電子電路基礎(chǔ)

第一部分半導(dǎo)體基礎(chǔ)一、半導(dǎo)體材料的特點。

1.當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。

2.往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯增強。

例題：

1.在純凈半導(dǎo)體中摻入

雜質(zhì)

，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能增強。2.環(huán)境溫度升高時，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力會增強

。3.當(dāng)半導(dǎo)體材料受光照射時，其導(dǎo)電能力會增強

。1二、本征半導(dǎo)體載流子特點：本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高，載流子的濃度越高，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強。溫度是影響半導(dǎo)體性能的重要外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。例題：1.本征半導(dǎo)體的載流子是

電子和空穴。2.當(dāng)本征半導(dǎo)體溫度升高時，電子和空穴數(shù)目都增大

。3.在溫度升高時，本征半導(dǎo)體中載流子的數(shù)量將

增大

。2三、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。N型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴稱為少數(shù)載流子（少子）。P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。3例題1．在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度取決于（）

A．晶體缺陷B．溫度C．雜質(zhì)濃度D．摻雜工藝2.半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子產(chǎn)生的原因是()

A.外電場B.內(nèi)電場C.摻雜D.熱激發(fā)3.在本征半導(dǎo)體中摻入3價元素就成為（

）型半導(dǎo)體。A.P型半導(dǎo)體B.N型半導(dǎo)體C.PN結(jié)D.純凈半導(dǎo)體4.在本征半導(dǎo)體中摻入5價元素就成為（

）型半導(dǎo)體。A.P型半導(dǎo)體B.N型半導(dǎo)體C.PN結(jié)D.純凈半導(dǎo)體5.N型半導(dǎo)體可以在純凈半導(dǎo)體中摻入()價元素實現(xiàn)。

A.3價B.4價C.5價D.6價4四.N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體1、電子為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為

N型半導(dǎo)體。2、空穴為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為

P型半導(dǎo)體。3、空穴為N型半導(dǎo)體的

少數(shù)

載流子4、自由電子為N型半導(dǎo)體的

多數(shù)

載流子。5、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子為

電子

。6、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子為

空穴

。7、N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子濃度取決于

摻雜濃度。8、P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子濃度取決于摻雜濃度。9、空穴為P型半導(dǎo)體的

多數(shù)

載流子。10、電子為P型半導(dǎo)體的

少數(shù)

載流子。5五.PN結(jié)單向?qū)щ娦约皯?yīng)用例1

1.當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時，內(nèi)外電場方向（）。

A.相反B.相同C.不確定

2.當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時，內(nèi)外電場方向（）。

A.相反B.相同C.不確定

3.PN結(jié)具有（）導(dǎo)電特性。A.雙向B.單向C.不確定6|vi|<0.7V時，D1、D2截止，所以vo=vi|vi|>0.7V時，D1、D2中有一個導(dǎo)通，所以vo=0.7V例2：voviD2D1vovi二極管：死區(qū)電壓=0.5V，正向壓降

0.7V(硅二極管)理想二極管：死區(qū)電壓=0，正向壓降=07|vi|<2.7V時，D1、D2截止，所以vo=vi|vi|>2.7V時，D1、D2中導(dǎo)通，所以vo=2.7Vvovi例38|vi|<1.4V時，D1、D2截止，所以vo=vi|vi|>1.4V時，有一支路導(dǎo)通，所以vo=1.4Vvovi例49六.三極管工作區(qū)域PNP晶體管工作在放大區(qū)，三電極電位關(guān)系為A．UC<UE<UBB.UB<UC<UE

C.UC<UB<UE

D.UB<UE<UCNPN晶體管工作在放大區(qū)，三電極電位關(guān)系為A．UC<UE<UBB.UB<UC<UEC.UC<UB<UE

D.UE<UB<UC三極管工作狀態(tài)的偏置條件放大：要求發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。飽和：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏。10例題1.測得三極管發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏，此時該三極管處于()A.放大狀態(tài)

B.截止?fàn)顟B(tài)C.飽和狀態(tài)D.擊穿狀態(tài)2.測得三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，此時該三極管處于()A.放大狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)C.飽和狀態(tài)D.擊穿狀態(tài)3.測得三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，此時該三極管處于()A.放大狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)

C.飽和狀態(tài)D.擊穿狀態(tài)4.測得NPN型三極管三個電極的電位分別為UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，則該管工作在（）A.放大區(qū)B.截止區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)11七.三極管管型PNP晶體管工作在放大區(qū)，三電極電位關(guān)系為A．UC<UE<UBB.UB<UC<UE

C.UC<UB<UE

D.UB<UE<UCNPN晶體管工作在放大區(qū)，三電極電位關(guān)系為A．UC<UE<UBB.UB<UC<UEC.UC<UB<UE

D.UE<UB<UC例1在放大電路中測得三極管三個電極的電位分別為2.8V、3.5V、6V，則這只三極管屬于（）A.硅PNP型B.硅NPN型C.鍺PNP型D.鍺NPN型122.在放大電路中測得三極管三個電極的電位分別為6V、11.8V、12V，則這只三極管屬于（）A.硅NPN型B.硅PNP型C.鍺NPN型D.鍺PNP型3.在放大電路中,測得三極管三個電極電位分別為12V，11.3V，0V，則該管屬于（）A.硅NPN型B.硅PNP型C.鍺NPN型D.鍺PNP型4.在放大電路中,測得三極管三個電極電位分別為3.2V、3V、6V，則該管屬于（）A.鍺NPN型B.鍺PNP型C.硅NPN型D.硅PNP型13第二部分放大電路基礎(chǔ)一.放大電路要求1.放大電路的組成原則有哪些？A.要求放大電路發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏；B.輸入回路的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使輸入信號耦合到晶體管的輸入電極，并形成變化的基極電流iB，進而產(chǎn)生晶體管的電流控制關(guān)系，變成集電極電流iC的變化；C.輸出回路的設(shè)置應(yīng)當(dāng)保證晶體管放大后的電流信號能夠轉(zhuǎn)換成負(fù)載需要的電壓形式；D.信號通過放大電路時不允許出現(xiàn)失真。2.放大電路耦合方式有什么要求？耦合后，各級仍具有合適靜態(tài)工作點。保證信號在級與級之間能順利而有效地傳輸出去。耦合后，多級放大嗲路的性能指標(biāo)必須滿足實際負(fù)載的要求。14二.偏置情況1.在固定偏置放大電路中，當(dāng)RC、RB的參數(shù)分別為（）時，該電路的靜態(tài)工作點處在放大區(qū)。設(shè)三極管的β=100。A.5.6kΩ、10kΩB.5.6kΩ、510kΩC.5.6kΩ、1MΩA.100kΩ、1MΩ2.在固定偏置放大電路中，調(diào)小偏置電阻RB的數(shù)值，將使靜態(tài)工作點（）。A.升高B.降低C.不變D.不定3.在固定偏置放大電路中，調(diào)小偏置電阻RB的數(shù)值，容易出現(xiàn)（）失真。A.飽和B.截止C.低頻D.交越4．在固定偏置放大電路中，調(diào)大偏置電阻RB的數(shù)值，靜態(tài)工作點將（）。A.升高B.降低C.不變D.不定155.在固定偏置放大電路中，調(diào)大偏置電阻RB的數(shù)值，容易出現(xiàn)（）失真。A.飽和

B.截止C.低頻D.交越6．為什么要設(shè)定靜態(tài)工作點？16二.耦合方式變壓器耦合直接耦合阻容耦合光電耦合例題：1.集成運算放大器采用耦合方式是A.變壓器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光電耦合2.在放大電路的耦合方式中，（）低頻特性最好。A.變壓器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光電耦合3.在放大電路的耦合方式中，（）級間靜態(tài)工作點會影響。A.變壓器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光電耦合4．影響多級放大器低頻特性的原因是（）。A.極間耦合電容B.晶體管型號C.三極管結(jié)電容D.溫度17三、判斷電路是否能實現(xiàn)放大？3.晶體管必須偏置在放大區(qū)。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。4.正確設(shè)置靜態(tài)工作點，使整個波形處于放大區(qū)。

1.信號能否輸入到放大電路中。2.信號能否輸出。與實現(xiàn)放大的條件相對應(yīng)，判斷的過程如下：181.試分析下圖所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，不能的請說明改正方法。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。

（A）集電極C2錯誤，其將輸出信號旁路。應(yīng)取消C2。（B)電路不符合發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏原則?？蓪⒕w管換成NPN管（或?qū)㈦娫措妷簶O性取反，但同時要更改電解電容的極性）。192.試分析下圖所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，請用√或×表示，不能的請說明改正方法。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。

（A)輸入信號在基極被旁路。去掉C2。（B)電路發(fā)射結(jié)不滿足正向偏置?？蓪1移至R1、R2節(jié)點前。202.試分析下圖所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，請用√或×表示，不能的請說明改正方法。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。

（A)集電極C2錯誤，其將輸出信號旁路。應(yīng)取消C2。（B)輸入信號在基極被旁路。去掉C2。21四.放大電路的性能指標(biāo)放大電路的輸入電阻越大，從信號源吸收的電流

越小。放大電路的輸出電阻越小，電路的帶負(fù)載能力

越強。多級放大電路的電壓增益等于

各級增益乘積。多級放大電路的輸入電阻等于

最前級輸入電阻。多級放大電路的輸出電阻等于

末級輸出電阻。22五.三種組態(tài)特點與應(yīng)用1．簡述射極輸出器的特點與應(yīng)用

輸入輸出同相，輸出電壓跟隨輸入電壓。輸入電阻較大，輸出電阻很小，帶負(fù)載能力強。應(yīng)用：1.將射極輸出