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本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)和空穴

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)和空穴空穴f=mn*a=-qE考慮導(dǎo)帶底的電子然而價帶頂電子的有效質(zhì)量m

n*是負值，所以有a=-qE/-｜

mn*

｜=qE/｜

mn*

｜

=qE/

mp*

再考慮價帶頂?shù)碾娮觙=mn*a=-qEf=-｜

mn*｜

a=-qEa=-qE/

mn*

空穴的有效質(zhì)量空穴不僅帶有正電荷，而且還具有正的有效質(zhì)量本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)空穴本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)思考題1、有兩種晶體其能量與波矢的關(guān)系如圖所示，試問，哪一種晶體電子的有效質(zhì)量大一些？為什么？2、有效質(zhì)量對能帶的寬度有什么影響？有人說：“有效質(zhì)量越大，態(tài)密度也越大，因而能帶越窄?！笔欠袢绱?？為什么？3、從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場對電子的作用效果有什么不同？4、以硅的本征激發(fā)為例，說明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶體結(jié)構(gòu)的聯(lián)系？為什么電子從其價鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度？EK半導(dǎo)體中電子狀態(tài)1.1晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶1.3半導(dǎo)體中電子的運動有效質(zhì)量1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)空穴1.5回旋共振1.6硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)情況下的等能面方程

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