MOOC 數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)及應(yīng)用-電子科技大學(xué) 中國大學(xué)慕課答案

MOOC數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)及應(yīng)用-電子科技大學(xué)中國大學(xué)慕課答案隨堂測試題1、問題：本課程的先進(jìn)性主要體現(xiàn)在哪些方面？選項(xiàng)：A、硬件B、軟件C、元器件D、方法正確答案:【元器件#方法】數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性1、問題：數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性主要表現(xiàn)在：選項(xiàng)：A、結(jié)果再現(xiàn)性B、精度更高C、易于設(shè)計(jì)D、可編程性正確答案:【結(jié)果再現(xiàn)性#精度更高#易于設(shè)計(jì)#可編程性】隨堂測驗(yàn)1、問題：FPGA的含義是什么？選項(xiàng)：A、可編程陣列邏輯B、可編程邏輯器件C、復(fù)雜可編程邏輯器件D、現(xiàn)場可編程門陣列正確答案:【現(xiàn)場可編程門陣列】最基本的組合電路器件1、問題：通常定義的中規(guī)模集成電路包含門的個(gè)數(shù)是：選項(xiàng)：A、1-20B、20-200C、200-2000D、2000-10000正確答案:【20-200】2、問題：最基本的組合電路器件有：選項(xiàng)：A、與門B、或門C、與非門D、非門正確答案:【與門#或門#非門】3、問題：最基本的時(shí)序電路器件有：選項(xiàng)：A、寄存器B、鎖存器C、計(jì)數(shù)器D、觸發(fā)器正確答案:【鎖存器#觸發(fā)器】隨堂測驗(yàn)1、問題：完成下面的數(shù)制轉(zhuǎn)換：（9E.7A）16=（?）2選項(xiàng)：A、10011110.1101010?B、10011010.01111011C、10011110.01111010D、10001110.01111100正確答案:【10011110.01111010】2、問題：完成下面的數(shù)制轉(zhuǎn)換：（36.5C）16=（?）8選項(xiàng)：A、00110110.01011100B、66.27C、152.56D、33.134正確答案:【66.27】3、問題：完成下面的數(shù)制轉(zhuǎn)換：（2851）10=（?）16選項(xiàng)：A、D35B、C26C、B37D、B23正確答案:【B23】隨堂測驗(yàn)1、問題：十進(jìn)制數(shù)（+25）的8位符號-數(shù)值碼、二進(jìn)制反碼、二進(jìn)制補(bǔ)碼分別是：選項(xiàng)：A、00011001，01100110，01100111B、00011001，01100111，01100110C、00011001，00011001，00011001D、00011001，11100110，11100111正確答案:【00011001，00011001，00011001】2、問題：十進(jìn)制數(shù)（-42）的8位符號-數(shù)值碼、二進(jìn)制反碼、二進(jìn)制補(bǔ)碼分別是：選項(xiàng)：A、10101010，10101011，10101100B、10101010，11010101，11010110C、10101010，11010110，11010101D、10101010，11010111，11010110正確答案:【10101010，11010101，11010110】隨堂測驗(yàn)1、問題：下面8位二進(jìn)制補(bǔ)碼數(shù)相加時(shí)發(fā)生溢出的是：選項(xiàng)：A、10111111+11011111B、11001100+10101010C、01011101+00110001D、11101001+10101100正確答案:【11001100+10101010#01011101+00110001】隨堂測驗(yàn)1、問題：（1001011000100011.10000111）8421BCD碼對應(yīng)的2421BCD碼是：選項(xiàng)：A、1111011000100011.11101101B、1111011010000011.11100111C、1001011010000011.10001101D、1111110000100011.11101101正確答案:【1111110000100011.11101101】2、問題：十進(jìn)制數(shù)（2743.85）10轉(zhuǎn)換成的余3碼是：選項(xiàng)：A、0010011101000011.10000101B、1000011101000011.11100101C、0101101001110110.10111000D、0101101101000011.10101100正確答案:【0101101001110110.10111000】隨堂測驗(yàn)1、問題：二進(jìn)制數(shù)：（10010111）2轉(zhuǎn)換成格雷碼為：（？）Gray選項(xiàng)：A、11011110B、10011001C、11011100D、11011010正確答案:【11011100】第1、2章單元測驗(yàn)1、問題：十進(jìn)制數(shù)120對應(yīng)的二進(jìn)制數(shù)是：選項(xiàng)：A、111000B、1111000C、1110110D、1111010正確答案:【1111000】2、問題：十進(jìn)制數(shù)16.68對應(yīng)的十六進(jìn)制數(shù)是：選項(xiàng)：A、10.BAB、12.CDC、11.EFD、10.AE正確答案:【10.AE】3、問題：十進(jìn)制數(shù)38.75對應(yīng)的8421BCD碼是：選項(xiàng)：A、111000.01110101B、00111000.01110101C、111000.01010111D、00110111.01100100正確答案:【00111000.01110101】4、問題：十進(jìn)制數(shù)+45對應(yīng)的二進(jìn)制補(bǔ)碼是：選項(xiàng)：A、10101101B、00010110C、00101101D、10110110正確答案:【00101101】5、問題：十進(jìn)制數(shù)-47對應(yīng)的二進(jìn)制補(bǔ)碼是：選項(xiàng)：A、11010001B、11010101C、11010011D、10100110正確答案:【11010001】6、問題：十進(jìn)制數(shù)178.5對應(yīng)的余3碼是：選項(xiàng)：A、000101111000.0101B、010001111000.0101C、010010101011.1000D、010010101110.1001正確答案:【010010101011.1000】7、問題：十進(jìn)制數(shù)22.37對應(yīng)的二進(jìn)制數(shù)是：選項(xiàng)：A、10110.0101111B、10010.01011C、10110.11010D、10010.010110正確答案:【10110.0101111】8、問題：二進(jìn)制數(shù)100110.11對應(yīng)的十六進(jìn)制數(shù)是：選項(xiàng)：A、92.3B、26.6C、46.3D、26.C正確答案:【26.C】9、問題：二進(jìn)制數(shù)01000010對應(yīng)的格雷碼是：選項(xiàng)：A、10001100B、01110011C、01100011D、10110011正確答案:【01100011】10、問題：二進(jìn)制數(shù)101111.0111對應(yīng)的八進(jìn)制數(shù)是：選項(xiàng)：A、233.23B、57.34C、274.26D、236.34正確答案:【57.34】11、問題：兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)的補(bǔ)碼相加，有溢出的是：選項(xiàng)：A、01001110+00100011B、01000011+01001000C、11010111+11001000D、10101111+11001111正確答案:【01000011+01001000#10101111+11001111】12、問題：與模擬電路相比，數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性主要體現(xiàn)在：選項(xiàng)：A、穩(wěn)定可靠B、精度更高C、易于設(shè)計(jì)D、速度更快正確答案:【穩(wěn)定可靠#精度更高#易于設(shè)計(jì)】13、問題：構(gòu)成數(shù)字電路最基本的器件主要有：選項(xiàng)：A、加法器B、門電路C、觸發(fā)器D、計(jì)數(shù)器正確答案:【門電路#觸發(fā)器】14、問題：數(shù)字設(shè)計(jì)的層次主要有：選項(xiàng)：A、IC制造過程級B、晶體管級C、門電路結(jié)構(gòu)級D、邏輯設(shè)計(jì)級正確答案:【IC制造過程級#晶體管級#門電路結(jié)構(gòu)級#邏輯設(shè)計(jì)級】15、問題：二進(jìn)制加法運(yùn)算包含的輸入、輸出變量有：選項(xiàng)：A、進(jìn)位輸入:CinB、進(jìn)位輸出CoutC、本位差:DD、本位和:S正確答案:【進(jìn)位輸入:Cin#進(jìn)位輸出Cout#本位和:S】3.1隨堂測試1、問題：數(shù)字信號的主要特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、用于表達(dá)數(shù)量大小B、只有有限個(gè)取值狀態(tài)C、只在離散時(shí)刻變化D、主要用于數(shù)學(xué)運(yùn)算正確答案:【只有有限個(gè)取值狀態(tài)#只在離散時(shí)刻變化】2、問題：數(shù)字系統(tǒng)的特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、一定可以由邏輯系統(tǒng)構(gòu)成B、一個(gè)輸入狀態(tài)可能對應(yīng)多個(gè)輸出狀態(tài)C、多個(gè)輸入狀態(tài)可能對應(yīng)相同的輸出狀態(tài)D、一定可以完成對數(shù)字的算數(shù)運(yùn)算正確答案:【一定可以由邏輯系統(tǒng)構(gòu)成#一個(gè)輸入狀態(tài)可能對應(yīng)多個(gè)輸出狀態(tài)#多個(gè)輸入狀態(tài)可能對應(yīng)相同的輸出狀態(tài)】3、問題：下列真值表中，表達(dá)基本邏輯運(yùn)算的有選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【#】4、問題：下列邏輯符號中，哪些為基本邏輯單元選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【#】5、問題：下列哪些單元為基本邏輯單元選項(xiàng)：A、INVB、NAND2C、NOR3D、AND2正確答案:【INV#AND2】3.2隨堂測驗(yàn)1、問題：電路結(jié)構(gòu)如下圖所示，該電路實(shí)現(xiàn)的邏輯單元為選項(xiàng)：A、INVB、NAND2C、BUFFERD、OR2正確答案:【BUFFER】2、問題：電路結(jié)構(gòu)如下圖所示，該電路實(shí)現(xiàn)的邏輯單元為選項(xiàng)：A、AND2B、NAND2C、BUFFERD、NOR2正確答案:【NOR2】3、問題：一個(gè)CMOS器件由4個(gè)MOS器件構(gòu)成，它可能是選項(xiàng)：A、NAND2B、AND2C、INVD、BUFFER正確答案:【NAND2#BUFFER】4、問題：下列關(guān)于開關(guān)電路的說法，哪些是正確的選項(xiàng)：A、開關(guān)電路完全由受輸入狀態(tài)控制的開關(guān)構(gòu)成B、輸入高電平使開關(guān)接通，低電平使開關(guān)斷開C、輸出通過開關(guān)連接電源和接地，獲取高電平或低電平D、不能將開關(guān)電路中所有開關(guān)都接通正確答案:【開關(guān)電路完全由受輸入狀態(tài)控制的開關(guān)構(gòu)成#輸出通過開關(guān)連接電源和接地，獲取高電平或低電平#不能將開關(guān)電路中所有開關(guān)都接通】5、問題：下列關(guān)于CMOS電路的說法，哪些是正確的選項(xiàng)：A、NMOS開關(guān)可用于輸出獲取高電平的連接B、NMOS開關(guān)只用于輸出獲取低電平的連接C、MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時(shí)，G與S的狀態(tài)一定相反D、MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時(shí)，G與D的狀態(tài)可能相同正確答案:【NMOS開關(guān)只用于輸出獲取低電平的連接#MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時(shí)，G與S的狀態(tài)一定相反】3.3隨堂測驗(yàn)1、問題：下圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯運(yùn)算是選項(xiàng)：A、y=a.(b+c)’B、y=(a.(b+c))’C、y=a+b.c’D、y=(a+b.c)’正確答案:【y=(a.(b+c))’】2、問題：下圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯運(yùn)算是選項(xiàng)：A、y=(a+b).(c+d)B、y=(a.b+c.d)’C、y=a.b+c.dD、y=((a+b).(c+d))’正確答案:【y=(a+b).(c+d)】3、問題：下圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯運(yùn)算是選項(xiàng)：A、y=a.(b+c)’B、y=(a.b+c)’C、y=a.b+c’D、y=(a+b.c)’正確答案:【y=(a.b+c)’】4、問題：下列說法中哪些是正確的？選項(xiàng)：A、在CMOS結(jié)構(gòu)中，當(dāng)2個(gè)輸入控制的NMOS器件構(gòu)成串聯(lián)時(shí)，這2個(gè)變量控制的PMOS器件一定是并聯(lián)B、在CMOS基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)輸入一定控制2個(gè)MOS器件C、CMOS結(jié)構(gòu)形成的NAND4中，所有PMOS器件都形成串聯(lián)D、連接有上拉電阻的開路門單元的可能輸出狀態(tài)為高阻態(tài)、低電平狀態(tài)和高電平狀態(tài)正確答案:【在CMOS結(jié)構(gòu)中，當(dāng)2個(gè)輸入控制的NMOS器件構(gòu)成串聯(lián)時(shí)，這2個(gè)變量控制的PMOS器件一定是并聯(lián)#在CMOS基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)輸入一定控制2個(gè)MOS器件】5、問題：采用CMOS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)下列邏輯運(yùn)算時(shí)，哪些需要使用8個(gè)MOS晶體管選項(xiàng)：A、y=(a+b.c)’B、y=a+b+cC、y=a+b+c’D、y=a‘+b正確答案:【y=a+b+c#y=a‘+b】3.4隨堂測驗(yàn)1、問題：當(dāng)電源為5V時(shí)，若CMOS反相器的輸入電壓為3V，輸出電壓的可能值為選項(xiàng)：A、1VB、2VC、3VD、4V正確答案:【1V】2、問題：若CMOS單元的設(shè)計(jì)指標(biāo)為：輸入高電平最小值2.8V輸入低電平最大值2.3V輸出高電平最小值3.9V輸出低電平最大值0.7V則高電平噪聲容限為選項(xiàng)：A、0.5VB、1.1VC、1.6VD、2.1V正確答案:【1.1V】3、問題：若CMOS單元的設(shè)計(jì)指標(biāo)為：輸入高電平最小值2.8V輸入低電平最大值2.3V輸出高電平最小值3.9V輸出低電平最大值0.7V則低電平噪聲容限為選項(xiàng)：A、0.5VB、1.1VC、1.6VD、2.1V正確答案:【1.6V】4、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。當(dāng)使用5V電源時(shí)，若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，NMOS導(dǎo)通電阻為100，PMOS導(dǎo)通電阻為150，則高電平驅(qū)動(dòng)能力為選項(xiàng)：A、33.3B、20C、14.7D、13.3正確答案:【13.3】5、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。采用5V電源時(shí)，若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，高電平驅(qū)動(dòng)能力為8mA，低電平驅(qū)動(dòng)能力為10mA，則NMOS導(dǎo)通電阻為選項(xiàng)：A、275B、250C、220D、200正確答案:【220】3.5隨堂測驗(yàn)1、問題：下列說法中，哪些是正確的選項(xiàng)：A、在同一芯片上制作大量晶體管就稱為集成電路B、CMOS邏輯單元完全由晶體管在電路板上連接構(gòu)成C、集成電路需要晶體管連接形成功能單元后再進(jìn)行封裝D、集成電路的對等性設(shè)計(jì)要求各邏輯單元的高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同正確答案:【集成電路需要晶體管連接形成功能單元后再進(jìn)行封裝#集成電路的對等性設(shè)計(jì)要求各邏輯單元的高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同】2、問題：下列說法中，哪些是錯(cuò)誤的選項(xiàng)：A、對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同B、對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，高電平驅(qū)動(dòng)能力是低電平驅(qū)動(dòng)能力的3倍C、對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，低電平驅(qū)動(dòng)能力是高電平驅(qū)動(dòng)能力的3倍D、對CMOS結(jié)構(gòu)的NOR3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，高電平驅(qū)動(dòng)能力是低電平驅(qū)動(dòng)能力的3倍正確答案:【對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同#對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，低電平驅(qū)動(dòng)能力是高電平驅(qū)動(dòng)能力的3倍#對CMOS結(jié)構(gòu)的NOR3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，高電平驅(qū)動(dòng)能力是低電平驅(qū)動(dòng)能力的3倍】3、問題：提高數(shù)字電路的集成度可以帶來哪些效果選項(xiàng)：A、可能導(dǎo)致電路可靠性下降B、可能導(dǎo)致數(shù)字系統(tǒng)的成本提高C、可能導(dǎo)致電路抗干擾性提高D、可能導(dǎo)致數(shù)字系統(tǒng)的運(yùn)算速度提高正確答案:【可能導(dǎo)致電路抗干擾性提高#可能導(dǎo)致數(shù)字系統(tǒng)的運(yùn)算速度提高】4、問題：采用集成塊在印制板上進(jìn)行連線設(shè)計(jì)通常屬于選項(xiàng)：A、SSI設(shè)計(jì)B、MSI設(shè)計(jì)C、VLSI設(shè)計(jì)D、基于FPGA的可編程設(shè)計(jì)正確答案:【SSI設(shè)計(jì)#MSI設(shè)計(jì)】5、問題：集成電路的對等性設(shè)計(jì)要求選項(xiàng)：A、高電平輸出電阻與低電平輸出電阻相同B、輸出高電平容限與輸出低電平容限相同C、高電平輸出電流與低電平輸出電流相同D、高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同正確答案:【高電平輸出電阻與低電平輸出電阻相同#輸出高電平容限與輸出低電平容限相同#高電平驅(qū)動(dòng)能力與低電平驅(qū)動(dòng)能力相同】3.6隨堂測驗(yàn)1、問題：最小INV使用最小晶體管的數(shù)量約為標(biāo)準(zhǔn)門的選項(xiàng)：A、三分之二B、二分之一C、三分之一D、四分之一正確答案:【三分之一】2、問題：所謂最大集成設(shè)計(jì)是指選項(xiàng)：A、設(shè)計(jì)最大的集成塊B、使系統(tǒng)的集成面積最小C、在更大的芯片上制作功能單元D、使芯片單位面積內(nèi)能容納更多的器件正確答案:【使系統(tǒng)的集成面積最小#使芯片單位面積內(nèi)能容納更多的器件】3、問題：最小晶體管模型中的“最小”是指選項(xiàng)：A、面積最小B、電平容限最小C、驅(qū)動(dòng)能力最小D、導(dǎo)通電阻最小正確答案:【面積最小#驅(qū)動(dòng)能力最小】4、問題：CMOS數(shù)字集成電路的標(biāo)準(zhǔn)門是指選項(xiàng)：A、AND2B、NAND2C、OR2D、NOR2正確答案:【NAND2#NOR2】5、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【12】3.7隨堂測驗(yàn)1、問題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為選項(xiàng)：A、4B、6C、9D、13正確答案:【13】2、問題：關(guān)于數(shù)字電路中的信號傳遞延遲，下列哪些說法是正確的選項(xiàng)：A、信號傳遞延遲主要由路徑上的電容影響B(tài)、信號傳遞延遲主要由電荷的移動(dòng)速度影響C、信號傳遞過程需要為相應(yīng)路徑上電容進(jìn)行充放電，需要花費(fèi)時(shí)間D、信號傳遞過程電荷需要通過較長連接線，需要花費(fèi)時(shí)間正確答案:【信號傳遞延遲主要由路徑上的電容影響#信號傳遞過程需要為相應(yīng)路徑上電容進(jìn)行充放電，需要花費(fèi)時(shí)間】3、問題：信號傳遞路徑上某個(gè)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)致的時(shí)間延遲主要與下列因素有關(guān)選項(xiàng)：A、該節(jié)點(diǎn)連接的器件數(shù)量B、該節(jié)點(diǎn)連接的輸入電容數(shù)量C、該節(jié)點(diǎn)所具有的電平狀態(tài)D、該節(jié)點(diǎn)所獲得的驅(qū)動(dòng)能力正確答案:【該節(jié)點(diǎn)連接的輸入電容數(shù)量#該節(jié)點(diǎn)所獲得的驅(qū)動(dòng)能力】4、問題：關(guān)于CMOS數(shù)字集成電路中邏輯單元的功耗，下列說法哪些是正確的選項(xiàng)：A、主要為動(dòng)態(tài)功耗B、與器件單元中的電容總量正比C、與發(fā)生狀態(tài)變化的電容總量正比D、與單位時(shí)間內(nèi)的狀態(tài)變化次數(shù)正比正確答案:【主要為動(dòng)態(tài)功耗#與發(fā)生狀態(tài)變化的電容總量正比#與單位時(shí)間內(nèi)的狀態(tài)變化次數(shù)正比】5、問題：只考慮柵極電容時(shí)，若設(shè)最小晶體管電容為基本單位，則有選項(xiàng)：A、最小反相器的輸入電容為2B、最小NOR2的輸入電容為4C、最小NAND的輸入電容為3D、標(biāo)準(zhǔn)門的輸入電容為6正確答案:【最小反相器的輸入電容為2#最小NAND的輸入電容為3】3.8隨堂測驗(yàn)1、問題：若COMS反相器電壓轉(zhuǎn)移特性如圖所示，對于采用該反相器構(gòu)建的緩沖器，當(dāng)緩沖器輸入電壓波動(dòng)范圍為3--5V時(shí)，緩沖器輸出電壓的波動(dòng)范圍是選項(xiàng)：A、4.9—5VB、4.5—5VC、0--0.1VD、0—0.5V正確答案:【4.9—5V】2、問題：集成塊輸入端設(shè)置緩沖的主要作用為選項(xiàng)：A、可以降低器件的輸入電容B、可以提高器件的輸入電阻C、可以減弱片外噪聲對內(nèi)部電路的影響D、可能延長狀態(tài)變化的過渡時(shí)間正確答案:【可以降低器件的輸入電容#可以減弱片外噪聲對內(nèi)部電路的影響】3、問題：集成塊輸入緩沖設(shè)計(jì)主要分為簡單緩沖和施密特緩沖兩種形式，它們各具有的特點(diǎn)為選項(xiàng)：A、簡單緩沖輸入電阻較小B、簡單緩沖輸入端不允許懸置C、施密特緩沖能夠形成電壓滯回特性D、施密特緩沖輸入電阻較小正確答案:【簡單緩沖輸入端不允許懸置#施密特緩沖能夠形成電壓滯回特性#施密特緩沖輸入電阻較小】4、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，當(dāng)反饋系數(shù)A=5時(shí)，上升轉(zhuǎn)換電平VT+應(yīng)為（）V正確答案:【3】5、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，若要求電壓滯回區(qū)間VT+-VT-為2V,則反饋系數(shù)應(yīng)為（）正確答案:【2.5】3.9隨堂測驗(yàn)1、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、500B、1000C、2000D、4000正確答案:【2000】2、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、4B、40C、200D、1000正確答案:【40】3、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）相當(dāng)于多少個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級聯(lián)的延遲時(shí)間選項(xiàng)：A、16B、60C、240D、800正確答案:【16】4、問題：下列哪些說法是正確的選項(xiàng)：A、數(shù)字集成塊輸出需要的驅(qū)動(dòng)能力遠(yuǎn)大于內(nèi)部單元的驅(qū)動(dòng)能力B、數(shù)字集成塊的輸出單元通常為標(biāo)準(zhǔn)門單元C、數(shù)字集成塊輸出直接輸出的器件一定是大驅(qū)動(dòng)反相器D、數(shù)字集成電路中，大驅(qū)動(dòng)器件只有反相器正確答案:【數(shù)字集成塊輸出需要的驅(qū)動(dòng)能力遠(yuǎn)大于內(nèi)部單元的驅(qū)動(dòng)能力#數(shù)字集成塊輸出直接輸出的器件一定是大驅(qū)動(dòng)反相器#數(shù)字集成電路中，大驅(qū)動(dòng)器件只有反相器】5、問題：下列說法中哪些是正確的選項(xiàng)：A、數(shù)字集成塊輸出單元的時(shí)間延遲可能為內(nèi)部單元的數(shù)百倍B、數(shù)字集成塊輸出單元的邏輯面積至少為內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門面積的數(shù)百倍以上C、在大驅(qū)動(dòng)輸出單元設(shè)計(jì)時(shí)，通常采用逐漸增加緩沖驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)以縮短延遲時(shí)間D、數(shù)字集成塊的成本和延遲時(shí)間主要取決于輸出單元正確答案:【數(shù)字集成塊輸出單元的邏輯面積至少為內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門面積的數(shù)百倍以上#在大驅(qū)動(dòng)輸出單元設(shè)計(jì)時(shí)，通常采用逐漸增加緩沖驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)以縮短延遲時(shí)間】3.10隨堂測驗(yàn)1、問題：下列說法中，哪些是正確的選項(xiàng)：A、當(dāng)集成塊輸入模擬信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇高輸入電阻的集成塊B、當(dāng)集成塊輸入模擬信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇具有抗干擾設(shè)計(jì)的集成塊C、當(dāng)集成塊輸入數(shù)字信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇輸入電流低的集成塊D、當(dāng)集成塊輸入數(shù)字信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇輸入電阻低的集成塊正確答案:【當(dāng)集成塊輸入模擬信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇具有抗干擾設(shè)計(jì)的集成塊#當(dāng)集成塊輸入數(shù)字信號時(shí)，主要應(yīng)該選擇輸入電流低的集成塊】2、問題：下列說法中，哪些是正確的選項(xiàng)：A、當(dāng)集成塊接收臨近單元的信號時(shí)，通常采用具有施密特緩沖輸入的器件B、當(dāng)集成塊接收臨近單元的信號時(shí)，通常采用具有簡單緩沖輸入的器件C、當(dāng)集成塊接收較遠(yuǎn)距離單元的信號時(shí)，通常采用具有簡單緩沖輸入的器件D、當(dāng)集成塊接收較遠(yuǎn)距離單元的信號時(shí)，通常采用具有施密特緩沖輸入的器件正確答案:【當(dāng)集成塊接收臨近單元的信號時(shí)，通常采用具有簡單緩沖輸入的器件#當(dāng)集成塊接收較遠(yuǎn)距離單元的信號時(shí)，通常采用具有施密特緩沖輸入的器件】3、問題：下列說法中，哪些是正確的選項(xiàng)：A、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)CMOS數(shù)字電路時(shí)，應(yīng)該選用小功率集成器件B、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)有源模擬電路時(shí)，應(yīng)該選用小功率集成器件C、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，應(yīng)該選用較大功率集成器件D、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)發(fā)光顯示電路時(shí)，應(yīng)該選用較大功率集成器件正確答案:【當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)CMOS數(shù)字電路時(shí)，應(yīng)該選用小功率集成器件#當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，應(yīng)該選用較大功率集成器件#當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)發(fā)光顯示電路時(shí)，應(yīng)該選用較大功率集成器件】4、問題：下列說法中，哪些是錯(cuò)誤的選項(xiàng)：A、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，該電路等效電阻不能低于某個(gè)最小值B、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，該電路等效電阻不能高于某個(gè)最大值C、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，主要考慮低電平輸出的匹配設(shè)計(jì)D、當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，主要考慮高電平輸出的匹配設(shè)計(jì)正確答案:【當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，該電路等效電阻不能高于某個(gè)最大值#當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)無源模擬電路時(shí)，主要考慮低電平輸出的匹配設(shè)計(jì)】5、問題：當(dāng)集成塊輸出驅(qū)動(dòng)有源模擬電路時(shí)，為保障能夠提供正常輸出電流，該電路等效電壓源選項(xiàng)：A、不能低于集成塊高電平輸出最小值B、不能高于于集成塊高電平輸出最小值C、不能低于集成塊低電平輸出最大值D、不能高于集成塊低電平輸出最大值正確答案:【不能高于于集成塊高電平輸出最小值#不能低于集成塊低電平輸出最大值】第3章單元測試1、問題：使用片內(nèi)基本單元實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)y=a+b.c'需要使用多少個(gè)最小晶體管選項(xiàng)：A、6B、10C、14D、18正確答案:【18】2、問題：若假設(shè)最小晶體管柵極電容導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，使用片內(nèi)基本單元實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)y=a+b.c'時(shí)，當(dāng)信號從c到y(tǒng)的傳遞延遲時(shí)間為選項(xiàng)：A、6B、8C、10D、12正確答案:【8】3、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=a.(b+c)’B、y=(a.(b+c))’C、y=a+b.c’D、y=(a+b.c)’正確答案:【y=(a.(b+c))’】4、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=(a+b).(c+d)B、y=(a.b+c.d)’C、y=a.b+c.dD、y=((a+b).(c+d))’正確答案:【y=(a+b).(c+d)】5、問題：在5V電源條件下，若電平容限為0.5V，考慮對等性設(shè)計(jì)指標(biāo)，采用開路門設(shè)計(jì)的反相器使用的最小晶體管數(shù)量為采用CMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的多少倍選項(xiàng)：A、0.5B、2C、5D、10正確答案:【5】6、問題：電路結(jié)構(gòu)如圖所示，該電路是選項(xiàng)：A、INVB、NAND2C、BUFFERD、OR2正確答案:【BUFFER】7、問題：電路結(jié)構(gòu)如圖所示，該電路是選項(xiàng)：A、AND2B、NAND2C、BUFFERD、NOR2正確答案:【NOR2】8、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=a+b+cB、y=(a+b+c)’C、y=a.b.cD、y=(a.b.c)’正確答案:【y=(a.b.c)’】9、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=a.b+cB、y=(a.b+c)’C、y=a+b.cD、y=(a+b.c)’正確答案:【y=(a.b+c)’】10、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=a.(b+c)B、y=(a.(b+c))’C、y=a+b.c’D、y=(a+b.c)’正確答案:【y=a.(b+c)】11、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=(a+b).(c+d)B、y=(a.b+c.d)’C、y=a.b+c.dD、y=((a+b).(c+d))’正確答案:【y=((a+b).(c+d))’】12、問題：下圖邏輯單元實(shí)現(xiàn)的功能為選項(xiàng)：A、y=(a+b).(c+d)B、y=(a.c+b.d)’C、y=a.b+c.dD、y=((a+c).(b+d))’正確答案:【y=(a.c+b.d)’】13、問題：當(dāng)電源為5V時(shí)，若CMOS反相器的輸入電壓為2V，輸出電壓的可能值為選項(xiàng)：A、1VB、2VC、3VD、4V正確答案:【4V】14、問題：當(dāng)電源為5V時(shí)，若CMOS反相器的輸入電壓為3V，輸出電壓的可能值為選項(xiàng)：A、1VB、2VC、3VD、4V正確答案:【1V】15、問題：當(dāng)電源為5V時(shí)，若CMOS緩沖器的輸入電壓為2V，輸出電壓的可能值為選項(xiàng)：A、1VB、2VC、3VD、4V正確答案:【1V】16、問題：當(dāng)電源為5V時(shí)，若CMOS緩沖器的輸入電壓為3V，輸出電壓的可能值為選項(xiàng)：A、1VB、2VC、3VD、4V正確答案:【4V】17、問題：若CMOS單元的設(shè)計(jì)指標(biāo)為：輸入高電平最小值2.8V輸入低電平最大值2.3V輸出高電平最小值3.9V輸出低電平最大值0.7V則高電平噪聲容限為選項(xiàng)：A、0.5VB、1.1VC、2.1VD、3.2V正確答案:【1.1V】18、問題：若CMOS單元的設(shè)計(jì)指標(biāo)為：輸入高電平最小值2.8V輸入低電平最大值2.3V輸出高電平最小值3.9V輸出低電平最大值0.7V則低電平噪聲容限為選項(xiàng)：A、0.5VB、1.1VC、1.6VD、3.2V正確答案:【1.6V】19、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，NMOS導(dǎo)通電阻為100，PMOS導(dǎo)通電阻為150，則高電平驅(qū)動(dòng)能力為選項(xiàng)：A、20B、14.7C、13.3D、22正確答案:【13.3】20、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，NMOS導(dǎo)通電阻為100，PMOS導(dǎo)通電阻為150，則低電平驅(qū)動(dòng)能力為選項(xiàng)：A、20B、14.7C、13.3D、22正確答案:【22】21、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，高電平驅(qū)動(dòng)能力為8mA，低電平驅(qū)動(dòng)能力為10mA，則NMOS導(dǎo)通電阻為選項(xiàng)：A、220B、275C、200D、250正確答案:【220】22、問題：設(shè)電壓單位為V，電流單位為mA，電阻單位為歐姆。若CMOS反相器輸出高電平容限為2V，輸出低電平容限為2.2V，高電平驅(qū)動(dòng)能力為8mA，低電平驅(qū)動(dòng)能力為10mA，則PMOS導(dǎo)通電阻為選項(xiàng)：A、220B、250C、270D、290正確答案:【250】23、問題：對簡單邏輯單元的集成通常稱為選項(xiàng)：A、LSIB、MSIC、SSID、VLSI正確答案:【SSI】24、問題：對常用功能運(yùn)算單元的集成通常稱為選項(xiàng)：A、LSIB、MSIC、SSID、VLSI正確答案:【MSI】25、問題：片上復(fù)雜系統(tǒng)SOC的設(shè)計(jì)通常屬于選項(xiàng)：A、LSIB、MSIC、SSID、VLSI正確答案:【VLSI】26、問題：采用FPGA進(jìn)行復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的可編程設(shè)計(jì)通常屬于選項(xiàng)：A、VLSIB、MSIC、SSID、LSI正確答案:【VLSI】27、問題：在片內(nèi)CMOS單元中，從輸出到電源的某條支路上存在3個(gè)MOS器件，需要使用多少個(gè)最小晶體管選項(xiàng)：A、3B、6C、9D、12正確答案:【9】28、問題：在片內(nèi)CMOS單元中，從輸出到地的某條支路上存在4個(gè)MOS器件，需要使用多少個(gè)最小晶體管選項(xiàng)：A、16B、12C、8D、4正確答案:【16】29、問題：INV的成本約為標(biāo)準(zhǔn)門的選項(xiàng)：A、一半B、三分之一C、四分之一D、五分之一正確答案:【三分之一】30、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、400B、1000C、2000D、4000正確答案:【2000】31、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、1000B、100C、30D、10正確答案:【100】32、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、4B、50C、200D、1200正確答案:【50】33、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于選項(xiàng)：A、50B、200C、1300D、2600正確答案:【50】34、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）接近于多少個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級聯(lián)的延遲時(shí)間選項(xiàng)：A、2B、33C、700D、1350正確答案:【700】35、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）相當(dāng)于多少個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級聯(lián)的延遲時(shí)間選項(xiàng)：A、300B、40C、10D、2正確答案:【40】36、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）相當(dāng)于多少個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級聯(lián)的延遲時(shí)間選項(xiàng)：A、2B、15C、60D、400正確答案:【15】37、問題：若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力)，該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）相當(dāng)于多少個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級聯(lián)的延遲時(shí)間A15B60C240D800選項(xiàng)：A、15B、60C、240D、800正確答案:【15】38、問題：對于CMOS結(jié)構(gòu)的NAND2器件，下列說法哪些是正確的選項(xiàng)：A、該器件有2個(gè)輸入端B、該器件使用6個(gè)MOS器件C、該器件使用2個(gè)PMOSD、該器件中NMOS器件為串聯(lián)正確答案:【該器件有2個(gè)輸入端#該器件使用2個(gè)PMOS#該器件中NMOS器件為串聯(lián)】39、問題：下列器件中，哪些屬于CMOS片內(nèi)基本單元選項(xiàng)：A、INVB、BUFFERC、AND2D、NOR2正確答案:【INV#NOR2】40、問題：關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)門，下列說法中哪些是正確的選項(xiàng)：A、標(biāo)準(zhǔn)門包含AND2，OR2和INVB、標(biāo)準(zhǔn)門只包含NAND2和NOR2C、反相器成本相當(dāng)于1/3標(biāo)準(zhǔn)門D、標(biāo)準(zhǔn)門需要使用6個(gè)最小晶體管正確答案:【標(biāo)準(zhǔn)門只包含NAND2和NOR2#反相器成本相當(dāng)于1/3標(biāo)準(zhǔn)門#標(biāo)準(zhǔn)門需要使用6個(gè)最小晶體管】41、問題：關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說法中正確的是選項(xiàng)：A、輸出單元成本和延遲遠(yuǎn)大于內(nèi)部所有單元之和B、輸出單元一定是大驅(qū)動(dòng)反相器C、輸出單元的驅(qū)動(dòng)能力通常為內(nèi)部驅(qū)動(dòng)能力的上千倍以上D、中小規(guī)模集成塊的時(shí)間延遲主要取決于輸出單元設(shè)計(jì)正確答案:【輸出單元一定是大驅(qū)動(dòng)反相器#輸出單元的驅(qū)動(dòng)能力通常為內(nèi)部驅(qū)動(dòng)能力的上千倍以上#中小規(guī)模集成塊的時(shí)間延遲主要取決于輸出單元設(shè)計(jì)】42、問題：下列輸入輸出關(guān)系中，哪些表達(dá)了基本邏輯單元選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【#】43、問題：一個(gè)CMOS器件由4個(gè)MOS器件構(gòu)成，它可能是選項(xiàng)：A、NAND2B、AND2C、INVD、BUFFER正確答案:【NAND2#BUFFER】44、問題：一個(gè)CMOS器件由6個(gè)MOS器件構(gòu)成，它可能是選項(xiàng)：A、NOR2B、BUFFERC、NAND3D、AND2正確答案:【NAND3#AND2】45、問題：CMOS反相器電壓轉(zhuǎn)移特性如圖所示正確答案:【12】116、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【18】117、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【13】118、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【11】119、填空題：在CMOS基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)輸入控制（）個(gè)MOS器件正確答案:【2】120、填空題：在一個(gè)CMOS器件單元中，如果NMOS器件有3個(gè)，則PMOS器件有（）個(gè)正確答案:【3】121、填空題：采用CMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的3輸入與非門NAND3中含有（）個(gè)MOS器件正確答案:【6】122、填空題：采用開路門設(shè)計(jì)的3輸入或非門NOR3中含有（）個(gè)MOS器件正確答案:【3】123、填空題：采用CMOS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算y=a+b.c時(shí)，使用（）個(gè)MOS器件正確答案:【8】124、填空題：采用CMOS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算y=a’+b.c時(shí)，使用（）個(gè)MOS器件正確答案:【10】125、填空題：在5V電源時(shí)，對采用對等性設(shè)計(jì)的CMOS單元，若輸出高電平最小值為4V，則輸出低電平最大值為（）V正確答案:【1】126、填空題：在5V電源時(shí)，對采用對等性設(shè)計(jì)的CMOS單元，若輸入高電平最小值為2.8V，則輸入低電平最大值為（）V正確答案:【2.2】127、填空題：對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND4，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，若高電平驅(qū)動(dòng)能力是4mA，低電平驅(qū)動(dòng)為（）mA正確答案:【1】128、填空題：對CMOS結(jié)構(gòu)的NOR3，若每個(gè)MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同，當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時(shí)，若高電平驅(qū)動(dòng)能力是2mA，低電平驅(qū)動(dòng)為（）mA正確答案:【6】129、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【4】130、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【6】131、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【10】132、填空題：片內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)使用下圖所示的CMOS結(jié)構(gòu)，需要使用（）個(gè)最小晶體管正確答案:【12】133、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【2】134、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【4】135、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【3】136、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【3】137、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【5】138、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【5】139、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【6】140、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【6】141、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【8】142、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【10】143、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【10】144、填空題：假設(shè)最小晶體管柵極導(dǎo)致的時(shí)間延遲為1，下列電路中從a到y(tǒng)的信號傳遞延遲為（）正確答案:【12】145、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，當(dāng)反饋系數(shù)A=5時(shí)，上升轉(zhuǎn)換電平VT+應(yīng)為（）V正確答案:【3】146、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，當(dāng)反饋系數(shù)A=5時(shí)，下降轉(zhuǎn)換電平VT-應(yīng)為（）V正確答案:【2】147、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，若要求上升轉(zhuǎn)換電平VT+為3.5V,則反饋系數(shù)應(yīng)為（）正確答案:【2.5】148、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，若要求下降轉(zhuǎn)換電平VT+為1.5V,則反饋系數(shù)應(yīng)為（）正確答案:【2.5】149、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，若要求電壓滯回區(qū)間VT+-VT-為1V,則反饋系數(shù)應(yīng)為（）正確答案:【5】150、填空題：施密特緩沖可以由簡單緩沖添加電阻反饋構(gòu)成。設(shè)電源為5V，簡單緩沖的轉(zhuǎn)換電平VT為2.5V，若要求電壓滯回區(qū)間VT+-VT-為2V,則反饋系數(shù)應(yīng)為（）正確答案:【2.5】4.1開關(guān)代數(shù)的公理和定理（隨堂測驗(yàn)）1、問題：下列說法是正確的有（）A、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中所有的變量變?yōu)榉醋兞浚渌问讲蛔兊玫降?。B、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中真值表中的所有0和1互換得到的。C、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中真值表中的輸出0和1互換得到的。D、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中所有的變量變?yōu)榉醋兞?，同時(shí)與或符號互換，其他形式不變得到的。選項(xiàng)：A、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中所有的變量變?yōu)榉醋兞?，其他形式不變得到的。B、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中真值表中的所有0和1互換得到的。C、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中真值表中的輸出0和1互換得到的。D、邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中所有的變量變?yōu)榉醋兞浚瑫r(shí)與或符號互換，其他形式不變得到的。正確答案:【邏輯函數(shù)的反函數(shù)表達(dá)就是將原函數(shù)中真值表中的輸出0和1互換得到的?！?-2隨堂測驗(yàn)1、問題：同一個(gè)邏輯電路分別用正負(fù)邏輯定義其輸入輸出的表達(dá)式，得到的二個(gè)表達(dá)式之間的關(guān)系為（）A、相等B、對偶C、反演D、無關(guān)選項(xiàng)：A、相等B、對偶C、反演D、無關(guān)正確答案:【對偶】4.3邏輯函數(shù)的多種表達(dá)形式以及相互之間的關(guān)系（隨堂測驗(yàn)）1、填空題：?用最大項(xiàng)列表寫出邏輯函數(shù)F=ΣA,B,C(1,2,4,6)的反函數(shù)和對偶函數(shù)。?F'=ΠA,B,C()，F(xiàn)D=ΠA,B,C()。正確答案:【（1，2，4，6），（1，3，5，6）】4.4邏輯函數(shù)的卡諾圖化簡方法-1（隨堂測驗(yàn)）1、問題：1、函數(shù)F=X'YZ'+X'Y'Z+XZ，其正確的卡諾圖為（）。選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【A】4.5邏輯函數(shù)的卡諾圖化簡方法-2（隨堂測驗(yàn)）1、問題：下圖中有()個(gè)奇異“1”單元。選項(xiàng)：A、A、A2A1'A0+A3A1A0+A3A1'A0'+A2A1A0'B、B、A3A2A1'A0+A3'A2A1A0'+A3A1'A0'+A3A2'A1A0C、C、A2A1'A0+A3'A2A1A0+A3A1'A0'+A2A1A0'D、D、A3A2A1'A0+A3A2+A3A1'A0'+A2A1A0'正確答案:【A、A2A1'A0+A3A1A0+A3A1'A0'+A2A1A0'】4.7定時(shí)冒險(xiǎn)（教學(xué)測驗(yàn)）1、問題：檢驗(yàn)下列電路是否存在靜態(tài)冒險(xiǎn)?A、在輸入端A可能存在B、在輸入端B可能存在C、輸入端C可能存在D、不存在選項(xiàng)：A、A、在輸入端A可能存在B、B、在輸入端B可能存在C、C、輸入端C可能存在D、D、不存在正確答案:【A、在輸入端A可能存在#C、輸入端C可能存在】第四章組合邏輯設(shè)計(jì)原理(單元作業(yè))第四章組合邏輯設(shè)計(jì)原理(單元測驗(yàn))1、問題：利用開關(guān)代數(shù)的公理或定理，判斷與(x+y')'等價(jià)的邏輯關(guān)系為（）選項(xiàng)：A、xy'B、x'+yC、x‘yD、x+y'E、xy正確答案:【x‘y】2、問題：已知函數(shù)F（A,B,C,D）=(AB')'+(C'D+B'C)',則其最簡表達(dá)式為（）。選項(xiàng)：A、A'+B+C'D'B、A'+B+C'C、A'+B+B'C'D'D、A'+B正確答案:【A'+B+C'D'】3、問題：已知有二輸入邏輯門，只有當(dāng)輸X和Y都為1時(shí)，輸出F才為1，則X，Y與F的邏輯關(guān)系為（）。選項(xiàng)：A、異或B、同或C、與D、或正確答案:【與】4、問題：下列表達(dá)式中存在靜態(tài)1冒險(xiǎn)的有（）。A、（A'+AB+B'D）B、（A'+B)(B'+C'）C、（C+B+B'C）D、（A'+B'）(A'+C)選項(xiàng)：A、A'+AB+B'DB、（A'+B)(B'+C'）C、（C+B+B'C）D、（A'+B'）(A'+C)正確答案:【A'+AB+B'D】5、問題：邏輯函數(shù)選項(xiàng)：A、B、?C、D、正確答案:【】2、填空題：使用74HC151，將能夠?qū)崿F(xiàn)最大（）變量的邏輯函數(shù)（請?zhí)顚懓⒗當(dāng)?shù)字）正確答案:【4】測試1、問題：如果串行通信采用偶校驗(yàn)，即通信中傳輸?shù)氖桥即a，如果發(fā)送的數(shù)值是8位，校驗(yàn)位為1位。當(dāng)接收端收到111100001，那么說明通信有故障。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2、填空題：若串行通信采用偶校驗(yàn)，即通信中傳輸?shù)氖桥即a，如果發(fā)送的數(shù)值是8位，校驗(yàn)位為1位。如果發(fā)送地?cái)?shù)據(jù)時(shí)00110111，那么校驗(yàn)位應(yīng)為（）（請?zhí)顚懓⒗當(dāng)?shù)字）正確答案:【1】測試1、問題：1位數(shù)值比較器當(dāng)輸入A=0,B=1時(shí)??選項(xiàng)：A、ALTB_L=1,AGTB_L=0,AEQB_L=1B、ALTB_L=1,AGTB_L=1,AEQB_L=1C、ALTB_L=0,AGTB_L=1AEQB_L=1D、ALTB_L=1,AGTB_L=0,AEQB_L=0正確答案:【ALTB_L=0,AGTB_L=1AEQB_L=1】2、問題：74X85當(dāng)輸入ALTBIN=1AEQBIN=0AGTBIN=0A3A2A1A0=1000B3B2B1B0=0111時(shí)，輸出為：選項(xiàng)：A、ALTBOUT=1AEQBOUT=0AGTBOUT=0B、ALTBOUT=1AEQBOUT=1AGTBOUT=0C、ALTBOUT=0AEQBOUT=1AGTBOUT=1D、ALTBOUT=0AEQBOUT=0AGTBOUT=1正確答案:【ALTBOUT=0AEQBOUT=0AGTBOUT=1】3、填空題：8個(gè)74X85級聯(lián)可以實(shí)現(xiàn)（）位二進(jìn)制數(shù)的比較正確答案:【32】4、填空題：兩個(gè)74X85級聯(lián)，如果第1片的輸出連接到第二片的輸入，及第一片的ALTBOUT連第2片的ALTBIN，依次類推。那么被比較的數(shù)值的高位應(yīng)該連接在第（）片74X85正確答案:【2】測試1、問題：以下論述正確的有選項(xiàng)：A、串行加法器電路簡單，容易實(shí)現(xiàn)，但是延時(shí)時(shí)間長B、串行加法器不能夠?qū)崿F(xiàn)多位的加法C、先行進(jìn)位加法器通過提前獲得進(jìn)位值，不需要等待低位的結(jié)果即可進(jìn)行本位的計(jì)算D、如果現(xiàn)行進(jìn)位加法器是4位，要進(jìn)行8位的運(yùn)算，可以將2個(gè)現(xiàn)行進(jìn)位加法器級聯(lián)正確答案:【串行加法器電路簡單，容易實(shí)現(xiàn)，但是延時(shí)時(shí)間長#先行進(jìn)位加法器通過提前獲得進(jìn)位值，不需要等待低位的結(jié)果即可進(jìn)行本位的計(jì)算#如果現(xiàn)行進(jìn)位加法器是4位，要進(jìn)行8位的運(yùn)算，可以將2個(gè)現(xiàn)行進(jìn)位加法器級聯(lián)】測試1、問題：優(yōu)先編碼器74X148當(dāng)使能/EI=1時(shí)，輸出為選項(xiàng)：A、所有輸出都是1B、所有輸出都是0C、/GS=1，其他為0D、/EO=1，其他為0正確答案:【所有輸出都是1】2、問題：優(yōu)先編碼器74X148當(dāng)使能/EI=0時(shí)，如果有有效的輸入請求，那么選項(xiàng)：A、/EO有效，/GS有效B、/EO無效，/GS有效C、/EO無效，/GS無效D、/EO有效，/GS無效正確答案:【/EO無效，/GS有效】3、問題：非優(yōu)先級編碼器的設(shè)計(jì)是Y0=I1+I3+I5+I7Y1=I2+I3+I6+I7Y2=I4+I5+I6+I7當(dāng)只有一個(gè)輸入有效的時(shí)候，編碼器輸出是正確的；但是，如果I3和I5同時(shí)有效的時(shí)候，編碼的結(jié)果是？選項(xiàng)：A、011B、101C、000D、111正確答案:【111】第6章單元測驗(yàn)1、問題：以下不正確的名號名稱是選項(xiàng)：A、ready'B、ready_lC、ready(L)D、/ready正確答案:【ready'】2、問題：使用74HC138實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)F=?(X,Y,Z)(2,4,5)，正確的是選項(xiàng)：A、Y2,Y4,Y5連或門B、Y2,Y4,Y5連或非門C、Y2,Y4,Y5連與門D、Y2,Y4,Y5連與非門正確答案:【Y2,Y4,Y5連與門】3、問題：BCD碼譯碼器如果不允許輸入大于9的數(shù)值的時(shí)候，當(dāng)輸入10時(shí)，輸出為？選項(xiàng)：A、是任意數(shù)值，每次會(huì)不同B、是全1C、是全0D、是一個(gè)數(shù)值，這個(gè)數(shù)值是固定的正確答案:【是一個(gè)數(shù)值，這個(gè)數(shù)值是固定的】4、問題：當(dāng)共陰極7段數(shù)碼管顯示2的時(shí)候，輸出應(yīng)該為選項(xiàng)：A、0000010B、1101101C、0010010D、1111101正確答案:【1101101】5、問題：如圖，此電路的輸入端I0_L是低電平有效，輸出A2A1A0是高電平有效，AVALID高電平有效，當(dāng)AVALID有效表示的是？選項(xiàng)：A、沒有有效的輸入，.I7_L到I0_L全部為0B、有有效的輸入，I7_L到I0_L全部為1C、無法判斷D、有有效的輸入，I7_L到I0_L不全部為1正確答案:【有有效的輸入，I7_L到I0_L不全部為1】6、問題：選項(xiàng)：A、提高151的帶負(fù)載能力B、降低輸入電流C、為更方便的實(shí)現(xiàn)邏輯功能D、提高扇出能力正確答案:【降低輸入電流】8、問題：選項(xiàng)：F=?A、F=∑xyz（0，3，6，7）B、F=?xyz（1，2，4，5）C、F=?xyz（0，3，6，7）D、F=∑zyx（0，3，6，7）正確答案:【F=∑xyz（0，3，6，7）#F=?xyz（1，2，4，5）】9、問題：選項(xiàng)：如圖所示電路論述正確的是A、實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1，校驗(yàn)電路是否輸入偶數(shù)個(gè)1，當(dāng)輸入偶數(shù)個(gè)1時(shí)輸出P=1B、實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1，產(chǎn)生了奇校驗(yàn)位，如果連同P一起發(fā)送B2B2B1B0P,發(fā)送了奇數(shù)個(gè)1C、實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0，校驗(yàn)電路是否輸入偶數(shù)個(gè)1，當(dāng)輸入偶數(shù)個(gè)1時(shí)輸出P=1D、實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0，產(chǎn)生了奇校驗(yàn)位，如果連同P一起發(fā)送B2B2B1B0P,發(fā)送了奇數(shù)個(gè)1正確答案:【實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1，校驗(yàn)電路是否輸入偶數(shù)個(gè)1，當(dāng)輸入偶數(shù)個(gè)1時(shí)輸出P=1#實(shí)現(xiàn)了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1，產(chǎn)生了奇校驗(yàn)位，如果連同P一起發(fā)送B2B2B1B0P,發(fā)送了奇數(shù)個(gè)1】10、問題：圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯函數(shù)是選項(xiàng)：如A、F=∑（W,X,Y,Z）(0,1,3,7,9,13,14)B、F=∑（W,X,Y,Z）(0,1,3,7,8,13,14)C、F=Π（W,X,Y,Z）(2,4,5,6,8,10,11,12,15)D、F=Π（W,X,Y,Z）(2,4,5,6,9,10,11,12,15)正確答案:【F=∑（W,X,Y,Z）(0,1,3,7,9,13,14)#F=Π（W,X,Y,Z）(2,4,5,6,8,10,11,12,15)】11、問題：使用74HC138和一個(gè)門器件可以實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)F=?(w,X,Y,Z)(4,12,13,14,15)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、填空題：正確答案:【IDLE】14、填空題：典