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MOS晶體管的匹配規(guī)則

MOS晶體管的匹配規(guī)則2采用薄氧化層器件代替厚氧化層器件使晶體管的取向一致晶體管應(yīng)相互靠近匹配晶體管的版圖應(yīng)盡可能緊湊MOS晶體管的匹配規(guī)則3如果可能，應(yīng)采用共質(zhì)心版圖結(jié)構(gòu)避免使用極短或極窄的晶體管在陣列晶體管的末端放置陪襯段把晶體管放置在低應(yīng)力梯度區(qū)域MOS晶體管的匹配規(guī)則4晶體管應(yīng)與功率器件距離適當(dāng)有源柵區(qū)上方不要放置接觸孔金屬布線不能穿過有源柵區(qū)使所有深擴(kuò)散結(jié)遠(yuǎn)離有源柵區(qū)MOS晶體管的匹配規(guī)則5精確匹配晶體管應(yīng)放置在芯片的對(duì)稱軸上不要讓NBL陰影與有源柵區(qū)相交用金屬條連接?xùn)挪嬷副M量使用NMOS晶體管而非PMOS晶體管MOS晶體管的匹配規(guī)則6浮柵晶體管浮柵雪崩注入MOS(FAMOS)晶體管圖中顯示利用漏區(qū)/背柵結(jié)雪崩擊穿注入電子的編程過程FAMOS晶體管8雙層多晶硅晶體管(A)剖面圖；(B)等效電路雙層多晶硅晶體管9浮柵隧穿氧化層(FOTOX)晶體管FOTOX晶體管10單層多晶硅EEPROM單元(A)版圖；(B)等效電路單層多晶硅EEPROM單元11單層多晶硅EEPROM單元的工作模式(A)編程；(B)讀取數(shù)據(jù)；(C)擦除數(shù)據(jù)單層多晶硅EEPROM單元工作模式12JFET晶體管

JFET建模14采用標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝制作的N溝道JFET的版圖和剖面圖柵極與襯底相連，可通過鄰近的襯底接觸孔連接JFET版圖15采用模擬BiCMOS工藝制

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