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半導體超晶格

半導體超晶格半導體超晶格一種人造材料，由交替生長的兩種半導體材料薄層組成的一維周期性結構，其薄層厚度的真氣小于電子的平均自由層。生長超晶格的技術MBE,MOCVD理想超晶格結構弛豫當外延層的厚度超過臨界厚度時，則外延層的應變消失，恢復原來的晶格常數(shù)。贗晶生長應變異質結的無界面失配應變層的生長模式。贗晶生長的臨界厚度隨生長溫度的升高而減小，隨贗晶組分的不同而改變。應變異質結的應用

擴展了異質結材料的種類

實現(xiàn)材料人工改性超晶格材料III-V/III-V,IV/III-V,II-VI/II-VI,IV-VI/IV-VI

化合物超晶格材料

元素半導體超晶格材料IV/IV

非晶態(tài)半導體超晶格材料超晶格材料的應用量子阱激光器、量子阱光電探測器、光學雙穩(wěn)態(tài)器件、調制摻雜場效應晶體管超晶格材料的分類成分超晶格：周期性改變薄層的成分。摻雜超晶格：周期性改變同一成分的各薄層中的摻雜類型。Ga1-xAlxAs/GaAsGaAsGa1-xAlxAsGa1-xAlxAs/GaAs能帶圖bcECEVGaAsGa1-xAlxAszZ方向周期性勢場為n為整數(shù)超晶格中電子運動的方程

硅：α=4.73×10-4eV/Kβ=636K

鍺：α=4.774×10-4eV/Kβ=235KT=300K時，EgSi=1.12eV，EgGe=0.67eV

溫度系數(shù)α和β分別為：所以Eg具有負溫度系數(shù)。對半導體來說，導帶底和價帶頂?shù)哪芰坎?，即禁帶寬度Eg是十分重要的量.Ⅲ-Ⅴ化合物半導體的能帶結構GaAs化合物半導體的能帶結構導帶極小值位于k=0處，等能面試球面，導帶電子有效質量mn*=0.067m0,禁帶寬度Eg=1.424eV,價帶頂也位于k=0處，分

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