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2024年《電子基礎(chǔ)》職教高考復(fù)習(xí)題庫(附答案)2.主從JK觸發(fā)器不具備()功能6.PN結(jié)的最大特點是具有()11.二極管有()個PN結(jié)A、414.PN結(jié)正向偏置時()B、錯誤三極管。()B、電感21.金色表示誤差時是多少()B、錯誤A、2AA、√A、√B、×A、A、√B、×33.本征半導(dǎo)體是指的半導(dǎo)體。():A、√B、×38.二極管正反向電阻相差()45.邏輯函數(shù)式A+A化簡后為()D、1A、不變49穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在():D、可能4只二極管均燒毀52.十進制數(shù)100對應(yīng)的二進制數(shù)為()。大越好。()A、相同出0,不同出1C、P型半導(dǎo)體64.差模放大倍數(shù)是指()之比B、錯誤消去()個變量B、×A、+A=A71.十進制數(shù)9轉(zhuǎn)換成二進制數(shù)是()76.三極管有()。80.PN結(jié)正向偏置時()A、20V83.當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將():86.二極管有()個PN結(jié)A、4A、√95具有“有0出1、全1出0”功能的邏輯門是()。A、UB>UC>UE97.PN結(jié)正向偏置時()A、1100.在JK啊?出發(fā)器中,當(dāng)J=0k=1時觸發(fā)器()101.半導(dǎo)體三極管放大的實質(zhì)是()A、不變B、增大104.在D觸發(fā)器中當(dāng)D=1時觸發(fā)器()106.在濾波電路中,與負載并聯(lián)的元件是108.PN結(jié)正向偏置時()110.共集電極放大電路的負反饋組態(tài)是112.本征半導(dǎo)體一般選擇幾價元素()A、交流電壓115.二極管正反向電阻相差()122.半導(dǎo)體具有()導(dǎo)電特性C、摻雜124.工作在線性區(qū)的運算放大器應(yīng)置于()狀態(tài)正確地額是()。A、√129.穩(wěn)壓管2CW18的穩(wěn)壓值是10~12V,這表明將2CW18反接在電路中,A、不變A、67k極管承受的最大反向電壓約為()V135.構(gòu)成寄存器的基本電路是()138.邏輯代數(shù)運算中1+1=()A、1A、npn和PnP145.一只四輸入端或非門,使其輸出為1的輸入變量取值組合有()種C、1146.74LS138中規(guī)模集成電路是()譯碼器的型號147.PN結(jié)正向?qū)〞r電阻()B、很小A、√B、×電壓為()。A、90V158.當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時,擴散電流漂移電流,耗盡層變寬。():B、小于159.P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是()161.半導(dǎo)體三極管放大的實質(zhì)是()162.N型半導(dǎo)體中的多子是():以消去()個變量A、1170.N型半導(dǎo)體中主要靠()導(dǎo)電A、√B、×B、×A、0C、有1出1,全0出0D、相同出1,不同出0183.在下列說法中正確的的是()184.電容具有()特性A、關(guān)系為(】190.二極管中鍺管的死區(qū)電壓為()A、√193.半導(dǎo)體受到光照,導(dǎo)電性能()B、×200.PN結(jié)正向?qū)〞r電阻()B、很小A、+0=0203.十進制數(shù)16轉(zhuǎn)換成八進制數(shù)是()206.高電平用1表示低電平用0表示時,稱為()邏輯。210.十進制數(shù)25用8421BCD碼表示為()B、TTL型214.半導(dǎo)體中的載流子為():b=4.7v,uc=4.3v,ue=4v,則該晶體三極管的工作狀態(tài)是()B、增大C、不變224.反饋電路接在電壓輸出端為()反饋A、*0=A5.下列表達式中不正確的是()A、*O=A6.半導(dǎo)體具有()三個特性B、聲敏11.根據(jù)導(dǎo)電能力劃分,物質(zhì)可分為()B、半導(dǎo)體12.寄存器具有()功能13.下列觸發(fā)器中,有限制條件的是()15.直流穩(wěn)壓電源由()組成。A、D、保持20.三極管一般有三個工作區(qū)域()21.D觸發(fā)器的CP脈沖可以()觸發(fā)22.對功率放大器的要求主要是()23.三極管輸出特性曲線分為()24.555定時器主要由()構(gòu)成。放工作在()或(),因此它的輸出只有()和()兩個穩(wěn)定狀態(tài)。27.哪些是復(fù)合門電路()30.寄存器的工作模式有()31.()具有儲能功能B、電感35.三極管輸出特性曲線分為()40.T觸發(fā)器具有()功能41.下列表達式中不正確的是()A、*0=A42.下列元件中晶體管有()43.寄存器具有()功能D、置1功能44.寄存器的工作模式有()45.哪些是基本門電路()49.反演定律的反演規(guī)則有()D、“+”換成“.”52.三態(tài)門電路的輸出有()三種狀態(tài)。A、高電平!57.在()的情況下,或非運算的結(jié)果是邏輯0。A、任一輸入為1,其他輸入為0。B、全部輸入是1C、任一輸入為0,其他輸入為1。D、任一輸入為158.三人表決器電路中有()與非門輸出為()電平。62.電烙鐵在使用過程中可以()63.以下哪些是二極管的應(yīng)用()65.哪些是復(fù)合門電路()A、與門66.邏輯變量的取值1和0可以表示()67.計數(shù)器按CP脈沖的工作方式分類可分為()兩種。70.直流穩(wěn)壓電源由()組成。73.D觸發(fā)器具有()功能74.影響觸電傷害程度的因素有()75.常用的濾波電路有()78.哪些是基本門電路()8.八進制數(shù)(18)8比十進制數(shù)(18)10小正確錯誤B、錯誤B、錯誤B、錯誤27.二進制數(shù)110101的8421BCD碼01010011。B、錯誤41.觸發(fā)器的有Q端和Q(非)端兩個輸出端,儲存8位二進制信息只需要4個B、錯誤66.二進制數(shù)110101的8421BCD碼01010011。A、正確79.輸入全是1時輸出為1的電路,是與門電路B、錯誤略極略管的()極;與黑表棒相接觸的電極是二極管的()極。2.二極管由一個()構(gòu)成,其最主要的特性是具有(),該特性可由伏安特性曲4.PN結(jié)反向偏置時,外電場的方向與內(nèi)電場的方向(),有利于少子的漂移運5.PN結(jié)正向偏置時,外電場的方向與內(nèi)電場的方向(),有利于多數(shù)載流子的7.十進制數(shù)若用8421BCD碼表示,則其權(quán)值從高位到低位一次為()、()、的多數(shù)載流子為(),少數(shù)載流子為(),不能移動的雜質(zhì)離子帶()電。9.二極管由一個()構(gòu)成,其最主要的特性是具有(),該特性可由伏安特性曲16.放大電路工作在動態(tài)時,uCE、iB、iC各量,都是由()分量和()分量組17.放大器的作用是()。簡答題(總共3題)20.半導(dǎo)體具有()性、()性和()性,因而成為制造電子元器件的關(guān)鍵材料。21.電子技術(shù)基礎(chǔ)包含()()兩部分。24.二極管的主要特性是具有()。26.三極管的兩個PN結(jié)分別稱為()和()。31.穩(wěn)壓的作用是當(dāng)()發(fā)生波動或()發(fā)生變化時,輸出電壓應(yīng)不受影響。38.檢測二極管極性時,需用萬用表電阻擋的()或()擋位。稱為()結(jié)。41.半導(dǎo)體數(shù)碼管按內(nèi)部發(fā)光二極管的接法不同,可分成()和()兩種。應(yīng)改用()濾波方式較好。44.直流電源主要由()、()、()、()四部分組成。45.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,即?)向電壓導(dǎo)通,加()向電壓截止。46.鍺二極管的死區(qū)電壓是()V,硅二極管的死區(qū)電壓是()V。鍺二極管導(dǎo)通時的電壓降是()V,硅二極管導(dǎo)通時的電壓降是()V。50.濾波是盡可能地濾除脈動直流電的(),保留脈動直流電的()。51.常用的集成時序邏輯電路器件有()、()等。55.PN結(jié)的正向接法時將電源的正極接()區(qū),電源的負極接()區(qū)。57.選用或更換二極管必須考慮()、()兩個主要參數(shù),高頻工作時還應(yīng)考慮()這個參數(shù)。58.整流是將()變換為()的過程。()分量,而所謂放大,只考慮其中的()分量。60.常用的濾波電路有()、()、()等幾種類型。63.檢測二極管極性時,需用萬用表電阻擋的()或()擋位。64.放大電路的交流通路應(yīng)把()和()看成短路。66.譯碼器按用途大致分為三大類,即()譯碼器、()譯碼器和()譯碼器。69.物質(zhì)按導(dǎo)電能力強弱不同可分為導(dǎo)體、()和絕緣體三類,()的導(dǎo)電能力71.硅三極管的死區(qū)電壓為()V,鍺三極管的死區(qū)止電壓為()V。73.反饋電路按反饋信號類型分類,可分為()和()。75.()濾波電路中電感與負載串聯(lián)。77.寄存器按照功能不同可分為()寄存器和()寄存器。VC=-5V。該管是()型,是用半導(dǎo)體()材料制成。80.如果對鍵盤上108個符號進行二進制編碼,則至少要()位二進制數(shù)碼。內(nèi)的多數(shù)載流子為(),少數(shù)載流子為(),不能移動的雜質(zhì)離子帶()電。答案:五#5自由電子空穴正內(nèi)的多數(shù)

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