應(yīng)該預(yù)先測(cè)得電路損耗L(fi)。在輸入（基波）頻率下，使用頻譜分析儀測(cè)得P(fi)。5.7n階諧波隔離度(P0Pnth)GB/TXXXXX—XXXX/IEC60PP=P(fnth)+L(fnth)················································(9.)P(fnth)——在n階諧波頻率fnth下，頻譜分析儀的測(cè)量值；L(fnth)——在n階諧波頻率fnth下，從D點(diǎn)到E點(diǎn)之間的電路損耗。P0，Pnth和P(fnth)的單位為dBm，P0Pnth和L(fnth)的單位為dB。應(yīng)預(yù)先測(cè)得電路損耗L(fnth)。給被測(cè)件施加規(guī)定的輸入功率。在n階諧波頻率fnth下，由頻譜分析儀測(cè)得n階諧波功率P(fnth)。5.8相位噪聲（L(f)）GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16注：方法3雖然不嚴(yán)格，但常常作為工業(yè)界實(shí)用的半導(dǎo)體倍頻器件相位噪聲值測(cè)量方法。當(dāng)調(diào)幅噪聲可被測(cè)器件定向耦合器1定向耦合器2混頻器信號(hào)源1定向耦合器3波形分析儀或被測(cè)器件定向耦合器1定向耦合器2混頻器信號(hào)源1定向耦合器3CABGAA衰減器V可變衰減器HzWHzA頻率計(jì)2或頻譜儀頻率計(jì)1功率計(jì)1偏置電壓頻譜分析儀CABGAA衰減器V可變衰減器HzWHzA頻率計(jì)2或頻譜儀頻率計(jì)1功率計(jì)1偏置電壓低通濾波器信號(hào)發(fā)生器2\ 鎖相環(huán)圖4相位噪聲L(f)的測(cè)試電路圖（方法1）相位噪聲L(f)由下式計(jì)算得出：L(f)=PSSB?··························PSSB——偏移fo規(guī)定頻率處的單邊噪聲功率譜密度，dBm/Hz;GB/TXXXXX—XXXX/IEC60PSSB=PDSB?3+L3·····························L3的單位是dB。信號(hào)源2和被測(cè)器件自然鎖相，所以它們的信號(hào)有一個(gè)90度的相移，并且鎖相環(huán)的輸出電壓波應(yīng)預(yù)先測(cè)得電路損耗L3（見IEC60747-16-3:2002和IEC60747-16-3:200在偏離fo規(guī)定頻率處，由波形分析儀或頻譜分析儀測(cè)量雙邊噪聲功率譜密度值PDSB；由公式（10）計(jì)算出相位噪聲L(f)。GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16——倍頻因子，N。功分器功分器混頻器信號(hào)源定向耦合器1定向耦合器2定向耦合器3混頻器BAAA.BAAAG衰減器可調(diào)衰減器可變延遲線V衰減器可調(diào)衰減器可變延遲線VHzHzACWHzHzACW功率計(jì)頻率計(jì)1頻率計(jì)功率計(jì)頻率計(jì)1或偏置電壓低通濾波器波形分析儀或偏置電壓低通濾波器波形分析儀或頻譜分析儀圖5相位噪聲L(f)的測(cè)試電路圖（方法2）GB/TXXXXX—XXXX/IEC60在偏離fo規(guī)定頻率處，由波形分析儀或頻譜分析儀測(cè)試雙邊噪聲功率譜密度值PDSB；由公式（11）計(jì)算出單邊噪聲功率譜密度值PSSB；由公式（10）計(jì)算出相位噪聲L(f)。被測(cè)器件V信號(hào)源定向耦合器1定向耦合器2定向耦合器3V頻譜分析儀GAABGAA衰減器可變衰減器衰減器HzHzAWHzHzAW頻率計(jì)1頻率計(jì)2功率計(jì)頻率計(jì)1頻率計(jì)2偏置電壓 圖6相位噪聲L(f)的測(cè)試電路圖（方法3）L(f)=PSSB?·····················PSSB——偏離fo規(guī)定頻率處的單邊噪聲功率譜密度值，dBm