模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第2講 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

第二講半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦砸?、本征半?dǎo)體導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。無雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體是純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。1、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？

導(dǎo)體－－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。絕緣體－－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強，只有在外電場強到一定程度時才可能導(dǎo)電。

半導(dǎo)體－－硅（Si）、鍺（Ge），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。1、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴。半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子-空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。共價鍵自由電子與空穴相遇時會主動填補空穴，使兩者同時消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。載流子

外加電場時，帶負電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運動方向相反分別形成電子電流和空穴電流。本征半導(dǎo)體中的電流為電子電流和空穴電流之和。并且載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。

2、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子及載流子濃度運載電荷的粒子稱為載流子。一定溫度下，自由電子—空穴對的濃度一定（本征激發(fā)與復(fù)合運動達到動態(tài)平衡）；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子—空穴對的濃度增大。了解以下名詞：共用電子與共價鍵自由電子與空穴本征激發(fā)與復(fù)合熱運動與動態(tài)平衡載流子

導(dǎo)體和半導(dǎo)體中的載流子是否相同？為什么？影響本征半導(dǎo)體中載流子濃度的主要因素是什么？

結(jié)論：本征半導(dǎo)體在不同的溫度下，自由電子和空穴的濃度不同，所以導(dǎo)電性能也不同，當(dāng)絕對溫度等于0度時，為絕緣體。就本征半導(dǎo)體和自然界半導(dǎo)體相比，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性要弱。二、雜質(zhì)半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素磷（P）

雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強，實現(xiàn)人為的導(dǎo)電性可控。多數(shù)載流子空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目多了？少了？為什么？1.N型半導(dǎo)體2.P型半導(dǎo)體硼（B）多數(shù)載流子

P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強，

在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多子數(shù)目的變化相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？雜質(zhì)半導(dǎo)體中，影響載流子濃度的主要因素是什么？影響多子濃度的因素和影響少子濃度的主要因素是否相同？為什么？

結(jié)論：1、N型半導(dǎo)體自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子；主要靠自由電子導(dǎo)電，摻入P元素越多，導(dǎo)電性越強。2、P型半導(dǎo)體自由電子為少數(shù)載流子，空穴為多數(shù)載流子；主要靠空穴導(dǎo)電，摻入B元素越多，導(dǎo)電性越強。三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?/p>

物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。氣體、液體、固體均有之。擴散運動N區(qū)自由電子濃度遠高于P區(qū)。當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上時，交界面處會產(chǎn)生擴散運動和復(fù)合運動，出現(xiàn)不可移動的正負離子區(qū)，從而產(chǎn)生內(nèi)電場，阻止擴散運動的繼續(xù)進行。（內(nèi)電場方向？）P區(qū)空穴濃度遠高于N區(qū)。PN結(jié)的形成

因內(nèi)電場作用所產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。

當(dāng)參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達到動態(tài)平衡時，交界面處就形成了PN結(jié)。漂移運動

由于擴散運動使P區(qū)與N區(qū)的交界面處多數(shù)載流子濃度下降，形成內(nèi)電場，從而阻止擴散運動的進行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N區(qū)運動。PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：耗盡層變窄，擴散運動加劇，由于外電場的作用，形成正向電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認為其截止。PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)的電流方程和伏安特性

a、正向特性

b、反向特性（當(dāng)反向電壓超過反向擊穿電壓時，反向電流急劇增加，稱為反向擊穿）1）齊納擊穿：摻雜濃度高，需較低的反向電壓，直接破壞共價鍵2）雪崩擊穿：摻雜濃度低，需較高的反向電壓，少子碰撞共價鍵

1、電流方程：2、伏安特性：PN結(jié)的電容效應(yīng)1.勢壘電容

PN結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。2.擴散電容

PN結(jié)外加的正向電壓變化時，在擴散過程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的