2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備（1）：薄膜沉積設(shè)備

）：主筆人：張俊雅2024/02u頭豹深耕行企研究6年，憑借豐富的內(nèi)容生產(chǎn)、平臺運營和知識管理經(jīng)驗，基于人工智能、大模型、云計算等先進(jìn)數(shù)字技術(shù)，構(gòu)建了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的全產(chǎn)業(yè)覆蓋、百創(chuàng)研究內(nèi)容數(shù)據(jù)庫，首創(chuàng)全開源、多方協(xié)同、可拓展的智慧行研平臺——“腦力擎KnowlengineTM”知識管理與研究輔助KaaS系統(tǒng)，并通過“AI推理+AI搜索輔助分析師提升工作效能，加深行研精度，助力行業(yè)實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型升級，賦u頭豹科創(chuàng)網(wǎng)()擁有20萬+專業(yè)用戶，全行業(yè)賽道覆蓋及相關(guān)研究報告產(chǎn)出數(shù)百萬原創(chuàng)數(shù)據(jù)元素，每年數(shù)千場直播及視頻內(nèi)容，用戶覆蓋了超過70%的投融資機(jī)構(gòu)、金融機(jī)構(gòu)和資本市場服務(wù)機(jī)構(gòu)。近年來，頭豹研報在資本市場的影響力逐年提升。據(jù)不完全統(tǒng)計，已有上百家擬上市及上市公司在其信披材料中大量引用頭豹數(shù)據(jù)及觀點。頭豹精選報告被全球著名的財經(jīng)資訊平臺路孚特(Refinitiv)廣泛姓名：張俊雅?2024?2024LeadLeoCONTENTSu半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)綜述 CONTENTS?全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模：2023年全球半導(dǎo)體市場低迷，預(yù)計2024年市場開始進(jìn)入上行周期 ?全球半導(dǎo)體行業(yè)周期性：技術(shù)驅(qū)動10年長周期，資本開支驅(qū)動3-4年短周期 ?半導(dǎo)體設(shè)備：晶圓制造投資量占比超80%，其中光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為核心 ?半導(dǎo)體設(shè)備投資額：集成電路設(shè)備投資額隨制程節(jié)點先進(jìn)程度提升而大幅增長 ?半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代：美日荷先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代勢在必行 ?半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代：中國晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已提升至35%，預(yù)計2025年達(dá)50% u薄膜沉積設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀 ?薄膜沉積設(shè)備：半導(dǎo)體制造關(guān)鍵設(shè)備，其技術(shù)可分為CVD、PVD和ALD三大類 ?CVD設(shè)備：PECVD應(yīng)用最為廣泛，ALD則面向先進(jìn)制程應(yīng)用 ?PVD設(shè)備：磁控濺射PVD應(yīng)用范圍最為廣泛，發(fā)展前景可觀 ?薄膜沉積技術(shù)：薄膜種類繁多且工藝復(fù)雜構(gòu)筑高技術(shù)壁壘，未來向低溫、更高集成度發(fā)展 ?薄膜沉積設(shè)備需求端：芯片制程升級，推動薄膜沉積設(shè)備需求大幅增長 ?薄膜沉積設(shè)備市場：2023年全球市場規(guī)模達(dá)260億美元，市場被海外廠商所壟斷 ?國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備廠商產(chǎn)品布局：產(chǎn)品布局較為分散，廠商間進(jìn)行差異化競爭 u薄膜沉積設(shè)備企業(yè)推薦 22?拓荊科技：國產(chǎn)CVD設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè) 23?北方華創(chuàng)：國資背景的PVD設(shè)備龍頭企業(yè) 24?微導(dǎo)納米：國產(chǎn)ALD設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè) 25u業(yè)務(wù)合作 26u方法論與法律聲明 27400-072-5588?2024LeadLeon半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代：中國晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已提升至35%，預(yù)計2025年達(dá)50%全球半導(dǎo)體設(shè)備市場高度集中，海外龍頭廠商仍處于壟斷地位，中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商已覆蓋多個目前在28nm及以上領(lǐng)域，中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商已基本實現(xiàn)了全覆蓋，部分刻蝕、清洗環(huán)節(jié)已半導(dǎo)體設(shè)備廠商也實現(xiàn)了50%以上的覆蓋，國產(chǎn)化率可n薄膜沉積設(shè)備市場：2023年全球市場規(guī)模達(dá)260億美元，市場被海外廠商所壟斷疊層數(shù)提升、新工藝的應(yīng)用，使得薄膜沉積設(shè)備在產(chǎn)線中的占比及價值量逐步提在薄膜沉積設(shè)備市場中，PECVD份額占比達(dá)33%，而其余占比較大的設(shè)備有PVD（19%）、ALD（11%）、管式n薄膜沉積設(shè)備需求端：芯片制程升級，推動薄膜沉積設(shè)備需求大幅增長先進(jìn)制程使得晶圓制造的復(fù)雜度和工序量大幅提升，大約需要40道薄膜沉積工序。在3nmFinFET工藝產(chǎn)線，大約需要超過100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級Chapter1集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)品分立器件光電器件傳感器全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模：2023年全球半導(dǎo)體市場低迷，集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)品分立器件光電器件傳感器2023年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為5,201億美元，同比下滑9.4全球半導(dǎo)體主要品類及占比情況，2023全球半導(dǎo)體市場規(guī)模，2019-2024E光敏電阻、光電二極管、光電三極管等硅光電池、光電檢測器件、光電控制器件溫度、壓力、濕度、氣體、離子、生物、聲音、射線等各類信號傳感器集成電路分立器件傳感器光電器件邏輯器件模擬器件u存儲器微處理器單位：[億美元]單位：[%]7,0006,0005,0004,0003,0002,0001,00005,5594,4045,5594,4044,1235,8845,7415,201201920202021202220232024E30%20%10%0%-10%-20%全球半導(dǎo)體市場規(guī)模同比汽車、工業(yè)/醫(yī)療、軍事/政府等核心領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）的分類標(biāo)準(zhǔn)，半導(dǎo)體主要由四個組成部分組成：集成電路（約占84.33%光電器件（約占6.87%分立器件（約占5.28%傳感器（約占3.52%）。其中，集成電路按照產(chǎn)品種類又可分為四大類：微處理器（約占13.42%存儲器（約占26.30%邏輯器件o根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模由2019年的4,123億美元增長至2023年的5,201導(dǎo)致半導(dǎo)體市場低迷。然而在AI芯片需求強(qiáng)勁的推動下，全球半導(dǎo)體行業(yè)將有所回暖，開始進(jìn)入上行周期。預(yù)計2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長至5,884億美元，同比增長400-072-5588?2024LeadLeo全球半導(dǎo)體行業(yè)周期性：技術(shù)驅(qū)動10年長周期，資本開支驅(qū)動3-4年短周期全球半導(dǎo)體行業(yè)周期性明顯，技術(shù)驅(qū)動半導(dǎo)體10年長周期，資本開支驅(qū)動3-4年短周期。2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)階段第一代第二代第三代第四代第五代第六代時間區(qū)間1965-19751975-19851985-19951995-20052005-20152015-2025特征尺寸12-3μm3-1μm1-0.35μm0.35μm-65nm65-22nm22-2nm存儲器小于1KB到16KB16KB-1MB1-64MB64MB-1GB1-16GB（芯片組）16GB到1TB以上（芯片組）CPU字長（bit）4,88,1616,3232,64CPU晶體管數(shù)1000108-109，多核架構(gòu)多核架構(gòu)主流圓片直徑2-4in4in-150mm150mm，200mm200mm，300mm200mm，300mm200mm，300mm，450mm主流設(shè)計工具手工從邏輯編輯到布局布線從布局布線到綜合從綜合到DFM主要封裝形式從TO到DIP從DIP到QFP多種封裝、SiPSiP、3D封裝、Chiplet等半導(dǎo)體行業(yè)：技術(shù)驅(qū)動10年長周期，資本開支驅(qū)動3-4年短周期單位：[億美元]4年3年4年4年3年全球半導(dǎo)體資本支出181.7200%100%0%-100%200153.1113.165.2181.7200%100%0%-100%200153.1156.00106.1102.595.667.467.866.159.055.354.026.10106.1102.595.667.467.866.159.055.354.026.12008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023o2023年，全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支同比下降14%至156億美元，下降主要由于芯片需求疲400-072-5588?2024LeadLeo半導(dǎo)體設(shè)備：晶圓制造投資量占比超80%，其中光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為核心半導(dǎo)體設(shè)備可分為前道設(shè)備（晶圓制造）和后道設(shè)備（封裝與測試）兩大類，前道設(shè)備投資量占總設(shè)備的80%以半導(dǎo)體設(shè)備分類及投資價值占比單位：[%]晶圓制造u晶圓制造u封裝測試其他2%8%10%80%ll熱處理設(shè)備刻蝕設(shè)備離子注入設(shè)備機(jī)械拋光設(shè)備熱處理設(shè)備刻蝕設(shè)備離子注入設(shè)備機(jī)械拋光設(shè)備光刻設(shè)備清洗設(shè)備薄膜沉積設(shè)備量測設(shè)備測試設(shè)備封裝設(shè)備測試機(jī)減薄機(jī)分選機(jī)劃片機(jī)探針臺裝片機(jī)測試設(shè)備封裝設(shè)備測試機(jī)減薄機(jī)分選機(jī)劃片機(jī)探針臺裝片機(jī)引線鍵合機(jī)2%17%6%2%17%6%22%12%3%4%11%刻蝕設(shè)備薄膜設(shè)備工藝控制u成批清洗顯影洗像u化學(xué)機(jī)械拋光22%離子注入氧化退火其他22%o在晶圓廠的資本開支中，20%-30%用于廠房建設(shè)，70%-80%用于設(shè)備投資。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI前道設(shè)備（晶圓制造）投資量占半導(dǎo)體設(shè)備投資量的約80%，封裝和測400-072-5588?2024LeadLeo半導(dǎo)體設(shè)備投資額：集成電路設(shè)備投資額隨制程節(jié)點先進(jìn)程度提升而大幅增長400-072-5588?2024LeadLeo半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代：美日荷先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代勢在必行400-072-5588?2024LeadLeo半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代：中國晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已提升至35%，預(yù)計2025年達(dá)50%400-072-5588?2024LeadLeo薄膜沉積設(shè)備：半導(dǎo)體制造關(guān)鍵設(shè)備，其技術(shù)可分為CVD、PVD和ALD三大類薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備主要負(fù)責(zé)各個步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，包括熱蒸發(fā)沉積CVD先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備PVD等離子體濺射沉積ALD電化學(xué)原子層沉積（ECALD）流床式原子層沉積空間原子層沉積（SALD）大氣壓原子層沉積（AP-ALD熱蒸發(fā)沉積CVD先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備PVD等離子體濺射沉積ALD電化學(xué)原子層沉積（ECALD）流床式原子層沉積空間原子層沉積（SALD）大氣壓原子層沉積（AP-ALD）等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）熱原子層沉積（TALD）低壓型（LPCVD）常壓型（APCVD）金屬有機(jī)化合物型（MOCVD）等離子體增強(qiáng)型（PECVD）技術(shù)路線PVDCVDALD沉積原理物理氣相沉積化學(xué)氣相沉積化學(xué)表面飽和反應(yīng)沉積過程成核生長成核生長逐層飽和反應(yīng)沉積速度快快慢均勻性控制能力5nm左右0.5-2nm0.07-0.1nm薄膜質(zhì)量化學(xué)配比一般，針孔數(shù)量高，應(yīng)力控制有限具有很好的化學(xué)配比，針孔數(shù)量少，具有應(yīng)力控制能力具有很好的化學(xué)配比，針孔數(shù)量少，具有應(yīng)力控制能力階梯覆蓋能力弱中強(qiáng)工藝環(huán)境（溫度、壓強(qiáng)、流場等）對真空要求較高，鍍膜具有方向性對工藝參數(shù)的變化較為敏感基于表面化學(xué)飽和反應(yīng)，工藝參數(shù)可調(diào)整范圍較大oo薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，不同類型的設(shè)備適合不同沉積材料和用途。薄膜沉積技術(shù)則是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄來源：拓荊科技，微導(dǎo)納米，頭豹研究院400-072-5588?2024LeadLeoCVD設(shè)備：PECVD應(yīng)用最為廣泛，ALD則面向先進(jìn)制程應(yīng)用400-072-5588?2024LeadLeoPVD設(shè)備：磁控濺射PVD應(yīng)用范圍最為廣泛，發(fā)展前景可觀400-072-5588?2024LeadLeo薄膜沉積技術(shù)：薄膜種類繁多且工藝復(fù)雜構(gòu)筑高技術(shù)壁壘，未來向低溫、更高集成度發(fā)展400-072-5588?2024LeadLeo薄膜沉積設(shè)備需求端：芯片制程升級，推動薄膜沉積設(shè)備需求大幅增長400-072-5588?2024LeadLeo薄膜沉積設(shè)備市場：2023年全球市場規(guī)模達(dá)260億美元，市場被海外廠商所壟斷400-072-5588?2024LeadLeo國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備廠商產(chǎn)品布局：產(chǎn)品布局較為分散，廠商間進(jìn)行差異化競爭（1/3）400-072-5588?2024LeadLeo國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備廠商產(chǎn)品布局：產(chǎn)品布局較為分散，廠商間進(jìn)行差異化競爭（2/3）400-072-5588?2024LeadLeo國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備廠商產(chǎn)品布局：產(chǎn)品布局較為分散，廠商間進(jìn)行差異化競爭（3/3）400-072-5588?2024LeadLeo拓荊科技：國產(chǎn)CVD設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)400-072-5588北方華創(chuàng)：國資背景的PVD設(shè)備龍頭企業(yè)400-072-5588微導(dǎo)納米：國產(chǎn)ALD設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)400-072-5588會員賬號定制行業(yè)/公司的第一本市場地位確認(rèn)賦能企業(yè)產(chǎn)品宣傳定制報告/詞條等咨詢服務(wù)招股書引用云實習(xí)課程地址：深圳市南山區(qū)華潤置地大廈E座4105?2024LeadLeou頭豹研究院布局