高密度相變存儲器選通二極管器件關(guān)鍵技術(shù)研究的開題報(bào)告

高密度相變存儲器選通二極管器件關(guān)鍵技術(shù)研究的開題報(bào)告一、選題背景和意義隨著信息技術(shù)的發(fā)展和社會的進(jìn)步，人們對存儲設(shè)備的需求也越來越高。高密度存儲器作為一種關(guān)鍵技術(shù)，不僅可以大大提高數(shù)據(jù)存儲密度，還可以加快數(shù)據(jù)存取速度，同時(shí)節(jié)省能源，降低成本，因此備受關(guān)注。目前，常見的高密度存儲器有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）、閃存存儲器（NAND、NOR）等，它們都具有自己的缺點(diǎn)，如DRAM需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性，閃存的寫入速度較慢等等。相變存儲器則因其優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，它具有非易失性、快速讀寫、低功耗等特點(diǎn)。相變存儲器在極大程度上可以解決當(dāng)前存儲器面臨的問題。然而，實(shí)現(xiàn)高密度相變存儲器也面臨著一系列的技術(shù)瓶頸，其中選通二極管器件是其中一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，本報(bào)告將對其進(jìn)行研究。二、研究目標(biāo)和內(nèi)容本報(bào)告的研究目標(biāo)是探究選通二極管器件在高密度相變存儲器技術(shù)中的運(yùn)用。具體的研究內(nèi)容包括以下方面：1.選通二極管器件的基本工作原理和結(jié)構(gòu)特征；2.相變存儲器的基本原理和技術(shù)發(fā)展歷程；3.選通二極管器件在相變存儲器中的應(yīng)用場景；4.選通二極管器件在相變存儲器中的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法；5.選通二極管器件的制備方法和工藝優(yōu)化。三、研究方法和技術(shù)路線本報(bào)告的研究方法主要是文獻(xiàn)調(diào)研和實(shí)驗(yàn)研究相結(jié)合。首先，將對選通二極管器件和相變存儲器的相關(guān)文獻(xiàn)進(jìn)行歸納整理，梳理其發(fā)展歷史和技術(shù)特點(diǎn)。然后，通過實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)，考察選通二極管器件在相變存儲器技術(shù)中的效果，并對其在工藝上進(jìn)行優(yōu)化。具體的研究流程如下：1.文獻(xiàn)調(diào)研，梳理選通二極管器件和相變存儲器的基本技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場景；2.實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)，考察選通二極管器件在相變存儲器中的效果；3.實(shí)驗(yàn)制備，針對選通二極管器件的特點(diǎn)進(jìn)行制備，并使用相應(yīng)的工藝方法；4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析，對選通二極管器件在相變存儲器中的效果進(jìn)行評估；5.工藝優(yōu)化，針對實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析，進(jìn)行選通二極管器件的工藝優(yōu)化。四、預(yù)期成果和創(chuàng)新點(diǎn)通過對選通二極管器件在高密度相變存儲器中的研究，預(yù)期可以得到以下成果和創(chuàng)新點(diǎn)：1.深入了解選通二極管器件的基本工作原理和結(jié)構(gòu)特征；2.探究選通二極管器件在相變存儲器中的優(yōu)化應(yīng)用方法，并提出相關(guān)設(shè)計(jì)思路；3.改進(jìn)選通二極管器件的制備和優(yōu)化工藝；4.提高高密度相變存儲器的寫入速度和讀取速度；5.為高密度相變存儲器的發(fā)展提供重要技術(shù)支持。五、主要參考文獻(xiàn)[1]劉睿.面向內(nèi)存的相變存儲器關(guān)鍵技術(shù)研究.江南大學(xué),2018.[2]WANGP,ZHANGQ,XUJ,etal.Performancecomparisonofphase-changememoryandspin-transfertorquemagneticrandom-accessmemory[J].JournalofAppliedPhysics,2012,112(4):4321.[3]何兵,陳琳琳,齊其超,等.相變存儲器及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī),2021,38(3):39-47.[4]楊云鵬,黃明賢,鄧大勇,等.面向數(shù)字電路的新型相變存儲器研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī),2021,38(1):1