高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究的開題報告

高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究的開題報告題目：高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究一、選題背景高效GaN基陣列式高壓LED器件是一種新型的發(fā)光器件，在LED應用領域具有廣闊的應用前景。它以高性能GaN材料為基礎，采用數(shù)組結構設計，具有高亮度、高效能、長壽命等優(yōu)點，廣泛應用于顯示屏、照明燈具、汽車照明、照相機等領域。然而，由于其制造過程較為復雜，存在著制造成本高、結構設計不合理、發(fā)光穩(wěn)定度差等問題，因此，需要開展進一步的研究和探索。二、研究目的本研究旨在通過對高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究，解決制造成本高、結構設計不合理、發(fā)光穩(wěn)定度差等問題，提高該器件的性能和穩(wěn)定度，以進一步推廣應用該器件。三、研究內(nèi)容本研究將重點研究以下內(nèi)容：1、GaN材料的制備和性能測試2、陣列式發(fā)光器件結構設計和優(yōu)化3、陣列式發(fā)光器件制備工藝優(yōu)化4、陣列式發(fā)光器件性能測試及分析5、陣列式發(fā)光器件的應用研究和推廣四、研究方法和方案本研究將采用理論分析和實驗研究相結合的方式進行。具體方法和方案如下：1、GaN材料的制備：采用MOCVD方法，以氨氣為載氣，實現(xiàn)GaN材料的高質(zhì)量制備。2、優(yōu)化陣列式發(fā)光器件結構：通過建立光電結構模型，研究器件結構對光電性能的影響，并進行優(yōu)化設計。3、優(yōu)化制備工藝：采用不同的工藝方法，如MBE和PECVD等，對器件進行制備和優(yōu)化。4、性能測試及分析：對制備好的陣列式發(fā)光器件進行性能測試，包括L-I-V特性測試、內(nèi)部量子效率測試、發(fā)光色坐標測試等，并對測試結果進行分析。5、應用研究和推廣：分析和評估研究成果，探討陣列式發(fā)光器件在實際應用中的價值和前景，以推廣和應用該器件。五、研究意義本研究將能夠提高陣列式發(fā)光器件的性能和穩(wěn)定性，降低其制造成本，并推動其廣泛應用于顯示屏、照明燈具、汽車照明、照相機等領域。同時也對于提高我國的高發(fā)光效率LED器件的研究水平，促進我國相關高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要意義。六、進度安排1、前期調(diào)研和研究設計：3個月；2、GaN材料的制備和性能測試：6個月；3、陣列式發(fā)光器件結構設計和優(yōu)化：3個月；4、陣列式發(fā)光器件制備工藝優(yōu)化：6個月；5、陣列式發(fā)光器件性能測試及分析：6個月；6、陣列式發(fā)光器件的應用研究和推廣：3個月。七、參考文獻[1]楊錚,徐麗.高效GaN基超長壽命LED及其應用[C].第九屆全國發(fā)光材料科技研討會,2017.[2]劉偉,呂鋒,張福坤,等.非晶硅薄膜材料在LED中的應用[J].光電子技術,2014,32(2):126-128.[3]YueM,SunX,ZhangX,etal.High-efficiencyGaN-basedverticallightemittingdiodeswithanembeddedreflector[J].JournalofAppliedPhysics,2012,111(5):053102.[4]張培文,劉洋,鄭自濤,等.InGaNLED中p-GaN的n型摻雜技術[J].半導體技術,2013,38(3):204-207.[5]WangX,HuX,DuC,etal.PerformanceenhancementofGaN-basedverticallightemittingdiodesbysurfacetext