2024年瑞紅蘇州研究報(bào)告：多年深耕光刻膠領(lǐng)域-助力光刻膠國產(chǎn)化重要力量

2024年瑞紅蘇州研究報(bào)告：多年深耕光刻膠領(lǐng)域_助力光刻膠國產(chǎn)化重要力量1、多年深耕光刻膠領(lǐng)域，光刻膠國產(chǎn)化的重要力量1.1、多年深耕光刻膠領(lǐng)域，國內(nèi)光刻膠行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一瑞紅蘇州是國內(nèi)光刻膠行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，系光刻膠國產(chǎn)化的重要力量。公司是一家專注于光刻膠及其配套試劑研發(fā)、生產(chǎn)及銷售等業(yè)務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，被認(rèn)定為“江蘇省專精特新中小企業(yè)”。公司成立于1993年，已規(guī)模生產(chǎn)光刻膠近30年。股東實(shí)力強(qiáng)勁，股東晶瑞電材為國產(chǎn)電子化學(xué)品領(lǐng)軍企業(yè)。截至2023年末，羅培楠合計(jì)控制公司89.90%的股份，為公司實(shí)際控制人。其中，晶瑞電材直接持有公司80.70%股權(quán)，通過全資子公司瑞紅鋰電池間接控制公司6.90%的股權(quán)，通過全資子公司善豐投資間接控制公司2.30%的股權(quán)。公司核心產(chǎn)品為光刻膠和配套試劑。聚焦于半導(dǎo)體及顯示面板應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)水平及銷售額均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，產(chǎn)品主要包括半導(dǎo)體光刻膠、顯示面板光刻膠等，其中半導(dǎo)體光刻膠包括紫外寬譜光刻膠、g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠等，顯示面板光刻膠包括觸摸屏光刻膠、TFT-LCD光刻膠等。半導(dǎo)體光刻膠是集成電路的核心材料之一，公司半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品為紫外寬譜、i/g線、KrF光刻膠。隨著高集成度、超高速、超高頻集成電路及元器件的開發(fā)，集成電路與元器件特征尺寸呈現(xiàn)出越來越精細(xì)的趨勢(shì)，加工尺寸達(dá)到百納米直至納米級(jí)，光刻設(shè)備和光刻膠產(chǎn)品也為滿足超微細(xì)電子線路圖形的加工應(yīng)用而推陳出新。光刻膠的分辨率直接決定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波長越短，分辨率越高，因此為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠的曝光波長由紫外寬譜向g線（436nm）→i線（365nm）→KrF（248nm）→ArF(193nm)→EUV（13.5nm）的方向轉(zhuǎn)移，并通過分辨率增強(qiáng)技術(shù)不斷提升光刻膠的分辨率水平，而紫外寬譜光刻膠更多應(yīng)用于分立器件。光刻工藝同樣也是液晶面板制造的核心工藝，公司顯示面板光刻膠為觸摸屏光刻膠和TFT-LCD光刻膠。通過鍍膜、清洗、光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻等工序，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜板對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而制得TFT電極與彩色濾光片。顯示面板光刻膠主要分為TFT-LCD光刻膠、彩色光刻膠和黑色光刻膠及觸摸屏光刻膠。三類顯示面板光刻膠被應(yīng)用在顯示面板制造過程的不同工序中。TFT-LCD光刻膠用于加工液晶面板前段Array制程中的微細(xì)圖形電極；彩色光刻膠和黑色光刻膠用于制造顯示面板中的彩色濾光片；觸摸屏光刻膠用于制作觸摸電極。平板顯示器中TFT-LCD是市場的主流，彩色濾光片是TFT-LCD實(shí)現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件。光刻膠配套試劑是電子工業(yè)中的關(guān)鍵性材料，公司產(chǎn)品包括多種光刻膠配套試劑。其質(zhì)量的好壞直接影響到電子產(chǎn)品的成品率、電性能及可靠性，也對(duì)微電子制造技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化有重大影響。因此，電子工業(yè)的發(fā)展要求光刻膠配套試劑與之同步發(fā)展，不斷地更新?lián)Q代，以適應(yīng)其在技術(shù)方面不斷推陳出新的需要。光刻膠配套試劑為不同工藝中配套使用的電子化學(xué)品的統(tǒng)稱，其中直接與光刻膠配套使用的化學(xué)材料為光刻膠配套試劑，主要包括顯影液、剝離液、邊膠劑和增粘劑等。1.2、業(yè)績：2023年公司實(shí)現(xiàn)營收2.46億元同比增長9.10%公司營業(yè)收入為2.46億元，同比增長9.10%，歸母凈利潤2,639.58萬元，同比減少22.91%。2023年受益于我國半導(dǎo)體材料行業(yè)進(jìn)程提速，公司充分把握行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，積極開拓市場，營業(yè)收入同比增長9.10%，但受市場環(huán)境影響，原材料價(jià)格波動(dòng)及費(fèi)用上漲，導(dǎo)致歸母凈利潤減少。公司重視光刻膠及其配套試劑產(chǎn)品，營收占比持續(xù)增長。2021年開始公司逐步減少鋰電池粘結(jié)劑業(yè)務(wù)，并于2022年6月30日全面停止該業(yè)務(wù)。光刻膠以及其配套試劑占比持續(xù)提高，2023年占營收比例99.27%。調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)后，2020-2022年毛利率連續(xù)兩年增長。從盈利能力角度去看，2020-2022年公司逐步加大高毛利率的光刻膠產(chǎn)品占比，毛利率從23.30%增長至39.68%。2023年受上游原材料價(jià)格大幅增長影響，毛利率出現(xiàn)下滑，其中毛利率和歸母凈利率分別為34.22%和10.71%。公司積極開拓客戶，銷售費(fèi)用率和管理費(fèi)用率呈現(xiàn)增長趨勢(shì)。公司持續(xù)開拓海外市場，通過參加展會(huì)及銷售人員登門拜訪等方式開拓客戶，在客戶選擇方面主要以各應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的重點(diǎn)客戶為主，在產(chǎn)品推廣方面主要以高品質(zhì)光刻膠等產(chǎn)品為重點(diǎn)。2020-2023年銷售費(fèi)用率和管理費(fèi)用率總體呈現(xiàn)增長趨勢(shì)，其中2023年銷售費(fèi)用率、管理費(fèi)用率和財(cái)務(wù)費(fèi)用率分別為3.55%、6.90%和-0.04%。公司重視研發(fā)，研發(fā)費(fèi)用和費(fèi)用率持續(xù)增長。2020-2023年公司研發(fā)費(fèi)用率分別為4%、4.59%、11.16%和11.71%，呈現(xiàn)穩(wěn)步增長趨勢(shì)，其中2023年研發(fā)費(fèi)用為2883.84萬元，同比增長14.43%。2、制程提升+晶圓廠建設(shè)加速+，光刻膠需求復(fù)蘇2.1、芯片制程提升，帶動(dòng)光刻膠用量增長光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模板轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)。其中曝光是通過紫外光、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射，使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。光刻膠主要用于微電子領(lǐng)域的精細(xì)線路圖形加工，是微制造領(lǐng)域最為關(guān)鍵的材料之一。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類可分為PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠三大類。其中PCB光刻膠的技術(shù)難度相對(duì)較低，半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘最高。PCB光刻膠：是指印制電路板制造過程的關(guān)鍵材料，主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和阻焊油墨。其中，干膜光刻膠被廣泛應(yīng)用在PCB制造過程中。在加熱加壓的條件下將干膜光刻膠壓合在覆銅板上，通過曝光、顯影將底片(掩膜板或陰圖底版)上的電路圖形復(fù)制到干膜光刻膠上再利用干膜光刻膠的抗蝕刻性能，對(duì)覆銅板進(jìn)行蝕刻加工，最終形成印制電路板的精細(xì)銅線路。LCD光刻膠：是平板顯示行業(yè)中使用的一種光刻膠，一種對(duì)光敏感的混合液體，是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料。它由光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹脂、溶材料劑、單體(活性稀釋劑)和其他助劑組成。主要分為彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠TFT-LCD正性光刻膠等。LCD光刻膠主要用于波晶顯示器的生產(chǎn)過程中，用于制造液晶顯示器的透明電極和非透明電極。半導(dǎo)體光刻膠：是一種對(duì)光敏感的混合液體，是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料。它主要用于半導(dǎo)體品圓制造過程中，用于制造液晶顯示器的透明電極和非透明電極。目前，半導(dǎo)體光刻膠一般按照曝光波長進(jìn)行分類:G線、I線、KrF、ArF、ArFi、EUV。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，波長越小，加工分辨率越佳。光刻膠配套試劑：主要是由基礎(chǔ)化工原料（包括N-甲基吡咯烷酮、醋酸丁酯、四甲基氫氧化銨、石油醚、正庚烷等）調(diào)配制造的產(chǎn)品，包括顯影液、剝離液、增粘劑、邊膠劑等，與光刻膠配套使用。因此同光刻膠應(yīng)用范圍相同，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。全球光刻膠市場空間廣闊，未來發(fā)展?jié)摿Υ?。根?jù)Reportlinker數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場預(yù)計(jì)2019-2026年復(fù)合年增長率有望達(dá)到6.3%，至2023年突破100億美元，到2026年超過120億美元。中國光刻膠市場的增長速度超過了全球平均水平。根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年中國光刻膠市場達(dá)93.3億元，2016-2021年均復(fù)合增長率為11.9%，2021年同比增長11.7%，高于同期全球光刻膠增速5.75%。隨著未來PCB、顯示面板和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國轉(zhuǎn)移，中國光刻膠市場有望不斷擴(kuò)大，占全球光刻膠市場比例也將持續(xù)提升，預(yù)計(jì)到2026年占比有望從2019年的15%左右提升到19.3%。全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模預(yù)計(jì)將在2024年反彈，同比增長7%。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022-2027年的全球光刻膠市場規(guī)模復(fù)合年增長率(CAGR)為4.1%。TECHCET指出，受先進(jìn)邏輯工藝與存儲(chǔ)器等新技術(shù)驅(qū)動(dòng)，增長最快的細(xì)分領(lǐng)域?yàn)镋UV和KrF光刻膠。此外，用于成熟制程（如i、g和KrF/248nm）的光刻膠材料也將繼續(xù)推動(dòng)市場增長。隨著三星、臺(tái)積電和英特爾等公司的部分工藝制程從ArF和ArFi轉(zhuǎn)向ArFi和EUV組合，預(yù)計(jì)美光和SK海力士也將緊隨其后，EUV光刻膠產(chǎn)量不斷爬升。全球半導(dǎo)體制程向著更先進(jìn)、更精細(xì)化方向發(fā)展。根據(jù)ICInsights的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測，在2019年，10nm以下先進(jìn)制程的市占率僅為4.4%，而到2024年，其比例將增長到30%。在該時(shí)間段內(nèi)，10nm-20nm制程的市占率將從38.8%，下降到26.2%；20nm-40nm制程的市占率將從13.4%，下降到6.7%；預(yù)計(jì)到2024年，10nm以下的先進(jìn)制程的市占率將達(dá)到30%左右。半導(dǎo)體光刻工藝和制程提升驅(qū)動(dòng)各半導(dǎo)體光刻膠需求增長。KrF光刻膠：目前，KrF光刻膠廣泛應(yīng)用于0.25um及以下各制程。同時(shí)，在NAND閃存從2D平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)為3D堆疊構(gòu)架的過程中，厚膜KrF光刻膠大量使用于3DNAND堆疊架構(gòu)的制作上。隨著5G、云計(jì)算、人工智能時(shí)代的來臨，對(duì)大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的急劇需求，使得3DNAND堆疊層數(shù)迅速增加，KrF光刻膠的使用量也將大幅提升。根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，三星2021年量產(chǎn)的第七代3DNAND堆疊至176層，采用雙堆疊制程；2022年11月，三星宣布量產(chǎn)全球最高容量1TbTLC第八代3DNAND，雖未公開具體堆疊層數(shù)，但業(yè)界推測可能為236層；至于第九代3DNAND預(yù)計(jì)將在2024年推出，業(yè)界預(yù)計(jì)達(dá)280層，第十代3DNAND將跳過300層區(qū)間，達(dá)430層，預(yù)計(jì)將于2025-2026年推出。ArF光刻膠：在浸潤式光刻系統(tǒng)、負(fù)顯影工藝、多重光刻工藝等新技術(shù)、新工藝的輔助下，ArF光刻系統(tǒng)不斷突破瓶頸，將先進(jìn)制程從45nm一直推進(jìn)到了7nm工藝。實(shí)現(xiàn)制程微縮的手段是“多重曝光”，即將原本一層光刻的圖形拆分到多個(gè)掩模上，利用光刻Litho和刻蝕Etch實(shí)現(xiàn)更小制程。常見的技術(shù)有雙重曝光（DE）、固化雙重曝光（LFLE）、雙重光刻（LELE）、三重光刻（LELELE）、自對(duì)準(zhǔn)雙重成像（SADP）、連續(xù)兩次SADP（SAQP）等。目前，ArF光刻膠主要用于先進(jìn)制程的多重光刻工藝，其用量也隨著市場對(duì)先進(jìn)工藝產(chǎn)品的需求不斷增長。EUV光刻膠：目前，EUV光刻膠用于最先進(jìn)邏輯芯片(CPU,GPU)和存儲(chǔ)芯片(DRAM)的制造,并將先進(jìn)制程迅速從7nm，不斷演進(jìn)到5nm與3nm。隨著先進(jìn)制程EUV光刻道次的增加(從最初7nm+上使用的3道，逐漸增加到5nm的14道和3nm的22道。)，EUV光刻膠的使用量將大幅增加。2.2、中國晶圓廠建設(shè)加速，驅(qū)動(dòng)光刻膠需求復(fù)蘇驅(qū)動(dòng)從下游資本開支角度看：全球晶圓廠設(shè)備支出在2023年放緩，有望在2024年復(fù)蘇。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2023年全球晶圓廠設(shè)備支出將同比下降15%，從2022年的995億美元的歷史新高降至840億美元，2024年將同比反彈15%，至970億美元。2023年的下降將源于芯片需求疲軟以及消費(fèi)和移動(dòng)設(shè)備庫存增加。根據(jù)SEMI發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測報(bào)告》，2022-2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開始運(yùn)營82個(gè)新的晶圓廠。其中包括2023年的11個(gè)項(xiàng)目和2024年的42個(gè)項(xiàng)目，晶圓尺寸從300mm到100mm不等。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體每月晶圓（WPM）產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預(yù)計(jì)2024年將增長6.4%，首次突破每月3000萬片大關(guān)（以200mm當(dāng)量計(jì)算）。2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計(jì)算（HPC）在內(nèi)的應(yīng)用的產(chǎn)能增長以及芯片終端需求的復(fù)蘇推動(dòng)。在政府資金和其他激勵(lì)措施的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)中國將增加其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能中的份額。預(yù)計(jì)中國芯片制造商將在2024年開始運(yùn)營18個(gè)項(xiàng)目，2023年產(chǎn)能同比增長12%，達(dá)到每月760萬片晶圓，2024年產(chǎn)能同比增加13%，達(dá)到每月860萬片晶圓。中國晶圓廠能快速增長，預(yù)計(jì)2023年中國預(yù)計(jì)將占據(jù)200mm晶圓廠產(chǎn)能的22%。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2026年全球300mm晶圓廠產(chǎn)能將達(dá)到每月960萬片的歷史新高。預(yù)計(jì)在2023年到2026年，全球半導(dǎo)體制造商200mm晶圓廠產(chǎn)能將增加14%，新增12個(gè)200mm晶圓廠（不包括EPI），達(dá)到每月770多萬片晶圓的歷史新高。其中，預(yù)計(jì)中國將以22%的增長率位居第二。作為200mm產(chǎn)能擴(kuò)張的最大貢獻(xiàn)者，中國預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到每月170多萬片晶圓。美洲、歐洲和中東以及中國臺(tái)灣地區(qū)將分別以14%、11%和7%的增長率緊隨其后。2023年，中國預(yù)計(jì)將占據(jù)200mm晶圓廠產(chǎn)能的22%，而日本預(yù)計(jì)將占據(jù)總產(chǎn)能的16%，其次是中國臺(tái)灣地區(qū)、歐洲和中東以及美國，分別占15%、14%和14%。中國晶圓廠已建成44座、在建22座、計(jì)劃10座。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察數(shù)據(jù)，除卻7座已暫停擱置的晶圓廠，截至2023年11月，建有44座晶圓廠，其中12寸晶圓廠25座，6英寸廠4座，8英寸晶圓廠/產(chǎn)線15個(gè)。此外，還有正在建設(shè)晶圓廠22座，其中12英寸廠15座，8英寸廠8座。未來包括中芯國際、晶合集成、合肥長鑫、士蘭微等在內(nèi)的廠商還計(jì)劃建設(shè)10座晶圓廠，其中12英寸廠9座，8英寸晶圓廠1座。總體來看，預(yù)計(jì)至2024年底，將建立32座大型晶圓廠，且全部鎖定成熟制程。2024-2026年預(yù)計(jì)我國半導(dǎo)體光刻膠需求量快速復(fù)蘇。根據(jù)勢(shì)銀（TrendBank）預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)，2023年下游市場疲軟，半導(dǎo)體用光刻膠需求量也相應(yīng)減少，2023年中國大陸半導(dǎo)體光刻膠總體需求量為1817.24噸，同比減少12.77%；其中，前五家晶圓制造廠商需求量達(dá)到894.65噸，占比49.23%。2024年隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、AI、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，算力芯片的效能要求逐步加強(qiáng)，多重挑戰(zhàn)和趨勢(shì)下，半導(dǎo)體行業(yè)將不斷探索新的發(fā)展路徑，半導(dǎo)體用光刻膠需求量及性能也將隨之提升，尤其是高分辨率光刻膠以及厚膜光刻膠產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2024-2026年中國大陸半導(dǎo)體光刻膠總體需求量增速為12.04%、11.50%和7.71%。2.3、國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠原材料壁壘突破，進(jìn)口替代趨勢(shì)明顯我國光刻膠行業(yè)發(fā)展起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在PCB光刻膠等中低端產(chǎn)品。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，中國PCB光刻膠占比達(dá)94%，而半導(dǎo)體光刻膠等高端產(chǎn)品仍需大量進(jìn)口，自給率較低。未來隨著光刻膠企業(yè)生產(chǎn)能力的提高，我國光刻膠生產(chǎn)結(jié)構(gòu)有望進(jìn)一步優(yōu)化。我國光刻膠市場主要以日美企業(yè)為主。東京應(yīng)化作為龍頭企業(yè)占據(jù)25%-30%的份額，其次是美國杜邦占據(jù)15%-20%的份額、JSR與住友化學(xué)各占據(jù)15%-20%的份額，最后是DONGIN占據(jù)10%-15%的份額，富士膠片占據(jù)8%-10%的份額，其他白牌廠商占據(jù)5-7%的份額。未來我國有望打破國外技術(shù)壟斷，積極推進(jìn)研發(fā)，加快國產(chǎn)化速度。半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化率低，未來空間廣闊。從光刻膠國產(chǎn)化程度來看，生產(chǎn)技術(shù)難度較低的PCB光刻膠國產(chǎn)化程度較高，面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化程度很低，半導(dǎo)體光刻膠是技術(shù)難度和潛力較大的細(xì)分市場，其中g(shù)/i線光刻膠國產(chǎn)替代率相對(duì)較高，而EUV光刻膠化程度最低，目前還處于研發(fā)階段。制約我國半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化的核心原因是上游樹脂原材料壁壘高，原材料自給率低。G/I光刻膠：G線光刻膠用環(huán)化橡膠樹脂；I線光刻膠用酚醛樹脂，單體為甲基酚和甲醛，這個(gè)酚醛樹脂需要是線性的酚醛樹脂，國產(chǎn)化程度很低，主要是依賴進(jìn)口。KrF光刻膠：KrF光刻膠用聚對(duì)羥基苯乙烯類樹脂，單體為對(duì)羥基苯乙烯的衍生物單體，此類樹脂目前基本也是依賴進(jìn)口，原因一是生產(chǎn)樹脂需要的單體國內(nèi)很少廠家供應(yīng)，原因二是樹脂的生產(chǎn)工藝也有一定的難度，特別是后處理的工藝。ArF光刻膠：ArF用聚甲基丙烯酸酯類樹脂，單體為甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯的衍生物單體，ArF的樹脂由幾種單體共聚而成，定制化程度比較高，國際市場上能夠買到部分普通款的Arf樹脂，但高端的Arf樹脂幾乎不賣。EUV光刻膠：EUV用聚對(duì)羥基苯乙烯類樹脂，或分子玻璃，或金屬氧化物，國內(nèi)由于設(shè)備受限，這塊基本空白；高端的芯片封裝光刻膠會(huì)用到PI和PSPI樹脂，難度也很高，技術(shù)也掌握在國外幾家廠商手里。半導(dǎo)體光刻膠樹脂單體技術(shù)要求高，看重企業(yè)對(duì)合成的KNOW-HOW的理解于積累。與非電子級(jí)樹脂相比，半導(dǎo)體光刻膠樹脂的主要區(qū)別如下：1）要做到質(zhì)量一致，即分子量和分子量分布每批都要很接近，而且越是高級(jí)的樹脂，越要做到質(zhì)量一致。2）越高級(jí)樹脂的分子量分布越小越好（理論值是1.0），EUV光刻膠樹脂分子量分布都是接近1.02-1.05左右。3）金屬離子要求越高級(jí)要求越高，現(xiàn)在大部分要求小于1ppb,甚至將來要到ppt級(jí)。比如與PCB的樹脂相比，后者的合成對(duì)分子量和分子量分布沒有很高的要求，金屬離子也沒要求。我國半導(dǎo)體光刻膠樹脂國產(chǎn)化壁壘突破，助力國產(chǎn)光刻膠進(jìn)口替代加速。在光刻膠樹脂需求量逐步增長的背景下，中國大陸企業(yè)已加大光刻膠專用樹脂業(yè)務(wù)的布局：半導(dǎo)體光刻膠樹脂企業(yè)目前取得一定進(jìn)展，部分企業(yè)已經(jīng)能夠少量供應(yīng)，整體處于布局階段；其中，徐州博康已經(jīng)實(shí)現(xiàn)供應(yīng)ArF和KrF原材料到成品光刻膠，八億時(shí)空和彤程新材均實(shí)現(xiàn)KrF樹脂量產(chǎn)，此外中國大陸顯示光刻膠樹脂企業(yè)主要供應(yīng)TFT正膠用酚醛樹脂并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。3、光刻膠產(chǎn)品覆蓋廣+設(shè)備優(yōu)勢(shì)，定增加碼光刻膠先進(jìn)工藝3.1、我國唯一一家具備全系列波長光刻機(jī)研發(fā)平臺(tái)公司是目前我國唯一一家擁有全系列波長（436/365/248/193nm）光刻機(jī)研發(fā)平臺(tái)的光刻膠生產(chǎn)企業(yè)。目前共擁有5臺(tái)光刻機(jī)，覆蓋紫外寬譜、g線、i線、KrF及ArF光刻膠檢測，可為公司產(chǎn)品研發(fā)測試、客戶驗(yàn)證等提供全面的核心設(shè)備保障。公司具備完善的光刻膠輔助生產(chǎn)機(jī)器。其中LTJ-RDA-790設(shè)備可以對(duì)光刻膠顯影分析，是最先進(jìn)的18頻道沖洗速度分析評(píng)價(jià)裝置，可以對(duì)光致抗蝕劑的顯影速度進(jìn)行評(píng)價(jià)；TELCLEANTRACKACT8適用于150mm的各種材料的工藝處理I線，248納米，和193納米的工藝能力全自動(dòng)的勻膠、顯影功能，層疊架構(gòu)多層熱處理模塊，結(jié)構(gòu)緊湊，高產(chǎn)能、高可靠性，進(jìn)一步提高公司產(chǎn)品的產(chǎn)能和良率。高端光刻機(jī)設(shè)備購置及維護(hù)成本高，對(duì)光刻膠企業(yè)設(shè)備投入要求較高，小型企業(yè)難以維系。根據(jù)晶瑞股份可轉(zhuǎn)債說明書數(shù)據(jù)，單臺(tái)ArF光刻機(jī)價(jià)格為1.5億元，整套設(shè)備總支出為3.39億元。根據(jù)ASML2023年報(bào)數(shù)據(jù)，EUV、ArFi、ArFdry、KrF和I-line光刻機(jī)平均單價(jià)分別為1.72億歐元、7214萬歐元、2438萬歐元、1197萬歐元和506萬歐元，高端光刻機(jī)價(jià)格昂貴。3.2、具備高端光刻膠生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了較為全面的產(chǎn)品技術(shù)序列覆蓋公司具備多項(xiàng)自主研發(fā)的光刻膠生產(chǎn)核心技術(shù)。作為國內(nèi)較早進(jìn)入光刻膠生產(chǎn)領(lǐng)域的企業(yè)之一，在技術(shù)工藝方面，將自主研發(fā)與合作研發(fā)有機(jī)結(jié)合，已掌握了一系列核心技術(shù)。光刻膠產(chǎn)品長期量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)為公司分階段梯次技術(shù)研發(fā)推進(jìn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，在國內(nèi)光刻膠行業(yè)中，處于相對(duì)領(lǐng)先地位。公司光刻膠實(shí)現(xiàn)了較為全面的產(chǎn)品技術(shù)序列覆蓋。擁有紫外寬譜系列、g線系列、i線系列、KrF系列等上百個(gè)型號(hào)產(chǎn)品。目前i線光刻膠產(chǎn)品規(guī)?；驀鴥?nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)供貨；KrF高端光刻膠部分品種已量產(chǎn)。在光刻膠配套試劑方面，公司覆蓋顯影液、剝離液、邊膠劑等多種光刻膠配套產(chǎn)品。公司自1993年開始已生產(chǎn)光刻膠近30余年，量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)豐富，工藝配方成熟。截至2023年末，公司擁有32項(xiàng)國內(nèi)專利，其中發(fā)明專利21項(xiàng)。光刻膠作為光刻工藝的核心，配方研發(fā)及生產(chǎn)工藝要求極高，看重企業(yè)對(duì)合成的KNOW-HOW的理解于積累。光刻膠產(chǎn)品需要根據(jù)不同的應(yīng)用需求定制，產(chǎn)品品類多，配方中原材料比重的細(xì)微差異將直接影響光刻膠的性能，且配方難以逆向解析，嚴(yán)重依賴于經(jīng)驗(yàn)積累所形成的技術(shù)專利。其次光刻膠下游不同客戶的需求差異明顯，即使同一客戶的不同應(yīng)用需求也不一致。這就導(dǎo)致光刻膠的整體生產(chǎn)缺乏統(tǒng)一的工藝，每一類光刻膠使用的原料在化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能上均有所區(qū)別，要求使用不同品質(zhì)等級(jí)的專用化學(xué)品。這就迫使制造商需要有能力根據(jù)差異化設(shè)計(jì)不同配方，并有相應(yīng)的生產(chǎn)工藝完成生產(chǎn)。公司紫外寬譜光刻膠、g/i線光刻膠、TFT光刻膠等產(chǎn)品均已通過客戶認(rèn)證并量產(chǎn)多年。2022年，KrF光刻膠亦通過客戶認(rèn)證并開始量產(chǎn)?？蛻舭ㄖ行緡H、合肥長鑫、華虹半導(dǎo)體、晶合集成等知名半導(dǎo)體廠商。由于驗(yàn)證周期通常為6-24個(gè)月，下游晶圓廠切換光刻膠成本較高，光刻膠新進(jìn)企業(yè)拓展客戶壁壘較高。在光刻膠供貨前，一般會(huì)經(jīng)過光刻膠產(chǎn)品的驗(yàn)證及工廠（產(chǎn)線）資質(zhì)的驗(yàn)證，其中光刻膠驗(yàn)證根據(jù)驗(yàn)證階段分為PRS（光刻膠性能測試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）及Release（通過驗(yàn)證）；工廠（產(chǎn)線）資質(zhì)驗(yàn)證方面，主要在質(zhì)量體系、供貨穩(wěn)定性、工廠（產(chǎn)線）產(chǎn)能等幾方面進(jìn)行驗(yàn)證。在工廠（產(chǎn)線）資質(zhì)驗(yàn)證通過以及產(chǎn)品驗(yàn)證通過后，可實(shí)現(xiàn)對(duì)客戶的正式供貨。為適應(yīng)行業(yè)現(xiàn)狀帶來的發(fā)展機(jī)遇，公司加大研發(fā)投入，ArF高端光刻膠研發(fā)工作已啟動(dòng)。截至2023年末，與ArF光刻膠相關(guān)的在研項(xiàng)目有ArF生產(chǎn)的成膜樹脂合成工藝研發(fā)和適用于28nm工藝節(jié)點(diǎn)浸潤光刻的ArF光刻膠研發(fā)，有望幫助公司實(shí)現(xiàn)形成ArFi(浸沒式)光刻膠的成套技術(shù)體系并完成產(chǎn)品基礎(chǔ)配方定型。3.3、晶瑞電材是國產(chǎn)電子化學(xué)品領(lǐng)軍企業(yè)母公司晶瑞電材是一家專注從事微電子化學(xué)品的高新技術(shù)企業(yè)。公司起步于蘇州中學(xué)校的光刻膠研發(fā)室，是國內(nèi)最早研發(fā)光刻膠的團(tuán)隊(duì)之一。2001年，晶瑞電材的前身晶瑞化學(xué)有限公司成立，專注于生產(chǎn)和經(jīng)營微電子業(yè)所需的超純化學(xué)材料和其他精細(xì)化工產(chǎn)品。2011年，晶瑞化學(xué)收購了蘇州瑞紅