譜儀系統(tǒng)介紹

譜儀系統(tǒng)介紹譜儀系統(tǒng)介紹譜儀得基本構(gòu)成測(cè)量得基本概念射線與物質(zhì)得主要相互作用譜儀得能量分辨率

譜分析軟件得基本功能LabSOCS無(wú)源效率刻度譜儀得基本構(gòu)成NAI探測(cè)器外觀專利無(wú)源穩(wěn)譜技術(shù)應(yīng)用于NaI(Tl)和LaBr探測(cè)器不需要使用放射源穩(wěn)譜溫度范圍寬USPatentsNo、:7,005,646B17,049,598StabilizedNaI(Tl)performance(shown):±1%over-20~+50°CrangeSimilarperformanceisexpectedforstabilizedLaBr專利無(wú)源穩(wěn)譜技術(shù)NaI(Tl)探測(cè)器結(jié)構(gòu)高純鍺探測(cè)器外觀大家有疑問(wèn)的，可以詢問(wèn)和交流可以互相討論下，但要小聲點(diǎn)高純鍺探測(cè)器晶體結(jié)構(gòu)高純鍺探測(cè)器效率比較高純鍺(HPGe)探測(cè)器結(jié)構(gòu)高純鍺探測(cè)器使用注意事項(xiàng)故障現(xiàn)象解決辦法接線錯(cuò)誤:高壓HV(SHV)、低壓POWER(9針)不會(huì)接錯(cuò)。信號(hào)線ENERGE(BNC)與高壓禁止HV、INH(BNC)可能接反。沒(méi)有信號(hào)重新正確連接不正常回溫:由于液氮補(bǔ)充不及時(shí)造成探測(cè)器回溫譜儀性能變差,甚至沒(méi)有輸出。不能加高壓。做一次完全回溫環(huán)境濕度過(guò)大:造成杜瓦瓶?jī)?nèi)結(jié)冰無(wú)法充加液氮,探測(cè)器回溫探測(cè)器做一次完全回溫,降低環(huán)境濕度。就地(現(xiàn)場(chǎng))譜儀便攜式探測(cè)器結(jié)構(gòu)進(jìn)氣口與出氣口一定不能互換。就地(現(xiàn)場(chǎng))譜儀就地(現(xiàn)場(chǎng))譜儀RC反饋前放TRP反饋前放傳統(tǒng)譜儀—NIM電子學(xué)插件ADC放大器高壓發(fā)展趨勢(shì)—數(shù)字化多功能一體譜儀數(shù)字化多功能譜儀得特點(diǎn)DSA2000:以太網(wǎng)傳輸,可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制,可多路并行使用。DSA1000:USB傳輸,體積小,適合于實(shí)驗(yàn)室使用,也可多路并行使用。InSpector2000:USB或無(wú)線傳輸,可采用電池供電,體積小,便于攜帶。適合于野外使用。發(fā)展趨勢(shì)—數(shù)字化多功能一體譜儀數(shù)字化多功能譜儀得優(yōu)點(diǎn)1、處理速度快,通過(guò)率高。

數(shù)字化多功能譜儀得優(yōu)點(diǎn)2、分辨率好。

各種鉛室比較鉛室類型國(guó)內(nèi)鉛室Canberra低本底鉛室Canberra超低本底鉛室鉛材料＜60年10cm厚低本底鉛15cm厚,內(nèi)襯2、5cm超低本底鉛本底計(jì)數(shù)率3－10cps1-2cps<1cpsX射線屏蔽stainlesssteel/Pb/Sn/Cu/Plastic多層屏蔽stainlesssteel/Pb/Sn/Cu/Plastic多層屏蔽747頂開(kāi)門(mén)低本底鉛室767前開(kāi)門(mén)低本底鉛室777超低本底鉛室不同規(guī)格鉛室和設(shè)計(jì)特點(diǎn)

747低本底鉛室優(yōu)選材料:采用低本底鉛(210Pb含量低)優(yōu)異結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):外層9、5mm低碳鋼、10cm低本底鉛、內(nèi)襯1mm錫和1、6mm銅和最內(nèi)側(cè)噴塑層使用方便777超低本底鉛室優(yōu)選材料:采用低本底鉛(210Pb含量低)和超低本底鉛優(yōu)異結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):外層9、5mm低碳鋼、12、5cm低本底鉛、2、5cm超低本底鉛、內(nèi)襯1mm低本底錫和1、6mm高純度低本底銅和最內(nèi)側(cè)噴塑層氮?dú)膺M(jìn)出口設(shè)計(jì)—減少氡氣對(duì)測(cè)量得影響探測(cè)器優(yōu)選低本底材料,前置放大器置于鉛室外使用方便低本底高純鍺譜儀主要指標(biāo)

3keV~2150keV: 1、20cps50keV~2150keV: 1、04cpsBE3830寬能探測(cè)器

511峰計(jì)數(shù): 46c 45,000s238、6keV(212Pb)峰計(jì)數(shù): 36c1460、8(40K)

峰計(jì)數(shù): 10c

超低本底高純鍺譜儀主要指標(biāo)

3keV~2150keV: 0、70cps50keV~2150keV: 0、50cpsBE3830寬能探測(cè)器

511峰計(jì)數(shù): 16c 45,000s238、6keV(212Pb)峰計(jì)數(shù): 0c1460、8(40K)

峰計(jì)數(shù): 0c

放射性衰變伴隨著射線得產(chǎn)生,例如:、、、n等。射線產(chǎn)生數(shù)量與活度間存在確定得關(guān)系。放射性衰變測(cè)量得基本概念活度:放射性核素單位時(shí)間內(nèi)衰變數(shù)得期望值。國(guó)際單位:貝可(Bq),1Bq=1衰變/s

。舊單位:居里(Ci),1Ci=3、71010Bq比活度:單位質(zhì)量(或體積)樣品放射性活度。濃度:單位體積得液體或氣體得放射性活度活度得絕對(duì)測(cè)量和相對(duì)測(cè)量絕對(duì)測(cè)量:利用測(cè)量裝置直接測(cè)量放射性核素得衰變率。不必依賴于其她測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)得比較。這種測(cè)量又稱為直接測(cè)量。相對(duì)測(cè)量:借助于其她測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)校準(zhǔn)測(cè)量裝置,再利用這一測(cè)量裝置來(lái)測(cè)量放射性核素得衰變率。這種測(cè)量又稱為間接測(cè)量。通常得使用測(cè)量?jī)x器多就是相對(duì)測(cè)量。探測(cè)效率本征效率:進(jìn)入探測(cè)器靈敏體積射線產(chǎn)生一個(gè)脈沖得概率。絕對(duì)效率:放射源(或樣品)產(chǎn)生得射線在探測(cè)器產(chǎn)生一個(gè)脈沖得概率。樣品測(cè)量得絕對(duì)效率與探測(cè)器本征效率、放射源得特性(分布和組分)、探測(cè)器與源間幾何位置、周圍物質(zhì)得散射和吸收等因素有關(guān)。活度測(cè)量方法(1)核素衰變特性決定活度與射線數(shù)量之間關(guān)系(分支比)(2)測(cè)量方法得絕對(duì)效率決定測(cè)量射線數(shù)量與發(fā)出射線數(shù)量間關(guān)系(3)通過(guò)(1)和(2)間得關(guān)系,即可通過(guò)測(cè)量射線數(shù)量導(dǎo)出測(cè)量樣品得活度射線與物質(zhì)得主要相互作用光電效應(yīng)康普頓散射電子對(duì)效應(yīng)光電效應(yīng)和譜特性康普頓散射和譜特性康普頓散射和譜特性電子對(duì)效應(yīng)和譜特性三種相互作用與能量得關(guān)系三種相互作用得主導(dǎo)區(qū)域探測(cè)器周圍材料得影響探測(cè)器周圍材料得影響譜特性能量分辨率(1)能量分辨率(2)FWHM(FullWidthatHalfMaximum)能量分辨率(3)NaI(Tl)探測(cè)器能量分辨率通常人們用137Cs核素得661、6keV得能量分辨率來(lái)確定NaI(Tl)探測(cè)器能量分辨率,并用百分?jǐn)?shù)表示。NaI(Tl)探測(cè)器能量分辨率一般為6~8%。

NaI(Tl)譜儀得能譜

高純鍺探測(cè)器得主要指標(biāo)能量分辨率:60Co核素1332、5keV峰得半高寬(FWHM)對(duì)應(yīng)能量得絕對(duì)值相對(duì)效率:60Co