電力電子技術(shù)（廣東工業(yè)大學(xué)）智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年廣東工業(yè)大學(xué)

電力電子技術(shù)（廣東工業(yè)大學(xué)）智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年廣東工業(yè)大學(xué)晶閘管加.上陽極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通。

答案:對(duì)單相半波可控整流電路會(huì)向電網(wǎng)注入大量諧波。

答案:對(duì)三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為300Hz。

答案:錯(cuò)只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。

答案:錯(cuò)普通晶閘管外部有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。

答案:錯(cuò)為避免三次諧波注入電網(wǎng)，晶閘管整流電路中的整流變壓器應(yīng)采用Y/Y接法

答案:錯(cuò)直流測(cè)為電流源的逆變電路稱為電流型逆變電路。

答案:對(duì)單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差（

）度。

答案:180°在大電感負(fù)載三相全控橋中，整流電路工作狀態(tài)的最大移相范圍是（）

答案:90°

答案:2個(gè)接有續(xù)流二極管的單相半控橋式變流電路可運(yùn)行的工作象限是（）

答案:第一象限α為

（

）度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。

答案:30度變流裝置其功率因數(shù)的高低與電路負(fù)載阻抗的性質(zhì)，無直接關(guān)系。

答案:對(duì)三相半波可控整流電路，不需要用大于60°或小于120°的寬脈沖觸發(fā)，也不需要相隔60°的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120°的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作。

答案:對(duì)MOSFET的通態(tài)電路的負(fù)溫度系數(shù)的特性，有利于MOSFET的并聯(lián)使用。

答案:錯(cuò)PWM脈寬調(diào)制型逆變電路中，采用不可控整流電源供電，也能正常工作。

答案:對(duì)在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。

答案:對(duì)設(shè)置補(bǔ)償電容可以提高變流裝置的功率因數(shù)。

答案:對(duì)只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會(huì)關(guān)斷。

答案:錯(cuò)帶隔離變壓器的全橋電路，變壓器副邊的兩個(gè)二極管不能同時(shí)導(dǎo)通。

答案:錯(cuò)雙向晶閘管額定電流的定義，與普通晶閘管的定義相同。

答案:對(duì)逆變失敗，是因主電路元件出現(xiàn)損壞，觸發(fā)脈沖丟失，電源缺相，或是逆變角太小造成的。

答案:對(duì)逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。

答案:錯(cuò)給晶閘管加上正向陽極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。

答案:錯(cuò)電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為U2，當(dāng)控制角α≤30°時(shí)，整流輸出電壓平均值等于(

)

答案:1.17U2cosα關(guān)于單相橋式PWM逆變電路，下面說法正確的是（）

答案:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有三個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（）

答案:晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）

答案:減小至維持電流以下桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是（）

答案:加快功率晶體管的開通正激電路與反激電路的工作原理是類似的。

答案:錯(cuò)無源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)換成交流電能送給交流電網(wǎng)。

答案:錯(cuò)變頻調(diào)速裝置是屬于無源逆變的范疇。

答案:對(duì)在室溫下門極斷開時(shí)，元件從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持導(dǎo)通的最小陽極電流為維持電流。

答案:對(duì)電力MOSFET采用少子導(dǎo)電方式。

答案:錯(cuò)IGBT的關(guān)斷過程與電力MOSFET的關(guān)斷過程非常類似。

答案:錯(cuò)晶閘管采用“共陰”接法或“共陽”接法都一樣。

答案:錯(cuò)晶閘管裝置的容量愈大，對(duì)電網(wǎng)的影響就愈小。

答案:錯(cuò)變頻調(diào)速是改變電動(dòng)機(jī)內(nèi)旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的速度達(dá)到改變轉(zhuǎn)速的目的。

答案:對(duì)單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。

答案:錯(cuò)晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問題。

答案:錯(cuò)無源逆變指的是不需要逆變電源的逆變電路。

答案:錯(cuò)IGBT中的G極是指發(fā)射極。

答案:錯(cuò)在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，另一組工作在逆變狀態(tài)。

答案:錯(cuò)普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)。

答案:錯(cuò)降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V，負(fù)載電壓Uo=12V，斬波周期T=4ms，則開通時(shí)Ton=（）

答案:3ms單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（）

答案:V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重疊角γ與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（）

答案:α、U2、負(fù)載電流Id以及變壓器漏抗XC在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)，應(yīng)使干擾信號(hào)的幅值限制在（）

答案:不觸發(fā)區(qū)三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=0o時(shí)，輸出的負(fù)載電壓平均值為（

）

答案:2.34

U2單相全控橋式有源逆變電路，控制角為α，則輸出電壓的平均值為（）

答案:Ud=0.9U2cosα晶閘管固定脈寬斬波電路，一般采用的換流方式是（）

答案:器件換流

答案:N組阻斷，P組逆變正弦波脈沖寬度調(diào)制英文縮寫是（）

答案:SPWM單相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，在逆變角β期間，處于換相進(jìn)行關(guān)斷的晶閘管承受的電壓是（）

答案:反向電壓三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，控制角α的有效移相范圍是（）

答案:0°-90°三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（）

答案:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載時(shí)的移相范圍為（）

答案:0°～120°帶隔離變壓器的半橋電路具有良好的抑制直流磁飽和能力。

答案:對(duì)電力二極管里面包含一個(gè)PN結(jié)。

答案:對(duì)IGBT的開通過程與電力MOSFET的開通過程非常類似。

答案:對(duì)有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。

答案:錯(cuò)SPWM中的S是Sinusoidal的簡(jiǎn)寫。

答案:對(duì)電壓型逆變電路其交流側(cè)電壓波形為矩形波,電流波形接近三角波或正弦波。

答案:對(duì)在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。

答案:對(duì)電力MOSFET常用于功率不超過100kW的電力電子裝置。

答案:錯(cuò)晶閘管的門極可以控制它的導(dǎo)通，但不能控制它的關(guān)斷。

答案:對(duì)有源逆變裝置是把逆變后的交流能量送回電網(wǎng)。

答案:對(duì)過快的晶閘管陽極du/dt會(huì)使誤導(dǎo)通。

答案:對(duì)電力MOSFET內(nèi)部包含一個(gè)與電力MOSFET反向并聯(lián)的二極管。

答案:對(duì)在DC/DC變換電路中，可以采用電網(wǎng)換流方法。

答案:錯(cuò)在一般可逆電路中，最小逆變角βmin選在下面那一種范圍合理（）

答案:30o-35o關(guān)于單相橋式PWM逆變電路，下面說法正確的是（

）

答案:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有三個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（

）

答案:晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為（）

答案:三相半波可控整流電路在大電感負(fù)載三相全控橋中，當(dāng)α>60°時(shí)，在過了自然換相點(diǎn)之后和下一個(gè)晶閘管被觸發(fā)之前，整流輸出Ud為負(fù)值，交流電源接受回饋的能量，電感（）

答案:釋放儲(chǔ)能對(duì)于單相交流調(diào)壓電路，下面說法錯(cuò)誤的是（

）

答案:晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（）

答案:抗飽和電路三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=0o時(shí)，輸出的負(fù)載電壓平均值為（）

答案:2.34U2三相全波可控整流電路電阻性負(fù)載中，控制角的最大移相范圍是（）

答案:120°觸發(fā)電路中的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)具有（

）

答案:足夠大的觸發(fā)功率對(duì)于單相交流調(diào)壓電路，下面說法錯(cuò)誤的是（）

答案:晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角γ的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（）

答案:α、Id、XL、U2、φ為了防止逆變失敗，最小逆變角限制為（）

答案:30°～35°

答案:V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷SCR屬于（

）控制型元件。

答案:電流定寬調(diào)頻是斬波器的一種（）

答案:時(shí)間比控制方式目前，在中小型變頻器中普遍采用的電力電子器件是（）

答案:IGBT三相半波帶電阻性負(fù)載時(shí)，α為

（）

度時(shí)，可控整流輸出的電壓波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。（）

答案:30度具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為（）

答案:全控型器件變流裝置的功率因數(shù)總是（）

答案:小于1大于0光電耦合由發(fā)光二極管和

答案:光敏晶體管晶閘管串聯(lián)使用時(shí)必須同時(shí)考慮靜態(tài)均壓和動(dòng)態(tài)均壓?jiǎn)栴}。

答案:對(duì)電力MOSFET的通態(tài)電路具有正的溫度系數(shù)。

答案:對(duì)按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類。

答案:對(duì)觸發(fā)電路中的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)具有

答案:足夠大的觸發(fā)功率為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在放大狀態(tài)。

答案:錯(cuò)ZVS中的Z是指Zero。

答案:對(duì)軟開關(guān)技術(shù)大都采用電路諧振來實(shí)現(xiàn)。

答案:對(duì)軟開關(guān)可以降低功率器件的開關(guān)應(yīng)力。

答案:對(duì)ZCS中的C是指Current。

答案:對(duì)一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率

答案:約為電網(wǎng)頻率的1/2~1/3交-交變頻電路輸出的電壓諧波只與電網(wǎng)頻率有關(guān)。

答案:錯(cuò)

答案:3個(gè)

答案:N組阻斷，P組整流交流調(diào)壓電路是維持頻率不變，只改變輸出電壓的幅值的電路。

答案:對(duì)

答案:12VBuck-Boost電路中有兩個(gè)功率器件。

答案:錯(cuò)帶隔離的直流-直流變流電路中必須包含變壓器。

答案:對(duì)Buck電路中可以不包括電容器。

答案:對(duì)采用多重化電壓源型逆變器的目的，主要是為

答案:減小輸出諧波直流測(cè)接大電感的逆變電路稱為電流型逆變電路。

答案:對(duì)電壓型逆變電路其直流電壓基本無脈動(dòng)，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。

答案:對(duì)180°導(dǎo)電型電壓型三相橋式逆變電路，其換相是在如下哪種情形的上、下二個(gè)開關(guān)之間進(jìn)行

答案:同一相有源逆變是將直流電逆變成其它頻率的交流電供負(fù)載使用。

答案:錯(cuò)三相全控橋整流電路中，輸出電壓的脈動(dòng)頻率為150Hz。

答案:錯(cuò)電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是

答案:0°～150°在三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反壓為2倍相電壓U2。

答案:錯(cuò)三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)的條件是

答案:無源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能回送給電網(wǎng)。

答案:錯(cuò)IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是

答案:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR對(duì)于同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有，IL（

）IH。

答案:大于IGBT綜合了BJT和