集成電路封測行業(yè)市場分析

集成電路封測行業(yè)市場分析1先進封裝市場占比提升海量數(shù)據(jù)催生高帶寬需求，先進封裝不斷迭代。隨著各行業(yè)應(yīng)用中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長，對高帶寬的需求與日俱增。尤其是機器學(xué)習(xí)和AI相關(guān)應(yīng)用需要強大的處理能力，因此需要在芯片上高密度的集成晶體管。封裝也不例外，封裝形式的迭代均是通過以下兩個途徑以提高帶寬：1）增加I/O數(shù)量。封裝廠選擇制造多層RDL以擴大I/O點的范圍，并在每一層RDL中不斷縮小L/S線距以容納更多的I/O點。2）增加傳輸速率，通過減小裸芯之間的互聯(lián)距離和選擇具有更低介電常數(shù)的材料來實現(xiàn)。先進封測市場占比迅速增加。先進封裝市場規(guī)模將從2021年的321億美元增長到2027年的572億美元，CAGR達10.11%。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)Yole，2022年先進封裝占全球封裝市場的份額約為47.20%，預(yù)計2025年占比將接近于50%。中國市場中先進封裝占比低于全球水平，2022年為38%，自2014年以來與全球市場的差距正在逐步縮小。倒裝為目前主流，2.5D/3D封裝高速增長。2021年FCBGA和FCCSP占比分別為33.69%和19.76%，合計占比超50%。其次為2.5D/3D封裝，2021年占比為20.57%，主要由臺積電供應(yīng)。在各封裝形式中，2.5D/3D封裝的增速最快，2021-2027年CAGR達14.34%，增量主要由AI、HPC、HBM等應(yīng)用驅(qū)動。先進封裝市場主要由HPC、網(wǎng)絡(luò)和消費應(yīng)用驅(qū)動。HPC和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的大部分增長來自AI芯片、邊緣計算和網(wǎng)絡(luò)芯片，它們需要扇出型封裝以提供小尺寸和節(jié)約成本。2022年只有不到20%的數(shù)據(jù)中心使用2.5D封裝，但在2027年這一比例將有望超過50%。3D封裝將加速在HBM、CPU、GPU中的滲透。消費電子應(yīng)用領(lǐng)域的重要客戶是蘋果，其應(yīng)用處理器、圖形芯片、5G/6G調(diào)制解調(diào)器芯片均使用扇出封裝。先進封裝市場馬太效應(yīng)明顯。2021年ASE市占率居首，份額為26%。臺積電和安靠并列第二，長電科技位列第四，市占率為10%。2021年CR5為76%，而2016年CR5為48%，5年間提升了28%，份額前五名中僅長電和日月光仍位列其中。Fab/IDM廠和OSAT錯位競爭：Fab/IDM廠商涉足3D堆疊，OSAT主攻倒裝、扇出和晶圓級封裝。Fab/IDM廠基于前道制造優(yōu)勢和硅加工經(jīng)驗，聚焦產(chǎn)品性能，多開發(fā)基于Si-interposer的2.5D或3D封裝技術(shù)。從頭部廠商的封裝類型來看，三星的3D堆疊產(chǎn)品最高，達67%，主要系其存儲產(chǎn)品占比較高所致。其次為臺積電，3D堆疊占比為46%；憑借其InFO在蘋果產(chǎn)品中的滲透，臺積電扇出型封裝占比也達到了33%。OSAT廠商則聚焦于載板技術(shù)，成本為先，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中倒裝仍是主力，F(xiàn)CBGA和FCCSP占比在ASE中為38%和29%，在安靠中為28%和33%，在長電中為28%和31%。內(nèi)資封測企業(yè)中甬矽電子、通富微電先進封裝占比領(lǐng)先。甬矽電子目前封裝技術(shù)以SiP為主，先進封裝產(chǎn)品占比達100%。通富微電、長電科技、華天科技技術(shù)布局最為廣泛，且均已具備2.5D/3D的技術(shù)儲備，未來先進封裝占比有望繼續(xù)提升。凸點間距（BumpPitch）越小，封裝集成度越高，難度越大。從BumpPitch來看，臺積電3DFabric技術(shù)平臺下的3DSoIC、InFO、CoWoS均居于前列，其中3DSoIC的bumpPitch最小可達6um，居于所有封裝技術(shù)首位。BumpPitch間距最小的3DSoIC和FoverosDirect仍在研發(fā)中，尚未量產(chǎn)。目前已經(jīng)量產(chǎn)的封裝技術(shù)中，bumppitch最小的為臺積電的InFO_LSI。2核心技術(shù)賦能先進封裝2.1鍵合技術(shù)：Bumppitch不斷縮小，混合鍵合趨勢已來2.1.1倒裝鍵合倒裝芯片的組裝主要有兩種方式，間接鍵合和直接鍵合。通過回流焊凸點焊球或者TCB熱壓鍵合的屬于間接鍵合，特點是芯片與基板之間有中間材料。通過混合鍵合，銅與銅擴散鍵合，中間沒有其他材料的方式是直接鍵合。銅柱凸點是高密度、窄節(jié)距集成電路封裝市場主流方式。隨著先進封裝對凸點間距要求越來越小，為了避免橋接現(xiàn)象的發(fā)生，實現(xiàn)更高I/O密度，IBM公司于21世紀初首次提出了銅柱凸點。在焊料互連過程中，銅柱凸點能夠保持一定的高度，可以防止焊料的橋接現(xiàn)象發(fā)生，同時可以掌控堆疊層芯片的間距高度，銅柱凸點的高徑比不再受到陣列間距的限制，在相同的凸點間距下，可以提供更大的支撐高度，顯著改善了底部填充膠的流動性。2.1.2TCB回流焊仍為FC組裝主流方式，TCB潛力大。根據(jù)銅柱凸點的節(jié)距不同，銅柱凸點的鍵合方法可以分為回流焊和熱壓鍵合（TCB）兩種方式。對于節(jié)距較大的銅柱凸點，可采用回流焊方式完成凸點鍵合。回流焊的方式效率高，成本低，其缺點跟熱膨脹系數(shù)（CTE）有關(guān)，由于整個封裝由不同的材料組成，在回流爐中加熱會導(dǎo)致這些不同的材料以不同的速度膨脹。當芯片和基板膨脹和冷卻時，CTE的差異會導(dǎo)致翹曲。此外還會有芯片間隙變化等問題導(dǎo)致最終產(chǎn)品電氣性能差。C4錫球/C2銅柱凸點回流焊：回流焊被用于倒裝芯片的組裝超過50年，組裝過程相對簡單，（1）使用上視和下視相機識別芯片上的凸點位置以及基板上的焊盤位置；（2）在C4凸點、基板上或兩者上都涂敷助焊劑；以及（3）將帶有C4凸點的芯片取出并放置在基板上，然后在一定溫度下進行回流焊。通常來說，C4凸點間距最小可以做到50微米。C2（帶有焊帽的銅柱）凸點芯片回流焊主要用于高引腳數(shù)和細間距的倒裝芯片組裝。組裝過程與C4凸點相同，但自對準特性遠不如C4凸點，因此很少被使用。一般來講，C2回流焊凸點間距可以小到25微米。C2TCB：在高密度和超細間距倒裝芯片組裝中運用熱壓鍵合C2的方式主要有低壓應(yīng)力和高壓應(yīng)力兩種方式。低壓應(yīng)力C2TCB通常情況下可以做到小至8微米的銅柱間距。高壓應(yīng)力C2TCB則必須結(jié)合NCP或者NCP底部填充技術(shù)。TCB的缺點在于設(shè)備成本高，當前全球做TCB設(shè)備的廠商主要是ASMPacific、庫力索法（K&S）以及Besi等。2.1.3混合鍵合混合鍵合成為趨勢，可實現(xiàn)10um以內(nèi)的凸點間距。隨著芯片的制造節(jié)點不斷縮小，封裝尺寸和凸點間距也需要相應(yīng)縮小。目前主流的倒裝技術(shù)為回流焊，最小可實現(xiàn)40-50um左右的凸點間距。如若進一步縮小凸點間距會帶來翹曲和精度問題，回流焊不再適用，而是轉(zhuǎn)用熱壓鍵合（TCB）的方式。當凸點間距縮小至10um時，TCB工藝中會產(chǎn)生金屬間化合物，導(dǎo)致導(dǎo)電性能下滑。為了在高集成度（凸點間距10um以內(nèi)）的芯片封裝中解決這些問題，混合鍵合技術(shù)正在得到越來越多的青睞?；旌湘I合是一種永久鍵合工藝，其將介電鍵合(SiOx)與嵌入式金屬(Cu)結(jié)合起來形成互連。它在業(yè)界被稱為直接鍵合互連(DBI)?；旌湘I合通過鍵合界面中的嵌入式金屬焊盤擴展了熔合鍵合，從而允許晶圓面對面連接?；旌湘I合可分為芯片到晶圓（DietoWafer，D2W）以及晶圓到晶圓（WafertoWafer，W2W）的鍵合，W2W量產(chǎn)進度更快，但D2W應(yīng)用前景更大。芯片到晶圓的混合鍵合芯片到晶圓（DietoWafer，D2W）是指將單個芯片逐個鍵合到目標晶圓上的過程。模具尺寸越大，使用D2W堆疊越有利，成本效益越高。D2W通常是混合鍵合的主要選擇，因為它支持不同的芯片尺寸、不同的晶圓類型和已知的良好芯片，而W2W通常只支持相同節(jié)點的芯片。D2W技術(shù)目前在CIS和存儲中已經(jīng)有所應(yīng)用。目前業(yè)界主要有Co-D2W、DP-D2W和SA-D2W三種鍵合方法，其中Co-D2W是開發(fā)時間最早、技術(shù)最成熟的方法，以及有經(jīng)過多年驗證的小批量生產(chǎn)經(jīng)驗。其次是DP-D2W方法，主要方法與倒裝芯片鍵合類似，技術(shù)通用性較強，目前有數(shù)家設(shè)備廠在開發(fā)相關(guān)技術(shù)并進行量產(chǎn)的可行性驗證。而SA-D2W的量產(chǎn)方法仍不明確。集體晶粒到晶圓鍵合（Co-D2W）：在Co-D2W中，多個裸片在一個工藝步驟中被轉(zhuǎn)移到最終晶片上。Co-D2W鍵合工藝的生產(chǎn)流程，包括四個主要部分：載體準備、載體群、晶片鍵合（臨時和永久）和載體分離。過去幾年中，Co-D2W在硅光通信等應(yīng)用領(lǐng)域中進行了小批量量產(chǎn)。直接貼裝晶粒到晶圓（DP-D2W）鍵合：是目前正在評估的另一種用于異質(zhì)集成應(yīng)用的混合晶粒到晶圓鍵合方法，使用拾取貼裝倒裝芯片鍵合機將晶粒單獨轉(zhuǎn)移到最終晶圓上。晶圓到晶圓的混合鍵合晶圓級鍵合是指將兩片晶圓高精度對準、接合，實現(xiàn)兩片晶圓之間功能模塊集成的工藝。晶圓級鍵合設(shè)備可用于存儲器堆疊、3D片上系統(tǒng)(SoC)、背照式CMOS圖像傳感器堆疊以及芯片分區(qū)等多個領(lǐng)域，是目前混合鍵合中能夠進行大量生產(chǎn)的技術(shù)。臺積電SoIC-WoW技術(shù)通過晶圓堆疊工藝實現(xiàn)異質(zhì)和同質(zhì)3D硅集成。緊密的鍵合間距和薄的TSV可實現(xiàn)更好的性能、更低的功耗和延遲以及更小的外形尺寸。WoW適用于高良率節(jié)點和相同芯片尺寸的應(yīng)用或設(shè)計，它甚至支持與第三方晶圓集成。在W2W中，芯片在晶圓廠的兩個晶圓上加工。然后，晶圓鍵合機取出兩個晶圓并將它們鍵合在一起。最后，對晶圓上堆疊的芯片進行切割和測試?；旌湘I合推動鍵合步驟和設(shè)備單價增加。以AMD的EPYC為例，從2017年的第一代霄龍?zhí)幚砥鞯?023年最新發(fā)布的第四代產(chǎn)品，生產(chǎn)過程中所需鍵合步驟從4次提升到了超50次。鍵合技術(shù)從倒裝迭代至混合鍵合+倒裝，對鍵合設(shè)備也提出了更高的要求，Besi相應(yīng)開發(fā)了8800Ultra以提供混合鍵合的鍵合功能，相比原來的倒裝鍵合機單價提升了3-5倍。封裝形式演變下，鍵合機需要更高的精度和更精細的能量控制。封裝技術(shù)經(jīng)歷了從最初通過引線框架到倒裝（FC）、熱壓粘合（TCP）、扇出封裝（Fan-out）、混合封裝（HybridBonding）的演變，以集成更多的I/O、更薄的厚度，以承載更多復(fù)雜的芯片功能和適應(yīng)更輕薄的移動設(shè)備。在最新的混合鍵合技術(shù)下，鍵合的精度從5-10/mm2提升到10k+/mm2，精度從20-10um提升至0.5-0.1um，與此同時，能量/Bit則進一步縮小至0.05pJ/Bit，因此，鍵合機的控制精度和工作效率都需達到新高度。混合鍵合拉動鍵合設(shè)備需求，存儲應(yīng)用爆發(fā)值得期待。根據(jù)華卓精科招股書，1萬片晶圓/月的產(chǎn)能需要配置4-5臺晶圓級鍵合設(shè)備。Besi預(yù)計2024年混合鍵合系統(tǒng)累計需求達100套，預(yù)計2025年后隨著混合鍵合技術(shù)在存儲中的應(yīng)用，2026年累計需求將超200套（保守口徑）。相較于D2W設(shè)備，W2W設(shè)備在產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用更為廣泛。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年全球D2W和W2W鍵合設(shè)備的市場規(guī)模約為0.06億美元和2.61億美元。2020-2026年，全球D2W和W2W鍵合設(shè)備的市場規(guī)模CAGR分別為69%和16%。2.2RDL：晶圓級封裝關(guān)鍵技術(shù)，拓展I/O范圍RDL是晶圓級封裝中最為關(guān)鍵的技術(shù)。其在晶圓表面利用金屬層與介質(zhì)層形成相應(yīng)的金屬布線圖形，將原來設(shè)計的芯片線路焊盤重新布線到新的、間距更寬的位置，使芯片能適用于更有效的封裝互連形式。RDL通過改變線路I/O端口原有的設(shè)計，加大I/O端口間距，提供較大的凸塊焊接面積，同時減小基板與元器件間的應(yīng)力，提高元器件的可靠性。此外封裝工藝RDL可取代部分芯片線路，從而縮短芯片開發(fā)時間。2.5D/3D封裝中RDL不可或缺。在2.5DIC集成中，以臺積電CoWoS-S為例，其在中間層上下都布有寬間距的RDL層，通過TIV（ThroughinterposerVia）進行信號和電氣傳遞，在高速傳輸中提供低損耗的高頻信號。在3D封裝中，如果上下是不同類型的芯片進行堆疊，則需要通過RDL重布線層將上下層芯片的IO進行對準，從而完成電氣互聯(lián)。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，RDL金屬布線的線寬和線間距越來越小，從而提供更高的互聯(lián)密度。封測廠主要用電鍍法制作RDL，大馬士革法滿足低L/S需求。RDL的制作方式包括電鍍法、大馬士革、金屬蒸鍍+金屬剝除等，由于電鍍法成本低，被封測廠廣泛應(yīng)用，而利用前道晶圓制造中的大馬士革原理的RDL工藝可以滿足低線寬/間距（Line/Space，L/S）的需求。2.3TSV：在3D封裝中實現(xiàn)垂直互聯(lián)TSV技術(shù)是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵工藝之一。中介層是2.5D封裝關(guān)鍵特點之一，其作用是連接多個芯片，目前主要采用硅基材料制造。通過在DRAM、CPU、SoC等芯片之間引入硅中介層，可以實現(xiàn)高速運算和數(shù)據(jù)交流，同時降低功耗，提高效率。在常見的2.5D封裝技術(shù)中，硅中介層集成了TSV，芯片通常通過MicroBump（微凸塊）與中介層相連接。中介層通過Bump與基板連接。而TSV則是連接中介層上下表面電氣信號的通道。TSV在3D結(jié)構(gòu)中同樣必不可少。依據(jù)TSV通孔生成的階段TSV工藝可以分為：1）Via-First；2）Via-Middle；3）Via-Last。1）Via-First指的是TSVs在FEOL工藝（例如晶體管）之前制造。Via-First由于是在器件制造之前進行通孔工藝，因此可以使用高溫工藝來制造絕緣層，其劣勢在于填充通孔的材料受限，由于后續(xù)晶體管制造過程中會有高溫的環(huán)節(jié)，此時如果填充材料為銅的時候，銅會很容易擴散到硅材料中。2）Via-Middle指的是TSVs在FEOL之后，BEOL（例如金屬層）之前制備，這種工藝由于晶圓廠在設(shè)備能力方面具備優(yōu)勢，晶圓廠通常也會制造，但也有部分OSAT廠商可以完成這一工藝。Via-Middle的優(yōu)勢在于可以實現(xiàn)較小的TSV結(jié)構(gòu)間距，再布線層通道阻塞小以及TSV結(jié)構(gòu)電阻也會較小，其劣勢主要在于它必須適合產(chǎn)品器件性能要求這樣才不會干擾器件，并且也不會干擾相鄰的布線層。3）Via-Last指的是TSVs在FEOL，MOL和BEOL工藝之后制造TSV，Via-Last（從晶圓正面）的方式由于在刻蝕的時候除了刻蝕硅之外，還需刻蝕整個電介質(zhì)層，以及會阻塞布線通道，因此較少被使用。BacksideVia-Last從晶圓背面進行通孔，可以簡化工藝流程，背面后通孔工藝被廣泛用于圖像傳感器和MEMS器件。TSV工藝主要包括深硅刻蝕形成微孔，再進行絕緣層、阻擋層、種子層的沉積，深孔填充，退火，CMP減薄，Pad的制備疊加等工藝技術(shù)。2.4臨時鍵合/解鍵合晶圓減?。涸赥SV的viafirst和viamiddle工藝中，晶圓表面平坦化后，還需要進行晶圓背面的減薄使TSV露出，vialast工藝中，晶圓在進行Bosch刻蝕工藝前就會進行減薄。晶圓減薄的目的是使TSV露出，在晶圓級多層堆疊技術(shù)中，需要將多片晶圓進行堆疊鍵合，同時總厚度還必須滿足封裝設(shè)備的要求。目前較為先進的多層堆疊使用的芯片厚度均低于100μm。未來如果疊加層數(shù)增加，芯片的厚度需減薄至25μm甚至更薄。傳統(tǒng)的晶圓減薄技術(shù)包括機械磨削、CMP和濕法腐蝕等。由于晶圓經(jīng)過減薄后容易產(chǎn)生變形或翹曲，目前業(yè)界主流的解決方案是采用一體機的思路，將晶圓的磨削、拋光、保護膜去除和劃片膜粘貼等工序集合在一臺設(shè)備內(nèi)。晶圓從始至終都被吸在真空吸盤上，始終保持平整狀態(tài)，從而防止了晶圓在工序間搬運時產(chǎn)生變形或翹曲。臨時鍵合工藝：由于超薄晶圓柔性較差且易碎，易產(chǎn)生翹曲，需要一套支撐系統(tǒng)來防止這些損傷。通常在封裝前使用某種特定的中間層材料，將超薄晶圓臨時鍵合到一個晶圓載板上，這種工藝稱為臨時鍵合工藝（TemporaryBonding）。鍵合工藝主要有熱/機械滑移式臨時鍵合與解鍵合、熱/機械滑移式臨時鍵合與解鍵合、激光式臨時鍵合與解鍵合三種工藝。激光臨時鍵合與解鍵合工藝最大工藝溫度高，抗化學(xué)性好，是最新一代臨時鍵合/解鍵合技術(shù)方案。臨時鍵合/解鍵合常見工藝流程：在臨時載板或功能晶圓上通過壓合、粘貼或旋涂等方法制造一層鍵合黏接劑，然后翻轉(zhuǎn)功能晶圓，使其正面與臨時載板對準，將二者轉(zhuǎn)移至鍵合腔進行鍵合，臨時鍵合完成后，對功能晶圓進行一系列工藝形成RDL等結(jié)構(gòu)。最后采用不同方式的解鍵合工藝將功能晶圓與臨時載板分離，對二者分別進行清洗后，將功能晶圓轉(zhuǎn)移到劃片膜或其他支撐系統(tǒng)中，進行下一步工藝。臨時載板可以馬上進行再次利用。在這一工藝流程中，僅增加臨時鍵合機與解鍵合機兩臺設(shè)備，其他步驟均可采用與標準晶圓制造相同的設(shè)備與工藝完成。目前全球臨時鍵合設(shè)備主要供應(yīng)商有EVGroup、SUSSMicroTec等公司。國內(nèi)芯源微臨時鍵合機、解鍵合機產(chǎn)品進展順利，已陸續(xù)實現(xiàn)了多家下游客戶的導(dǎo)入。根據(jù)Yole，2020年“超越摩爾定律”相關(guān)的鍵合設(shè)備市場規(guī)模達到17億美金，預(yù)計到2027年將達到28億美金。其中2020年臨時鍵合設(shè)備市場規(guī)模為1.13億美金，預(yù)計2027年將增長至1.76億美金，SUSS在全球占據(jù)主導(dǎo)地位。臨時鍵合膠：是將功能晶圓和臨時載板黏接在一起的中間層材料。熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、粘接強度、機械穩(wěn)定性、均一性等是臨時鍵合膠的關(guān)鍵選擇因素。臨時鍵合膠的材料性能主要是由基礎(chǔ)黏料的性質(zhì)決定的，因此基礎(chǔ)黏料的選擇至關(guān)重要。可用作基礎(chǔ)黏料的高分子聚合物材料包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光刻膠等。目前全球臨時鍵合膠產(chǎn)品主要有海外供應(yīng)商壟斷，主要有BrewerSciences的WaferBond和ZoneBond系列產(chǎn)品、3M的LTHC系列產(chǎn)品、DuPont的HD-3000系列產(chǎn)品、ThinMaterials的T-MAT系列產(chǎn)品、DowCorning的WL系列產(chǎn)品、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社（TOK）的ZeroNewton系列產(chǎn)品和DowChemical的Cyclotene系列產(chǎn)品。3國內(nèi)供應(yīng)商梳理3.1封測廠：積極布局先進封裝，產(chǎn)品+客戶雙線推進3.1.1長電科技：國產(chǎn)封測龍頭，先進封裝注入成長新動力國內(nèi)封裝測試龍頭廠商。為公司海內(nèi)外客戶提供涵蓋封裝設(shè)計、焊錫凸塊、針探、組裝、測試、配送等一整套半導(dǎo)體封裝測試解決方案。目前公司在5G通信類、高性能計算、消費類、汽車和工業(yè)等重要領(lǐng)域擁有行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體先進封裝技術(shù)（如SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP及XDFOI?系列等）以及混合信號/射頻集成電路測試和資源優(yōu)勢，并實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。2023H1需求疲軟，2023Q2環(huán)比復(fù)蘇。公司2023年上半年實現(xiàn)營收121.7億元，yoy-21.9%，歸母凈利潤4.96億元，yoy-67.89%，扣非歸母凈利3.79億元，yoy-73.11%，全年綜合毛利率13.54%，同比-4.98pcts，凈利率4.07%，同比-5.83pcts。面對2023年地緣政治沖突及全球經(jīng)濟衰退的影響，半導(dǎo)體市場仍處于行業(yè)下行周期。分下游應(yīng)用領(lǐng)域：2023H1營收中通訊電子占比35.4%、消費電子占比26.1%、運算電子占比16.4%、工業(yè)及醫(yī)療電子占比11.5%、汽車電子占比10.5%。消費電子yoy-5.2pcts，運算電子yoy-2pcts，通訊電子yoy-1.3pcts，工業(yè)及醫(yī)療電子yoy+1.4pcts，汽車電子yoy+6.9pcts。汽車電子業(yè)務(wù)高速增長。公司子公司星科金朋韓國廠（長電韓國）在2021年便已獲得了多款歐美韓車載大客戶的汽車產(chǎn)品模組開發(fā)項目，主要應(yīng)用為智能座艙和ADAS。截至2022年年報，中國大陸的廠區(qū)已完成IGBT封裝業(yè)務(wù)布局，同時具備碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）芯片封裝和測試能力，已在車用充電樁出貨第三代半導(dǎo)體封測產(chǎn)品。公司在2023年上半年的汽車電子業(yè)務(wù)營收金額為12.78億元，2022年同期為5.61億元，同比增長127.7%，是公司業(yè)績增長中重要的增長點之一。XDFOI系列工藝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。目前TSV硅中介層技術(shù)在各大前沿封裝技術(shù)中仍占主導(dǎo)地位，包括XDFOI在內(nèi)的UHDFO技術(shù)與硅橋技術(shù)正在不斷發(fā)展。今年1月，XDFOI已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨，最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。當前技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi)，微凸點中心距為40μm，并向8顆以上子芯片集成、70*70mmRDL尺寸、50um芯片間隙、混合鍵合凸點等技術(shù)發(fā)展。3.1.2通富微電：積極擁抱AMD，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化國內(nèi)集成電路封測領(lǐng)軍企業(yè)之一，涵蓋先進封測技術(shù)。公司成立于1997年，公司主營業(yè)務(wù)為集成電路封裝測試，封裝方面目前已擁有Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP等先進封測技術(shù)，QFN、QFP、SO等傳統(tǒng)封測技術(shù)以及汽車電子產(chǎn)品、MEMS等封測技術(shù)；測試方面目前已覆蓋圓片測試、系統(tǒng)測試等測試技術(shù)。通富微電產(chǎn)品線更專注于FC、Bumping和存儲方向，受益下游客戶AMD和存儲彈性大。2023H1業(yè)績短期承壓，主要系匯率損失導(dǎo)致。公司2023年上半年實現(xiàn)營收99.08億元，yoy+3.56%，公司2023年上半年歸母凈利潤-1.88億元，扣非歸母凈利潤-2.61億元，綜合毛利率10.42%，同比-5.56pcts，凈利率-2.06%，同比-5.91pcts。公司因匯兌損失減少歸屬于母公司股東的凈利潤2.03億元左右，如剔除上述匯率波動影響，2023年上半年公司歸屬于母公司股東的凈利潤為正。先進封裝技術(shù)領(lǐng)先，多樣化布局。截至2023年6月30日，公司累計國內(nèi)外專利申請達1,463件，其中發(fā)明專利占比約70%；同時，公司先后從富士通、卡西歐、AMD獲得技術(shù)許可，使公司快速切入高端封測領(lǐng)域。公司面向未來高附加值產(chǎn)品以及市場熱點方向，積極調(diào)整產(chǎn)品布局，在高性能計算、新能源、汽車電子、存儲、顯示驅(qū)動等領(lǐng)域，大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴充其產(chǎn)能，布局Chiplet、2.5D/3D等頂尖封裝技術(shù)。綁定AMD，深度受益高性能計算。通富微電在AMD處份額超過80%，與AMD協(xié)同發(fā)展，深度受益AI浪潮。2022年，通富超威蘇州及通富超威檳城實現(xiàn)營收共計143.85億元，yoy+74%，合計實現(xiàn)凈利潤6.67億元。通富超威蘇州及通富超威檳城合計營收及合計凈利潤連續(xù)6年實現(xiàn)增長，貢獻了公司的主要增長。3.1.3甬矽電子：封測界后起之秀，聚焦中高端業(yè)務(wù)聚焦先進封裝，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)完善優(yōu)質(zhì)。甬矽電子成立于2017年11月，主要聚焦集成電路封測中的先進封裝領(lǐng)域，主要終端包括消費類電子、汽車電子、工規(guī)產(chǎn)品等。公司銷售收入主要來自于中高端封裝產(chǎn)品，并在射頻前端芯片封測、AP類SoC芯片封測、觸控IC芯片封測、WiFi芯片封測、藍牙芯片封測、MCU等物聯(lián)網(wǎng)（IoT）芯片封測等新興應(yīng)用領(lǐng)域具有良好的市場口碑和品牌知名度。堅持研發(fā)，技術(shù)獨立自主。截至2023年6月30日，公司已經(jīng)取得的專利共281項，其中發(fā)明專利111項、實用新型162項、外觀專利2項、6項軟件著作權(quán)。2019年-2023年9月，公司研發(fā)投入金額分別為0.28億元、0.49億元、0.97億元、1.22億元和1.02億元，呈穩(wěn)定上升趨勢。未來公司將根據(jù)自身發(fā)展戰(zhàn)略和市場需求情況，繼續(xù)加大研發(fā)投入力度，持續(xù)完善研發(fā)人員儲備戰(zhàn)略，提高研發(fā)人員的專業(yè)能力。公司在高密度細間距凸點倒裝產(chǎn)品（FC類產(chǎn)品）、系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品、4G/5G射頻功放封裝技術(shù)、高密度大尺寸框架封裝產(chǎn)品、MEMS封裝產(chǎn)品、IC測試等領(lǐng)域均具擁有核心技術(shù)，且穩(wěn)定量產(chǎn)。客戶資源優(yōu)秀。憑借穩(wěn)定的封測良率、靈活的封裝設(shè)計實現(xiàn)性、不斷提升的量產(chǎn)能力和交付及時性，恒玄科技、晶晨股份、富瀚微、聯(lián)發(fā)科、北京君正、鑫創(chuàng)科技、全志科技、匯頂科技、韋爾股份、唯捷創(chuàng)芯、深圳飛驤、翱捷科技、銳石創(chuàng)芯、昂瑞微與星宸科技等行業(yè)內(nèi)知名芯片企業(yè)建立了合作關(guān)系，并多次獲得客戶授予的最佳供應(yīng)商等榮譽。行業(yè)復(fù)蘇不及預(yù)期，靜待下游需求回暖。公司2023年前三季度實現(xiàn)營收16.31億元，同比降低4.86%。實現(xiàn)歸母凈虧損1.20億元。預(yù)計實現(xiàn)扣非歸母凈虧損1.63億元。報告期內(nèi)，受外部經(jīng)濟環(huán)境及行業(yè)周期波動影響，全球終端市場需求依舊較為疲軟，下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期，公司所處的封測環(huán)節(jié)亦受到一定影響。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）發(fā)布的預(yù)測稱，2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少10.3％，降至5150億美元；預(yù)計2024年半導(dǎo)體市場規(guī)模將比2023年增加11.8％。攻克高密度Bump+RDL技術(shù)，發(fā)力晶圓級封裝。公司在2018年后逐步實現(xiàn)多種尖端產(chǎn)品和技術(shù)的量產(chǎn)，包括倒裝芯片、QFN/DFN、焊線類BGA、系統(tǒng)級封裝（SiP）以及混合封裝BGA（Hybrid-BGA），先進封裝產(chǎn)品占比領(lǐng)先?；谙冗M的Bumping微凸塊和RDL重布線技術(shù)，積極開發(fā)Fan-in/Fan-out、2.5D/3D等晶圓級封裝技術(shù)。隨著Bumping及CP產(chǎn)能通線，公司凸塊加工自給率不斷提升，一站式交付能力提升，亦將帶動毛利率上行。3.2封裝設(shè)備：國產(chǎn)替代走向深水區(qū)3.2.1拓荊科技：混合鍵合設(shè)備國產(chǎn)化中堅力量大力投入混合鍵合設(shè)備開發(fā)，新品取得突破性進展。根據(jù)公司2023年半年度報告，公司累計已經(jīng)投入金額6.67億元用于研發(fā)混合鍵合系列設(shè)備產(chǎn)品的“應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的系列產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項目。預(yù)計總投資規(guī)模9.71億元，本期已投入571.6萬元，技術(shù)水平達到國際同類設(shè)備水平。公司研制的晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品Dione300實現(xiàn)首臺產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,并獲得了重復(fù)訂單，后續(xù)也會開展芯片對晶圓鍵合設(shè)備的研發(fā)；公司芯片對晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品Pollux已出貨至客戶端進行產(chǎn)業(yè)化驗證，驗證進展順利。3.2.2芯源微：涂膠顯影&濕法設(shè)備需求增加，產(chǎn)品矩陣全面推進受益先進封裝&Chiplet產(chǎn)業(yè)趨勢，后道產(chǎn)品矩陣進一步拓寬。在Chiplet技術(shù)中，為了縮小芯片體積、提高芯片散熱性能和傳導(dǎo)效率等，晶圓減薄工藝會被大量應(yīng)用，為了不損傷減薄中以及減薄后晶圓，需要將晶圓片與玻璃基板臨時鍵合并在完成后續(xù)工藝后最終解鍵合。同時在Chiplet技術(shù)路線下，F(xiàn)an-out、CoWoS等封裝工藝路線都要經(jīng)過單次或多次的臨時鍵合及解鍵合工藝來實現(xiàn)芯粒互聯(lián)。針對以上半導(dǎo)體工藝應(yīng)用場景，公司已成功研發(fā)臨時鍵合機、解鍵合機產(chǎn)品，突破國外企業(yè)壟斷，目前臨時鍵合機正在進行客戶端驗證。后道涂膠顯影、濕法類工藝需求顯著增加。公司后道先進封裝領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實現(xiàn)批量銷售超百臺套，近年來已作為主流機型批量應(yīng)用于臺積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、中芯紹興、中芯寧波等國內(nèi)一線大廠，已經(jīng)成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備。報告期內(nèi)，公司加深與盛合晶微、長電紹興、上海易卜等國內(nèi)新興封裝勢力的合作關(guān)系，成功批量導(dǎo)入各類設(shè)備。后道先進封裝領(lǐng)域中多項技術(shù)全面推進。在后道先進封裝領(lǐng)域，公司作為行業(yè)龍頭持續(xù)提升機臺各項技術(shù)指標，全新的BHP盤體平衡壓技術(shù)可應(yīng)用于chiplet等新興先進封裝領(lǐng)域，在更高工藝等級下實現(xiàn)了產(chǎn)品良率的提升；化學(xué)藥液管控技術(shù)實現(xiàn)了對強揮發(fā)性、強腐蝕性化學(xué)藥液揮發(fā)物的精準管控，達到了更高標準的機臺耐腐蝕等級和產(chǎn)品工藝效果；新開發(fā)的激光解鍵合去膠清洗技術(shù)，實現(xiàn)了在同一機臺內(nèi)完成激光解鍵合-RL層清洗-TB膠層清洗等多種工藝，可有效提升客戶生產(chǎn)效率。報告期內(nèi)，公司在多項工藝能力上達到了更高水平，力爭為客戶提供更具價值的產(chǎn)品解決方案，同時積極定義下一代產(chǎn)品。3.2.3華海清科：混合鍵合對CMP要求提高混合鍵合對CMP要求嚴格?；旌湘I合前，對晶圓的平坦度要求高，根據(jù)EVG數(shù)據(jù)，混合鍵合對表面的平坦度要求在0.5nm以內(nèi)，更理想的情況是控制在0.3nm。因此CMP是混合鍵合的預(yù)處理中成本占比最高的加工過程。積極開拓先進封裝市場。公司用于先進封裝的CMP設(shè)備已批量交付客戶大生產(chǎn)線。公司在先進封裝領(lǐng)域還可提供減薄設(shè)備Versatile-GP300，集成超精密磨削、拋光及清洗單元，配置先進的厚度偏差與表面缺陷控制技術(shù)，提供多種系統(tǒng)功能擴展選項，具有高精度、高剛性、工藝開發(fā)靈活等優(yōu)點。3.2.4新益昌：固晶機老兵，MiniLED&半導(dǎo)體雙輪驅(qū)動深耕十七年，LED固晶龍頭。公司成立于2006年，主要從事半導(dǎo)體、LED、電容器、鋰電池等行業(yè)智能制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，為客戶實現(xiàn)智能制造提供先進、穩(wěn)定的裝備及解決方案。經(jīng)過17年的積累和沉淀，公司已經(jīng)成為國內(nèi)LED固晶機、電容器老化測試智能制造裝備領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，公司成立以來始終致力于推動固晶機的國產(chǎn)化進程，目前產(chǎn)品已從傳統(tǒng)LED領(lǐng)域拓展至Mini-LED和半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。營收短期承壓，盈利能力保持增長趨勢，固晶機為主要營收貢獻。2019年至2022年，公司營收復(fù)合增速為15.95%，歸母凈利潤增速為23.54%。公司2022年實現(xiàn)營收11.8億元，yoy-1.1%，歸母凈利潤2.0億元，yoy-11.8%，主要系行業(yè)周期下行，需求不振。2023H1公司營收5.39億元，其中固晶機收入為3.77億元，占比最高，達69.94%。電容器老化測試設(shè)備營收為1.23億元，占比為22.82%。營收增速方面，2023H1鋰電池老化測試設(shè)備同比增速最快，為346.8%%，電容器設(shè)備同比增速為20.59%，而固晶機有所下滑，同比-27.64%。2022年公司固晶機業(yè)務(wù)毛利率達45.05%，電容器老化測試設(shè)備為36.20%。隨著行業(yè)復(fù)蘇和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更新，公司業(yè)績在2023H2有望迎來反彈。固晶機和焊線機是封裝中占比較高的設(shè)備，公司產(chǎn)品成功切入。封裝設(shè)備包括固晶機、焊線機、電鍍設(shè)備、減薄機、劃片機等，其中設(shè)備價值量占比最高的為固晶機和焊線機。封裝技術(shù)經(jīng)歷了從最初通過引線框架到倒裝、熱壓粘合、扇出封裝、混合封裝的演變，提出對固晶機控制精度和工作效率新要求，公司掌握高速精準運動控制技術(shù)、單邦雙臂同步運行技術(shù)、MiniLED缺陷檢測算法、智慧產(chǎn)線等固晶機核心技術(shù)，于2017年切入半導(dǎo)體固晶機領(lǐng)域。焊線機方面，收購開玖成功進軍。焊線機占封裝設(shè)備市場規(guī)模的32%，公司2021年收購深圳市開玖自動化設(shè)備有限公司75%的股權(quán)。開玖主要產(chǎn)品為全自動超聲波引線鍵合設(shè)備，是國內(nèi)TO56焊線機（可翻轉(zhuǎn)焊線）行業(yè)的開拓者，其TO56激光管已占有80％以上市場份額。通過過收購開玖自動化，積極研發(fā)半導(dǎo)體焊線設(shè)備，實現(xiàn)固晶與焊線設(shè)備的協(xié)同銷售，有效擴展公司在封測流程中的產(chǎn)品應(yīng)用和市場空間，助力公司未來多元化成長。3.2.5盛美上海：清洗設(shè)備龍頭，平臺化布局打造六大業(yè)務(wù)版圖實行差異化國際競爭，業(yè)務(wù)不斷拓展延伸。盛美上海成立于2005年，公司自設(shè)立以來，致力于為全球集成電路行業(yè)提供先進的設(shè)備及工藝解決方案，堅持差異化國際競爭和原始創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略，通過自主研發(fā)，建立了較為完善的知識產(chǎn)權(quán)體系，憑借豐富的技術(shù)和工藝積累，形成了具有國際領(lǐng)先或先進水平的前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備（包括單片、槽式、單片槽式組合、CO2超臨界清洗、邊緣和背面刷洗）、電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備（包括氧化、擴散、真空回火、LPCVD、ALD）、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等，打造“清洗+電鍍+先進封裝濕法+立式爐管+涂膠顯影+PECVD”六大類業(yè)務(wù)版圖。業(yè)績高速增長，盈利能力持續(xù)加強。公司自2018年以來，營收與歸母凈利潤同比持續(xù)上漲，2022年營收28.73億元，同比上漲77.25%，2023H1營收16.1億元，同比上漲46.94%，2018-2022年CARG達51.18%。歸母凈利潤方面，2022年歸母凈利潤達6.68億元，同比上漲151.08%，2023H1歸母凈利潤達4.39億元，同比上漲85.74%，2018-2022年CARG達63.71%。新品、新技術(shù)頻出，先進封裝領(lǐng)域覆蓋率持續(xù)上升。UltraCpr設(shè)備新添金屬剝離工藝，以支持功率半導(dǎo)體制造和晶圓級封裝（WLP）應(yīng)用。該應(yīng)用是一種形成晶圓表面圖案化的方法，省去了蝕刻工藝步驟，可降低成本，縮短工藝流程，并減少高溫化學(xué)品用量。全自動槽式清洗設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域和先進封裝領(lǐng)域的清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝，能夠同時清洗50片晶圓，設(shè)備主要應(yīng)用于40nm及以上技術(shù)節(jié)點的幾乎所有清洗工藝步驟。三維電鍍設(shè)備UltraECP3d，可為高深寬比（深寬比大于10:1）銅應(yīng)用提供高性能、無孔洞的鍍銅功能。為提高產(chǎn)能而做的堆疊式腔體設(shè)計，還能減少消耗品的使用，降低成本，節(jié)省設(shè)備使用面積。無應(yīng)力拋光先進封裝平坦化設(shè)備，公司拓展開發(fā)適用于先進封裝3D硅通孔及2.5D轉(zhuǎn)接板中金屬銅層平坦化工藝應(yīng)用，利用無應(yīng)力拋光的電化學(xué)拋光原理，有效解決CMP工藝存在的技術(shù)和成本瓶頸。前道銅互連電鍍銅設(shè)備，公司開發(fā)了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的前道銅互連電鍍設(shè)備UltraECPmap及電鍍工藝，針對28-14nm及以下技術(shù)節(jié)點，可在超薄籽晶層（5nm）上完成無空穴填充，同時通過對不同陽極的電流調(diào)整，在無空穴填充后實現(xiàn)更好的沉積銅膜厚的均勻性，可滿足先進工藝的鍍銅需求。目前整機設(shè)備已進入量產(chǎn)驗證，并已部分實現(xiàn)產(chǎn)線量產(chǎn)，2022年獲得大量重復(fù)批量訂單，繼續(xù)引領(lǐng)電鍍設(shè)備國產(chǎn)化，確立了公司在本土12英寸銅互連電鍍設(shè)備市場的龍頭地位。該技術(shù)進一步延伸到先進封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域，成功開發(fā)了先進封裝電鍍設(shè)備、三維TSV電鍍設(shè)備和高速電鍍設(shè)備，填補國內(nèi)空白并形成批量銷售。更大電鍍液流量下實現(xiàn)平穩(wěn)電鍍技術(shù)方面，公司解決了在更大電鍍液流量下實現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，2022年在高速電鍍錫銀方面也實現(xiàn)突破，在客戶端成功量產(chǎn)。采用獨創(chuàng)的第二陽極電場控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，實現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍，凸塊產(chǎn)品的各項指標均滿足客戶要求。在針對高密度封裝的電鍍領(lǐng)域可以實現(xiàn)2μm超細RDL線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實現(xiàn)更好的密封效果。2022年進一步擴大市場規(guī)模并取得高端客戶的批量訂單。3.2.6中微公司：刻蝕設(shè)備龍頭，產(chǎn)品推進先進制程縱向深耕刻蝕設(shè)備與MOCVD設(shè)備，橫向開拓LPCVD、ALD設(shè)備領(lǐng)域。公司成立于2004年，主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域，形成由刻蝕設(shè)備起步，逐漸拓展至MOCVD，VOC，LPCVD，進一步向ALD設(shè)備延伸局面，自成立以來，公司致力于開發(fā)和提供微觀加工所需的高端關(guān)鍵設(shè)備，緊跟先進制程工藝最前沿的發(fā)展，和國際最強的半導(dǎo)體設(shè)備公司同步前行。營收與歸母凈利潤高速增長，實現(xiàn)五年同比上升。公司2022年實現(xiàn)營收47.4億元，同比上升52.51%，主要系等離子體刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外持續(xù)獲得更多客戶的認可，市場占有率不斷提高，MOCVD設(shè)備新品開發(fā)進展順利；2022年實現(xiàn)歸母凈利潤11.7億元，同比上升15.73%。公司2023年H1營收25.27億元，同比上升28.13%，實現(xiàn)歸母凈利潤10.03億元，同比上升114.4%，2018-2022年營收與歸母凈利潤CARG分別達30.41%、89.36%，實現(xiàn)營收與歸母凈利潤雙高速增長。其中刻蝕設(shè)備營收持續(xù)上升，由2018年5.66億元增長至2022年31.47億元，CARG達53.56%，2022年刻蝕設(shè)備營收占比達66.39%，貢獻多數(shù)營收?？涛g產(chǎn)品不斷推進，先進封裝覆蓋率上升。大馬士革工藝上，公司開發(fā)可調(diào)節(jié)電極間距CCP刻蝕機PrimoHD-RIE已進入客戶驗證階段，設(shè)備具有實時可調(diào)電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，靈活調(diào)節(jié)等離子體濃度分布和活性自由基濃度分布，有效的應(yīng)對一體化大馬士革刻蝕工藝中要求的在同一刻蝕工藝中達到最優(yōu)的溝槽和通孔刻蝕均勻性的問題，極大拓寬一體化刻蝕工藝的工藝窗口，助力公司提升先進制程市場市占率。極高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕方面，公司致力于提供超高深寬比掩膜（40:1）和超高深寬比介質(zhì)刻蝕（60：1）的全套解決方案，相應(yīng)的開發(fā)了配備超低頻偏壓射頻的ICP刻蝕機用于超高深寬比掩膜的刻蝕，配備超低頻高功率偏壓射頻的CCP刻蝕機用于超高深寬比介質(zhì)刻蝕，這兩種設(shè)備都已經(jīng)開展現(xiàn)場驗證，目前進展順利，其中自主開發(fā)的超高深比刻蝕機采用大功率400KHz取代2MHz作為偏壓射頻源，通過低頻射頻有效提升離子入射能量和準直性，極大的提高深寬比刻蝕的能力。深硅刻蝕設(shè)備不斷取得新成績。公司ICP技術(shù)設(shè)備類中的8英寸和12英寸深硅刻蝕設(shè)備PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圓級先進封裝、2.5D封裝和微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟市場繼續(xù)獲得重復(fù)訂單的同時，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶新建的12英寸微機電系統(tǒng)芯片產(chǎn)線上獲得認證的機會，新工藝的驗證有助于公司PrimoTSV300E刻蝕設(shè)備拓展新市場提供新動力。3.3封裝材料：國產(chǎn)化空間巨大，技術(shù)壁壘高企3.3.1興森科技：國產(chǎn)IC封裝基板領(lǐng)軍者深耕PCB領(lǐng)域三十年，PCB、半導(dǎo)體兩大業(yè)務(wù)并舉。興森科技前身廣州快捷電路板有限公司成立于1993年，公司自成立以來深耕PCB樣板、快件和小批量板，目前已成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。以傳統(tǒng)PCB業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，興森科技通過外延內(nèi)生的方式，進一步拓展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的半導(dǎo)體測試板、IC封裝基板領(lǐng)域，為芯片的封裝和測試環(huán)節(jié)關(guān)鍵材料提供國產(chǎn)化配套。當前公司聚焦PCB與半導(dǎo)體兩大業(yè)務(wù)板塊，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、服務(wù)器、工控及儀器儀表等多個領(lǐng)域，不斷提升服務(wù)客戶的深度與廣度，并通過強化管理提升效率增強核心競爭力。營收穩(wěn)步向上，IC封裝基板投資擴產(chǎn)利潤短期承壓。公司營收從2017年的32.8億增長至2022年的53.5億，5年復(fù)合增長率10.3%，穩(wěn)步向上，其中IC封裝基板占比不斷上升，2022年占營收比重75.3%。利潤方面，2017年至2021年亦持續(xù)增長，但2022年P(guān)CB行業(yè)面臨需求不振和競爭加劇的雙重壓力，宜興硅谷產(chǎn)能利用率不足，英國Exception產(chǎn)線升級更新疊加成本上升凈利潤下滑。公司2023年上半年實現(xiàn)營收25.66億元，yoy-4.8%，歸母凈利潤0.18億元，yoy-95.0%。2022年IC封裝基板業(yè)務(wù)由于行業(yè)需求大幅下滑導(dǎo)致新增產(chǎn)能利用率不足，疊加FCBGA封裝基板項目仍處于建設(shè)階段，未產(chǎn)生收入貢獻，但整體人工成本、研發(fā)投入、試生產(chǎn)損耗等對公司利潤形成較大拖累，F(xiàn)CBGA封裝基板項目2022年全年費用投入約1.02億元，2023年上半年人工、材料、能源、折舊等費用合計約1.46億元，整體虧損約1.09億元。對公司歸母凈利潤產(chǎn)生不利影響。我們認為隨著下游需求恢復(fù)，以及FCBGA封裝基板在通過產(chǎn)品驗證后獲得客戶訂單營收逐步放量，公司利潤水平有望修復(fù)。封裝基板作為集成電路封裝關(guān)鍵載體，興森持續(xù)加碼擴產(chǎn)。封裝基板作為芯片封裝核心材料，一方面保護、固定、支撐芯片，增強芯片導(dǎo)熱散熱性能，保證芯片不受物理損壞，另一方面封裝基板的上層與芯片相連，下層與PCB相連，從而實現(xiàn)電氣和物理連接、功率分配、信號分配，以及溝通芯片內(nèi)部與外部電路等功能。CSP封裝基板性能方面，興森科技CSP封裝基板工廠設(shè)備設(shè)計上具備最薄0.035mm芯板加工能力，對于無芯基板產(chǎn)品，制造過程中使用自動分離機，分離速度快、精度高，避免了手動分離后的基板翹曲、折痕和破損問題。細線路方面，公司有全套對應(yīng)Tenting（50/50-25/25μm）、MSAP（30/30-15/20μm）、ETS（13/13-10/10μm）的設(shè)備，LDI曝光機采用直接曝光進行圖像轉(zhuǎn)移，公司引進業(yè)內(nèi)先進的高解析度全自動LDI曝光機，對準精度高，穩(wěn)定性好，產(chǎn)速高。此外通過垂直非接觸式顯影線，提升細線路良率。多層板制作方面，公司有成熟的層間對位系統(tǒng)，采用高集成一體化全自動疊合。同時工廠通過高度自動化，提高效率保證一致性。CSP產(chǎn)能方面：公司目前廣州生產(chǎn)基地有2萬平方米/月的產(chǎn)能，良率優(yōu)秀，與大基金合作的IC封裝基板項目（廣州興科，由全資子公司珠海興科實施）分二期投資，第一期規(guī)劃的產(chǎn)能為4.5萬平方米/月，第一條產(chǎn)線（1.5萬平方米/月）產(chǎn)能已開出。未來隨著客戶需求及市場情況，公司將繼續(xù)擴產(chǎn)以支撐長期增長。FCBGA封裝基板方面：興森科技在ABF封裝基板領(lǐng)域是僅有的幾家在客戶認證有突破的國產(chǎn)供應(yīng)商之一，目前與國內(nèi)外部分主流芯片設(shè)計公司、封裝企業(yè)均已建立起聯(lián)系。珠海產(chǎn)線目前處于客戶認證階段，部分大客戶的技術(shù)評級、體系認證均已通過，等待產(chǎn)品認證結(jié)束之后進入小批量生產(chǎn)階段。截至2022年底，公司FCBGA封裝基板項目已累計投資9.65億元，逆勢擴張支撐公司長期成長。產(chǎn)能方面，公司珠海FCBGA封裝基板項目擬建設(shè)產(chǎn)能200萬顆/月（約6,000平方米/月）的產(chǎn)線，已于2022年12月底建成并成功試產(chǎn)。廣州FCBGA封裝基板項目擬分期建設(shè)2000萬顆/月（2萬平方米/月）的產(chǎn)線，一期廠房已于2022年9月完成廠房封頂，目前處于設(shè)備安裝階段，預(yù)計2023年第四季度完成產(chǎn)線建設(shè)、開始試產(chǎn)，未來有望充分受益封裝關(guān)鍵材料國產(chǎn)化浪潮。3.3.2天承科技：PCB專用化學(xué)品龍頭公司主要產(chǎn)品為PCB專用電子化學(xué)品，高端產(chǎn)品市占率國內(nèi)第二。天承科技成立于2010年，主要產(chǎn)品為應(yīng)用于高端PCB生產(chǎn)中沉銅、電鍍、銅面處理等環(huán)節(jié)的專