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文檔簡介

少數(shù)載流子的注入

和歐姆接觸

少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸1·少數(shù)載流子的注入

N型半導(dǎo)體的勢壘和阻擋層都是對電子而言，由于空穴所帶電荷與電子電荷符號相反，電子的阻擋層就是空穴的積累層?？昭ǖ臐舛仍诒砻孀畲?/p>

空穴電流的大小，首先決定于阻擋層中的空穴濃度。只要勢壘足夠高，靠近接觸面的空穴濃度就可以很高。空穴自表面向內(nèi)部擴散。正偏時，勢壘降低，空穴擴散占優(yōu)勢，形成的電流與電子電流同向。Ec(0)Ev(0)EcEFEvN型反型層中的載流子濃度如果在接觸面附近，費米能級和價帶頂?shù)木嚯x則p(0)值應(yīng)和n0

值相近，n(0)也近似等于p0qΔΦqΦns(EF)m0無鏡象力有鏡象力xm鏡象勢能平衡時鏡象力對勢壘的影響x電勢能在xm處出現(xiàn)極大值，這個極大值發(fā)生在作用于電子上的鏡象力和電場力相平衡的地方，即若,從上式得到勢壘頂向內(nèi)移動，并且引起勢壘的降低q

。勢能的極大值小于qΦns。這說明，鏡象力使平衡時，q

很小，可忽略外加電壓非平衡時，勢壘極大值所對應(yīng)的x值當(dāng)反向電壓較高時，勢壘的降低變得明顯，鏡象力的影響顯得重要。勢壘的降低量鏡象力所引起的勢壘降低量隨反向電壓的增加而緩慢地增大不考慮鏡像力的影響時考慮鏡像力的影響時JsD中的變?yōu)閂,JsD

（2）隧道效應(yīng)的影響能量低于勢壘頂?shù)碾娮佑幸欢ǜ怕蚀┻^勢壘，穿透的概率與電子能量和勢壘厚度有關(guān)隧道效應(yīng)的簡化模型對于一定能量的電子，存在一個臨界勢壘厚度xc,若xd>xc,則電子完全不能穿過勢壘；若xd<xc,則勢壘對于電子完全透明，即勢壘降低了.金屬一邊的有效勢壘高度為-qV(x),若xc<<xd隧道效應(yīng)引起的勢壘降低為反向電壓較高時，勢壘的降低才明顯鏡像力和隧道效應(yīng)對反向特性影響顯著?引起勢壘高度的降低，使反向電流增加?反向電壓越大，勢壘降低越顯著，反向電流越大4.肖特基勢壘二極管肖特基勢壘二極管的正向電流，主要是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進入金屬形成的，此二極管將有較

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