集成電路制造技術(shù)仿真課程平臺(tái)

集成電路制造技術(shù)仿真課程平臺(tái)序號(hào)貨物名稱技術(shù)要求1集成電路制造技術(shù)仿真課程平臺(tái)1.1集成電路制造工藝模塊：IC制造基礎(chǔ)包含：課件：集成電路的類別、IC設(shè)計(jì)與制造的流程；講課視頻和作業(yè)。1.2.氧化包含：（1）課件：薄膜、氧化工藝；講課視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)：熱氧化原理、實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示、質(zhì)量檢驗(yàn)；VR操作；熱分解淀積原理和生產(chǎn)演示。1.3氧化工程：基于器件工藝要求和公式，先進(jìn)行熱氧化工藝參數(shù)設(shè)置和溫度曲線仿真；再根據(jù)所設(shè)置的干氧-濕氧-再干氧的溫度和時(shí)間計(jì)算氧化厚度，驗(yàn)證是否滿足要求。1.4化學(xué)淀積包含：（1）課件：LPCVD、PECVD、ALD化學(xué)淀積；講課視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)：LPCVD原理和生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置，ALD原理和生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。1.5化學(xué)淀積工程：PECVD原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示、生產(chǎn)界面操作；VR操作；基于器件（氧化硅、氮化硅、多晶硅）工藝要求，設(shè)置工藝參數(shù)，并運(yùn)行溫度曲線仿真和淀積厚度仿真。1.6物理淀積包含：（1）課件：電子束蒸發(fā)、磁控濺射、真空蒸發(fā)，講課視頻和作業(yè)；（2）實(shí)驗(yàn)：電子束蒸發(fā)原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；真空蒸發(fā)原理和生產(chǎn)演示。磁控濺射原理、實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；VR操作；基于器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。1.7外延提供：（1）課件：外延工藝，講課視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)：外延原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；VR操作；基于器件工藝要求，設(shè)置工藝參數(shù)，并運(yùn)行溫度曲線仿真。1.8光刻包含：（1）課件：光刻原理、涂膠、曝光工藝、顯影、制掩膜板，課程視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：涂膠原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求和經(jīng)驗(yàn)曲線，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；涂膠VR操作；（3）前烘實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。（4）實(shí)驗(yàn)2：極紫外光刻原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，基于光刻精度和器件工藝要求進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。（5）實(shí)驗(yàn)3：顯影原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；基于器件工藝要求（光刻膠厚度等）和經(jīng)驗(yàn)曲線，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；顯影VR操作。（6）后烘生產(chǎn)演示；基于器件工藝要求和經(jīng)驗(yàn)曲線，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。1.9光刻的實(shí)驗(yàn)4：光學(xué)曝光原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；基于光刻精度和器件工藝要求進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；光學(xué)曝光缺陷分析；光學(xué)曝光VR操作。1.10刻蝕包含：（1）課件：刻蝕和去膠，講課視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：濕法刻蝕生產(chǎn)演示；基于薄膜材料和器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。（3）實(shí)驗(yàn)2：等離子刻蝕機(jī)原理和生產(chǎn)演示；基于薄膜材料和器件工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置。（5）實(shí)驗(yàn)3：溶劑去膠生產(chǎn)演示；基于器件工藝要求進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；等離子體去膠原理和生產(chǎn)演示；等離子體去膠VR操作。1.11刻蝕的實(shí)驗(yàn):4：反應(yīng)離子刻蝕機(jī)原理和實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；基于薄膜材料和器件工藝要求和經(jīng)驗(yàn)曲線，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；反應(yīng)離子刻蝕VR操作。1.12摻雜：包含：（1）課件：擴(kuò)散和離子注入摻雜，講課視頻和作業(yè)。（2）工程1：液態(tài)源擴(kuò)散原理、實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示、質(zhì)量檢驗(yàn)；基于器件工藝要求（結(jié)深等）和公式，進(jìn)行NPN基區(qū)硼擴(kuò)散和NPN發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散的工藝參數(shù)設(shè)置和溫度曲線仿真；液態(tài)源擴(kuò)散VR操作。（3）實(shí)驗(yàn)：離子注入摻雜原理、實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示；基于器件工藝要求（結(jié)深等）和經(jīng)驗(yàn)曲線，進(jìn)行硼摻雜和磷摻雜的工藝參數(shù)設(shè)置；離子注入摻雜VR操作(上料、面板開(kāi)關(guān)的使用、生產(chǎn)模擬運(yùn)行、生產(chǎn)監(jiān)控、出料)。1.13摻雜的工程2：固態(tài)源擴(kuò)散原理；基于器件工藝要求和公式，進(jìn)行硼擴(kuò)散和磷擴(kuò)散的工藝參數(shù)設(shè)置和溫度曲線仿真。1.14輔助工藝包含：（1）課件：金屬化、平坦化、清洗、測(cè)試，講課視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：燒結(jié)爐生產(chǎn)演示和合金參數(shù)設(shè)置，擴(kuò)散爐合金參數(shù)設(shè)置，凸點(diǎn)電鍍爐生產(chǎn)演示；化學(xué)機(jī)械拋光原理、實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，基于器件工藝要求進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；旋涂玻璃拋光機(jī)生產(chǎn)演示；化學(xué)清洗機(jī)和等離子清洗機(jī)生產(chǎn)演示。1.15輔助工藝的實(shí)驗(yàn)2：晶圓分析實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)演示，NPN和NMOS輸出曲線設(shè)置；晶圓分析測(cè)試設(shè)備包括：光學(xué)顯微鏡(測(cè)外觀)、AOI(測(cè)外觀)、次離子質(zhì)譜儀(測(cè)滲雜濃度)、X射線衍射儀(測(cè)膜厚)，在VR虛擬制造環(huán)境中，按照所設(shè)計(jì)的工藝流程順序，漫游找到每個(gè)工序設(shè)備并操作。1.16晶圓制造包含：（1）課件、視頻和作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：拉單晶生產(chǎn)演示，基于晶圓工藝要求，進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置和溫度曲線所真。（3）實(shí)驗(yàn)2：切割機(jī)生產(chǎn)演示和質(zhì)量控制，基于晶圓工藝要求（直徑等）進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；研磨機(jī)生產(chǎn)演示，基于晶圓工藝要求（直徑等）進(jìn)行工藝參數(shù)設(shè)置；晶圓VR車(chē)間操作。1半導(dǎo)體IC器件模塊：PN結(jié)物理：包含：（1）課件：PN結(jié)物理，視頻，作業(yè)。2.2PN結(jié)物理的實(shí)驗(yàn)：PN結(jié)隨溫度變化的VI特性設(shè)置。實(shí)驗(yàn).PN結(jié)摻雜濃度仿真：選定內(nèi)建電勢(shì)設(shè)計(jì)要求，先初設(shè)摻雜濃度，再計(jì)算內(nèi)建電勢(shì)和電荷區(qū)寬度，并仿真驗(yàn)證，最后修正摻雜濃度。2.3二極管：包含：（1）課件：LED、光伏電池，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：LED制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（3）實(shí)驗(yàn)2：太陽(yáng)能電池制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。2.4三極管：包含：（1）課件：NPN、PNP、NMOS、PMOS，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：NPN三極管制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（3）工程1：NPN三極管制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于NPN三極管結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（埋層-隔離區(qū)-基區(qū)-發(fā)射區(qū)/集電區(qū)-引線孔-金屬線-鈍化層）的制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)，并通過(guò)NPN結(jié)構(gòu)仿真，判斷設(shè)置的正確性。（4）實(shí)驗(yàn)2：PNP三極管制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（5）工程2：PNP三極管制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于PNP三極管結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（P-區(qū)-基區(qū)-發(fā)射區(qū)/集電區(qū)-接觸孔-金屬線-鈍化層）的制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、摻雜擴(kuò)散、合金）。（6）實(shí)驗(yàn)3：NMOS三極管制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（7）工程3：NMOS三極管制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于NMOS三極管結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（漏/源區(qū)-鋁柵-接觸孔-金屬線-鈍化層）的制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、摻雜擴(kuò)散、合金）。（8）實(shí)驗(yàn)4：PMOS三極管制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（9）工程4：PMOS三極管制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于PMOS三極管結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（漏/源區(qū)-鋁柵-接觸孔-金屬線-鈍化層）的制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、摻雜擴(kuò)散、合金）。2.5數(shù)字電路：包含：（1）課件：CMOS非門(mén)和NMOS觸發(fā)器，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：CMOS非門(mén)制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（3）實(shí)驗(yàn)2：NMOS觸發(fā)器制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（4）工程2：NMOS觸發(fā)器制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于NMOS觸發(fā)器結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（場(chǎng)隔離區(qū)-P/N場(chǎng)區(qū)-多晶硅柵-有源區(qū)-接觸孔-第一層金屬線-穿通接觸孔-第二層金屬線-鈍化）制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、摻雜擴(kuò)散、合金）。2.6數(shù)字電路的工程1：CMOS非門(mén)制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于CMOS非門(mén)結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（N陷-場(chǎng)隔離區(qū)-P場(chǎng)區(qū)-N場(chǎng)區(qū)-多晶硅柵-接觸孔-第一層金屬線-穿通接觸孔-第二層金屬線-鈍化）制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、摻雜擴(kuò)散、合金），并通過(guò)NPN結(jié)構(gòu)仿真，判斷設(shè)置的正確性。2.7HEMT功率管：包含：（1）課件：HEMT功率管，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)：HEMT功率管制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（3）工程：HEMT功率管制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于HEMT功率管結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（隔離臺(tái)面-源漏電極-SiNx柵介質(zhì)層-Al2O3柵介質(zhì)層-柵電極-源漏電極Al加厚-柵電極叉指狀BUS-柵電極BUS鈍化-源漏電極叉指狀BUS-純化）制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、合金），并通過(guò)結(jié)構(gòu)仿真，判斷設(shè)置的正確性。2.8MEMS：包含：（1）課件：MEMS工藝，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)：MEMS可變電容制造工藝流程設(shè)計(jì)和仿真。（3）工程：MEMS可變電容制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和仿真：基于MEMS可變電容結(jié)構(gòu)要求，設(shè)置每層功能區(qū)（電極、犧牲層、金屬結(jié)構(gòu)、去除犧牲層、純化）制造工藝參數(shù)設(shè)計(jì)（主要包括：制膜、光刻、刻蝕、合金），并通過(guò)結(jié)構(gòu)仿真，判斷設(shè)置的正確性。2.9版圖設(shè)計(jì)工藝仿真：包含：（1）課件：版圖設(shè)計(jì)，視頻，作業(yè)。（2）實(shí)驗(yàn)1：NPN三極管版圖設(shè)計(jì)規(guī)則仿真：選擇設(shè)計(jì)NPN版圖的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)幾何尺寸，根據(jù)尺寸，進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真，直觀檢查版圖設(shè)計(jì)的DFM可制造性。（3）實(shí)驗(yàn)2：CMOS非門(mén)版圖設(shè)計(jì)規(guī)則仿真：選擇設(shè)計(jì)CMOS版圖的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)幾何尺寸，根據(jù)尺寸，進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真，直觀檢查版圖設(shè)計(jì)的DFM可制造性。2.10版圖設(shè)計(jì)工藝仿真的工程：版圖設(shè)計(jì)工藝仿真驗(yàn)證：輸入所設(shè)計(jì)的IC版圖文件，提取數(shù)據(jù)，繪制IC版圖的圖形，并由設(shè)計(jì)師設(shè)置每層的功能和厚度，進(jìn)行IC結(jié)構(gòu)3D仿真；選擇設(shè)計(jì)該IC版圖的工藝流程，并進(jìn)行3D結(jié)構(gòu)仿真；驗(yàn)證版圖設(shè)計(jì)的工藝合理性和正確性。3.1集成電路制造工廠模塊：IC實(shí)驗(yàn)工廠：包含：（1）課件：IC實(shí)驗(yàn)工廠，視頻和作業(yè)。（2）VR工廠設(shè)備：1)制膜車(chē)間：熱氧化爐、外延爐、LPCVD和PECVD化學(xué)沉積機(jī)、電子束蒸發(fā)機(jī)、磁控濺射臺(tái)、真空鎢絲蒸發(fā)機(jī)等；2)光刻車(chē)間：涂膠機(jī)、光學(xué)曝光機(jī)、電子束曝光機(jī)、極紫外光刻機(jī)、前烘爐、顯影機(jī)、后烘爐、濕法刻蝕機(jī)、等離子刻蝕機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)、溶劑去膠機(jī)、等離子體去膠機(jī)；3)摻雜車(chē)間：液態(tài)源擴(kuò)散爐、固態(tài)源擴(kuò)散爐、離子注入摻雜機(jī)；4)輔肋車(chē)間：燒結(jié)爐、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、化學(xué)清洗機(jī)、等離子清洗機(jī)、測(cè)試機(jī)、切割機(jī)等。（3）主要IC制造工藝仿真：1)制膜工程：漫游找到熱氧化爐、等離子化學(xué)沉積機(jī)、磁控濺射臺(tái)。設(shè)備操作；2)光刻工程：漫游找到涂膠機(jī)、前烘爐、光學(xué)曝光機(jī)、顯影機(jī)、后烘爐、離子刻蝕機(jī)、去膠機(jī)。設(shè)備操作；3)摻雜擴(kuò)散工程：漫游找到：液態(tài)源擴(kuò)散、離子注入摻雜。設(shè)備操作；4)輔助工程：漫游找到：燒結(jié)爐、平坦化系統(tǒng)、清洗、測(cè)試。設(shè)備操作。3.2IC實(shí)驗(yàn)工廠工程：NPN三極管實(shí)驗(yàn)工廠?？梢栽谔摂M制造工廠中，按照器件的工藝流程，漫游找到每個(gè)工序設(shè)備并操作，顯示每臺(tái)設(shè)備加工完成前后器件結(jié)構(gòu)變化。3.3IC生產(chǎn)工廠包含