PERC疑難問答解疑

1.氧化鋁厚度對電性能的影響？PID、LeTID有沒有影響？氧化鋁厚度對PID、LeTID沒有影響，如果做雙面氧化鋁對PID的影響比較大2.ALD氧化鋁如何解決繞鍍目前ALD設(shè)備分兩種，以板式和管式為主。板式：硅片平鋪在載板上，繞鍍可以控制在0.5mm以內(nèi)（幾乎無繞度）。管式：一種是單插雙鍍，兩邊同時鍍膜解決繞鍍問題，鍍雙面會有比較大的隱患，正面氧化鋁與擴散PN結(jié)成反型，起負電場的作用，對PID有比較大影響，對于正負1500V擊穿測試過不了；另一種雙插單鍍，以硅片背靠背形式插片解決繞度。3.雙面氧化鋁對正面的影響正面常規(guī)結(jié)構(gòu)主要是氮化硅薄膜，漿料以燒穿氮化硅為主，如果有額外的氧化鋁，表面負電場與PN結(jié)反型，對折射率是有益處，但對漿料的燒穿體系來說沒有益處，另外再加上對PID的影響，對正面的影響比較大4.氧化鋁鈍化在n型硅的前景對于P型電池是背面鈍化，對于N型，同樣可以起到鈍化效果，但是是正面鈍化，ALD優(yōu)勢在鍍膜質(zhì)量高、均勻性好，可以做到更薄的氧化鋁薄膜，N型量產(chǎn)電池廠家主要選ALD作氧化鋁鈍化。5.雙面氧化鋁的話對漿料的要求常規(guī)漿料以燒穿氮化硅為目的，對于氧化鋁膜，需要在玻璃粉方面要作調(diào)整，剛開始調(diào)試階段遇到的主要問題是拉力不足，是因為沒有燒穿氧化鋁，沒有與硅片形成良好的歐姆接觸6.氧化鋁沉積方式對Tma消耗的差異沉積方式以PECVD和ALD為主，PECVD反應(yīng)的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大約4mg/片，而PECVD的耗量則為ALD的兩倍。7.雙面氧化鋁改單面氧化鋁存在的問題及解決辦法主要在管式ALD上改，主要問題在花籃的槽距，如果槽距過大反鍍會比較嚴重，如果槽距過小則會有劃傷情況，需要實際調(diào)整，也是一個作平衡的過程。8.氧化鋁設(shè)備單邊發(fā)黑的處理氧化鋁邊緣發(fā)黑，成膜均勻性在初期有些問題，或者自動化設(shè)備在上下料時有異常發(fā)生，正常生產(chǎn)是不會有單邊發(fā)黑的情況。9.單面PID解決辦法？雙面怎么保證雙面PID對于PID，正面以熱氧為主，提升效率同時解決PID問題；背面使用漸進膜或類似生成氧化硅的薄膜來解決PID問題。雙面PID與單面類似，正面以氧化退火為主，背面以氧化硅薄膜配漸變膜來抑制PID現(xiàn)象10.堿拋機臺提效方案。堿拋屬于性價比高的方案，可以提升效率，降低化學(xué)品耗量，減輕環(huán)保壓力，帶來1分錢/片收益，但提效對SE來說不夠明顯，還需優(yōu)化，11.退火溫度與退火時間對氧化鋁鈍化性能的影響？氧化鋁與氮化硅的氫鈍化，哪個起主導(dǎo)作用？氫鈍化機理、氫的傳輸過程是什么？以ALD來說，退火溫度，膜越薄退火溫度越高，主要由生成膜的質(zhì)量和成膜特性決定，ALD與CVD對退火要求不同ALD氧化鋁退火機理，采用水作為氧源，含氫氧鍵，鈍化表面懸掛鍵，降低界面態(tài)密度，大大增加固定負電荷的能力，起到場鈍化的作用12.ALD氧化鋁的前驅(qū)體氧源是水和臭氧有什么區(qū)別對效率沒有影響，主要是工業(yè)對成本、穩(wěn)定性、控制性方面的考慮，水更符合大規(guī)模應(yīng)用14.對PERC技術(shù)最大挑戰(zhàn)的技術(shù)路線是什么？從技術(shù)講HIT，IBC、TOPCon、Npert等比較有優(yōu)勢，但都不具備成本競爭力.15perc電池如何疊加非晶硅技術(shù)，目前效率如何目前沒有PERC疊加非晶硅的技術(shù)，鈣鈦礦方面目前有新的進展16.perc未來的提效方向在哪里大規(guī)模生產(chǎn)，提高良率，降低成本，密柵19.單面SE瑪雅PERC產(chǎn)品低效片靜置會出現(xiàn)氣泡發(fā)黑，效率跳檔嚴重，重燒后效率有所提升，EL有改善，但靜置后會復(fù)原，如何改善懷疑點：氧化鋁厚度不均勻，局部異常導(dǎo)致，燒結(jié)過燒，光注入或電注入的條件需要優(yōu)化；另外可能是瑪雅的濕度比較大，把濕度降低，會有改善。我記得是濕度超過60%就會出現(xiàn)這個問題，把濕度控制在50以下。20.制絨良率提升，堿拋的優(yōu)勢制絨良率的提升主要以添加劑方向為主，其次是設(shè)備控制精度，從早期的慢速制絨添加劑到現(xiàn)在的快速制絨添加劑；堿拋優(yōu)勢：背面較高反射率降低表面復(fù)合，提高少子壽命，另外污水處理成本下降多，經(jīng)濟效益好。21.板P，管P，ALD，三種工藝制備的AlOx薄膜最適厚度區(qū)間各是多少，退火溫度有沒有區(qū)別，為什么？板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，各家不一樣，在3-8nm。ALD上，膜越薄，退火溫度越高，生成膜的質(zhì)量和特性不一樣，對退火溫度有要求，退火溫度達不到，會造成片子整體發(fā)黑，效率降低導(dǎo)致降檔。22.perc電池，氧化鋁膜層在高溫燒結(jié)時會出現(xiàn)小氣泡，原理是什么，應(yīng)該怎樣解決？1、成膜時氫氧鍵過多，在反應(yīng)時水過量，退火時氫氧散逸或退火不充分造成；2、氧化鋁膜層過厚，造成高溫燒結(jié)時里面的氫氣出來造成冒氣泡，可以可以適當?shù)陌蜒趸X這一塊兒做薄。23.通過酸背拋提高反射率到40%與堿背拋效率那個有優(yōu)勢不管酸拋還是堿拋，反射率到40%，電池效率差異不大，主要從化學(xué)品耗量考慮，如果用酸拋需要用到大量化學(xué)品，處理成本也高。24.雙面電池目前在組件端，只有用POE封裝才能通過抗PID測試，用EVA封裝抗PID測試失效，如何解決雙面電池抗PID問題？背面引入氧化硅薄膜配漸變膜來抑制PID現(xiàn)象，同時正面避免額外的氧化鋁干擾25.用maia和微導(dǎo)，理想等設(shè)備生產(chǎn)PERC電池和常規(guī)電池比增加背面工藝的成本分別是多少？目前maia在開機率和TMA耗量上講，會比ALD高，ALD含折舊成本在0.11元/片左右27.ALD氧化鋁繞鍍與燒結(jié)的匹配性，有沒有定論？ALD氧化鋁繞鍍會造成正面氧化鋁不均勻，厚度不同對漿料、氮化硅要求不同，導(dǎo)致部分區(qū)域過燒或欠燒，整體不均勻造成接觸不好。28.如何提高酸背拋背面反射率，背面反射率是不是越高越好，對比了很多公司，背面反射率相差很大啊。每次停機久了，就有很多el水痕印，如何改善。酸背拋堿槽及酸槽濃度或者導(dǎo)電度一般控制在多少??？反射率主要看前后道工序匹配；EL水痕印主要是藥液激活，然后在開機后跑假片解決；增加背面反射率，也可以增加長波的吸收。29.Perc+SE氧化鋁厚度與少子壽命對效率的影響，關(guān)鍵性？單根管氧化鋁的不均勻度管控在多少關(guān)系見PPT；管內(nèi)不均勻性，目前看均勻性對電池效率影響不大30.ALD氧化鋁對比其他機臺優(yōu)勢在哪，效率有增益原理說明及管P是否有調(diào)整優(yōu)化空間？ALD在成膜質(zhì)量、TMA耗量、開機率方面有優(yōu)勢；管P，詳見PPT，通過提前開啟PLASMA增強升溫速率提升單機產(chǎn)能31.SE電阻與PERC效率之間的關(guān)系？SE疊加PERC后需要注意最重要的工藝參數(shù)？PERC疊加SE采用哪種SE方式比較合適？為什么？SE技術(shù)出現(xiàn)比較早，包括化學(xué)、二次擴散等，目前激光綜合性能是最高的。后續(xù)由于PERC電池開壓的提升，SE疊加PERC會有0.2-0.3%的提升。32.除了目前火爆的PERC，后續(xù)還有什么技術(shù)路線值得關(guān)注？各有什么特點？目前，n-TOPCon電池結(jié)構(gòu)變化不大，可以與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容，是設(shè)備升級廠家關(guān)注點，HIT由于設(shè)備投資比較大，是新建廠關(guān)注點。34.SE對擴散結(jié)的要求以及方阻下降值多少合適如何確定根據(jù)之前Schmid機臺做化學(xué)SE經(jīng)驗，堿處理會導(dǎo)致方阻升高，堿處理后的方阻，與漿料匹配，來達到良好的接觸35.SE技術(shù)還有哪些提效空間。激光SE寬度降低，SE后退火氧化降低缺陷密度，多主柵SE圖形匹配，擴散Se正銀匹配，都有一定的提升性能。早期漿料的效果超越了SE，后面由于PERC的出現(xiàn)，形成1+1>2的效果，SE成為了標配，但由于本輪PERC電池的下跌，對其他電池的擠出作用會更加明顯。36.PERC電池技術(shù)路線高方阻密柵，不管是常規(guī)電池還是PERC電池都適用，包括SE方式，主柵從3BB、4BB、5BB到MBB，都是這種方式。37.為什么做雙面氧化鋁對PID影響比較大？雙面PID，因為由于正面對于PERC，氧化鋁的薄膜是背鈍化的作用，在正面于它與本身的一個擴散是反行，所以是一個負電荷的作用，跟PN結(jié)好是反行，所以對PID有比較大的影響，目前對于±1500伏的擊穿是過不了的。38、SE

有哪些異常，如何預(yù)防異常主要有圖形激變、激光激變、漏打、激光衰減。預(yù)防的話，主要是機臺的溫度的控制，溫度過高容易出現(xiàn)漏打，建議用二次元定期監(jiān)控激變與偏移的情況。激光SE為例，激光SE對擴散結(jié)的要求，我的理解是，輕摻區(qū)表面濃度升結(jié)，磷硅玻璃中含磷量要高，確保激光后重摻區(qū)和輕摻區(qū)形成較好的高低PN結(jié)，同時提升電池片的串阻和填充。方阻下降值要與正銀匹配，一般情況下是下降到70到100方左右，需要具體去匹配正銀。39、堿拋如何兼容SE

技術(shù)從之前使化學(xué)SE的方法，個人認為，因為堿影響方阻的漂移，如何更好匹配方阻是關(guān)鍵，就是SE以后的方阻在經(jīng)過堿拋以后，得到漿料匹配需要的方阻值，來達到一個良好的接觸。40、我們的單，多晶電池片時常會有EL單邊發(fā)暗的情況，暗邊永遠垂直于主柵線，正常RS0.0016左右，單邊暗RS大約在0.0008左右，會低一倍。稍微好點的會在0.0010-0.0013左右。問題基本上是鎖定在理想板式ALD，但是找不到產(chǎn)生的具體原因，有時候連續(xù)幾天都有，有時候半個月一個月都沒有?；貜?fù)：因為它的方向始終與柵線垂直，應(yīng)該還是印刷有問題，如果是理想或者PSG的話很簡單，硅片方向肯定不會是一成不變的，所以說。其實從翻轉(zhuǎn)硅片就很容易排查出來。如果是前道的PSG，或者是理想有問題，他的方向應(yīng)該沒有這么嚴重