GB/Z 43684-2024納米技術(shù)光柵的描述、測(cè)量和尺寸質(zhì)量參數(shù)

ICS07120

CCSL.04

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z43684—2024/IECTS626222012

:

納米技術(shù)光柵的描述測(cè)量和

、

尺寸質(zhì)量參數(shù)

Nanotechnoloies—Descritionmeasurementanddimensional

gp,

qualityparametersofgratings

IECTS626222012Nanotechnoloies—Descritionmeasurementand

(:,gp,

dimensionalualitarametersofartificialratinsIDT

qypgg,)

2024-03-15發(fā)布2024-10-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z43684—2024/IECTS626222012

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

基本術(shù)語

3.1……………1

光柵相關(guān)術(shù)語

3.2………………………3

光柵的種類

3.3…………………………5

光柵質(zhì)量參數(shù)術(shù)語

3.4…………………7

表征光柵的測(cè)量方法類別

3.5…………9

縮略語

4……………………10

光柵校準(zhǔn)和質(zhì)量表征方法

5………………10

概述

5.1………………10

全局方法

5.2……………10

局部方法

5.3……………11

混合方法

5.4……………11

各種方法的對(duì)比

5.5……………………12

光柵特征的其他偏差

5.6………………12

光柵質(zhì)量表征的濾波算法

5.7…………14

光柵表征結(jié)果的報(bào)告

6……………………14

通則

6.1…………………14

光柵規(guī)格

6.2……………14

校準(zhǔn)程序

6.3……………15

光柵質(zhì)量參數(shù)

6.4………………………15

附錄資料性背景信息和示例

A()………………………16

附錄資料性布拉維格子

B()……………24

參考文獻(xiàn)

……………………27

Ⅰ

GB/Z43684—2024/IECTS626222012

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用納米技術(shù)人造光柵的描述測(cè)量和尺寸質(zhì)量參數(shù)文件類

IECTS62622:2012《、》,

型由的技術(shù)規(guī)范調(diào)整為我國的國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

IEC。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為納米技術(shù)光柵的描述測(cè)量和尺寸質(zhì)量參數(shù)

———《、》;

將中未被引用的術(shù)語特征位置的相對(duì)偏差和特征位置的相對(duì)線性度

———IECTS62622:2012“”“

偏差分別調(diào)整至術(shù)語特征位置偏差和特征位置的線性度偏差的注中

”“”“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國科學(xué)院提出

。

本文件由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本文件起草單位中國計(jì)量科學(xué)研究院北京大學(xué)清華大學(xué)蘇州蘇大維格科技集團(tuán)股份有限公

:、、、

司廣納四維廣東光電科技有限公司

、()。

本文件主要起草人李偉李適朱振東李群慶陳林森李曉軍高思田李琪施玉書黃鷺史瑞

:、、、、、、、、、、、

喬文華鑒瑜

、。

Ⅲ

GB/Z43684—2024/IECTS626222012

:

引言

光柵在納米尺度結(jié)構(gòu)的制造過程以及納米物體的表征中起著重要的作用

。

在采用光刻技術(shù)的半導(dǎo)體集成電路批量制造中通過光來探測(cè)掩模版和硅晶圓上的光柵圖案分析

,,

產(chǎn)生的光信號(hào)并將其用于在晶圓掃描生產(chǎn)工具的不同光刻步驟中實(shí)現(xiàn)光刻掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)在半

,。

導(dǎo)體制造以及其他需要納米級(jí)高定位精度的制造過程中通常使用基于光柵的長度或角度編碼器系統(tǒng)

,

提供運(yùn)動(dòng)軸的位置反饋納米技術(shù)中光柵的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域是作為標(biāo)準(zhǔn)器用于校準(zhǔn)表征納米結(jié)構(gòu)所

。,

用的必要儀器如掃描探針顯微鏡掃描電子顯微鏡或透射電子顯微鏡等高分辨顯微鏡

,、。

在制造工具中用于位置反饋的光柵的質(zhì)量通常影響對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)或定位系統(tǒng)所能實(shí)現(xiàn)的精度光柵

,。

作為校準(zhǔn)高分辨顯微鏡圖像放大倍率的標(biāo)準(zhǔn)器其質(zhì)量決定了校準(zhǔn)的不確定度從而對(duì)顯微鏡的最終測(cè)

,,

量不確定度起著重要作用

。

本文件主要規(guī)定了光柵特征的質(zhì)量參數(shù)采用與光柵特征標(biāo)稱位置的偏差來表示并提供了用于校

,,

準(zhǔn)和表征光柵的各類測(cè)量與評(píng)價(jià)方法的應(yīng)用指南

。

Ⅳ

GB/Z43684—2024/IECTS626222012

:

納米技術(shù)光柵的描述測(cè)量和

、

尺寸質(zhì)量參數(shù)

1范圍

本文件界定了以光柵特征與標(biāo)稱位置偏差來解釋光柵的全局和局部質(zhì)量參數(shù)的通用術(shù)語并提供

,

了測(cè)定參數(shù)所用的測(cè)量與評(píng)價(jià)方法分類的指南以及在納米技術(shù)的不同應(yīng)用領(lǐng)域保證生產(chǎn)和使用光柵

,

質(zhì)量的指南

。

本文件所定義和描述的方法適用于不同種類的光柵但本文件重點(diǎn)關(guān)注一維和二維光

,(1D)(2D)

柵以便于納米技術(shù)領(lǐng)域中涉及光柵尺寸質(zhì)量參數(shù)表征的制造商用戶和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室之間的使用

,、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;