硅基液晶顯示器件的制備的開題報(bào)告

硅基液晶顯示器件的制備的開題報(bào)告【摘要】本文介紹了硅基液晶顯示器件的制備方法和技術(shù)路線。首先介紹了硅基液晶顯示器件的基本原理和應(yīng)用場(chǎng)景，然后詳細(xì)介紹了硅基液晶顯示器件的制備過程和關(guān)鍵技術(shù)，包括硅基晶圓清洗、硅基液晶顯示器件的光刻、制備液晶層、制備透明電極和制備對(duì)齊層等關(guān)鍵步驟，最后講解了硅基液晶顯示器件的性能測(cè)試和量產(chǎn)工藝流程?！娟P(guān)鍵詞】硅基，液晶顯示器件，制備，技術(shù)路線【正文】1.研究背景和意義硅基液晶顯示技術(shù)是一種應(yīng)用廣泛的光學(xué)顯示技術(shù)，具有色彩飽和度高、清晰度高、視角寬、功耗低、可制備大面積等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、電視等顯示設(shè)備中。與傳統(tǒng)液晶顯示器件相比，硅基液晶顯示器件具有更高的可靠性和成本優(yōu)勢(shì)，已成為光學(xué)顯示技術(shù)的主流。硅基液晶顯示器件的制備是硅基光學(xué)顯示技術(shù)的核心之一。硅基液晶顯示器件制備的關(guān)鍵技術(shù)包括硅基晶圓清洗、硅基液晶顯示器件的光刻、制備液晶層、制備透明電極和制備對(duì)齊層等步驟。對(duì)硅基液晶顯示器件制備的研究和開發(fā)，對(duì)推進(jìn)硅基光學(xué)顯示技術(shù)的發(fā)展，并且能提高我國(guó)光電產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，具有重要意義。2.硅基液晶顯示器件制備方法硅基液晶顯示器件的制備流程包括硅基晶圓清洗、光刻、涂覆液晶層、制備透明電極、制備對(duì)齊層和器件測(cè)試等幾個(gè)步驟。其中，涂覆液晶層和制備透明電極是硅基液晶顯示器件制備過程中最為關(guān)鍵的步驟。以下將對(duì)涂覆液晶層和制備透明電極的制備過程和關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行介紹。2.1涂覆液晶層制備過程涂覆液晶層是硅基液晶顯示器件制備過程中最為關(guān)鍵的步驟之一。涂覆液晶層的質(zhì)量和均勻度直接影響硅基液晶顯示器件的性能。一般的液晶層制備過程包括以下幾個(gè)步驟：（1）沉積聚合物膜在硅基晶圓上沉積一層聚合物膜，聚合物膜的厚度一般為0.5~1.0μm。（2）染料敏化使用染料敏化技術(shù)將聚合物膜置于染料溶液中，使得聚合物膜敏化。這個(gè)過程是在無菌條件下進(jìn)行的。（3）涂覆液晶層在成型模板上涂覆液晶混合物，涂覆厚度控制在1~2μm之間。（4）固化將成型模板置于紫外光下暴露，將液晶混合物固化，形成液晶層。2.2制備透明電極硅基液晶顯示器件的透明電極一般采用ITO（氧化銦錫）材料制作。ITO的制備過程包括以下幾個(gè)步驟。（1）清洗用去離子水和洗滌劑清洗硅基晶圓，使其表面干凈。（2）沉積ITO在硅基晶圓上沉積一層ITO膜，通常采用物理氣相沉積或磁控濺射沉積技術(shù)。ITO膜的厚度一般在100~200nm之間。（3）光刻在ITO膜層上涂一層光刻膠，并使其暴露在紫外光下。將光刻膠暴露區(qū)域的ITO膜層蝕刻掉，最終形成透明電極。3.性能測(cè)試和量產(chǎn)工藝流程硅基液晶顯示器件的性能測(cè)試主要包括透過率測(cè)試、色彩測(cè)量、光漏測(cè)試、響應(yīng)時(shí)間測(cè)試、視角測(cè)試等。量產(chǎn)工藝流程包括硅基晶圓清洗、光刻、涂覆液晶層、制備透明電極、制備對(duì)齊層和器件測(cè)試等幾個(gè)步驟。4.結(jié)論總之，硅基液晶顯示器件的制備是硅基光學(xué)顯示技術(shù)的核心之一。涂覆液晶層和制備透明電極是制備硅基液晶顯示器件的關(guān)鍵技術(shù)。通過