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~2024學(xué)年度第二學(xué)期高二年級3月份月考試卷化學(xué)答案1.BHF分子間形成氫鍵,HI不能形成分子間氫鍵,故熔點(diǎn):HF>HI,A項(xiàng)正確;SiH4的相對分子質(zhì)量大于CH4,導(dǎo)致其分子間作用力大于CH4,沸點(diǎn)高于CH4,B項(xiàng)錯(cuò)誤;CH3COOH存在分子間氫鍵,導(dǎo)致沸點(diǎn)高于HCOOCH3,C項(xiàng)正確;CH3CH2OH與水分子能形成氫鍵,所以CH3CH2OH比CH3OCH3更易溶于水,D項(xiàng)正確。2.CCCl4分子中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,為sp3雜化,A項(xiàng)不符合題意;H2S分子中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,為sp3雜化,B項(xiàng)不符合題意;BeCl2分子中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為2,為sp雜化,C項(xiàng)符合題意;PH3分子中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,為sp3雜化,D項(xiàng)不符合題意。3.ACO2為直線型分子,鍵角最大,由于甲烷分子沒有孤電子對,氨氣分子中含有一個(gè)孤電子對,因孤電子對的排斥作用,鍵角減小,則鍵角:CO2>CH4>NH3,A項(xiàng)正確;鍵長:C—F<C—Br<C—I,B項(xiàng)錯(cuò)誤;極性:H—C<H—N<H—F,C項(xiàng)錯(cuò)誤;鍵能:N—N<N=N<N≡N,D項(xiàng)錯(cuò)誤。4.D40Ca32S電子總數(shù)為,而中子數(shù)為,A項(xiàng)正確;PCl3的電子式為,B項(xiàng)正確;I2是非極性分子,CCl4也是非極性分子,兩者相似相溶,C項(xiàng)正確;KCl晶體熔化時(shí)破壞離子鍵,而SiO2熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵,D項(xiàng)錯(cuò)誤。5.C據(jù)題意可知元素Y是N,O的電負(fù)性大于N,故H—O鍵中鍵合電子偏向于氧,使得水分子中的H原子更易與N原子形成氫鍵,C項(xiàng)正確。6.Bs-sσ鍵沒有方向性,A項(xiàng)錯(cuò)誤;離子鍵的強(qiáng)弱可以用離子半徑以及所帶電荷來衡量,離子半徑越小,所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),B項(xiàng)正確;石英熔化克服的是共價(jià)鍵,干冰升華克服的是分子間作用力,C項(xiàng)錯(cuò)誤;碳碳雙鍵中有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,π鍵電子云重疊小、鍵能小,所以碳碳雙鍵中有1個(gè)鍵易斷裂,碳碳雙鍵不穩(wěn)定,D項(xiàng)錯(cuò)誤。7.B部分分子晶體如稀有氣體中不含有共價(jià)鍵,A項(xiàng)錯(cuò)誤;共價(jià)晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,B項(xiàng)正確;離子鍵越強(qiáng),形成的離子晶體越穩(wěn)定,C項(xiàng)錯(cuò)誤;金屬晶體中的金屬鍵無方向性,當(dāng)發(fā)生形變時(shí),金屬鍵并未被破壞,D項(xiàng)錯(cuò)誤。8.AC2H2、C2Cl2中碳原子的雜化方式均為sp,均為直線型分子,A項(xiàng)正確;P原子的半徑大,不可以形成P=P,B項(xiàng)錯(cuò)誤;SCl2的價(jià)層電子對數(shù)為4,VSEPR模型是四面體形,分子的空間結(jié)構(gòu)為V形,C項(xiàng)錯(cuò)誤;基態(tài)Cr的價(jià)層電子排布式為,D項(xiàng)錯(cuò)誤。9.D1mol中作為外界的的物質(zhì)的量為1mol,A項(xiàng)正確;的中心離子的配體是H2O、,該配離子中含有4個(gè)H2O、2個(gè),所以配位數(shù)是6,B項(xiàng)正確;中陰離子是溴離子,溴離子的化合價(jià)是-1價(jià),所以鉻元素的化合價(jià)是+3價(jià),C項(xiàng)正確;鉻離子配位數(shù)是6,含有6個(gè)σ鍵,所以鉻離子采用雜化,D項(xiàng)錯(cuò)誤。10.CC60的配位數(shù)為12,A項(xiàng)錯(cuò)誤;該晶體屬于分子晶體,B項(xiàng)錯(cuò)誤;1個(gè)晶胞中含有4個(gè)C60分子,共240個(gè)碳原子,C項(xiàng)正確;其硬度決定于分子間作用力,D項(xiàng)錯(cuò)誤。11.C,P4為正四面體結(jié)構(gòu),則1個(gè)P4分子含有6個(gè)P—P鍵,因此124gP4含有的P—P鍵的物質(zhì)的量為6mol,即P—P鍵的個(gè)數(shù)為,A項(xiàng)正確;12g石墨中含有碳原子個(gè)數(shù),石墨中每個(gè)碳原子含有1.5個(gè)C—C鍵,所以12g石墨中含有C—C鍵個(gè)數(shù)是,B項(xiàng)正確;60g二氧化硅中含有的硅原子個(gè)數(shù),每個(gè)硅原子含有4個(gè)Si—O鍵,所以60g二氧化硅中含有的Si—O鍵的個(gè)數(shù)為,C項(xiàng)錯(cuò)誤;1個(gè)NH3中含有3個(gè)N—H鍵,故1molNH3中含有N—H鍵的個(gè)數(shù)為,D項(xiàng)正確。12.APCl3分子中P原子有孤電子對,當(dāng)金屬離子提供空軌道時(shí)可以形成相應(yīng)配合物,A項(xiàng)正確;PCl3中3個(gè)Cl原子所處環(huán)境相同,完全等效,被取代機(jī)會均等,B項(xiàng)錯(cuò)誤;觀察H3PO3結(jié)構(gòu)可知,分子中存在2個(gè)—OH,—OH中的氫可以電離,另一個(gè)氫直接與磷相連不能電離,故H3PO3為二元酸,C項(xiàng)錯(cuò)誤;PCl3分子中存在3個(gè)σ鍵,且P孤電子對數(shù)為1,則價(jià)層電子對數(shù)為,為sp3雜化,由于存在1對孤對電子,故分子結(jié)構(gòu)為三角錐形,D項(xiàng)錯(cuò)誤。13.D根據(jù)均攤法,由圖(b)可知,晶胞中有1個(gè)A離子,1個(gè)B離子,3個(gè)X離子,根據(jù)正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為0可知,X為,A項(xiàng)錯(cuò)誤;由圖(a)可知鈦酸鈣晶體中離鈦離子最近的氧離子形成了正八面體,B項(xiàng)錯(cuò)誤;中H—N—H的N原子沒有孤電子對,鍵角較大,氨氣中氮原子有1對孤電子對,其對成鍵電子對的排斥力較大,鍵角較小,C項(xiàng)錯(cuò)誤;圖(a)可知在鈦酸鈣晶體中離鈣離子最近的鈦離子有8個(gè),D項(xiàng)正確。14.B依據(jù)均攤規(guī)則,晶胞中共有4個(gè)鎂原子,8個(gè)鋁原子,故化學(xué)式為MgAl2,A項(xiàng)正確;半徑比半徑小,且所帶電荷比多,氧化鋁的熔點(diǎn)更高,B項(xiàng)錯(cuò)誤;該晶體中存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵,C項(xiàng)正確;一個(gè)晶胞中含有4個(gè)“MgAl2”,其質(zhì)量為,D項(xiàng)正確。15.(1)9;2p;紡錘形或啞鈴形(各1分)(2)①sp2雜化(2分)②F—N=N—F;3∶1(各2分)(3)sp3雜化;正四面體(各2分)(4)三氟甲烷中3個(gè)F原子吸引電子的能力更強(qiáng),使得C原子的正電性增強(qiáng),從而使三氟甲烷分子的極性增強(qiáng),在水中溶解度增大(或氫鍵等其他合理答案,2分)16.(1)(2)Mg(3)B;(4)Cu3AgH8(5)鎳;LaNi5(每空2分)17.(1)(2分);sp3(1分)(2)3s1(2分)(3)(2分)(4
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