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ICS81.060.30GB/T39974—2021鋼水測(cè)氧用鎂穩(wěn)定氧化鋯陶瓷元件國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T39974—2021本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC194)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、佛山市標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)、山東國(guó)瓷功能材料股份有限公司、上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)、婁底市安地亞斯電子陶瓷有限公司、國(guó)家電子陶瓷產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心(湖南)、東莞市昌昇機(jī)械加工有限公司、上海敬開德精密陶瓷有限公司、山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計(jì)院有限公司。1GB/T39974—2021鋼水測(cè)氧用鎂穩(wěn)定氧化鋯陶瓷元件1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鋼水測(cè)氧用鎂穩(wěn)定氧化鋯陶瓷元件(簡(jiǎn)稱“元件”)的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、本標(biāo)準(zhǔn)適用于鋼水測(cè)氧用鎂穩(wěn)定氧化鋯陶瓷元件。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T5594.5電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法GB/T25995精細(xì)陶瓷密度和顯氣孔率試驗(yàn)方法HG/T2573工業(yè)輕質(zhì)氧化鎂QC/T413—2002汽車電氣設(shè)備基本技術(shù)條件YS/T568.1—2008氧化鋯、氧化鉿化學(xué)分析方法氧化鋯和氧化鉿合量的測(cè)定苦杏仁酸重量法YS/T568.2—2008氧化鋯、氧化鉿化學(xué)分析方法鐵量的測(cè)定磺基水楊酸分光光度法YS/T568.5—2008氧化鋯、氧化鉿化學(xué)分析方法鈉量的測(cè)定火焰原子吸收光譜法3技術(shù)要求3.1一般要求元件應(yīng)按規(guī)定程序批準(zhǔn)的圖樣及技術(shù)文件制造,并應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求。3.2工作溫度范圍元件的工作溫度范圍:1500℃~1750℃。3.3外觀質(zhì)量和尺寸精度元件外觀,不準(zhǔn)許有肉眼可見的裂紋;崩口尺寸小于0.5mm,且每個(gè)產(chǎn)品不能多于兩個(gè)崩口。3.4元件理化性能元件材料理化性能要求如表1所示。2GB/T39974—2021序號(hào)要求1MgO(質(zhì)量分?jǐn)?shù))2ZrO?+HfO?+MgO(質(zhì)量分?jǐn)?shù))3Fe?O?(質(zhì)量分?jǐn)?shù))4Na?O(質(zhì)量分?jǐn)?shù))5體積密度6顯氣孔率7電導(dǎo)率(1000℃)元件進(jìn)行從1000℃(保溫20min)到室溫5次風(fēng)冷熱震循環(huán)實(shí)驗(yàn)后,元件目測(cè)表面無裂紋。4試驗(yàn)方法按QC/T413—2002中4.1的規(guī)定。元件的外觀質(zhì)量采用目測(cè)法檢驗(yàn)。用符合精度的量具直接測(cè)量制品的尺寸精度和形位公差。4.3.1(ZrO?+HfO?+MgO)含量的測(cè)定按YS/T568.1—2008規(guī)定測(cè)定(ZrO?+HfO?)含量,按HG/T2573規(guī)定測(cè)定MgO含量,最后將兩者相加確定(ZrO?+HfO?+MgO)含量。按YS/T568.2—2008規(guī)定測(cè)定。4.3.3Na?O含量的測(cè)定按YS/T568.5—2008規(guī)定測(cè)定。采用和實(shí)際生產(chǎn)制品相同原料,相同成型和燒結(jié)工藝制備樣品,試驗(yàn)時(shí)使用鉑漿制備電極,按照GB/T

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